一種陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示
目.0
【背景技術(shù)】
[0002]在諸如液晶顯示面板(LCD，Liquid Crystal Display)或有機電致發(fā)光顯示面板(OLED，Organic Light Emitting D1de)之類的平板顯示面板中，陣列基板上的薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)可以被用作開關(guān)薄膜晶體管，也可以被用作驅(qū)動薄膜晶體管。
[0003]在上述平板顯示面板中，對開關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動薄膜晶體管的特性具有不同的要求。開關(guān)薄膜晶體管需要具有較大的開態(tài)電流，這樣，可以保證開關(guān)薄膜晶體管具有較高的開關(guān)性質(zhì)；驅(qū)動薄膜晶體管需要具有較小的開態(tài)電流，這樣，可以保證驅(qū)動薄膜晶體管具有低電流驅(qū)動的性質(zhì)。
[0004]目前，薄膜晶體管中的有源層一般為非晶硅經(jīng)過準(zhǔn)分子激光退火工藝后形成的多晶娃，多晶娃中載流子的遷移率大于非晶娃中載流子的遷移率。多晶娃中晶粒的尺寸決定載流子的迀移率的大小，載流子的迀移率的大小又決定薄膜晶體管的開態(tài)電流的大小，多晶硅中晶粒的尺寸越大，載流子的迀移率越大，薄膜晶體管的開態(tài)電流越大。因此，在同一陣列基板上同時制作開關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動薄膜晶體管時，需要分別控制開關(guān)薄膜晶體管中多晶硅的晶粒尺寸和驅(qū)動薄膜晶體管中多晶硅的晶粒尺寸，以滿足開關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動薄膜晶體管對開態(tài)電流的不同需求。然而，現(xiàn)有的準(zhǔn)分子激光退火工藝無法實現(xiàn)對同一陣列基板上不同類型的薄膜晶體管進行不同程度的晶化，以形成具有不同晶粒尺寸的多晶娃。
[0005]因此，如何利用準(zhǔn)分子激光退火工藝對同一陣列基板上不同類型的薄膜晶體管進行不同程度的晶化，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]有鑒于此，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置，用以利用準(zhǔn)分子激光退火工藝對同一陣列基板上不同類型的薄膜晶體管進行不同程度的晶化。
[0007]因此，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，包括:襯底基板以及位于所述襯底基板上的多個薄膜晶體管；各所述薄膜晶體管中的有源層為非晶硅薄膜經(jīng)過準(zhǔn)分子激光退火工藝后形成的多晶硅薄膜；
[0008]所述襯底基板具有多個凹陷部，每個所述凹陷部具有至少一個斜面，每個所述凹陷部的一個斜面上具有一個薄膜晶體管；所述凹陷部劃分為至少兩種類型，不同種類的凹陷部中具有所述薄膜晶體管的斜面與所述襯底基板的水平面之間的夾角不同。
[0009]本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板，由于襯底基板具有多個凹陷部，每個凹陷部具有至少一個斜面，每個凹陷部的一個斜面上具有一個薄膜晶體管；凹陷部劃分為至少兩種類型，不同種類的凹陷部中具有薄膜晶體管的斜面與襯底基板的水平面之間的夾角不同；這樣，在薄膜晶體管的有源層的制作過程中，在對各凹陷部中的非晶硅薄膜進行準(zhǔn)分子激光退火工藝使非晶硅融化并結(jié)晶成多晶硅時，不同種類的凹陷部中的非晶硅薄膜接收的激光能量不同，不同種類的凹陷部中形成的多晶硅薄膜的晶粒尺寸不同，從而可以實現(xiàn)利用準(zhǔn)分子激光退火工藝對同一陣列基板上不同類型的薄膜晶體管進行不同程度的晶化。
[0010]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，所述凹陷部劃分為第一凹陷部和第二凹陷部兩種類型；其中，
[0011]所述第一凹陷部中具有所述薄膜晶體管的斜面與所述襯底基板的水平面之間的夾角大于所述第二凹陷部中具有所述薄膜晶體管的斜面與所述襯底基板的水平面之間的夾角；
[0012]位于所述第一凹陷部內(nèi)的薄膜晶體管為驅(qū)動薄膜晶體管；位于所述第二凹陷部內(nèi)的薄膜晶體管為開關(guān)薄膜晶體管。
[0013]本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板的制作方法，包括:
[0014]對襯底基板進行構(gòu)圖工藝形成包括多個凹陷部的圖形；其中，每個所述凹陷部具有至少一個斜面；
[0015]在每個所述凹陷部的一個斜面上形成包括薄膜晶體管的圖形；其中，所述凹陷部劃分為至少兩種類型，不同種類的凹陷部中具有所述薄膜晶體管的斜面與所述襯底基板的水平面之間的夾角不同；各所述薄膜晶體管中的有源層為非晶硅薄膜經(jīng)過準(zhǔn)分子激光退火工藝后形成的多晶硅薄膜。
[0016]本發(fā)明實施例提供的上述方法，由于在襯底基板的表面形成多個凹陷部，每個凹陷部具有至少一個斜面，在每個凹陷部的一個斜面上形成一個薄膜晶體管；凹陷部劃分為至少兩種類型，不同種類的凹陷部中具有薄膜晶體管的斜面與襯底基板的水平面之間的夾角不同；這樣，在薄膜晶體管的有源層的制作過程中，在對各凹陷部中的非晶硅薄膜進行準(zhǔn)分子激光退火工藝使非晶硅融化并結(jié)晶成多晶硅時，不同種類的凹陷部中的非晶硅薄膜接收的激光能量不同，不同種類的凹陷部中形成的多晶硅薄膜的晶粒尺寸不同，從而可以實現(xiàn)利用準(zhǔn)分子激光退火工藝對同一陣列基板上不同類型的薄膜晶體管進行不同程度的晶化。
[0017]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述方法中，所述凹陷部劃分為第一凹陷部和第二凹陷部兩種類型；其中，所述第一凹陷部中具有所述薄膜晶體管的斜面與所述襯底基板的水平面之間的夾角大于所述第二凹陷部中具有所述薄膜晶體管的斜面與所述襯底基板的水平面之間的夾角；
[0018]在每個所述凹陷部的一個斜面上形成包括薄膜晶體管的圖形，具體包括:
[0019]在每個所述第一凹陷部的一個斜面上形成包括驅(qū)動薄膜晶體管的圖形，在每個所述第二凹陷部的一個斜面上形成包括開關(guān)薄膜晶體管的圖形。
[0020]本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板，包括:襯底基板、位于所述襯底基板上的緩沖層以及位于所述緩沖層上的多個薄膜晶體管；各所述薄膜晶體管中的有源層為非晶硅薄膜經(jīng)過準(zhǔn)分子激光退火工藝后形成的多晶硅薄膜；
[0021]所述緩沖層具有多個凹陷部，每個所述凹陷部具有至少一個斜面，每個所述凹陷部的一個斜面上具有一個薄膜晶體管；所述凹陷部劃分為至少兩種類型，不同種類的凹陷部中具有所述薄膜晶體管的斜面與所述襯底基板的水平面之間的夾角不同。
[0022]本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板，由于襯底基板上的緩沖層具有多個凹陷部，每個凹陷部具有至少一個斜面，每個凹陷部的一個斜面上具有一個薄膜晶體管；凹陷部劃分為至少兩種類型，不同種類的凹陷部中具有薄膜晶體管的斜面與襯底基板的水平面之間的夾角不同；這樣，在薄膜晶體管的有源層的制作過程中，在對各凹陷部中的非晶硅薄膜進行準(zhǔn)分子激光退火工藝使非晶硅融化并結(jié)晶成多晶硅時，不同種類的凹陷部中的非晶硅薄膜接收的激光能量不同，不同種類的凹陷部中形成的多晶硅薄膜的晶粒尺寸不同，從而可以實現(xiàn)利用準(zhǔn)分子激光退火工藝對同一陣列基板上不同類型的薄膜晶體管進行不同程度的晶化。
[0023]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，所述凹陷部劃分為第一凹陷部和第二凹陷部兩種類型；其中，
[0024]所述第一凹陷部中具有所述薄膜晶體管的斜面與所述襯底基板的水平面之間的夾角大于所述第二凹陷部中具有所述薄膜晶體管的斜面與所述襯底基板的水平面之間的夾角；
[0025]位于所述第一凹陷部內(nèi)的薄膜晶體管為驅(qū)動薄膜晶體管；位于所述第二凹陷部內(nèi)的薄膜晶體管為開關(guān)薄膜晶體管。
[0026]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，所述緩沖層的材料為感光材料。
[0027]本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板的制作方法，包括:
[0028]在襯底基板上形成緩沖層；
[0029]對所述緩沖層進行構(gòu)圖工藝形成包括多個凹陷部的圖形；其中，每個所述凹陷部具有至少一個斜面；
[0030]在每個所述凹陷部的一個斜面上形成包括薄膜晶體管的圖形；其中，所述凹陷部劃分為至少兩種類型，不同種類的凹陷部中具有所述薄膜晶體管的斜面與所述襯底基板的水平面之間的夾角不同；各所述薄膜晶體管中的有源層為非晶硅薄膜經(jīng)過準(zhǔn)分子激光退火工藝后形成的多晶硅薄膜。
[0031]本發(fā)明實施例提供的上述方