一種高顯高亮led的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種高顯高亮LED，尤其涉及一種通過紅光芯片和藍光芯片發(fā)出的混合光線激發(fā)黃色熒光粉，發(fā)出具備高顯指高光效的日常光照用光的高顯高亮LED。
【背景技術】
[0002]顯色指數(以下簡稱顯指)作為光源對物體顯色能力的一個指標，在LED制造業(yè)當中是一個相當重要的參數，現時提高LED顯指的方式眾多，但都會使其光通量有所下降。
[0003]由于現時為提高LED顯指，主要的方法是在熒光粉中混進紅光熒光粉，但是會這個方法會降低LED的亮度。

【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明是為了要克服現有技術的缺陷，目的在于提供一種高顯高亮LED，該高顯高亮LED通過在同一個LED支架上，固晶有藍光芯片和紅光芯片，只用黃色熒光粉，以達到提高顯指，同時也不會降低亮度。
[0005]本發(fā)明解決其技術問題所采用的技術方案是:一種高顯高亮LED，包括LED支架、設于LED支架表面的正負極、于正負極連接并固晶于LED支架上的藍光芯片和紅光芯片、設于LED支架上并覆蓋于藍光芯片表面和紅光芯片表面的黃色熒光粉。該藍光芯片與紅光芯片在同一供電系統中，表面覆蓋有黃色熒光粉，通過紅光芯片和藍光芯片發(fā)出的混合光線激發(fā)黃色熒光粉，發(fā)出具備高顯指高光效的日常光照用光。
[0006]進一步的，所述的紅光芯片設置于中央位置，藍光芯片設于紅光芯片的外圍并包圍藍光芯片。
[0007]進一步的，所述的藍光芯片設置有多塊并通過串聯連接成一直線組成藍光芯片組，藍光芯片組的兩端分別連接正負極；紅光芯片設有多塊并串聯連接組成紅光芯片組，紅光芯片組設有多組，每組紅光芯片組的兩端分別連接正負極。
[0008]綜上所述，本發(fā)明的高顯高亮LED通過在同一個LED支架上，固晶有藍光芯片和紅光芯片，藍光芯片與紅光芯片在同一供電系統中，表面覆蓋有黃色熒光粉，并且只用黃色熒光粉，通過紅光芯片和藍光芯片發(fā)出的混合光線激發(fā)黃色熒光粉，發(fā)出具備高顯指高光效的日常光照用光，以達到提高顯指，同時也不會降低亮度。
【附圖說明】
[0009]圖1是本發(fā)明實施例1的一種尚顯尚殼LED的結構不意圖；
圖2是圖1的仰視圖。
【具體實施方式】
[0010]實施例1
本發(fā)明實施例1所描述的一種高顯高亮LED，如圖1和圖2所示，包括LED支架1、設于LED支架表面的正極2和負極3、于正負極連接并固晶于LED支架上的藍光芯片4和紅光芯片5、設于LED支架上并覆蓋于藍光芯片表面和紅光芯片表面的黃色熒光粉6。該藍光芯片與紅光芯片在同一供電系統中，表面覆蓋有黃色熒光粉，通過紅光芯片和藍光芯片發(fā)出的混合光線激發(fā)黃色熒光粉，發(fā)出具備高顯指高光效的日常光照用光。
[0011]進一步的，所述的紅光芯片設置于中央位置，藍光芯片設于紅光芯片的外圍并包圍藍光芯片。
[0012]進一步的，所述的藍光芯片設置有多塊并通過串聯連接成一直線組成藍光芯片組，藍光芯片組的兩端分別連接正負極；紅光芯片設有多塊并串聯連接組成紅光芯片組，紅光芯片組設有多組，每組紅光芯片組的兩端分別連接正負極。
[0013]上述實施例僅為本發(fā)明的若干較佳實施例，并非依此限制本發(fā)明的保護范圍，故:凡依照本發(fā)明的結構、形狀、原理所做的各種等效變化，均應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種高顯高亮LED，其特征在于，包括LED支架、設于LED支架表面的正負極、于正負極連接并固晶于LED支架上的藍光芯片和紅光芯片、設于LED支架上并覆蓋于藍光芯片表面和紅光芯片表面的黃色熒光粉。
2.根據權利要求1所述的一種高顯高亮LED，其特征在于，所述的紅光芯片設置于中央位置，藍光芯片設于紅光芯片的外圍并包圍藍光芯片。
3.根據權利要求2所述的一種高顯高亮LED，其特征在于，所述的藍光芯片設置有多塊并通過串聯連接成一直線組成藍光芯片組，藍光芯片組的兩端分別連接正負極；紅光芯片設有多塊并串聯連接組成紅光芯片組，紅光芯片組設有多組，每組紅光芯片組的兩端分別連接正負極。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高顯高亮LED，包括LED支架、設于LED支架表面的正負極、于正負極連接并固晶于LED支架上的藍光芯片和紅光芯片、設于LED支架上并覆蓋于藍光芯片表面和紅光芯片表面的黃色熒光粉。該藍光芯片與紅光芯片在同一供電系統中，表面覆蓋有黃色熒光粉，通過紅光芯片和藍光芯片發(fā)出的混合光線激發(fā)黃色熒光粉，發(fā)出具備高顯指高光效的日常光照用光。
【IPC分類】H01L25-13, H01L33-50
【公開號】CN104538390
【申請?zhí)枴緾N201410731783
【發(fā)明人】周建華
【申請人】廣東聚科照明股份有限公司
【公開日】2015年4月22日
【申請日】2014年12月6日