石墨烯摻雜材料及其制備方法、電極、像素結(jié)構(gòu)、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種石墨烯摻雜材料及其制備方法、電 極、像素結(jié)構(gòu)、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 柔性顯示已經(jīng)成為顯示領(lǐng)域的發(fā)展方向，尤其是穿戴設(shè)備日漸洶涌的發(fā)展趨勢， 現(xiàn)有技術(shù)通常采用透明導(dǎo)電材料ITO、IZO等作為像素電極，然而這些金屬氧化物的機(jī)械強(qiáng) 度和柔韌性決定了其不能很好的應(yīng)用于柔性顯示產(chǎn)品。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)中提出采用單層石墨烯替代ITO作為像素電極，雖然單層石墨烯能夠滿 足柔性特性，但其方塊電阻較大，通常單層石墨烯方塊電阻較高，達(dá)到120 D / □以上，不能 滿足像素電極對低電阻值的要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的目的是解決現(xiàn)有技術(shù)存在的單層石墨烯方阻較高的問題；提供一種方阻 低的石墨烯摻雜材料。
[0005] 解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種石墨烯摻雜材料，所述石墨烯摻雜 材料包括至少一層石墨烯層和至少一層摻雜層。
[0006] 優(yōu)選的，所述的摻雜層包括BaF2、MgF2、FeCl#的任意一種或幾種。
[0007] 優(yōu)選的，所述摻雜層的總厚度為6_35nm。
[0008] 優(yōu)選的，所述石墨烯層包括1-5層。
[0009] 優(yōu)選的，所述摻雜層包括1-4層。
[0010] 優(yōu)選的，所述摻雜層和所述石墨烯層間隔分布。
[0011] 本發(fā)明還提供一種石墨烯摻雜材料的制備方法，包括真空蒸鍍的步驟：
[0012] 將待摻雜材料置于真空蒸鍍裝置內(nèi)；
[0013] 將所述待摻雜基片置于蒸鍍腔室中，對所述待摻雜材料進(jìn)行加熱，將待摻雜材料 蒸鍍于待摻雜基片。
[0014] 優(yōu)選的，所述真空蒸鍍是在300-400°C下，真空度大于等于1(T4托的條件下進(jìn)行 的。
[0015] 本發(fā)明還提供一種電極，所述電極包括上述的石墨烯摻雜材料。
[0016] 本發(fā)明還提供一種像素結(jié)構(gòu)，包括像素電極和/或公共電極，其特征在于，所述像 素電極和/或所述公共電極包括上述的電極。
[0017] 本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括如權(quán)利要求上述的像素結(jié)構(gòu)。
[0018] 發(fā)明的石墨烯摻雜材料及其制備方法、電極、像素結(jié)構(gòu)、顯示裝置由于對石墨烯層 進(jìn)行摻雜，形成的石墨烯摻雜材料使得摻雜材料與石墨烯進(jìn)行鍵接、提高載流子的傳輸速 率，降低了石墨烯摻雜材料的方阻。
【附圖說明】
[0019] 圖1為本發(fā)明實施例4中石墨烯摻雜材料的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020] 圖2為本發(fā)明實施例12中ADS像素結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021] 圖3為本發(fā)明實施例12中石墨烯摻雜像素電極的構(gòu)圖工藝流程圖；
[0022] 其中，1.襯底；2.柵極；3.公共電極；4.柵線；5.柵極絕緣層；6.有源層；7.絕緣 層；8.鈍化層；9.源漏極；10.像素電極；11.石墨稀層；12.摻雜層；13.光刻膠；14.模板。
【具體實施方式】
[0023] 為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實施方 式對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0024] 對比例
[0025] 本對比例提供一種石墨烯導(dǎo)電層的由單層石墨烯層形成，對該石墨烯導(dǎo)電層進(jìn)行 方阻測試和透過率進(jìn)行測試，其結(jié)果見表1。
[0026] 其中，透過率通過分光光度計在300-1600nm范圍內(nèi)對導(dǎo)電層進(jìn)行光學(xué)透過率進(jìn) 行測試；
[0027] 方阻測試采用RTS-9型四探針測試儀，測試導(dǎo)電層的室溫方阻。
[0028] 實施例1 :
[0029] 本實施例提供一種石墨烯摻雜材料，所述石墨烯摻雜材料包括1層石墨烯和1層 摻雜層；摻雜層為FeCl^#雜層；FeCl 3摻雜層的厚度為6nm。
[0030] 上述石墨烯摻雜材料的制備方法如下：
[0031] 1)將待摻雜材料置于蒸鍍機(jī)內(nèi)的坩堝內(nèi)；
[0032] 2)將待摻雜基片置于蒸鍍腔室，通過設(shè)計于外部的熱源對坩堝進(jìn)行加熱進(jìn)行蒸 鍍；
[0033] 3)通過控制加熱源電流的大小來控制蒸鍍速率，直至蒸鍍預(yù)定的厚度。
[0034]上述的蒸鍍裝置可以對待蒸鍍物質(zhì)進(jìn)行獨立控制，將蒸鍍溫度控制在300-400°C， 真空度大于等于1〇_4托，通過控制電流的大小控制蒸鍍速率，蒸鍍到預(yù)定厚度時停止蒸鍍。
[0035] 對該石墨烯摻雜材料進(jìn)行方阻測試和透過率測試，其結(jié)果見表1。
[0036] 實施例2 :
[0037] 本實施例提供一種石墨烯摻雜材料，所述石墨烯摻雜材料包括1層石墨烯層和1 層摻雜層；摻雜層為MgF；^#雜層；MgF 2摻雜層的厚度為8nm。
[0038] 上述摻雜層的制備方法與實施例1中的方法類似，在此不再--贅述。
[0039] 對該石墨烯摻雜材料進(jìn)行方阻測試和透過率測試，其結(jié)果見表1。
[0040] 實施例3 :
[0041] 本實施例提供一種石墨烯摻雜材料，所述石墨烯摻雜材料包括一 1層石墨烯層和 1層摻雜層；摻雜層為雜層；BaF 2摻雜層的厚度為10nm。
[0042] 上述摻雜層的制備方法與實施例1中的方法類似，在此不再--贅述。
[0043] 對該石墨烯摻雜材料進(jìn)行方阻測試和透過率測試，其結(jié)果見表1。
[0044] 實施例4 :
[0045] 本實施例提供一種石墨烯摻雜材料，所述石墨烯摻雜材料包括3層石墨烯層和2 層摻雜層；
[0046] 摻雜層分別為MgIy#雜層和FeCl 3摻雜層，其中，MgFd#雜層的厚度為6nm，F(xiàn)eCl 3 摻雜層的厚度為6nm。
[0047] 如圖1所不，石墨條慘雜材料的各層的排布順序依次為：石墨條層、1\^2慘雜層、 石墨稀層、FeCl 3摻雜層、石墨稀層。
[0048] 應(yīng)當(dāng)理解的是，上述各層的排列也可是其它順序，只要能實現(xiàn)摻雜材料與石墨烯 之間的鍵接、提高載流子的傳輸速率即可。
[0049] 上述摻雜層的制備方法與實施例1中的方法類似，在此不再--贅述。
[0050] 對該石墨烯摻雜材料進(jìn)行方阻測試和透過率測試，其結(jié)果見表1。
[0051] 實施例5:
[0052] 本實施例提供一種石墨烯摻雜材料，所述石墨烯摻雜材料包括3層石墨烯層和2 層摻雜層；摻雜層為BaF 2摻雜層，其中，雜層的厚度為10nm。
[0053] 石墨稀摻雜材料的各層的排布順序依次為：石墨稀層、BaF2摻雜層、石墨稀層、 BaF 2摻雜層、石墨稀層。
[0054] 應(yīng)當(dāng)理解的是，上述各層的排列也可是其它順序，只要能實現(xiàn)摻雜材料與石墨烯 之間的鍵接、提高載流子的傳輸速率即可。
[0055] 上述摻雜層的制備方法與實施例1中的方法類似，在此不再--贅述。
[0056] 對該石墨烯摻雜材料進(jìn)行方阻測試和透過率測試，其結(jié)果見表1。
[0057] 實施例6 :
[0058] 本實施例提供一種石墨烯摻雜材料，所述石墨烯摻雜材料包括4層石墨烯層和2 層摻雜層；
[0059] 摻雜層分別為MgF；^#雜層和FeCl 3摻雜層；其中，MgFj#雜層的厚度為6nm，F(xiàn)eCl 3 摻雜層的厚度為6nm。
[0060] 石墨稀摻雜材料的各層的排布順序依次為：石墨稀層、MgF2摻雜層、石墨稀層、 FeCl 3摻雜層、石墨稀層、石墨稀層。
[0061] 應(yīng)當(dāng)理解的是，上述各層的排列也可是其它順序，只要能實現(xiàn)摻雜材料與石墨烯 之間的鍵接、提高載流子的傳輸速率即可。
[0062] 上述摻雜層的制備方法與實施例1中的方法類似，在此不再--贅述。
[0063] 對該石墨烯摻雜材料進(jìn)行方阻測試和透過率測試，其結(jié)果見表1。
[0064] 實施例7 :
[0065] 本實施例提供一種石墨烯摻雜材料，所述石墨烯摻雜材料包括4層石墨烯層和3 層摻雜層；摻雜層為FeCl^#雜層；其中，F(xiàn)eCl 3摻雜層的厚度為6nm。
[0066] 石墨稀摻雜材料的各層的排布順序依次為：石墨稀層、FeCl3摻雜層、石墨稀層、 FeCl 3摻雜層、石墨稀層、FeCl 3摻雜層、石墨稀層。
[0067] 應(yīng)當(dāng)理解的是，上述各層的排列也可是其它順序，只要能實現(xiàn)摻雜材料與石墨烯 之間的鍵接、提高載流子的傳輸速率即可。
[0068] 上述摻雜層的制備方法與實施例1中的方法類似，在此不再--贅述。
[0069] 對該石墨烯摻雜材料進(jìn)行方阻測試和透過率測試，其結(jié)果見表1。
[0070] 實施例8 :
[0071] 本實施例提