引線框架及采用該引線框架的封裝體的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種引線框架及采用該引線框架的封裝體，所述引線框架包括多個(gè)框架單元，每一框架單元可在封裝切割后形成獨(dú)立的封裝體，每一框架單元的封裝線與相鄰的框架單元的封裝線之間為切割道，每一框架單元的至少一金屬連筋在封裝線與切割道相接的位置，具有半蝕刻結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于，每一框架單元的至少一金屬連筋在封裝線與切割道相接的位置，具有半蝕刻結(jié)構(gòu)，在保證引腳外觀不變的情況下使得切割處金屬的厚度變薄，進(jìn)而減少了切割時(shí)引腳的金屬毛刺，提高產(chǎn)品良率。
【專利說明】
引線框架及采用該引線框架的封裝體
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種用于半導(dǎo)體封裝的引線框架及采 用該引線框架的封裝體。
【背景技術(shù)】
[0002] 現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)要求封裝體尺寸小，占用空間小，而在一個(gè)封裝體中又會(huì) 包括多個(gè)芯片，因此，封裝空間需要被充分利用。圖1是現(xiàn)有的一種用于扁平無引腳封裝的 引線框架的結(jié)構(gòu)示意圖。參見圖1，所述引線框架包括多個(gè)框架單元11，每一框架單元11在 后續(xù)封裝切割后形成獨(dú)立的封裝單元，圖1中采用虛線示意性地標(biāo)示出后續(xù)封裝工藝的封 裝線10的位置。每一框架單元11包括兩個(gè)放置芯片的芯片貼裝部12及多個(gè)連接至框體13上 的引腳14。在封裝線轉(zhuǎn)角處的引腳14(如圖中箭頭所示)會(huì)有兩個(gè)相鄰的面暴露于所述封裝 線之外。
[0003] 該種引線框架存在如下缺點(diǎn)：
[0004] (1)由于引腳14與框體13采用金屬連接，進(jìn)行封裝體切割時(shí)，在引腳14的金屬斷裂 面會(huì)出現(xiàn)金屬毛刺，特別是在封裝線轉(zhuǎn)角處的引腳14的金屬斷裂面上，金屬毛刺尤為明顯， 金屬毛刺在終端用戶應(yīng)用中會(huì)引起短路。
[0005] (2)為了保證切割品質(zhì)，框體13均為半蝕刻(半蝕刻區(qū)域采用陰影線標(biāo)示出）。從而 會(huì)導(dǎo)致框體13強(qiáng)度較弱，在焊線時(shí)可能會(huì)出現(xiàn)焊線不穩(wěn)或斷裂(NS0L/NS0P)等情況。
[0006] 因此，亟需一種克服上述問題的引線框架。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0007] 本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是，提供一種引線框架及采用該引線框架的封裝 體，其能夠減少了切割時(shí)引腳的金屬毛刺，提尚廣品良率。
[0008] 為了解決上述問題，本實(shí)用新型提供了一種引線框架，包括多個(gè)框架單元，每一框 架單元可在封裝切割后形成獨(dú)立的封裝體，每一框架單元的封裝線與相鄰的框架單元的封 裝線之間為切割道，每一框架單元的至少一金屬連筋在封裝線與切割道相接的位置，具有 半蝕刻結(jié)構(gòu)。
[0009] 進(jìn)一步，所述半蝕刻結(jié)構(gòu)采用引線框架下面半蝕刻結(jié)構(gòu)，以減少金屬連筋在封裝 線位置的金屬。
[0010]進(jìn)一步，所述半蝕刻結(jié)構(gòu)采用引線框架上面半蝕刻結(jié)構(gòu)，以減少金屬連筋在封裝 線位置的金屬。
[0011] 進(jìn)一步，所述金屬連筋位于兩相鄰所述封裝線的轉(zhuǎn)角，所述金屬連筋包括一第一 連接部及一第二連接部。
[0012] 進(jìn)一步，所述第一連接部與第二連接部蝕刻方向不同。
[0013] 進(jìn)一步，所述引線框架單元還包括多個(gè)全金屬部，每一所述金屬連筋至少與一全 金屬部連接，所述全金屬部用于與芯片電連接。
[0014]進(jìn)一步，每一引線框架單元之間通過框體連接，所述框體為全金屬結(jié)構(gòu)。
[0015] 進(jìn)一步，每一所述框架單元的封裝線至所述框體的距離范圍為0.075mm~0.12mm。
[0016] 進(jìn)一步，所述框體的寬度范圍為0.06mm~0.18mm。
[0017] 本實(shí)用新型還提供一種封裝體，在所述封裝體中，至少包括一金屬連筋:在與封裝 體邊緣相接的位置所述金屬連筋具有半蝕刻結(jié)構(gòu)。
[0018] 進(jìn)一步，所述封裝體中所有所述金屬連筋均在與封裝體邊緣相接的位置具有半蝕 刻結(jié)構(gòu)。
[0019]進(jìn)一步，所述金屬連筋采用引線框架上面半蝕刻。
[0020] 進(jìn)一步，所述金屬連筋采用引線框架下面半蝕刻。
[0021] 進(jìn)一步，所述金屬連筋位于所述封裝體相鄰兩側(cè)的轉(zhuǎn)角，所述金屬連筋包括一第 一連接部及一第二連接部。
[0022] 進(jìn)一步，所述第一連接部與第二連接部采用不同方向蝕刻。
[0023] 進(jìn)一步，在所述封裝體中，至少包括一全金屬部，一所述金屬連筋與一所述全金屬 部連接，所述全金屬部用于與芯片電連接。
[0024] 本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于，每一框架單元的至少一金屬連筋在封裝線與切割道相接 的位置，具有半蝕刻結(jié)構(gòu)，在保證需要與外部結(jié)構(gòu)接觸的金屬連筋的外觀不變的情況下使 得切割道的切割處的金屬厚度變薄，減少了切割處金屬含量，進(jìn)而減少了切割時(shí)產(chǎn)生的引 腳的金屬毛刺，提尚廣品良率。
【附圖說明】
[0025] 圖1是現(xiàn)有的引線框架的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026] 圖2是本實(shí)用新型引線框架的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027] 圖3是本實(shí)用新型封裝體的底面示意圖；
[0028]圖4是本實(shí)用新型封裝體的俯視不意圖；
[0029] 圖5是本實(shí)用新型封裝體的右視示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030] 下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型提供的引線框架及采用該引線框架的封裝體的具體 實(shí)施方式做詳細(xì)說明。
[0031] 參見圖2,本實(shí)用新型引線框架包括多個(gè)框架單元21，每一框架單元21可在封裝切 割后形成獨(dú)立的封裝體。每一框架單元21的封裝線20與相鄰的框架單元21的封裝線20之間 為切割道31。在圖2中采用虛線示意性地標(biāo)示出后續(xù)封裝工藝的封裝線20的位置。在后續(xù)工 藝中，切割裝置可沿所述切割道31切割包含所述引線框架的封裝結(jié)構(gòu)，從而形成封裝體。 [0032]每一框架單元21的至少一金屬連筋32在封裝線20與切割道31相接的位置具有半 蝕刻結(jié)構(gòu)。在本【具體實(shí)施方式】中，所述金屬連筋32為引腳。例如，所述金屬連筋32包括至少 一個(gè)設(shè)置于封裝轉(zhuǎn)角的第一引腳22及至少一個(gè)設(shè)置于封裝非轉(zhuǎn)角的第二引腳23。
[0033]所述半蝕刻結(jié)構(gòu)采用引線框架下面半蝕刻結(jié)構(gòu)或引線框架上面半蝕刻結(jié)構(gòu)，以減 少金屬連筋32在封裝線20位置的金屬。所述框架下面半蝕刻金屬指的是從引線框架底部蝕 刻引線框架，保留剩余未蝕刻部分，以形成框架下面半蝕刻金屬，所述框架上面半蝕刻金屬 指的是從引線框架頂部蝕刻引線框架，保留未蝕刻部分，以形成框架上面半蝕刻金屬。
[0034]每一框架單元21還包括至少一芯片貼裝部28。在本【具體實(shí)施方式】中，每一所述框 架單元21包括兩個(gè)芯片貼裝部28,在每一所述框架單元21的兩相對(duì)的封裝轉(zhuǎn)角上分別具有 一個(gè)第一引腳22,在封裝非轉(zhuǎn)角上具有六個(gè)第二引腳23。
[0035] 所述第一引腳22包括一第一連接部221及一第二連接部222。所述第一連接部221 的一端及第二連接部222的一端分別連接至所述引線框架的框體29的兩相鄰邊。所述第一 連接部221及第二連接部222為獨(dú)立的個(gè)體，其彼此之間并不直接連接。設(shè)置于封裝轉(zhuǎn)角的 第一引腳22采用第一連接部221與第二連接部222連接至框體29的兩相鄰邊上，可有效避免 金屬毛刺的廣生，提尚廣品良率。
[0036] 所述第一連接部221及第二連接部222的結(jié)構(gòu)為框架下面半蝕刻金屬或框架上面 半蝕刻金屬，在圖2中，框架下面半蝕刻金屬采用陰影線示意性地標(biāo)示出，框架上面半蝕刻 金屬采用圓點(diǎn)示意性標(biāo)示出。所述第一連接部221及第二連接部222的蝕刻方向可以相同， 也可以不同，在本【具體實(shí)施方式】中，所述第一連接部221為框架下面半蝕刻金屬，所述第二 連接部222為框架上面半蝕刻金屬。
[0037] 所述引線框架單元還包括多個(gè)全金屬部(附圖中未標(biāo)示），每一所述金屬連筋32至 少與一全金屬部連接，所述全金屬部用于與后續(xù)貼裝的芯片(附圖中未標(biāo)示）電連接。例如， 所述全金屬部包括第一引腳全金屬部223及第二引腳全金屬部231。所述第一連接部221的 另一端及一第二連接部222的另一端分別與第一引腳全金屬部223連接，所述第一引腳全金 屬部223用于與芯片貼裝部28上后續(xù)貼裝的芯片電連接，例如，通過打線的方式，采用金屬 引線將所述第一引腳全金屬部223與芯片電連接。
[0038]所述第二引腳23的一端直接與框體29連接，所述第二引腳23的結(jié)構(gòu)可以為框架下 面半蝕刻金屬或框架上面半蝕刻金屬。在本【具體實(shí)施方式】中，所述第二引腳23的結(jié)構(gòu)為框 架下面半蝕刻金屬。所述第二引腳23的另一端與一第二引腳全金屬部231連接，所述第二引 腳全金屬部231用于與芯片貼裝部28上后續(xù)貼裝的芯片電連接，例如，通過打線的方式，采 用金屬引線將所述第二引腳全金屬部231與芯片電連接。
[0039] 本實(shí)用新型引線框架通過框架上面半蝕刻金屬或框架下面半蝕刻金屬的方法，保 證了在封裝線20位置的需要與外部結(jié)構(gòu)連接的金屬連筋32的外觀不變的情況下，減少切割 道31的金屬含量，進(jìn)一步減少后續(xù)切割時(shí)金屬毛刺的產(chǎn)生。對(duì)所述引線框架的金屬連筋32 采用框架上面半蝕刻的方法可保證在后續(xù)進(jìn)行封裝后，封裝體底部裸露的金屬連筋32與現(xiàn) 有技術(shù)中的沒有采用半蝕刻處理的金屬連筋的形狀相同，不會(huì)影響封裝體裸露出的金屬連 筋的外觀。
[0040] 進(jìn)一步參見圖2所示，所述切割道31的寬度A為相鄰兩個(gè)框架單元21的封裝線20之 間的距離。所述金屬連筋32采用半蝕刻結(jié)構(gòu)，而沒有采用全金屬結(jié)構(gòu)，降低了切割道31內(nèi)切 割處的金屬量，進(jìn)一步減少了金屬毛刺的產(chǎn)生。
[0041] 進(jìn)一步，所述引線框架的框體29的結(jié)構(gòu)為全金屬，其沒有進(jìn)行蝕刻。全金屬的框體 29可進(jìn)一步增強(qiáng)所述引線框架的強(qiáng)度，提高引線框架的穩(wěn)定性。所述框體29的寬度B范圍為 0.06mm~0 · 18mm，例如：0 · 07mm、0 · 08mm、0 · 09mm、0 · 10mm、0 · llmm、0 · 12mm、0 · 13mm、0 · 14mm、 0· 15mm、0· 16mm、0· 17mm。在現(xiàn)有技術(shù)中，框體29的寬度要大于0· 18mm，因此，本實(shí)用新型引 線框架的框體29的寬度小于現(xiàn)有的引線框架的框體的寬度。雖然本實(shí)用新型框體29采用全 金屬結(jié)構(gòu)，但是其寬度B降低，因此，對(duì)切割的影響很小，同時(shí)能夠大大增強(qiáng)引線框架的穩(wěn)定 性，使得形成一個(gè)類似全金屬框連接每一框架單元21，進(jìn)而使得在焊接線時(shí)幾乎沒有打線 故障的報(bào)警。
[0042]所述引線框架的框體29的寬度的降低進(jìn)一步增大了金屬連筋32與框體29連接的 距離，進(jìn)而降低了切割道內(nèi)的金屬量，減少了金屬毛刺的產(chǎn)生。每一所述框架單元21的封裝 線 20 至所述框體 29 的距離范圍為0.075mm ~0.12mm。例如:0.08mm、0.09mm、0.1 Omm、0 · 11mm。
[0043] 參見圖3、圖4及圖5,本實(shí)用新型一種封裝體采用上述的引線框架，所述引線框架 的結(jié)構(gòu)參見圖2。
[0044] 在所述封裝體中至少包括一金屬連筋32,在與封裝體邊緣相接的位置所述金屬連 筋32具有半蝕刻結(jié)構(gòu)。所述半蝕刻結(jié)構(gòu)采用引線框架下面半蝕刻結(jié)構(gòu)或引線框架上面半蝕 刻結(jié)構(gòu)，以減少金屬連筋32在封裝線20位置的金屬。所述框架下面半蝕刻金屬指的是從引 線框架底部蝕刻引線框架，保留剩余未蝕刻部分，以形成框架下面半蝕刻金屬，所述框架上 面半蝕刻金屬指的是從引線框架頂部蝕刻引線框架，保留未蝕刻部分，以形成框架上面半 蝕刻金屬。
[0045] 在與封裝體邊緣相接的位置所述金屬連筋32具有第一金屬厚度，所述第一金屬厚 度小于封裝體內(nèi)遠(yuǎn)離封裝體邊緣位置的至少一金屬的厚度，從而減少切割道31內(nèi)切割處的 金屬含量，進(jìn)一步減少切割封裝體時(shí)金屬毛刺的產(chǎn)生。在本【具體實(shí)施方式】中，所述金屬連筋 32為引腳，所述金屬連筋32包括至少一個(gè)設(shè)置于封裝轉(zhuǎn)角的第一引腳22及至少一個(gè)設(shè)置于 封裝非轉(zhuǎn)角的第二引腳23。以第二引腳23為例，在與封裝體邊緣相接的位置所述第二引腳 23具有第一金屬厚度，而在封裝體內(nèi)遠(yuǎn)離封裝體邊緣位置，所述第二引腳23與第二引腳全 金屬部231連接，由于在與封裝體邊緣相接的位置所述第二引腳23具有半蝕刻結(jié)構(gòu)，而在封 裝體內(nèi)部遠(yuǎn)離封裝體邊緣位置，所述第二引腳全金屬部231沒有進(jìn)行蝕刻，所以，所述第一 金屬厚度小于所述第二引腳全金屬部231的金屬厚度，從而減少切割道31內(nèi)切割處的金屬 含量，進(jìn)一步減少切割封裝體時(shí)金屬毛刺的產(chǎn)生。
[0046] 所述第一引腳22包括一第一連接部221及一第二連接部222。所述第一連接部221、 第二連接部222及第二引腳23分別裸露于所述封裝體30相鄰的兩個(gè)側(cè)面。在本具體實(shí)施方 式中，所述第一連接部221為框架下面半蝕刻金屬，所述第二連接部222為框架上面半蝕刻 金屬，所述第二引腳23的結(jié)構(gòu)為框架下面半蝕刻金屬。因此，參見圖3,在所述封裝體30的底 面，所述第一引腳22全金屬部223及第二引腳全金屬部231及第一引腳的第二連接部222裸 露于封裝體30底面;參見圖4及圖5,所述第二引腳23及第一引腳的第一連接部221裸露于所 述封裝體30的一個(gè)側(cè)面，所述第二引腳23及第一引腳的第二連接部222裸露于所述封裝體 30的相鄰的另一個(gè)側(cè)面。封裝體地面及側(cè)面裸露的金屬連筋32與現(xiàn)有技術(shù)中的沒有采用半 蝕刻處理的封裝體裸露的金屬連筋的位置及數(shù)量等相同，不會(huì)影響封裝體裸露出的金屬連 筋的外觀，從而不會(huì)影響封裝體后續(xù)的使用。
[0047] 下面列舉采用本實(shí)用新型引線框架制成的封裝體的一組數(shù)據(jù)，以進(jìn)一步說明本實(shí) 用新型的優(yōu)點(diǎn)。
[0048] 表1所示為采用本實(shí)用新型引線框架焊線，測(cè)試了一萬個(gè)產(chǎn)品，打線異常報(bào)警 (NS0P/NS0L)沒有出現(xiàn)一個(gè)，引線框架強(qiáng)度得到了非常大的改善。
[0049] 表 1
[0051] 表2所示是采用本實(shí)用新型引線框架的封裝體的毛刺測(cè)量，毛刺測(cè)量平均值在18μ m~19μπι，同時(shí)從外觀看毛刺幾乎沒有。
[0052] 表 2
[0053]
[0054] 以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技 術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾 也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種引線框架，包括多個(gè)框架單元，每一框架單元可在封裝切割后形成獨(dú)立的封裝 體，每一框架單元的封裝線與相鄰的框架單元的封裝線之間為切割道，其特征在于，每一框 架單元的至少一金屬連筋在封裝線與切割道相接的位置，具有半蝕刻結(jié)構(gòu)。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架，其特征在于，所述半蝕刻結(jié)構(gòu)采用引線框架下面半 蝕刻結(jié)構(gòu)，以減少金屬連筋在封裝線位置的金屬。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架，其特征在于，所述半蝕刻結(jié)構(gòu)采用引線框架上面半 蝕刻結(jié)構(gòu)，以減少金屬連筋在封裝線位置的金屬。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架，其特征在于，所述金屬連筋位于兩相鄰所述封裝線 的轉(zhuǎn)角，所述金屬連筋包括一第一連接部及一第二連接部。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的引線框架，其特征在于，所述第一連接部與第二連接部蝕刻方 向不同。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架，其特征在于，所述引線框架單元還包括多個(gè)全金屬 部，每一所述金屬連筋至少與一全金屬部連接，所述全金屬部用于與芯片電連接。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架，其特征在于，每一引線框架單元之間通過框體連 接，所述框體為全金屬結(jié)構(gòu)。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的引線框架，其特征在于，每一所述框架單元的封裝線至所述框 體的距離范圍為0.075mm~0.12_。9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的引線框架，其特征在于，所述框體的寬度范圍為0.06mm~ 0.18mm〇10. -種封裝體，其特征在于，在所述封裝體中，至少包括一金屬連筋:在與封裝體邊緣 相接的位置所述金屬連筋具有半蝕刻結(jié)構(gòu)。11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的封裝體，其特征在于，所述封裝體中所有所述金屬連筋均在 與封裝體邊緣相接的位置具有半蝕刻結(jié)構(gòu)。12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的封裝體，其特征在于，所述金屬連筋采用引線框架上面半蝕 刻。13. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的封裝體，其特征在于，所述金屬連筋采用引線框架下面半蝕 刻。14. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的封裝體，其特征在于，所述金屬連筋位于所述封裝體相鄰兩 側(cè)的轉(zhuǎn)角，所述金屬連筋包括一第一連接部及一第二連接部。15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的封裝體，其特征在于，所述第一連接部與第二連接部采用不 同方向蝕刻。16. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的封裝體，其特征在于，在所述封裝體中，至少包括一全金屬 部，一所述金屬連筋與一所述全金屬部連接，所述全金屬部用于與芯片電連接。
【文檔編號(hào)】H01L23/495GK205488116SQ201620237627
【公開日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2016年3月25日
【發(fā)明人】吳平麗, 孫閆濤, 陳文葛
【申請(qǐng)人】上海凱虹科技電子有限公司, 上海凱虹電子有限公司, 達(dá)邇科技（成都）有限公司