Coa型woled結(jié)構(gòu)及制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種COA型WOLED結(jié)構(gòu)及制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]OLED(Organic Light-Emitting D1de，有機(jī)發(fā)光二極管)是一種極具發(fā)展前景的平板顯示技術(shù)，它具有十分優(yōu)異的顯示性能，具有自發(fā)光、結(jié)構(gòu)簡單、超輕薄、響應(yīng)速度快、寬視角、低功耗及可實(shí)現(xiàn)柔性顯示等特性，被譽(yù)為“夢幻顯示器”。再加上其生產(chǎn)設(shè)備投資遠(yuǎn)小于 TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶體管液晶顯不器)，得到了各大顯示器廠家的青睞，已成為顯示技術(shù)領(lǐng)域中第三代顯示器件的主力軍。目前OLED已處于大規(guī)模量產(chǎn)的前夜，隨著研宄的進(jìn)一步深入，新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)，OLED顯示器件必將有一個突破性的發(fā)展。
[0003]為實(shí)現(xiàn)OLED顯示器的全彩化，一種方式是通過白色有機(jī)發(fā)光二極管(W0LED，White Organic Light Emitting D1de)和彩色濾光層(CF，Color Filter)疊加來實(shí)現(xiàn)。其中，WOLED和CF層疊加過程不需要精準(zhǔn)的掩膜工藝，就可以實(shí)現(xiàn)OLED顯示器的高分辨率。
[0004]COA型WOLED是COA (CF on Array，彩色濾光片貼附于陣列基板)技術(shù)和WOLED技術(shù)的結(jié)合。利用COA技術(shù)，將CF層(紅/綠/藍(lán)光阻)做到陣列基板上，然后OLED白光材料所發(fā)射的白光通過紅/綠/藍(lán)光阻，得到紅/綠/藍(lán)三原色的光。與傳統(tǒng)底發(fā)光OLED結(jié)構(gòu)相比，這種技術(shù)不受有機(jī)蒸鍍光罩在大尺寸面板制作的限制，因此，在大尺寸OLED方面有著廣泛的應(yīng)用。
[0005]圖1所示為一種現(xiàn)有COA型WOLED結(jié)構(gòu)的紅色子像素區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖；其包括基板100、設(shè)于所述基板100上的柵極200、設(shè)于所述柵極200上的柵極絕緣層300、設(shè)于所述柵極絕緣層300上的島狀氧化物半導(dǎo)體層400、設(shè)于所述氧化物半導(dǎo)體層400上的島狀蝕刻阻擋層500、設(shè)于所述蝕刻阻擋層500上的源/漏極600、設(shè)于所述源/漏極600上的鈍化保護(hù)層700、設(shè)于所述鈍化保護(hù)層700上的紅色光阻層710、設(shè)于所述鈍化保護(hù)層700上覆蓋所述紅色光阻層710的平坦層800、設(shè)于所述平坦層800上并經(jīng)由過孔810與所述源/漏極600相接觸的陽極層101、設(shè)于所述陽極層101上的像素定義層110、設(shè)于所述像素定義層110上的光阻間隔物120。該COA型WOLED結(jié)構(gòu)的綠色子像素區(qū)域及藍(lán)色子像素區(qū)域的結(jié)構(gòu)與紅色子像素區(qū)域相同。
[0006]上述COA型WOLED的缺點(diǎn)之一是紅/綠/藍(lán)三原色的發(fā)光效率相對較低。傳統(tǒng)頂發(fā)射型OLED器件可以通過調(diào)節(jié)OLED器件的厚度，利用微腔共振效應(yīng)，使得發(fā)光效率得到有效增強(qiáng)。但在上述COA型WOLED中，無法像傳統(tǒng)OLED器件一樣通過調(diào)節(jié)器件的厚度，利用微腔效應(yīng)提高各個光色的發(fā)光效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于提供一種COA型WOLED結(jié)構(gòu)，其經(jīng)過彩色濾光片后的紅/綠/藍(lán)三原色均具有較高的發(fā)光效率。
[0008]本發(fā)明的另一目的在于提供一種COA型WOLED的制作方法，能夠提高經(jīng)過彩色濾光片后的紅/綠/藍(lán)三原色的發(fā)光效率，提高COA型WOLED器件的亮度。
[0009]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種COA型WOLED結(jié)構(gòu)，包括紅色子像素區(qū)域、綠色子像素區(qū)域、及藍(lán)色子像素區(qū)域；
[0010]所述紅色子像素區(qū)域、綠色子像素區(qū)域、及藍(lán)色子像素區(qū)域分別包括基板、設(shè)于所述基板上的柵極、設(shè)于所述柵極上的柵極絕緣層、設(shè)于所述柵極絕緣層上的島狀氧化物半導(dǎo)體層、設(shè)于所述氧化物半導(dǎo)體層上的島狀蝕刻阻擋層、設(shè)于所述蝕刻阻擋層上的源/漏極、設(shè)于所述源/漏極上的鈍化保護(hù)層、設(shè)于所述鈍化保護(hù)層上的紅/綠/藍(lán)色光阻層、設(shè)于所述鈍化保護(hù)層上覆蓋所述紅/綠/藍(lán)色光阻層的平坦層、設(shè)于所述平坦層上并經(jīng)由過孔與所述源/漏極相接觸的半反射層、設(shè)于所述半反射層上的陽極層、設(shè)于所述陽極層上的像素定義層、設(shè)于所述像素定義層上的光阻間隔物、設(shè)于所述陽極層與像素定義層上的白光發(fā)光層、設(shè)于所述白光發(fā)光層上的陰極層、及設(shè)于所述陰極層上的封裝蓋板；
[0011]所述紅色子像素區(qū)域的陽極層的厚度大于所述綠色子像素區(qū)域的陽極層的厚度，所述綠色子像素區(qū)域的陽極層的厚度大于所述藍(lán)色子像素區(qū)域的陽極層的厚度。
[0012]所述半反射層的材料為銀或銅或二者的合金，所述陰極層的材料為鋁。
[0013]所述半反射層的厚度為I?10nm0
[0014]所述紅色子像素區(qū)域的陽極層的厚度為20?300nm，所述綠色子像素區(qū)域的陽極層的厚度為20?250nm，所述藍(lán)色子像素區(qū)域的陽極層的厚度為20?200nm。
[0015]所述氧化物半導(dǎo)體層的材料為銦鎵鋅氧化物，所述陽極層的材料為氧化銦錫。
[0016]本發(fā)明還提供一種COA型WOLED的制作方法，包括如下步驟:
[0017]步驟1、提供基板，在所述基板上分別對應(yīng)紅色子像素區(qū)域、綠色子像素區(qū)域、及藍(lán)色子像素區(qū)域，依次形成柵極、柵極絕緣層、氧化物半導(dǎo)體層、蝕刻阻擋層、源/漏極、鈍化保護(hù)層、紅/綠/藍(lán)色光阻層、平坦層、及過孔；
[0018]步驟2、在所述平坦層上分別對應(yīng)所述紅/綠/藍(lán)色光阻層的上方形成半反射層，所述半反射層經(jīng)由所述過孔與所述源/漏極相接觸；
[0019]步驟3、分別在紅色子像素區(qū)域與綠色子像素區(qū)域所對應(yīng)的半反射層上形成陽極層；
[0020]步驟4、在所述平坦層上再次沉積陽極層，所述陽極層覆蓋藍(lán)色子像素區(qū)域的半反射層；
[0021]步驟5、在所述紅色子像素區(qū)域與藍(lán)色子像素區(qū)域的半反射層上所對應(yīng)的陽極層上形成光阻層；
[0022]步驟6、對所述陽極層進(jìn)行蝕刻，控制刻蝕條件，對綠色子像素區(qū)域的陽極層進(jìn)行部分刻蝕，并剝離光阻層，得到分別位于綠色子像素區(qū)域與藍(lán)色子像素區(qū)域的陽極層；
[0023]步驟7、在所述陽極層上形成像素定義層，并在所述像素定義層上形成光阻間隔物；
[0024]步驟8、在所述陽極層與像素定義層上，于所述光阻間隔物之間形成白光發(fā)光層；
[0025]步驟9、在所述光阻間隔物與白光發(fā)光層上形成陰極層；
[0026]步驟10、在所述陰極層上設(shè)置封裝蓋板，對COA型WOLED進(jìn)行封裝，從而完成COA型TOLED的制作。
[0027]所述步驟2采用物理氣相沉積、黃光、及蝕刻制程形成所述半反射層。
[0028]所述步驟3采用物理氣相沉積、黃光、及蝕刻制程形成所述陽極層。
[0029]所述步驟9采用蒸鍍方法形成所述白光發(fā)光層。
[0030]所述半反射層的材料為銀或銅或二者的合金，所述陰極層的材料為鋁，所述氧化物半導(dǎo)體層的材料為銦鎵鋅氧化物，所述陽極層的材料為氧化銦錫。
[0031]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明的COA型WOLED結(jié)構(gòu)，其平坦層上設(shè)有半透明金屬層作為半反射層，并且紅/綠/藍(lán)色光阻層上所對應(yīng)的陽極層具有不同的厚度，形成針對不同光色的最優(yōu)化的微腔結(jié)構(gòu)，從而利用陰陽極之間產(chǎn)生微腔共振效應(yīng)，有效提高經(jīng)過彩色濾光片后的紅/綠/藍(lán)三原色的發(fā)光效率。本發(fā)明的COA型WOLED的制作方法，通過在平坦層上形成金屬層作為半反射層，利用陰陽極之間產(chǎn)生微腔共振效應(yīng)，并通過控制紅/綠/藍(lán)色光阻層上所對應(yīng)的陽極層的厚度，以分別得到針對不同光色的最優(yōu)化的微腔長度，從而提高經(jīng)過彩色濾光片后的紅/綠/藍(lán)三原色的發(fā)光效率，有效提高COA型WOLED器件的亮度。
【附圖說明】
[0032]下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。
[0033]附圖中，
[0034]圖1為一種現(xiàn)有COA型WOLED結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0035]圖2為本發(fā)明COA型WOLED結(jié)構(gòu)的紅/綠/藍(lán)色子像素區(qū)域的剖面示意圖；
[0036]圖3為本發(fā)明COA型WOLED結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0037]圖4為本發(fā)明COA型WOLED的制作方法的流程圖；
[0038]圖5為本發(fā)明COA型WOLED的制作方法的步驟I的示意圖；
[0039]圖6為本發(fā)明COA型WOLED的制作方法的步驟2的示意圖；
[0040]圖7為本發(fā)明COA型WOLED的制作方法的步驟3的示意圖；
[0041 ]圖8為本發(fā)明COA型WOLED的制作方法的步驟4的示意圖；
[0042]圖9為本發(fā)明COA型WOLED的制作方法的步驟5的示意圖；
[0043]圖10為本發(fā)明COA型WOLED的制作方法的步驟6的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0044]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0045]請同時參閱圖2與圖3，本發(fā)明提供一種COA型WOLED結(jié)構(gòu)，如圖3所示，包括紅色子像素區(qū)域、綠色子像素區(qū)域、及藍(lán)色子像素區(qū)域。
[0046]如圖2所示，所述紅色子像素區(qū)域、綠色子像素區(qū)域、及藍(lán)色子像素區(qū)域分別包括基板1、設(shè)于所述基板I上的柵極2、設(shè)于所述柵極2上的柵極絕緣層3、設(shè)于所述柵極絕緣層3上的島狀氧化物半導(dǎo)體層4、設(shè)于所述氧化物半導(dǎo)體層4上的島狀蝕刻阻擋層5、設(shè)于所述蝕刻阻擋層5上的源/漏極6、設(shè)于所述源/漏極6上的鈍化保護(hù)層7、設(shè)于所述鈍化保護(hù)層7上的紅/綠/藍(lán)色光阻層71/72/73、設(shè)于所述鈍化保護(hù)層7上覆蓋所述紅/綠/藍(lán)色光阻層71/72/73的平坦層8、設(shè)于所述平坦層8上并經(jīng)由過孔81與所述源/漏極6相接觸的半反射層9、設(shè)于所述半反射層9上的陽極層10、設(shè)于所述陽極層10上的像素定義層11、設(shè)于所述像素定義層11上的光阻間隔物12、設(shè)于所述陽極層10與像素定義層11上的白光發(fā)光層13、設(shè)于所述白光發(fā)光層13上的陰極層14、及設(shè)于所述陰極層14上的封裝蓋板15。
[0047]所述紅色子像素區(qū)域的陽極層10的厚度大于所述綠色子像素區(qū)域的陽極層10的厚度，所述綠色子像素區(qū)域的陽極層10的厚度大于所述藍(lán)色子像素區(qū)域的陽極層10的厚度。
[0048]優(yōu)選的，所述半反射層9的材料為銀或銅等穿透率較高的金屬或者合金，所述陰極層14的材料為鋁，其作為反射層。優(yōu)選的，所述半反射層9的厚度為I?lOOnm。
[0049]所述紅色子像素區(qū)域的陽極層10的厚度為20?3