Oled顯示基板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種OLED顯示基板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]到目前為止，實際應(yīng)用的顯示裝置主要有陰極射線管(CRT)，液晶顯示器(IXD)、真空熒光器件(VFD)、等離子顯示器(rop)、有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)、場發(fā)射顯示器(FED)和電致發(fā)光顯示器(ELD)等。IXD、OLED等已經(jīng)逐步取代CRT顯示器。
[0003]OLED是一種極具發(fā)展前景的顯示技術(shù)，它不僅具有十分優(yōu)異的顯示性能，還具有自發(fā)光、結(jié)構(gòu)簡單、超輕薄、響應(yīng)速度快、寬視角、低功耗及可實現(xiàn)柔性顯示等特性，被譽(yù)為“夢幻顯示器”，得到了各大顯示器廠家的青睞，已成為顯示技術(shù)領(lǐng)域中第三代顯示器件的主力軍。
[0004]OLED顯示裝置與IXD顯示裝置相比，具有薄、輕、寬視角、主動發(fā)光、發(fā)光顏色連續(xù)可調(diào)、成本低、響應(yīng)速度快、能耗小、驅(qū)動電壓低、工作溫度范圍寬、生產(chǎn)工藝簡單、發(fā)光效率高及可柔性顯示等優(yōu)點，且其生產(chǎn)設(shè)備投資遠(yuǎn)小于IXD。OLED正是由于具有其它顯示器不可比擬的優(yōu)勢以及美好的應(yīng)用前景得到了的產(chǎn)業(yè)界和科學(xué)界的極大關(guān)注。
[0005]OLED按照驅(qū)動方式可以分為無源矩陣型OLED (Passive Matrix, PM)和有源矩陣型0LED(Active Matrix，AM)兩大類，即直接尋址和薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)矩陣尋址兩類。
[0006]如圖1所示，現(xiàn)有的一種有源矩陣型OLED顯示基板包括:基板100、設(shè)于所述基板100上的TFT、設(shè)于所述TFT層上的鈍化層300、設(shè)于所述鈍化層300上的平坦層400、設(shè)于所述平坦層400上的陽極500、設(shè)于所述陽極500上的有機(jī)發(fā)光層600、以及設(shè)于所述有機(jī)發(fā)光層600上的陰極(未示出)。一電極孔700于所述TFT的漏極200的上方貫穿所述平坦層400與鈍化層300，從而暴露出漏極200的部分表面。所述陽極500凹入該電極孔700與所述TFT的漏極200接觸，用于接收驅(qū)動信號，控制OLED發(fā)光。然而，在所述陽極500上制備有機(jī)發(fā)光層600時，會出現(xiàn)位于所述陽極500的凹入部分上的有機(jī)發(fā)光層600極其薄甚至不能形成的情況，若此時繼續(xù)在有機(jī)發(fā)光層600上制備陰極，則非常容易造成陰極、陽極之間短路，電流集中流過該短路部分，阻止電流流過有機(jī)發(fā)光層600，造成OLED無法發(fā)光的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于提供一種OLED顯示基板，能夠防止OLED顯示基板上的陰極與陽極之間短路，避免因短路造成的電流集中，保證OLED正常發(fā)光。本發(fā)明的目的還在于提供一種OLED顯示基板的制造方法，該制造方法簡單易行，制得的OLED顯示基板能夠防止陰極與陽極之間短路，避免因短路造成的電流集中，保證OLED正常發(fā)光。
[0008]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種OLED顯示基板，包括:基板、設(shè)于所述基板上的TFT、設(shè)于所述TFT上的鈍化層、設(shè)于所述鈍化層上的平坦層、設(shè)于所述平坦層上并接觸所述TFT的連接電極、設(shè)于所述平坦層上并覆蓋所述連接電極的陽極、設(shè)于所述陽極上的有機(jī)發(fā)光層、及設(shè)于所述有機(jī)發(fā)光層上的陰極；
[0009]所述連接電極通過貫穿所述平坦層與鈍化層的接觸孔接觸所述TFT ;
[0010]所述陽極通過所述連接電極與所述TFT電性連接。
[0011]所述連接電極包括凸出部、與填充部；所述凸出部高出所述平坦層，并被所述陽極覆蓋，與所述陽極形成電性連接；所述填充部填充于所述接觸孔內(nèi)，并接觸所述TFT，與所述TFT形成電性連接。
[0012]所述連接電極的材料為鉬、鈦、鋁、銅中的一種或多種的堆棧組合。
[0013]所述TFT包括:設(shè)于所述基板上的緩沖層、設(shè)于所述緩沖層上的包括溝道區(qū)、分別設(shè)于所述溝道區(qū)兩側(cè)的源極區(qū)與漏極區(qū)的半導(dǎo)體層、設(shè)于所述半導(dǎo)體層上的柵極絕緣層、于所述溝道區(qū)上方設(shè)于所述柵極絕緣層上的柵極、設(shè)于所述柵極上的層間絕緣層、設(shè)于所述源極區(qū)上并貫穿柵極絕緣層和層間絕緣層的源極、及設(shè)于所述漏極區(qū)上并貫穿柵極絕緣層和層間絕緣層的漏極。
[0014]所述接觸孔暴露出所述漏極的部分表面，所述連接電極的填充部通過所述接觸孔接觸所述TFT的漏極，與所述TFT的漏極電性連接。
[0015]本發(fā)明還提供一種OLED顯示基板的制造方法，包括以下步驟:
[0016]步驟1、提供一基板、在所述基板上形成TFT ;
[0017]步驟2、在所述TFT上形成鈍化層，在所述鈍化層上形成平坦層；
[0018]步驟3、對所述平坦層與鈍化層進(jìn)行圖案化處理，形成貫穿所述平坦層與鈍化層的接觸孔；
[0019]步驟4、在所述平坦層上沉積并圖案化連接電極，使所述連接電極通過所述接觸孔接觸所述TFT ；
[0020]步驟5、在所述平坦層上形成覆蓋所述連接電極的陽極；
[0021]步驟6、依次在所述陽極上形成有機(jī)發(fā)光層，在所述有機(jī)發(fā)光層上形成陰極。
[0022]所述步驟I包括:
[0023]步驟11、在所述基板上沉積一層緩沖層，在所述緩沖層上形成包括溝道區(qū)、分別設(shè)于所述溝道區(qū)兩側(cè)的源極區(qū)與漏極區(qū)的半導(dǎo)體層；
[0024]步驟12、在所述半導(dǎo)體層上形成柵極絕緣層，在所述柵極絕緣層上形成位于所述溝道區(qū)上方的柵極，在所述柵極與柵極絕緣層上沉積層間絕緣膜；
[0025]步驟13、對所述層間絕緣膜與柵極絕緣層進(jìn)行圖案化處理，分別在與所述源極區(qū)、漏極區(qū)相對應(yīng)的位置形成貫穿所述層間絕緣膜與柵極絕緣層的過孔；再在所述層間絕緣膜上形成源極與漏極，所述源極與漏極分別通過一過孔接觸所述源極區(qū)、漏極區(qū)。
[0026]所述連接電極包括凸出部、與填充部；所述凸出部高出所述平坦層，并被所述陽極覆蓋，與所述陽極形成電性連接；所述填充部填充于所述接觸孔內(nèi)，并接觸所述TFT，與所述TFT形成電性連接。
[0027]所述步驟3中所述接觸孔形成在與所述漏極相對應(yīng)的位置，暴露出漏極的部分表面。
[0028]所述連接電極的材料為鉬、鈦、鋁、銅中的一種或多種的堆棧組合。
[0029]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供的一種OLED顯示基板及其制造方法，通過設(shè)置連接電極，使陽極通過該連接電極與TFT電性連接，不同于現(xiàn)有技術(shù)中陽極通過凹入電極孔與TFT電性連接，避免了位于陽極的凹入部分上的有機(jī)發(fā)光層極其薄甚至不能形成的情況，從而能夠在有機(jī)發(fā)光層上設(shè)置陰極后，防止OLED顯示基板上的陰極與陽極之間短路，避免因短路造成的電流集中，保證OLED正常發(fā)光；同時增加連接電極可改善陽極與TFT漏極之間的接觸阻抗，提高OLED顯示基板的性能。
[0030]為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
【附圖說明】
[0031]下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的【具體實施方式】詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。
[0032]附圖中，
[0033]圖1為現(xiàn)有的一種OLED顯示基板的剖視圖；
[0034]圖2為本發(fā)明的OLED顯示基板的剖視圖；
[0035]圖3為本發(fā)明的OLED顯示基板的制造方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0036]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0037]請參閱圖2，本發(fā)明首先提供一種OLED顯示基板，包括:
[0038]基板10，所述基板10為透明基板，優(yōu)選的，所述基板10為玻璃基板；
[0039]設(shè)于所述基板10上的TFT90 ;具體的，所述TFT90包括:設(shè)于所述基板10上的緩沖層20、設(shè)于所述緩沖層20上的包括溝道區(qū)912、分別設(shè)于所述溝道區(qū)912兩側(cè)的源極區(qū)914與漏極區(qū)916的半導(dǎo)體層91、設(shè)于所述半導(dǎo)體層91上的柵極絕緣層30、于所述溝道區(qū)912上方設(shè)于所述柵極絕緣層30上的柵極94、設(shè)于所述柵極94上的層間絕緣層40、設(shè)于所述源極區(qū)914上并貫穿柵極絕緣層30和層間絕緣層40的源極95、及設(shè)于所述漏極區(qū)916上并貫穿柵極絕緣層30和層間絕緣層40的漏極96 ;
[0040]設(shè)于所述TFT90上的鈍化層50，該鈍化層50可以采用含硅的絕緣膜作為材料，優(yōu)選為氮化硅膜或氧化硅膜；
[0041]設(shè)于所述絕緣層50上的平坦層60，該平坦層60的材料可以選用有機(jī)樹脂膜，如聚酰亞胺樹脂膜，丙烯酸類樹脂膜等，另外也可以選擇無機(jī)膜；
[0042]設(shè)于所述平坦層60上并接觸所述TFT90的連接電極80，該連接電極80通過貫穿所述平坦層60與鈍化層50的接觸孔81接觸所述TFT90 ;所述連接電極80的材料為導(dǎo)電性良好的金屬，優(yōu)選鉬、鈦、鋁、銅中的一種或多種的堆棧組合；
[0043]設(shè)于所述平坦層60上并覆蓋所述連接電極80的陽極70，該陽極70通過所述連接電極80與所述TFT90電性連接；所述陽極70為透明的導(dǎo)電膜，如氧化銦錫(Indium TinOxide，ITO)導(dǎo)電膜、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide，IZ0)導(dǎo)電膜等；
[0044]設(shè)于所述陽極70上的有機(jī)發(fā)光層71，所述有機(jī)發(fā)光層71通常包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EML)、電子傳輸層(ETL)、及電子注入層(EIL)；
[0045]以及設(shè)于所述有機(jī)發(fā)光層71上的陰極72。
[0046]進(jìn)一步的，所述連接電極80包括凸出部82、與填充部84 ;所述凸出部82高出所述平坦層60，并被所述陽極70覆蓋，與所述陽極70形成電性連接；所述填充部84填充于所述接觸孔81內(nèi)，并接觸所述TFT90，與所述TFT90形成電性連接，從而所述連接電極80將陽極70與TFT90電性連接在一起。
[0047]詳細(xì)的，所述接觸孔81暴露出所述漏極96的部分表面，所述連接電極80的填充部84通過所述接觸孔81接觸所述TFT90的漏極，與所述TFT90的漏極96電性連接。
[0048]本發(fā)明的OLED顯示基板通過設(shè)置連接電極80，使陽極70通過該連接電極80與TFT90電性連接，不同于現(xiàn)有技術(shù)中陽極通過凹入電極孔與TFT電性連接，避免了位于陽極的凹