一種用于智能芯片封裝的引線框架的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種用于智能芯片封裝的引線框架，包括框架，所述框架上設(shè)有若干基島，所述基島的背面其邊緣固接沉臺(tái)，所述基島的背面設(shè)有V型槽。本結(jié)構(gòu)的引線框架其基島打凹深度的增加可以容納尺寸更大的晶圓芯片，從而實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)大的功能；本結(jié)構(gòu)的引線框架通過(guò)在基島背面邊緣增加沉臺(tái)，使得塑封料與引線框架的結(jié)合力的到了明顯的改善，提高了產(chǎn)品的可靠性；本結(jié)構(gòu)的引線框架通過(guò)在基島背面增加V型槽防止了水汽的進(jìn)入，使產(chǎn)品的質(zhì)量更加穩(wěn)定；本結(jié)構(gòu)的引線框架采用級(jí)進(jìn)打凹技術(shù)，內(nèi)應(yīng)力得到了更好的釋放，從而使得基島的共面性和打凹深度均符合要求并保持在穩(wěn)定的范圍內(nèi)。
【專利說(shuō)明】
一種用于智能芯片封裝的引線框架
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及智能芯片封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種用于智能芯片封裝的引線框架。
【背景技術(shù)】
[0002]芯片作為引線框架集成電路的重要組成部分，芯片尺寸的大小直接影響到產(chǎn)品的性能，而芯片的大小又取決于引線框架基島的打凹深度。由于沖壓技術(shù)的限制，市場(chǎng)上常見的SSOP集成電路引線框架打凹深度多在0.3mm左右。在其他因素相同的條件下，芯片尺寸越大，所能實(shí)現(xiàn)的功能也就越強(qiáng)大。國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上常見的SSOP集成電路引線框架打凹深度多在
0.3_左右，這就決定了配套使用的芯片的尺寸大小，從而限制了最終產(chǎn)品的性能。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的是解決現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種窄間距的用于各種智能芯片封裝的引線框架，從而實(shí)現(xiàn)承載更大芯片、實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)大功能且其他性能穩(wěn)定。
[0004]本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是:一種用于智能芯片封裝的引線框架，包括框架，所述框架上設(shè)有若干基島，所述基島的背面其邊緣固接沉臺(tái)，所述基島的背面設(shè)有V型槽。
[0005]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述基島的打凹深度為0.5?1.1mm。
[0006]作為本實(shí)用新型的更進(jìn)一步改進(jìn)，所述框架采用級(jí)進(jìn)打凹技術(shù)加工而成。
[0007]本實(shí)用新型采用的有益效果是:本結(jié)構(gòu)的引線框架其基島打凹深度的增加可以容納尺寸更大的晶圓芯片，從而實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)大的功能;本結(jié)構(gòu)的引線框架通過(guò)在基島背面邊緣增加沉臺(tái)，使得塑封料與引線框架的結(jié)合力的到了明顯的改善，提高了產(chǎn)品的可靠性;本結(jié)構(gòu)的引線框架通過(guò)在基島背面增加V型槽防止了水汽的進(jìn)入，使產(chǎn)品的質(zhì)量更加穩(wěn)定;本結(jié)構(gòu)的引線框架采用級(jí)進(jìn)打凹技術(shù)，內(nèi)應(yīng)力得到了更好的釋放，從而使得基島的共面性和打凹深度均符合要求并保持在穩(wěn)定的范圍內(nèi)。
【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1為本實(shí)用新型不意圖。
[0009]圖2為本實(shí)用新型基本單元結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]圖3為圖2中A處的局部示意圖。
[0011]圖4為圖3中B-B線剖視圖。
[0012]圖中所示:1框架，2基島，3沉臺(tái)，4V型槽。
【具體實(shí)施方式】
[0013]下面結(jié)合圖1至圖4，對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步的說(shuō)明。
[0014]如圖所示，一種用于智能芯片封裝的引線框架，包括框架1，所述框架I上設(shè)有若干基島2，所述基島2的背面其邊緣固接沉臺(tái)3，所述基島的背面設(shè)有V型槽4。
[0015]為確保本引線框架可以容納尺寸更大的晶圓芯片，所述基島2的打凹深度為0.5?I.Imm0
[0016]在生產(chǎn)中發(fā)現(xiàn)，由于打凹深度的加深，一次成型使得基島的共面性波動(dòng)較大，打凹深度不穩(wěn)定，有回彈現(xiàn)象。經(jīng)過(guò)總結(jié)和討論，決定采取級(jí)進(jìn)打凹技術(shù)，分多次成型，最終使得內(nèi)應(yīng)力得到了有效的釋放，獲得了穩(wěn)定的產(chǎn)品；同時(shí)在后續(xù)封裝的過(guò)程中發(fā)現(xiàn)，塑封料與框架的結(jié)合力不足，塑封體不牢且有水汽進(jìn)入。為了改善上述問(wèn)題，決定在基島背面邊緣制作成沉臺(tái)、基島背面增加V型槽。
[0017]本結(jié)構(gòu)的引線框架其基島打凹深度的增加可以容納尺寸更大的晶圓芯片，從而實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)大的功能;本結(jié)構(gòu)的引線框架通過(guò)在基島背面邊緣增加沉臺(tái)，使得塑封料與引線框架的結(jié)合力的到了明顯的改善，提高了產(chǎn)品的可靠性;本結(jié)構(gòu)的引線框架通過(guò)在基島背面增加V型槽防止了水汽的進(jìn)入，使產(chǎn)品的質(zhì)量更加穩(wěn)定;本結(jié)構(gòu)的引線框架采用級(jí)進(jìn)打凹技術(shù)，內(nèi)應(yīng)力得到了更好的釋放，從而使得基島的共面性和打凹深度均符合要求并保持在穩(wěn)定的范圍內(nèi)。
[0018]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)知曉，本實(shí)用新型的保護(hù)方案不僅限于上述的實(shí)施例，還可以在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上進(jìn)行各種排列組合與變換，在不違背本實(shí)用新型精神的前提下，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行的各種變換均落在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于智能芯片封裝的引線框架，其特征是包括框架(1)，所述框架上設(shè)有若干基島(2)，所述基島(2)的背面其邊緣固接沉臺(tái)(3)，所述基島的背面設(shè)有V型槽(4)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于智能芯片封裝的引線框架，其特征是所述基島(2)的打凹深度為0.5?1.1臟。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種用于智能芯片封裝的引線框架，其特征是所述框架(I)采用級(jí)進(jìn)打凹技術(shù)加工而成。
【文檔編號(hào)】H01L23/495GK205488115SQ201620062760
【公開日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2016年1月22日
【發(fā)明人】徐文東, 向華, 張海龍, 孫家興, 馬春暉, 王友明
【申請(qǐng)人】銅陵豐山三佳微電子有限公司