Tft基板結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種TFT基板結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]有源陣列有機(jī)發(fā)光二極管(AMOLED)被稱為下一代顯示技術(shù)，是因?yàn)锳MOLED相對(duì)于傳統(tǒng)TFT-LCD面板，具有反應(yīng)速度快，視角廣，對(duì)比度高等優(yōu)點(diǎn)。由于OLED的驅(qū)動(dòng)需要背板TFT具有較高的遷移率，目前較為成熟的非晶硅(a-Si)遷移率僅能達(dá)到0.5?0.8cm2/Vs，不能滿足OLED的正常驅(qū)動(dòng)。遷移率較高的低溫多晶硅(LTPS)和金屬氧化物半導(dǎo)體(如IGZ0)作為有源層的薄膜晶體管(TFT)得以成為研究熱點(diǎn)。
[0003]AMOLED中OLED由背板中的薄膜晶體管(TFT)來驅(qū)動(dòng)，在背板TFT中，又可以分為開關(guān)薄膜晶體管(Switching TFT)和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Driving TFT)。其中開關(guān)薄膜晶體管(Switching TFT)僅僅實(shí)現(xiàn)開關(guān)的功能，所以可以采用價(jià)格低廉制程穩(wěn)定的TFT，而驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Driving TFT)需要足夠的遷移率才能實(shí)現(xiàn)OLED的驅(qū)動(dòng)，因此可以采用遷移率較大的TFT。
[0004]按照目前傳統(tǒng)OLED背板的制程，開關(guān)薄膜晶體管(Switching TFT)和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Driving TFT)采用相同的結(jié)構(gòu)和制程順序，決定了有源層僅僅采用一種材料(金屬氧化物半導(dǎo)體或LTPS)，不易實(shí)現(xiàn)功能不同的兩種TFT的差異化。另一方面，一個(gè)像素中的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Driving TFT)和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Driving TFT)以及電容相互獨(dú)立，不利于開口率的增加。
[0005]常見驅(qū)動(dòng)OLED的2T1C(2個(gè)TFT和一個(gè)存儲(chǔ)電容)結(jié)構(gòu)如圖1所示:其中兩個(gè)TFT101U02均為蝕刻阻擋型(ESL)結(jié)構(gòu)，有源層201、202采用一種材料(金屬氧化物半導(dǎo)體或LTPS)，做到鈍化層600 —共需要5道光罩。同時(shí)，經(jīng)過相同的制程后，TFT101U02具有相同的電性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種TFT基板結(jié)構(gòu)，根據(jù)不同TFT所實(shí)現(xiàn)功能的不同，將開關(guān)TFT與驅(qū)動(dòng)TFT采用不同的工作結(jié)構(gòu)分別進(jìn)行沉積和光刻，并對(duì)開關(guān)TFT與驅(qū)動(dòng)TFT的有源層采用不同的材料，實(shí)現(xiàn)TFT基板中不同TFT的電性能差異化，從而以最低的成本實(shí)現(xiàn)OLED的精確控制。
[0007]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種TFT基板結(jié)構(gòu)，包括一開關(guān)TFT與一驅(qū)動(dòng)TFT，所述開關(guān)TFT具有第一有源層，所述驅(qū)動(dòng)TFT具有第二有源層，所述第一與第二有源層采用相同或不同的材料制備，所述開關(guān)TFT與驅(qū)動(dòng)TFT的電性能不同。
[0008]所述TFT基板包括基板、形成于基板上的第一有源層、形成于基板及第一有源層上的第一金屬層、形成于第一有源層及第一金屬層上并覆蓋基板的第一絕緣層、形成于第一絕緣層上的第二有源層、形成于第一絕緣層上的第二金屬層、形成于第二有源層及第一絕緣層上的第三金屬層、形成于第二有源層及第二金屬層上并覆蓋第一絕緣層的鈍化層、及形成于鈍化層上并與第三金屬層相接觸的像素電極層。
[0009]所述TFT基板包括基板、形成于基板上的第一金屬層、形成于第一金屬層上并覆蓋基板與第一金屬層的第一絕緣層、形成于第一絕緣層上的第一有源層、形成于第一有源層及第一絕緣層上的第二金屬層、形成于第二金屬層及第一有源層上并覆蓋第一絕緣層的第二絕緣層、形成于第二絕緣層上的第二有源層、形成于第二有源層及第二絕緣層上的第三金屬層、形成于第二有源層及第三金屬層上并覆蓋第二絕緣層的鈍化層、及形成于鈍化層上并與第三金屬層相接觸的像素電極層。
[0010]所述TFT基板包括基板、形成于基板上的第一金屬層、形成于第一金屬層上并覆蓋基板及第一金屬層的第一絕緣層、形成于第一絕緣層上的第二金屬層、形成第二金屬層上并與第一絕緣層相接觸的第一有源層、形成于第一有源層及第二金屬層上并覆蓋第一絕緣層的第二絕緣層、形成于第二絕緣層上的第二有源層、形成于第二有源層及第二絕緣層上的第三金屬層、形成于第二有源層與第三金屬層上并覆蓋第二絕緣層的鈍化層、及形成于鈍化層上并與第三金屬層相接觸的像素電極層。
[0011]所述TFT基板包括基板、形成于基板上的第一金屬層、形成于第一金屬層上并覆蓋基板與第一金屬層的第一絕緣層、形成于第一絕緣層上的第一有源層、形成于第一有源層上的蝕刻阻擋層、形成于第一絕緣層及蝕刻阻擋層上并覆蓋第一有源層的第二金屬層、形成于第二金屬層上并覆蓋第一絕緣層的第二絕緣層、形成于第二絕緣層上的第二有源層、形成于第二絕緣層上并覆蓋第二有源層兩端的第三金屬層、形成于第三金屬層與第二有源層上并覆蓋第二絕緣層的鈍化層、及形成于鈍化層上并與第三金屬層相接觸的像素電極層。
[0012]所述第一有源層與第二有源層的材料分別為非晶硅與金屬氧化物半導(dǎo)體、或低溫多晶硅與非晶硅、或低溫多晶硅與金屬氧化物半導(dǎo)體、或均為金屬氧化物半導(dǎo)體。
[0013]所述TFT基板包括基板、形成于基板上的第一金屬層、形成于第一金屬層上并覆蓋基板與第一金屬層的第一絕緣層、形成于第一絕緣層上的第一有源層、形成于第一有源層兩端及第一絕緣層上的第二金屬層、形成于第一有源層及第二金屬層上并覆蓋第一絕緣層的第二絕緣層、形成于第二絕緣層上的第三金屬層、形成于第三金屬層上并與第二絕緣層相接觸的第二有源層、形成于第三金屬層及第二有源層上并覆蓋第二絕緣層的鈍化層、及形成于鈍化層上并與第三金屬層相接觸的像素電極層；所述第一有源層與第二有源層位于基板的同一側(cè)。
[0014]所述第一有源層與第二有源層的材料分別為非晶硅與金屬氧化物半導(dǎo)體、或均為金屬氧化物半導(dǎo)體。
[0015]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供一種TFT基板結(jié)構(gòu)，根據(jù)不同TFT所實(shí)現(xiàn)功能的不同，將開關(guān)TFT與驅(qū)動(dòng)TFT采用不同的工作結(jié)構(gòu)分別進(jìn)行沉積和光刻，并對(duì)開關(guān)TFT與驅(qū)動(dòng)TFT的有源層采用不同的材料，實(shí)現(xiàn)TFT基板中不同TFT的電性能差異化，從而以最低的成本實(shí)現(xiàn)OLED的精確控制，制程簡便,生產(chǎn)成本低，并將不同功能的TFT進(jìn)行疊加沉積，增加了開口率。
【附圖說明】
[0016]下面結(jié)合附圖，通過對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其他有益效果顯而易見。
[0017]附圖中，
[0018]圖1為一種現(xiàn)有TFT基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2為本發(fā)明TFT基板結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖3為本發(fā)明TFT基板結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖4為本發(fā)明TFT基板結(jié)構(gòu)第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖5為本發(fā)明TFT基板結(jié)構(gòu)第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖6為本發(fā)明TFT基板結(jié)構(gòu)第五實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖7為本發(fā)明TFT基板結(jié)構(gòu)不同金屬氧化物半導(dǎo)體TFT的電性曲線圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0026]本發(fā)明提供的TFT基板結(jié)構(gòu)，包括一開關(guān)TFT與一驅(qū)動(dòng)TFT，所述開關(guān)TFT具有第一有源層，所述驅(qū)動(dòng)TFT具有第二有源層，所述第一與第二有源層采用相同或不同的材料制備，所述開關(guān)TFT與驅(qū)動(dòng)TFT的電性能不同。
[0027]請(qǐng)參閱圖2，本發(fā)明TFT基板結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例為頂柵型(Top Gate)結(jié)構(gòu)與背溝道蝕刻型(BCE)結(jié)構(gòu)相結(jié)合的形式。具體地，包括基板1、形成于基板I上的第一有源層21、形成于基板I及第一有源層21上的第一金屬層31、形成于第一有源層21及第一金屬層31上并覆蓋基板I的第一絕緣層41、形成于第一絕緣層41上的第二有源層22、形成于第一絕緣層41上的第二金屬層32，形成于第二有源層22及第一絕緣層41上的第三金屬層33、形成于第二有源層22及第二金屬層32上并覆蓋第一絕緣層41的鈍化層6、及形成于鈍化層6上并與第三金屬層33相接觸的像素電極層7。
[0028]需要指出的是，在該結(jié)構(gòu)中，第一金屬層31的左側(cè)為TFTll的源/漏極，右側(cè)為TFT12的柵極，即TFT12的柵極與TFTll的漏極相連接。第二金屬層32為TFTll的柵極，第三金屬層33為TFT12的源/漏極。
[0029]請(qǐng)參閱圖3，本發(fā)明TFT基板結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例為兩個(gè)背溝道蝕刻型(BCE)結(jié)構(gòu)相結(jié)合的形式。具體地，所述TFT基板包括基板1、形成于基板I上的第一金屬層31、形成于第一金屬層31上并覆蓋基板I與第一金屬層31的第一絕緣層41、形成于第一絕緣層41上的第一有源層21、形成于第一有源層21及第一絕緣層41上的第二金屬層32、形成第二金屬層32與第一有源層21上并覆蓋第一絕緣層41的第二絕緣層42、形成于第二絕緣層42上的第二有源層22、形成于第二有源層22上的第三金屬層33、形成于第二有源層22與第三金屬層33上并覆蓋第二絕緣層42的鈍化層6、及形成于鈍化層6上并與第三金屬層33相接觸的像素電極層7。
[0030]需要指出的是，在該結(jié)構(gòu)中，第一金屬層31為TFTll的柵極，第二金屬層32為的左側(cè)為TFTll的源/漏極，右側(cè)為TFT12的柵極，即TFT12的柵極與TFTll的漏極相連接。第三金屬層33為TFT12的源/漏極。
[0031]請(qǐng)參閱圖4，本發(fā)明TFT基板結(jié)構(gòu)的第三實(shí)施例為反轉(zhuǎn)共平面型(Co-planar)結(jié)構(gòu)與背溝道蝕刻型(BCE)結(jié)構(gòu)相結(jié)合的形式。具體地，所述TFT基板包括基板1、形成于基板I上的第一金屬層31、形成于第一金屬層31上并覆蓋基板I與第一金屬層31的第一絕緣層41、形成于第一絕緣層41上的第二金屬層32、形成于第二金屬層32上并與第一絕緣層41相接觸的第一有源層21、形成于第一有源層21與第二金屬層32上并覆蓋第一絕緣層41的第二絕緣層42、形成于第二絕緣層42上的第二有源層22、形成于第二有源層22及第二絕緣層42上的第三金屬層33、形成于第二有源層22與第三金屬層33上并覆蓋第二絕緣層42的鈍化層6、及形成于鈍化層6上并與第三金屬層33相接觸的像素電極層7。
[0032]需要指出的是，在該結(jié)構(gòu)中，第一金屬層31為TFTll的柵極，第二金屬層32為的左側(cè)為TFTll的源/漏極，右側(cè)為TFT12的柵極，即TFT12的柵極與TFTll的漏極相連接。第三金屬層33為TFT12的源/漏極。
[0033]值得一提的是，圖4所示的TFT基板中，第一 TFTll采用反轉(zhuǎn)共平面型(Co-planar)結(jié)構(gòu)，第二 TFT12采用背溝道蝕刻型(BCE)結(jié)構(gòu)的