對襯底基板進(jìn)行刻蝕處理時，可以通過控制橫向刻蝕速率和縱向刻蝕速率的大小，使形成的不同種類的凹陷部的斜面與襯底基板的水平面的夾角不同。
[0058]在具體實(shí)施時，在將凹陷部劃分為第一凹陷部和第二凹陷部兩種類型，其中，第一凹陷部中具有薄膜晶體管的斜面與襯底基板的水平面之間的夾角大于第二凹陷部中具有薄膜晶體管的斜面與襯底基板的水平面之間的夾角時，第一凹陷部中的非晶硅薄膜接收的激光能量小于第二凹陷部中的非晶硅薄膜接收的激光能量，這樣，第一凹陷部中形成的多晶硅薄膜的晶粒尺寸小于第二凹陷部中形成的多晶硅薄膜的晶粒尺寸，第一凹陷部中形成的多晶硅薄膜中載流子的迀移率小于第二凹陷部中形成的多晶硅薄膜中載流子的迀移率，第一凹陷部中形成的薄膜晶體管的開態(tài)電流小于第二凹陷部中形成的薄膜晶體管的開態(tài)電流，因此，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法中的步驟S302在每個凹陷部的一個斜面上形成包括薄膜晶體管的圖形，具體可以通過以下方式實(shí)現(xiàn):在每個第一凹陷部的一個斜面上形成包括驅(qū)動薄膜晶體管的圖形，在每個第二凹陷部的一個斜面上形成包括開關(guān)薄膜晶體管的圖形。
[0059]需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法制作的陣列基板適用于諸如LCD或OLED之類的平板顯示面板，在此不做限定。
[0060]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板，如圖4所示，包括:襯底基板1、位于襯底基板I上的緩沖層4以及位于緩沖層4上的多個薄膜晶體管2 ;各薄膜晶體管2中的有源層為非晶硅薄膜經(jīng)過準(zhǔn)分子激光退火工藝后形成的多晶硅薄膜；
[0061]緩沖層4具有多個凹陷部3(圖4以示出四個凹陷部為例)，每個凹陷部3具有至少一個斜面，每個凹陷部3的一個斜面上具有一個薄膜晶體管2 ;凹陷部3劃分為至少兩種類型，不同種類的凹陷部3中具有述薄膜晶體管2的斜面與襯底基板I的水平面之間的夾角不同。
[0062]本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板，由于襯底基板上的緩沖層具有多個凹陷部，每個凹陷部具有至少一個斜面，每個凹陷部的一個斜面上具有一個薄膜晶體管；凹陷部劃分為至少兩種類型，不同種類的凹陷部中具有薄膜晶體管的斜面與襯底基板的水平面之間的夾角不同；這樣，在薄膜晶體管的有源層的制作過程中，在對各凹陷部中的非晶硅薄膜進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火工藝使非晶硅融化并結(jié)晶成多晶硅時，不同種類的凹陷部中的非晶硅薄膜接收的激光能量不同，不同種類的凹陷部中形成的多晶硅薄膜的晶粒尺寸不同，實(shí)現(xiàn)了利用準(zhǔn)分子激光退火工藝對同一陣列基板上不同類型的薄膜晶體管進(jìn)行不同程度的晶化，使得同一陣列基板上不同類型的薄膜晶體管中有源層中載流子的迀移率的大小不同，同一陣列基板上不同類型的薄膜晶體管的開態(tài)電流的大小不同，從而可以滿足同一陣列基板上不同類型的薄膜晶體管對開態(tài)電流的不同需求。
[0063]在具體實(shí)施時，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，一般將各凹陷部中具有薄膜晶體管的斜面與襯底基板的水平面之間的夾角控制在大于0°且小于80°的范圍內(nèi)為佳，并且，一般將各凹陷部的最大深度控制在50 μm以下為佳。
[0064]在具體實(shí)施時，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖4所示，可以將凹陷部3劃分為第一凹陷部31和第二凹陷部32兩種類型，其中，第一凹陷部31中具有薄膜晶體管2的斜面與襯底基板I的水平面之間的夾角α 1大于第二凹陷部32中具有薄膜晶體管2的斜面與襯底基板I的水平面之間的夾角α 2;這樣，在薄膜晶體管2的有源層的制作過程中，在對各凹陷部3中的非晶硅薄膜進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火工藝使非晶硅融化并結(jié)晶成多晶硅時，準(zhǔn)分子激光器以垂直于襯底基板I的水平面發(fā)射激光，發(fā)射的激光能量為EJjJ第一凹陷部31中的非晶硅薄膜接收的激光能量E1為準(zhǔn)分子激光器發(fā)射的激光能量E在垂直于第一凹陷部31中具有薄膜晶體管2的斜面的分量Ecos a i (如圖2所示)，同理，第二凹陷部32中的非晶硅薄膜接收的激光能量E2為準(zhǔn)分子激光器發(fā)射的激光能量E在垂直于第二凹陷部32中具有薄膜晶體管2的斜面的分量Ecos α 2，由于Ci1Sa 2，因此，Ecos a j
<Ecosa2，即第一凹陷部31中的非晶硅薄膜接收的激光能量E/j、于第二凹陷部32中的非晶硅薄膜接收的激光能量E2，這樣，第一凹陷部31中形成的多晶硅薄膜的晶粒尺寸小于第二凹陷部32中形成的多晶硅薄膜的晶粒尺寸，第一凹陷部31中形成的多晶硅薄膜中載流子的迀移率小于第二凹陷部32中形成的多晶硅薄膜中載流子的迀移率，第一凹陷部31中形成的薄膜晶體管的開態(tài)電流小于第二凹陷部32中形成的薄膜晶體管的開態(tài)電流，因此，可以將第一凹陷部內(nèi)形成的薄膜晶體管作為驅(qū)動薄膜晶體管，將第二凹陷部內(nèi)形成的薄膜晶體管作為開關(guān)薄膜晶體管。
[0065]在具體實(shí)施時，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，緩沖層的材料可以為感光材料，例如:感光涂覆玻璃(Spin On Glass, S0G)材料等，這樣，在對緩沖層進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成多個凹陷部的圖形時，不需要在緩沖層上涂覆光刻膠，可以直接對感光材料進(jìn)行曝光、顯影處理即可形成凹陷部的圖形，并且，還省去了刻蝕和剝離光刻膠的工藝，從而可以簡化陣列基板的制作工藝，降低陣列基板的制作成本。
[0066]當(dāng)然，緩沖層的材料也可以為可構(gòu)圖的其他材料，采用現(xiàn)有的構(gòu)圖工藝形成多個凹陷部的圖形，在此不做限定。
[0067]需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板適用于諸如IXD或OLED之類的平板顯示面板，在此不做限定。
[0068]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板的制作方法，如圖5所示，包括如下步驟:
[0069]S501、在襯底基板上形成緩沖層；
[0070]S502、對緩沖層進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成包括多個凹陷部的圖形；其中，每個凹陷部具有至少一個斜面；
[0071]S503、在每個凹陷部的一個斜面上形成包括薄膜晶體管的圖形；其中，凹陷部劃分為至少兩種類型，不同種類的凹陷部中具有薄膜晶體管的斜面與襯底基板的水平面之間的夾角不同；各薄膜晶體管中的有源層為非晶硅薄膜經(jīng)過準(zhǔn)分子激光退火工藝后形成的多晶硅薄膜。
[0072]本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法，由于在襯底基板上的緩沖層的表面形成多個凹陷部，每個凹陷部具有至少一個斜面，在每個凹陷部的一個斜面上形成一個薄膜晶體管；凹陷部劃分為至少兩種類型，不同種類的凹陷部中具有薄膜晶體管的斜面與襯底基板的水平面之間的夾角不同；這樣，在薄膜晶體管的有源層的制作過程中，在對各凹陷部中的非晶硅薄膜進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火工藝使非晶硅融化并結(jié)晶成多晶硅時，不同種類的凹陷部中的非晶硅薄膜接收的激光能量不同，不同種類的凹陷部中形成的多晶硅薄膜的晶粒尺寸不同，實(shí)現(xiàn)了利用準(zhǔn)分子激光退火工藝對同一陣列基板上不同類型的薄膜晶體管進(jìn)行不同程度的晶化，使得同一陣列基板上不同類型的薄膜晶體管中有源層中載流子的迀移率的大小不同，同一陣列基板上不同類型的薄膜晶體管的開態(tài)電流的大小不同，從而可以滿足同一陣列基板上不同類型的薄膜晶體管對開態(tài)電流的不同需求。
[0073]在具體實(shí)施時，在將凹陷部劃分為第一凹陷部和第二凹陷部兩種類型，其中，第一凹陷部中具有薄膜晶體管的斜面與襯底基板的水平面之間的夾角大于第二凹陷部中具有薄膜晶體管的斜面與襯底基板的水平面之間的夾角時，第一凹陷部中的非晶硅薄膜接收的激光能量小于第二凹陷部中的非晶硅薄膜接收的激光能量，這樣，第一凹陷部中形成的多晶硅薄膜的晶粒尺寸小于第二凹陷部中形成的多晶硅薄膜的晶粒尺寸，第一凹陷部中形成的多晶硅薄膜中載流子的迀移率小于第二凹陷部中形成的多晶硅薄膜中載流子的迀移率，第一凹陷部中形成的薄膜晶體管的開態(tài)電流小于第二凹陷部中形成的薄膜晶體管的開態(tài)電流，因此，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法中的步驟S503在每個凹陷部的一個斜面上形成包括薄膜晶體管的圖形，具體可以通過以下方式實(shí)現(xiàn):在每個第一凹陷部的一個斜面上形成包括驅(qū)動薄膜晶體管的圖形，在每個第二凹陷部的一個斜面上形成包括開關(guān)薄膜晶體管的圖形。
[0074]在具體實(shí)施時，在緩沖層的材料為感光材料，例如:SOG材料時，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法中的步驟S502對緩沖層進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成包括多個凹陷部的圖形，具體可以通過以下方式