一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 高透過率高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)型（簡稱HADS)顯示裝置，HADS顯示裝置包括陣列 基板、彩膜基板以及位于其間的液晶分子層。
[0003] 具體地，如圖1所示，HADS顯示裝置的陣列基板包括薄膜晶體管、板狀的像素電極 1'和狹縫狀的公共電極2'，其中，薄膜晶體管包括柵極3'、柵極絕緣層4'、有源層5'、源極 6'和漏極7'，像素電極1'與薄膜晶體管的漏極7'電連接，通常，薄膜晶體管的源極6'和 漏極7'的材質(zhì)為Mo/Al/Mo三層結(jié)構(gòu)，像素電極1'的材質(zhì)為氧化銦錫（ITO)。
[0004] 發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在陣列基板的制作過程中，像素電極1'不可避免的會與薄膜晶體管 的漏極1'的側(cè)壁接觸，進(jìn)而與漏極7'中的A1層接觸，在陣列基板的使用過程中，A1和像 素電極1'將發(fā)生置換反應(yīng)，具體為，A1將像素電極1'中的In和Sn置換出，從而影響像素 電極1'的導(dǎo)電性，導(dǎo)致像素電極1'失效，而不能正常充電，進(jìn)而導(dǎo)致HADS顯示裝置出現(xiàn)不 良。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，能 夠防止像素電極失效。
[0006] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，采用如下技術(shù)方案：
[0007] 一種陣列基板，包括襯底基板和位于所述襯底基板上的薄膜晶體管和像素電極， 所述薄膜晶體管的漏極包括相互疊加的至少兩個導(dǎo)電層，其中，除距離所述襯底基板最遠(yuǎn) 的一個導(dǎo)電層之外，至少一個導(dǎo)電層的材質(zhì)為鋁，所述像素電極的材質(zhì)為氧化銦錫，所述像 素電極與所述漏極中距離所述襯底基板最遠(yuǎn)的一個導(dǎo)電層電連接，所述漏極靠近所述像素 電極的側(cè)壁與所述像素電極之間設(shè)置有隔離層。
[0008] 所述隔離層為絕緣層，所述隔離層覆蓋整個所述陣列基板，所述陣列基板還包括 貫穿所述隔離層的過孔，所述像素電極通過所述過孔與所述漏極中距離所述襯底基板最遠(yuǎn) 的一個導(dǎo)電層電連接。
[0009] 所述陣列基板還包括位于所述薄膜晶體管和所述像素電極上的鈍化層，以及位于 所述鈍化層上的公共電極，所述公共電極為狹縫狀電極或者條狀電極。
[0010] 本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，該陣列基板包括薄膜晶體管和像素電極，薄 膜晶體管的漏極靠近像素電極的側(cè)壁與像素電極之間設(shè)置有隔離層，從而能夠防止薄膜晶 體管的漏極中材質(zhì)為鋁的導(dǎo)電層和材質(zhì)為氧化銦錫的像素電極接觸，從而能夠防止鋁將像 素電極中的銦和錫置換出，從而不會影響像素電極的導(dǎo)電性，防止了像素電極失效，進(jìn)而避 免顯示裝置出現(xiàn)不良。
[0011] 此外，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括以上任一項所述的 陣列基板。
[0012] 為了進(jìn)一步解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例還提供了一種采用如下技術(shù)方案：
[0013] -種陣列基板的制作方法，包括：
[0014] 在襯底基板上形成薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的漏極包括相互疊加的至少兩個 導(dǎo)電層，其中，除距離所述襯底基板最遠(yuǎn)的一個導(dǎo)電層之外，至少一個導(dǎo)電層的材質(zhì)為鋁；
[0015] 形成包括隔離層的圖形，所述隔離層位于所述漏極靠近像素電極的側(cè)壁與像素電 極之間；
[0016] 形成包括所述像素電極的圖形，所述像素電極的材質(zhì)為氧化銦錫，所述像素電極 與所述漏極中距離所述襯底基板最遠(yuǎn)的一個導(dǎo)電層電連接。
[0017] 所述隔離層為絕緣層，所述隔離層覆蓋整個所述陣列基板。
[0018] 在所述形成包括隔離層的圖形，之后，包括：
[0019] 經(jīng)過構(gòu)圖工藝，形成貫穿所述隔離層的過孔，所述過孔用于電連接所述像素電極 和所述漏極中距離所述襯底基板最遠(yuǎn)的一個導(dǎo)電層。
[0020] 所述經(jīng)過構(gòu)圖工藝，形成貫穿所述隔離層的過孔，包括：
[0021] 在所述隔離層上涂布一層光刻膠；
[0022] 使用半灰階掩膜板遮蓋所述光刻膠，對所述光刻膠進(jìn)行曝光，其中，所述過孔對應(yīng) 位置處的所述光刻膠全曝光，所述像素電極對應(yīng)位置處的所述光刻膠半曝光，其他位置處 的所述光刻膠完全不曝光；
[0023] 對所述光刻膠進(jìn)行顯影，其中，所述過孔對應(yīng)位置處形成光刻膠完全去除區(qū)，所述 像素電極對應(yīng)位置處形成光刻膠部分保留區(qū)，所述其他位置處形成光刻膠完全保留區(qū)；
[0024] 對所述隔離層進(jìn)行刻蝕，其中，所述光刻膠完全去除區(qū)處的所述隔離層被刻蝕掉， 形成所述過孔。
[0025] 在所述對所述隔離層進(jìn)行刻蝕，之后，還包括：
[0026] 經(jīng)過灰化工藝，去除所述光刻膠部分保留區(qū)處的所述光刻膠，所述光刻膠完全保 留區(qū)處的所述光刻膠仍有殘留；
[0027] 所述形成包括所述像素電極的圖形，包括：
[0028] 在整個所述陣列基板上形成一層氧化銦錫；
[0029] 剝離所述光刻膠完全保留區(qū)處殘留的所述光刻膠，同時將所述光刻膠上覆蓋的氧 化銦錫去除，形成包括所述像素電極的圖形，所述像素電極通過所述過孔與所述漏極中距 離所述襯底基板最遠(yuǎn)的一個導(dǎo)電層電連接。
[0030] 所述陣列基板的制作方法還包括：
[0031] 在所述薄膜晶體管和所述像素電極上形成鈍化層；
[0032] 在所述鈍化層上形成包括公共電極的圖形，所述公共電極為狹縫狀電極或者條狀 電極。
[0033] 本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板的制作方法，該制作方法包括形成包括隔離層 的圖形，隔離層位于所述漏極靠近像素電極的側(cè)壁與像素電極之間，從而能夠防止薄膜晶 體管的漏極中材質(zhì)為鋁的導(dǎo)電層和材質(zhì)為氧化銦錫的像素電極接觸，從而能夠防止鋁將像 素電極中的銦和錫置換出，從而不會影響像素電極的導(dǎo)電性，防止了像素電極失效，進(jìn)而避 免顯示裝置出現(xiàn)不良。
【附圖說明】
[0034] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述 中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些 實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附 圖獲得其他的附圖。
[0035] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036] 圖2為本發(fā)明實施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037] 圖3為本發(fā)明實施例中的陣列基板的制作方法流程圖；
[0038]圖4為本發(fā)明實施例中形成薄膜晶體管后的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039] 圖5為本發(fā)明實施例中形成隔離層后的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040] 圖6為本發(fā)明實施例中形成過孔的流程圖；
[0041] 圖7為本發(fā)明實施例中對光刻膠進(jìn)行顯影后的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042] 圖8為本發(fā)明實施例中對隔離層進(jìn)行刻蝕后的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043] 圖9為本發(fā)明實施例中灰化工藝后的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0044] 圖10為本發(fā)明實施例中形成像素電極的流程圖；
[0045] 圖11為本發(fā)明實施例中形成氧化銦錫后的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0046] 圖12為本發(fā)明實施例中形成像素電極后的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0047] 附圖標(biāo)記說明：
[0048] 1一襯底基板； 2-柵極； 3-柵極絕緣層；
[0049]4一有源層； 5-源極； 6-漏極；
[0050]7一隔尚層； 71一過孔； 8-像素電極；
[0051] 9 一鈍化層； 10-公共電極； 11 一光刻膠。
【具體實施方式】
[0052] 下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā) 明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施 例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0053] 實施例一
[0054] 本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，能夠防止像素電極失效。
[0055] 具體地，如圖2所示，該陣列基板包括襯底基板1和位于襯底基板1上的薄膜晶體 管和像素電極8,薄膜晶體管的漏極6包括相互疊加的至少兩個導(dǎo)電層，其中，除距離襯底 基板1最遠(yuǎn)的一個導(dǎo)電層之外，至少一個導(dǎo)電層的材質(zhì)為鋁，像素電極8的材質(zhì)為氧化銦 錫，像素電極8與漏極6中距離襯底基板1最遠(yuǎn)的一個導(dǎo)電層電連接，漏極6靠近像素電極 8的側(cè)壁與像素電極8之間設(shè)置有隔離層7,從而能夠防止漏極6中材質(zhì)為鋁的導(dǎo)電層和像 素電極8接觸，從而能夠防止鋁將像素電極8中的銦和錫置換出，從而不會影響像素電極8 的導(dǎo)電性，防止了像素電極8失效，進(jìn)而避免顯示裝置出現(xiàn)不良。
[0056] 需要說明的是，如圖2所示，以上所述的薄膜晶體管包括漏極6,還包括柵極2、柵 極絕緣層3、有源層4和源極5,其中，源極5和漏極6同層設(shè)置且同時形成。可選地，源極 5和漏極6為Mo/Al/Mo三層結(jié)構(gòu)，其中，距離襯底基板1最近的一層Mo層的厚度為丨50A， A1層的厚度為3000A，距離襯底基板1最遠(yuǎn)的一層M〇層的厚度為80〇A。另外，可選地，像 素電極8的的厚度為400A。
[0057] 進(jìn)一步地，隔離層7可以為導(dǎo)電層或者絕緣層。當(dāng)隔離層7為導(dǎo)電層時，由于陣列 基板上還設(shè)置有其他導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，為了避免隔離層7的設(shè)置影響其他導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的正常功能， 需要對隔離層7單獨進(jìn)行構(gòu)圖，從而使得陣列基板的制作過程比較復(fù)雜；當(dāng)隔離層7為絕緣 層時，則會避免上述情況的出現(xiàn)。因此，如圖2所示，本發(fā)明實施例中優(yōu)選隔離層7為絕緣 層，隔離層7覆蓋整個陣列基板，此時，陣列基板還包括貫穿隔離層7的過孔71，像素電極8 通過過孔71與漏極6中距離襯底基板1最遠(yuǎn)的一個導(dǎo)電層電連接。示例性地，隔離層7的 材質(zhì)為氮化硅或者氧化硅。
[0058] 進(jìn)一步地，為了提高包括該陣列基板的顯示裝置的透過率，本發(fā)明實施例中優(yōu)選 包括該陣列基板的顯示裝置為HADS顯示裝置，此時，如圖2所示，陣列基板還包括位于薄膜 晶體管和像素電極8上的鈍化層9,以及位于鈍化層9上的公共電極10,公共電極10為狹 縫狀電極或者