5引腳B5的一端、第二框架單元6引腳B6的一端、第二框架單元7引腳B7的一端和第二框架單元8引腳B8的一端相連接，第二框架單元3上設有第五基島8，第四基島7和第六基島9位于另一條柵條11與第五基島8之間，第五基島8通過另一條連接條10與框架本體I的邊框相連接，第二框架單元I引腳B1、第二框架單元3引腳B2、第二框架單元3引腳B3和第二框架單元4引腳B4均位于第五基島8背離另一條柵條11的一側。
[0018]所有基島的背面均設有矩陣式的凹坑。所有與柵條11相連接的基島朝向柵條11的一端均加工有穿通基島的至少兩個小孔，每個基島上的至少兩個小孔沿框架單元引腳的排列方向設置。
[0019]框架單元在框架本體I上呈矩陣式分布，其中行數(shù)為奇數(shù)行的第2n_l行與偶數(shù)行第2n行的相鄰封裝單元的基島通過連接條(Tie Bar)與框架邊框相連，第2n_l行與第2n行的相鄰封裝單元的外引線腳交錯排列，通過柵條(Dam Bar,也叫中筋)與框架邊框連接。
[0020]本實用新型引線框架中相鄰的引腳采用內交錯型設計，使得相鄰框架單元在X方向的步距為13.716臟(如01?81^-5?框架)。而現(xiàn)有的單排或雙排引線框架的引腳是平行相鄰框架的引腳相連設計，相鄰框架單元在X方向的步距為18.288mm(如DIP8L-2P框架)?？梢?，相同型號引線框架(DIP8L)中，本實用新型5排引線框架的步距比現(xiàn)有的雙排引線框架的步距減少了 4.572mm，提高了框架材料的利用率。
[0021]每條本實用新型引線框架上有5行單元，每行單元中有18個框架單元，每條引線框架上共有90個框架單元。
[0022]本實用新型引線框架內部采用多載體設計(名稱:異型框架，以區(qū)別于傳統(tǒng)結構框架)，即一個框架單元內有多個相對獨立的基島，其中兩個載體(即平行設置的兩個基島)分別與外部伸出的管腳相連，剩余的一個載體與框架邊框或內部設計的金屬邊框相連，由于產品對電壓要求，每個獨立的基島與相鄰基島之間的間距多0.30mm ;同時為加強產品抗脫層能力，載體背面設計有矩陣式小坑；兩個較大基島上有穿通的小孔，通過物理方式，增加填充樹脂與金屬結合力。本實用新型DIP多排框架的結構特點為:框架尺寸在255mmX 80mm以內，采用相鄰引腳交錯型設計，每條90?108個單元不等。采用生產設備配置優(yōu)化方案，MGP塑封模具、自動排片機和沖流道機，自動切筋成形系統(tǒng)(切筋、成形、分離各一副模具)，高速線電鍍線電鍍，本方案不包含新設備(原有減薄劃片、壓焊、打印、測試等設備仍可用)。
[0023]用上述引線框架生產封裝件時，按IC芯片在載體上的粘貼形式，封裝件分為多芯片平面封裝件和多芯片堆疊封裝件。用本實用新型引線框架制造封裝件時，具體按以下步驟進行:
[0024]步驟1:晶圓減薄:
[0025]采用8?12英寸晶圓厚度減薄機，在主軸轉速2400rpm?3000rpm的條件下對晶圓進行減薄，減薄得到的芯片表面粗糙度Ra0.1Omm ;減薄工藝同常規(guī)QFN減薄，粗磨+細磨拋光方式；減薄后多芯片平面封裝件中所用芯片厚度380 μ m，減薄后多芯片堆疊封裝件中所用芯片厚度200 ym;
[0026]步驟2:劃片:
[0027]對于多芯片平面封裝件:在8?12英寸晶圓劃片機上，采用DIP封裝通用劃片工藝對厚度為380 μ m的芯片進行劃片；
[0028]對于多芯片堆疊封裝件:在8?12英寸晶圓劃片機上，采用DIP封裝通用劃片工藝對直接粘貼于載體上的厚度為200 μπι的芯片進行劃片，劃片時采用防裂片工藝；在對不直接粘貼于載體上的芯片進行劃片時，先將加熱后有粘性的膠片膜粘貼在該芯片的背面，然后采用DIP封裝通用劃片工藝進行劃片，劃片時采用防裂片工藝；
[0029]步驟3:上芯:
[0030]對于多芯片平面封裝件:
[0031]先在第一基島4上點上粘片膠，設備吸嘴自動從晶圓上吸取第一 IC芯片12，放置在第一基島4的粘片膠上，完成第一框架單元2上第一 IC芯片12的粘接，接著在第二框架單元3的第四基島7上粘接第一 IC芯片12，依次進行整條框架每個框架單元上第一 IC芯片12的粘接，整條框架第一 IC芯片12粘取完畢后，進行第二條框架第一 IC芯片12的粘接，直至整批產品第一 IC芯片12粘接完畢；
[0032]在第一框架單元2的第二基島5上點粘片膠，將第二 IC芯片13粘接在第二基島5上，接著再在第二框架單元3的第五基島8上粘接第二 IC芯片13 ;依次在整條框架的每個框架單元中粘貼第二 IC芯片13，整條框架第二 IC芯片13粘接完畢后，進行第二條框架第二 IC芯片13的粘接，直至整批產品上第二 IC芯片13粘接完畢；
[0033]在第三基島6上點粘片膠，設備吸嘴自動吸取第三IC芯片14，放置在第三基島6上的粘片膠上；再在第二框架單元3的第六基島9上粘貼第三IC芯片14 ;依次在整條框架的每個框架單元上粘貼第三IC芯片14，整條框架粘貼第三IC芯片14后，進行第二條框架上第三IC芯片14的粘貼，直至整批產品上第三IC芯片13粘接完畢，如圖3所示；
[0034]上芯完畢的產品進行烘烤:采用防離層烘烤工藝烘烤3小時，固化烘烤氮氣流量> 0.8m2/h ；
[0035]多芯片平面封裝件的上芯工序通常采用AD829A粘片機和AD828粘片機進行芯片的粘貼，根據(jù)芯片形狀和芯片尺寸大小選擇吸嘴和點膠頭的形狀、尺寸，吸嘴上芯的升降高度為4000?6500step，頂針上升高度為100?160mm，頂針上升延遲時間為5?10ms，點膠高度為1400?2000step，粘片膠厚度為8 μ m~38 μ m ；
[0036]對于多芯片堆疊封裝件:
[0037]直接粘貼于基島上的第一 IC芯片12、第二 IC芯片13和第三IC芯片14的粘貼過程與多芯片平面封裝件中第一 IC芯片12、第二 IC芯片13和第三IC芯片14的粘貼過程相同；
[0038]采用具有加熱功能的設備，加熱溫度為150°C，對第一 IC芯片12進行加熱，然后將不直接粘貼于載體上的芯片放置在第一 IC芯片12上，通過不直接粘貼于載體上芯片背面的膠片膜使該芯片與第一 IC芯片12粘接，該芯片為第四IC芯片15，完成第一框架單元2上第四IC芯片15的粘貼后，進行第二框架單元3上第四IC芯片15的粘貼；依次進行整條框架上每個框架單元上第四IC芯片15的粘貼，整條框架第四IC芯片15粘貼完成后，進行第二條框架上第四IC芯片15的粘貼，直至整批產品中第四IC芯片15粘貼完畢；
[0039]然后，采用具有加熱功能的設備，加熱溫度為150°C，對第二 IC芯片13進行加熱，然后將不直接粘貼于載體上的芯片放置在第二 IC芯片13上，通過不直接粘貼于載體上芯片背面的膠片膜使該芯片與第二 IC芯片13粘接，該芯片為第五IC芯片16，完成第一框架單元2上第五IC芯片16的粘貼后，進行第二框架單元3上第五IC芯片16的粘貼；依次進行整條框架上每個框架單元上第五IC芯片16的粘貼，整條框架第五IC芯片16粘貼完成后，進行第二條框架第五IC芯片16的粘貼，直至整批產品中第五IC芯片16粘貼完畢；
[0040]接著，采用具有加熱功能的設備，加熱溫度為150°C，對第三IC芯片14進行加熱，然后將不直接粘貼于載體上的芯片放置在第三IC芯片14上，通過不直接粘貼于載體上芯片背面的膠片膜使該芯片與第三IC芯片14粘接，該芯片為第六IC芯片17，完成第一框架單元2上第六IC芯片17的粘貼后，進行第二框架單元3上第六IC芯片17的粘貼；依次進行整條框架上每個框架單元上第六IC芯片17的粘貼，整條框架第六IC芯片17粘貼完成后，進行第二條框架第六IC芯片17的粘貼，直至整批產品中第六IC芯片17粘貼完畢，如圖4所示；
[0041]上芯