00nm，所述綠色子像素區(qū)域的陽極層10的厚度為20?250nm，所述藍色子像素區(qū)域的陽極層10的厚度為20?200nmo
[0050]優(yōu)選的，所述氧化物半導體層4的材料為IGZO (氧化銦鎵鋅)，所述陽極層10的材料為ITO (氧化銦錫)。
[0051 ] 在上述COA型WOLED結(jié)構中，其平坦層上設有半透明金屬層作為半反射層，并且紅/綠/藍色光阻層上所對應的陽極層10具有不同的厚度，形成針對不同光色的最優(yōu)化的微腔結(jié)構，從而利用陰陽極之間產(chǎn)生微腔共振效應，有效提高經(jīng)過彩色濾光片的紅/綠/藍三原色的發(fā)光效率。
[0052]請參閱圖4，本發(fā)明還提供一種COA型WOLED的制作方法，包括如下步驟:
[0053]步驟1、如圖5所示，提供基板1，在所述基板I上分別對應紅色子像素區(qū)域、綠色子像素區(qū)域、及藍色子像素區(qū)域，依次形成柵極2、柵極絕緣層3、氧化物半導體層4、蝕刻阻擋層5、源/漏極6、鈍化保護層7、紅/綠/藍色光阻層71/72/73、平坦層8、及過孔81。
[0054]優(yōu)選的，所述氧化物半導體層4的材料為IGZO(氧化銦鎵鋅)。
[0055]步驟2、如圖6所示，在所述平坦層8上分別對應所述紅/綠/藍色光阻層71/72/73的上方形成半反射層9，所述半反射層9經(jīng)由所述過孔81與所述源/漏極6相接觸。
[0056]具體地，采用物理氣相沉積、黃光、及蝕刻制程形成所述半反射層9。
[0057]優(yōu)選的，所述半反射層9的材料為銀或銅等穿透率較高的金屬或者合金，所述陰極層14的材料為鋁，其作為反射層。
[0058]步驟3、如圖7所示，分別在紅色子像素區(qū)域與綠色子像素區(qū)域所對應的半反射層9上形成陽極層10。
[0059]優(yōu)選的，所述陽極層10的材料為ITO(氧化銦錫)。
[0060]具體地，采用物理氣相沉積、黃光、及蝕刻制程形成所述陽極層。
[0061]步驟4、如圖8所示，在所述平坦層8上再次沉積陽極層，所述陽極層覆蓋藍色子像素區(qū)域的半反射層9。
[0062]步驟5、如圖9所示，在所述紅色子像素區(qū)域與藍色子像素區(qū)域的半反射層9上所對應的陽極層上形成光阻層70。
[0063]步驟6、如圖10所示，對所述陽極層進行蝕刻，控制刻蝕條件，對綠色子像素區(qū)域的陽極層進行部分刻蝕，并剝離光阻層70，得到分別位于紅色子像素區(qū)域、綠色子像素區(qū)域與藍色子像素區(qū)域的陽極層10。
[0064]此時得到的位于紅色子像素區(qū)域、綠色子像素區(qū)域、及藍色子像素區(qū)域的陽極層10分別具有不同的厚度，具體的，所述紅色子像素區(qū)域的陽極層10的厚度大于所述綠色子像素區(qū)域的陽極層10的厚度，所述綠色子像素區(qū)域的陽極層10的厚度大于所述藍色子像素區(qū)域的陽極層10的厚度。
[0065]步驟7、在所述陽極層10上形成像素定義層11，并在所述像素定義層11上形成光阻間隔物12。
[0066]步驟8、在所述陽極層10與像素定義層11上，于所述光阻間隔物12之間形成白光發(fā)光層13。
[0067]具體地，采用蒸鍍方法形成所述白光發(fā)光層13。
[0068]步驟9、在所述光阻間隔物12與白光發(fā)光層13上形成陰極層14。
[0069]優(yōu)選的，所述陰極層14的材料為鋁，其作為反射層。
[0070]步驟10、在所述陰極層14上設置封裝蓋板15，對COA型WOLED進行封裝，從而完成COA型WOLED的制作。
[0071]在上述COA型WOLED的制作方法中，通過在平坦層上形成半透明金屬層作為半反射層，利用陰陽極之間產(chǎn)生微腔共振效應，并通過控制紅/綠/藍色光阻層上所對應的陽極層的厚度，以分別得到針對不同光色的最優(yōu)化的微腔長度，從而提高經(jīng)過彩色濾光片的紅/綠/藍三原色的發(fā)光效率。
[0072]綜上所述，本發(fā)明的COA型WOLED結(jié)構，其平坦層上設有半透明金屬層作為半反射層，并且紅/綠/藍色光阻層上所對應的陽極層具有不同的厚度，形成針對不同光色的最優(yōu)化的微腔結(jié)構，從而利用陰陽極之間產(chǎn)生微腔共振效應，有效提高經(jīng)過彩色濾光片后的紅/綠/藍三原色的發(fā)光效率。本發(fā)明的COA型WOLED的制作方法，通過在平坦層上形成金屬層作為半反射層，利用陰陽極之間產(chǎn)生微腔共振效應，并通過控制紅/綠/藍色光阻層上所對應的陽極層的厚度，以分別得到針對不同光色的最優(yōu)化的微腔長度，從而提高經(jīng)過彩色濾光片后的紅/綠/藍三原色的發(fā)光效率，有效提高COA型WOLED器件的亮度。
[0073]以上所述，對于本領域的普通技術人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術方案和技術構思作出其他各種相應的改變和變形，而所有這些改變和變形都應屬于本發(fā)明權利要求的保護范圍。
【主權項】
1.一種COA型WOLED結(jié)構，其特征在于，包括紅色子像素區(qū)域、綠色子像素區(qū)域、及藍色子像素區(qū)域； 所述紅色子像素區(qū)域、綠色子像素區(qū)域、及藍色子像素區(qū)域分別包括基板(I)、設于所述基板(I)上的柵極(2)、設于所述柵極(2)上的柵極絕緣層(3)、設于所述柵極絕緣層(3)上的島狀氧化物半導體層(4)、設于所述氧化物半導體層(4)上的島狀蝕刻阻擋層(5)、設于所述蝕刻阻擋層(5)上的源/漏極(6)、設于所述源/漏極(6)上的鈍化保護層(7)、設于所述鈍化保護層(7)上的紅/綠/藍色光阻層(71/72/73)、設于所述鈍化保護層(7)上覆蓋所述紅/綠/藍色光阻層(71/72/73)的平坦層(8)、設于所述平坦層(8)上并經(jīng)由過孔(81)與所述源/漏極(6)相接觸的半反射層(9)、設于所述半反射層(9)上的陽極層(10)、設于所述陽極層(10)上的像素定義層(11)、設于所述像素定義層(11)上的光阻間隔物(12)、設于所述陽極層(10)與像素定義層(11)上的白光發(fā)光層(13)、設于所述白光發(fā)光層(13)上的陰極層(14)、及設于所述陰極層(14)上的封裝蓋板(15); 所述紅色子像素區(qū)域的陽極層(10)的厚度大于所述綠色子像素區(qū)域的陽極層(10)的厚度，所述綠色子像素區(qū)域的陽極層(10)的厚度大于所述藍色子像素區(qū)域的陽極層(10)的厚度。
2.如權利要求1所述的COA型WOLED結(jié)構，其特征在于，所述半反射層(9)的材料為銀或銅或二者的合金，所述陰極層(14)的材料為鋁。
3.如權利要求1所述的COA型WOLED結(jié)構，其特征在于，所述半反射層(9)的厚度為I ?10nm0
4.如權利要求1所述的COA型WOLED結(jié)構，其特征在于，所述紅色子像素區(qū)域的陽極層(10)的厚度為20?300nm，所述綠色子像素區(qū)域的陽極層(10)的厚度為20?250nm，所述藍色子像素區(qū)域的陽極層(10)的厚度為20?200nm。
5.如權利要求1所述的COA型WOLED結(jié)構，其特征在于，所述氧化物半導體層(4)的材料為氧化銦鎵鋅，所述陽極層(10)的材料為氧化銦錫。
6.一種COA型WOLED的制作方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟1、提供基板(I)，在所述基板(I)上分別對應紅色子像素區(qū)域、綠色子像素區(qū)域、及藍色子像素區(qū)域，依次形成柵極(2)、柵極絕緣層(3)、氧化物半導體層(4)、蝕刻阻擋層(5)、源/漏極(6)、鈍化保護層(7)、紅/綠/藍色光阻層(71/72/73)、平坦層(8)、及過孔(81)； 步驟2、在所述平坦層(8)上分別對應所述紅/綠/藍色光阻層(71/72/73)的上方形成半反射層(9)，所述半反射層(9)經(jīng)由所述過孔(81)與所述源/漏極(6)相接觸； 步驟3、分別在紅色子像素區(qū)域與綠色子像素區(qū)域所對應的半反射層(9)上形成陽極層； 步驟4、在所述平坦層(8)上再次沉積陽極層，所述陽極層覆蓋藍色子像素區(qū)域的半反射層(9); 步驟5、在所述紅色子像素區(qū)域與藍色子像素區(qū)域的半反射層(9)上所對應的陽極層上形成光阻層(70); 步驟6、對所述陽極層進行蝕刻，控制刻蝕條件，對綠色子像素區(qū)域的陽極層進行部分刻蝕，并剝離光阻層(70)，得到分別位于紅色子像素區(qū)域、綠色子像素區(qū)域與藍色子像素區(qū)域的陽極層(10); 步驟7、在所述陽極層(10)上形成像素定義層(11)，并在所述像素定義層(11)上形成光阻間隔物(12); 步驟8、在所述陽極層(10)與像素定義層(11)上，于所述光阻間隔物(12)之間形成白光發(fā)光層(13); 步驟9、在所述光阻間隔物(12)與白光發(fā)光層(13)上形成陰極層(14); 步驟10、在所述陰極層(14)上設置封裝蓋板(15)，對COA型WOLED進行封裝，從而完成COA型WOLED的制作。
7.如權利要求6所述的COA型WOLED的制作方法，其特征在于，所述步驟2采用物理氣相沉積、黃光、及蝕刻制程形成所述半反射層(9)。
8.如權利要求6所述的COA型WOLED的制作方法，其特征在于，所述步驟3采用物理氣相沉積、黃光、及蝕刻制程形成所述陽極層(10)。
9.如權利要求6所述的COA型WOLED的制作方法，其特征在于，所述步驟9采用蒸鍍方法形成所述白光發(fā)光層(13)。
10.如權利要求6所述的COA型WOLED的制作方法，其特征在于，所述半反射層(9)的材料為銀或銅或二者的合金，所述陰極層(14)的材料為鋁，所述氧化物半導體層(4)的材料為銦鎵鋅氧化物，所述陽極層(10)的材料為氧化銦錫。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種COA型WOLED結(jié)構及制作方法，該結(jié)構包括紅/綠/藍色子像素區(qū)域，各子像素區(qū)域分別包括基板(1)、柵極(2)、柵極絕緣層(3)、氧化物半導體層(4)、蝕刻阻擋層(5)、源/漏極(6)、鈍化保護層(7)、紅/綠/藍色光阻層(71/72/73)、平坦層(8)、半反射層(9)、陽極層(10)、像素定義層(11)、光阻間隔物(12)、白光發(fā)光層(13)、陰極層(14)、及封裝蓋板(15)。本發(fā)明通過在平坦層上形成半透明金屬層作為半反射層，利用陰陽極之間產(chǎn)生微腔共振效應，并通過控制紅/綠/藍色光阻層上所對應的陽極層的厚度，以分別得到針對不同光色的最優(yōu)化的微腔長度，從而提高經(jīng)過彩色濾光片后的紅/綠/藍三原色的發(fā)光效率，有效提高COA型WOLED器件的亮度。
【IPC分類】H01L51-56, H01L27-32, H01L51-52
【公開號】CN104538428
【申請?zhí)枴緾N201410836087
【發(fā)明人】鄒清華, 石龍強
【申請人】深圳市華星光電技術有限公司
【公開日】2015年4月22日
【申請日】2014年12月29日