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Tft基板結(jié)構(gòu)的制作方法_2

文檔序號:8224902閱讀:來源:國知局
形式,同樣地,也可以是第一 TFTll采用背溝道蝕刻型(BCE)結(jié)構(gòu),第二 TFT12采用反轉(zhuǎn)共平面型(Co-planar)結(jié)構(gòu)的形式。
[0034]請參閱圖5,本發(fā)明TFT基板結(jié)構(gòu)的第四實施例為蝕刻阻擋型(ESL)結(jié)構(gòu)與背溝道蝕刻型(BCE)結(jié)構(gòu)相結(jié)合的形式。具體地,所述TFT基板包括基板1、形成于基板I上的第一金屬層31、形成于第一金屬層31上并覆蓋基板I與第一金屬層31的第一絕緣層41、形成于第一絕緣層41上的第一有源層21、形成于第一有源層21上的蝕刻阻擋層5、形成于第一絕緣層41及蝕刻阻擋層5上并覆蓋第一有源層21的第二金屬層32、形成于第二金屬層32上并覆蓋第一絕緣層41的第二絕緣層42、形成于第二絕緣層42上的第二有源層22、形成于第二絕緣層42上并覆蓋第二有源層22兩端的第三金屬層33、形成于第三金屬層33與第二有源層22上并覆蓋第二絕緣層42的鈍化層6、及形成于鈍化層6上并與第三金屬層33相接觸的像素電極層7。
[0035]需要指出的是,在該結(jié)構(gòu)中,第一金屬層31為TFTll的柵極,第二金屬層32為的左側(cè)為TFTll的源/漏極,右側(cè)為TFT12的柵極,即TFT12的柵極與TFTll的漏極相連接。第三金屬層33為TFT12的源/漏極。
[0036]值得一提的是,圖5所示的TFT基板中,第一 TFTll采用蝕刻阻擋型(ESL)結(jié)構(gòu),第二 TFT12采用背溝道蝕刻型(BCE)結(jié)構(gòu)的形式,同樣地,也可以是第一 TFTll采用背溝道蝕刻型(BCE)結(jié)構(gòu),第二 TFT12采用蝕刻阻擋型(ESL)結(jié)構(gòu)的形式。
[0037]進一步地,在上述第一至第四實施例的TFT基板中,所述第一有源層21與第二有源層22的材料分別為非晶硅(a-Si)與金屬氧化物半導體、或低溫多晶硅(LTPS)與非晶硅(a-Si)、或均為金屬氧化物半導體。此外,在上述第一實施例中,所述第一有源層21與第二有源層22的材料還可以分別為低溫多晶硅(LTPS)與金屬氧化物半導體。
[0038]優(yōu)選的,所述氧化物半導體為銦鎵鋅氧化物(IGZO)。
[0039]圖6所示為本發(fā)明TFT基板的第五實施例的結(jié)構(gòu)示意圖,該TFT基板為反轉(zhuǎn)共平面型(Co-planar)結(jié)構(gòu)與背溝道蝕刻型(BCE)結(jié)構(gòu)相結(jié)合的形式。具體地,包括基板1、形成于所述基板I上的第一金屬層31、形成于所述第一金屬層31上并覆蓋基板I與第一金屬層31的第一絕緣層41、形成于所述第一絕緣層41上的第一有源層21、形成于第一有源層21兩端及第一絕緣層41上的第二金屬層32、形成于第一有源層21及第二金屬層32上并覆蓋第一絕緣層41的第二絕緣層42、形成于第二絕緣層42上的第三金屬層33、形成于第三金屬層33上并與第二絕緣層42相接觸的第二有源層22、形成于第三金屬層33與第二有源層22上并覆蓋第二絕緣層42的鈍化層6、及形成于鈍化層6上并與第三金屬層33相接觸的像素電極層7。其中,所述第一有源層21與第二有源層22位于基板I的同一側(cè),即實現(xiàn)不同功能的兩個TFT相互疊加,減少了 TFT的占用面積,從而增加開口率。
[0040]進一步地,所述第一有源層21與第二有源層22的材料分別為非晶硅(a-Si)與金屬氧化物半導體、或均為金屬氧化物半導體。優(yōu)選的,所述氧化物半導體為銦鎵鋅氧化物(IGZO)。
[0041]圖7為本發(fā)明TFT基板結(jié)構(gòu)不同金屬氧化物半導體TFT的電性曲線圖,其驗證了本發(fā)明TFT基板的開關(guān)薄膜晶體管(Switching TFT)和驅(qū)動薄膜晶體管(Driving TFT)存在差異化。
[0042]在該試驗驗證中,開關(guān)薄膜晶體管(Switching TFT)和驅(qū)動薄膜晶體管(DrivingTFT)的有源層均采用氧化物半導體材料,通過改變實驗條件參數(shù),最終實現(xiàn)了二者電性的差異化。具體地,如圖7所示,(a)和(b)可以實現(xiàn)S.S的差異化;(a)和(C)可以實現(xiàn)Vth的差異化(同樣的Vg可以實現(xiàn)一個TFT開,一個TFT關(guān)),亦可用于其它電路中;(a)和(d)可以實現(xiàn)1n的差異化。因此,本發(fā)明的TFT基板結(jié)構(gòu)可以實現(xiàn)不同功能TFT的電性差異化。
[0043]綜上所述,本發(fā)明提供一種TFT基板結(jié)構(gòu),根據(jù)不同TFT所實現(xiàn)功能的不同,將開關(guān)TFT與驅(qū)動TFT采用不同的工作結(jié)構(gòu)分別進行沉積和光刻,并對開關(guān)TFT與驅(qū)動TFT的有源層采用不同的材料,實現(xiàn)TFT基板中不同TFT的電性能差異化,從而以最低的成本實現(xiàn)OLED的精確控制,制程簡便,生產(chǎn)成本低,并將不同功能的TFT進行疊加沉積,增加了開口率。
[0044]以上所述,對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形,而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明后附的權(quán)利要求的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種TFT基板結(jié)構(gòu),其特征在于,包括一開關(guān)TFT與一驅(qū)動TFT,所述開關(guān)TFT具有第一有源層,所述驅(qū)動TFT具有第二有源層,所述第一與第二有源層采用相同或不同的材料制備,所述開關(guān)TFT與驅(qū)動TFT的電性能不同。
2.如權(quán)利要求1所述的TFT基板結(jié)構(gòu),其特征在于,所述TFT基板包括基板(I)、形成于基板(I)上的第一有源層(21)、形成于基板(I)及第一有源層(21)上的第一金屬層(31)、形成于第一有源層(21)及第一金屬層(31)上并覆蓋基板(I)的第一絕緣層(41)、形成于第一絕緣層(41)上的第二有源層(22)、形成于第一絕緣層(41)上的第二金屬層(32)、形成于第二有源層(22)及第一絕緣層(41)上的第三金屬層(33)、形成于第二有源層(22)及第二金屬層(32)上并覆蓋第一絕緣層(41)的鈍化層(6)、及形成于鈍化層(6)上并與第三金屬層(33)相接觸的像素電極層(7)。
3.如權(quán)利要求1所述的TFT基板結(jié)構(gòu),其特征在于,所述TFT基板包括基板(I)、形成于基板(I)上的第一金屬層(31)、形成于第一金屬層(31)上并覆蓋基板(I)與第一金屬層(31)的第一絕緣層(41)、形成于第一絕緣層(41)上的第一有源層(21)、形成于第一有源層(21)及第一絕緣層(41)上的第二金屬層(32)、形成于第二金屬層(32)及第一有源層(21)上并覆蓋第一絕緣層(41)的第二絕緣層(42)、形成于第二絕緣層(42)上的第二有源層(22)、形成于第二有源層(22)及第二絕緣層(42)上的第三金屬層(33)、形成于第二有源層(22)及第三金屬層(33)上并覆蓋第二絕緣層(42)的鈍化層¢)、及形成于鈍化層(6)上并與第三金屬層(33)相接觸的像素電極層(7)。
4.如權(quán)利要求1所述的TFT基板結(jié)構(gòu),其特征在于,所述TFT基板包括基板(I)、形成于基板(I)上的第一金屬層(31)、形成于第一金屬層(31)上并覆蓋基板(I)及第一金屬層(31)的第一絕緣層(41)、形成于第一絕緣層(41)上的第二金屬層(32)、形成第二金屬層(32)上并與第一絕緣層(41)相接觸的第一有源層(21)、形成于第一有源層(21)及第二金屬層(32)上并覆蓋第一絕緣層(41)的第二絕緣層(42)、形成于第二絕緣層(42)上的第二有源層(22)、形成于第二有源層(22)及第二絕緣層(42)上的第三金屬層(33)、形成于第二有源層(22)與第三金屬層(33)上并覆蓋第二絕緣層(42)的鈍化層¢)、及形成于鈍化層(6)上并與第三金屬層(33)相接觸的像素電極層(7)。
5.如權(quán)利要求1所述的TFT基板結(jié)構(gòu),其特征在于,所述TFT基板包括基板(I)、形成于基板(I)上的第一金屬層(31)、形成于第一金屬層(31)上并覆蓋基板(I)與第一金屬層(31)的第一絕緣層(41)、形成于第一絕緣層(41)上的第一有源層(21)、形成于第一有源層(21)上的蝕刻阻擋層(5)、形成于第一絕緣層(41)及蝕刻阻擋層(5)上并覆蓋第一有源層(21)的第二金屬層(32)、形成于第二金屬層(32)上并覆蓋第一絕緣層(41)的第二絕緣層(42)、形成于第二絕緣層(42)上的第二有源層(22)、形成于第二絕緣層(42)上并覆蓋第二有源層(22)兩端的第三金屬層(33)、形成于第三金屬層(33)與第二有源層(22)上并覆蓋第二絕緣層(42)的鈍化層¢)、及形成于鈍化層(6)上并與第三金屬層(33)相接觸的像素電極層⑵。
6.如權(quán)利要求1所述的TFT基板結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一有源層與第二有源層的材料分別為非晶硅與金屬氧化物半導體、或低溫多晶硅與非晶硅、或低溫多晶硅與金屬氧化物半導體、或均為金屬氧化物半導體。
7.如權(quán)利要求1所述的TFT基板結(jié)構(gòu),其特征在于,所述TFT基板包括基板(I)、形成于基板(I)上的第一金屬層(31)、形成于第一金屬層(31)上并覆蓋基板(I)與第一金屬層(31)的第一絕緣層(41)、形成于第一絕緣層(41)上的第一有源層(21)、形成于第一有源層(21)兩端及第一絕緣層(41)上的第二金屬層(32)、形成于第一有源層(21)及第二金屬層(32)上并覆蓋第一絕緣層(41)的第二絕緣層(42)、形成于第二絕緣層(42)上的第三金屬層(33)、形成于第三金屬層(33)上并與第二絕緣層(42)相接觸的第二有源層(22)、形成于第三金屬層(33)及第二有源層(22)上并覆蓋第二絕緣層(42)的鈍化層(6)、及形成于鈍化層(6)上并與第三金屬層(33)相接觸的像素電極層(7);所述第一有源層(21)與第二有源層(22)位于基板(I)的同一側(cè)。
8.如權(quán)利要求7所述的TFT基板結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一有源層(21)與第二有源層(22)的材料分別為非晶硅與金屬氧化物半導體、或均為金屬氧化物半導體。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種TFT基板結(jié)構(gòu),包括一開關(guān)TFT與一驅(qū)動TFT,所述開關(guān)TFT具有第一有源層,所述驅(qū)動TFT具有第二有源層,所述第一與第二有源層采用相同或不同的材料制備,所述開關(guān)TFT與驅(qū)動TFT的電性能不同。本發(fā)明根據(jù)不同TFT所實現(xiàn)功能的不同,將開關(guān)TFT與驅(qū)動TFT采用不同的工作結(jié)構(gòu)分別進行沉積和光刻,并對開關(guān)TFT與驅(qū)動TFT的有源層采用不同的材料,實現(xiàn)TFT基板中不同TFT的電性能差異化,從而以最低的成本實現(xiàn)OLED的精確控制。
【IPC分類】H01L27-12, H01L27-32
【公開號】CN104538401
【申請?zhí)枴緾N201410814177
【發(fā)明人】張合靜, 曾志遠, 蘇智昱, 李文輝, 石龍強, 呂曉文
【申請人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司
【公開日】2015年4月22日
【申請日】2014年12月23日
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