條狀電極。示例性地，鈍化層9的材質(zhì)和隔離層7的材質(zhì)相同，均為氮化硅或 者氧化硅，公共電極10的材質(zhì)和像素電極8的材質(zhì)相同，均為氧化銦錫，以簡化陣列基板的 制作過程。
[0059] 本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，該陣列基板包括薄膜晶體管和像素電極，薄 膜晶體管的漏極靠近像素電極的側(cè)壁與像素電極之間設(shè)置有隔離層，從而能夠防止薄膜晶 體管的漏極中材質(zhì)為鋁的導(dǎo)電層和材質(zhì)為氧化銦錫的像素電極接觸，從而能夠防止鋁將像 素電極中的銦和錫置換出，從而不會影響像素電極的導(dǎo)電性，防止了像素電極失效，進(jìn)而避 免顯示裝置出現(xiàn)不良。
[0060] 此外，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括以上任一項所述的 陣列基板。該顯示裝置可以為：液晶面板、電子紙、有機(jī)發(fā)光顯示面板、手機(jī)、平板電腦、電視 機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。示例性地， 本發(fā)明實施例中的顯示裝置為HADS顯示裝置。
[0061] 實施例二
[0062] 本發(fā)明實施例提供了用以制作實施例一中所述的陣列基板的制作方法，具體地， 如圖3所示，該陣列基板的制作方法包括：
[0063] 步驟S301、在襯底基板1上形成薄膜晶體管。
[0064] 其中，薄膜晶體管的漏極6包括相互疊加的至少兩個導(dǎo)電層，其中，除距離襯底基 板1最遠(yuǎn)的一個導(dǎo)電層之外，至少一個導(dǎo)電層的材質(zhì)為鋁。經(jīng)過步驟S301后，陣列基板的 結(jié)構(gòu)如圖4所示。
[0065] 具體地，在襯底基板1上形成薄膜晶體管包括：
[0066] 首先，在襯底基板1上形成柵極金屬層，經(jīng)過構(gòu)圖工藝，形成包括柵極2的圖形；其 次，在形成了包括柵極2的圖形的襯底基板1上，形成柵極絕緣層3 ;然后，在形成了柵極絕 緣層3的襯底基板1上，形成半導(dǎo)體層，經(jīng)過構(gòu)圖工藝，形成包括有源層4的圖形；最后，在 形成了包括有源層4的圖形的襯底基板1上，形成源漏極金屬層，經(jīng)過構(gòu)圖工藝，形成包括 源極5和漏極6的圖形，以在襯底基板1上形成薄膜晶體管。
[0067] 需要說明的是，上述源漏極金屬層包括相互疊加的至少兩個導(dǎo)電膜層，其中，除距 離襯底基板1最遠(yuǎn)的一個導(dǎo)電膜層之外，至少一個導(dǎo)電膜層的材質(zhì)為鋁。
[0068] 步驟S302、形成包括隔離層7的圖形。
[0069] 其中，隔離層7位于漏極6靠近像素電極8的側(cè)壁與像素電極8之間。
[0070] 步驟S303、形成包括像素電極8的圖形。
[0071] 其中，像素電極8的材質(zhì)為氧化銦錫，像素電極8與漏極6中距離襯底基板1最遠(yuǎn) 的一個導(dǎo)電層電連接。
[0072] 優(yōu)選地，隔離層7為絕緣層，如圖5所示，隔離層7覆蓋整個陣列基板。
[0073] 進(jìn)一步地，在步驟S302之后，即在形成包括隔離層7的圖形之后，包括經(jīng)過構(gòu)圖工 藝，形成貫穿隔離層7的過孔71的步驟。其中，過孔71用于電連接像素電極8和漏極6中 距離襯底基板1最遠(yuǎn)的一個導(dǎo)電層。
[0074] 具體地，經(jīng)過構(gòu)圖工藝，形成貫穿隔離層7的過孔71，包括如圖6所示的以下步 驟：
[0075] 步驟S601、在隔離層7上涂布一層光刻膠11。
[0076] 步驟S602、使用半灰階掩膜板遮蓋光刻膠11，對光刻膠11進(jìn)行曝光。
[0077] 其中，過孔71對應(yīng)位置處的光刻膠11全曝光，像素電極8對應(yīng)位置處的光刻膠11 半曝光，其他位置處的光刻膠11完全不曝光。
[0078] 步驟S603、對光刻膠11進(jìn)行顯影。
[0079] 如圖7所示，過孔71對應(yīng)位置處形成光刻膠完全去除區(qū)，像素電極8對應(yīng)位置處 形成光刻膠部分保留區(qū)，其他位置處形成光刻膠完全保留區(qū)。
[0080] 步驟S604、對隔離層7進(jìn)行刻蝕。
[0081] 如圖8所示，光刻膠完全去除區(qū)處的隔離層7被刻蝕掉，形成過孔71。
[0082] 進(jìn)一步地，本發(fā)明實施例中的陣列基板的制作方法，在步驟S604之后，即對隔離 層7進(jìn)行刻蝕之后，還包括：
[0083] 經(jīng)過灰化工藝，去除光刻膠部分保留區(qū)處的光刻膠11，光刻膠完全保留區(qū)處的光 刻膠仍有殘留。此時，陣列基板的結(jié)構(gòu)如圖9所示。
[0084] 此時，步驟S303,形成包括像素電極8的圖形，包括如圖10所述的以下步驟：
[0085] 步驟S1001、在整個陣列基板上形成一層氧化銦錫。此時，陣列基板的結(jié)構(gòu)如圖11 所示。
[0086] 步驟S1002、剝離光刻膠完全保留區(qū)處殘留的光刻膠11，同時將光刻膠11上覆蓋 的氧化銦錫去除，形成包括像素電極8的圖形。
[0087] 如圖12所示，像素電極8通過過孔71與漏極6中距離襯底基板1最遠(yuǎn)的一個導(dǎo) 電層電連接。
[0088] 此外，當(dāng)制作的陣列基板用于HADS顯示裝置中時，本發(fā)明實施例中的陣列基板的 制作方法還包括：在薄膜晶體管和像素電極8上形成鈍化層9,以及在鈍化層9上形成包括 公共電極10的圖形，公共電極10為狹縫狀電極或者條狀電極的步驟。此時，經(jīng)過上述步驟 后形成的陣列基板的結(jié)構(gòu)如圖2所示。
[0089] 本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板的制作方法，該制作方法包括形成包括隔離層 的圖形，隔離層位于所述漏極靠近像素電極的側(cè)壁與像素電極之間，從而能夠防止薄膜晶 體管的漏極中材質(zhì)為鋁的導(dǎo)電層和材質(zhì)為氧化銦錫的像素電極接觸，從而能夠防止鋁將像 素電極中的銦和錫置換出，從而不會影響像素電極的導(dǎo)電性，防止了像素電極失效，進(jìn)而避 免顯示裝置出現(xiàn)不良。
[0090] 以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何 熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵 蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項】
1. 一種陣列基板，其特征在于，包括襯底基板和位于所述襯底基板上的薄膜晶體管和 像素電極，所述薄膜晶體管的漏極包括相互疊加的至少兩個導(dǎo)電層，其中，除距離所述襯底 基板最遠(yuǎn)的一個導(dǎo)電層之外，至少一個導(dǎo)電層的材質(zhì)為侶，所述像素電極的材質(zhì)為氧化銅 錫，所述像素電極與所述漏極中距離所述襯底基板最遠(yuǎn)的一個導(dǎo)電層電連接，所述漏極靠 近所述像素電極的側(cè)壁與所述像素電極之間設(shè)置有隔離層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述隔離層為絕緣層，所述隔離層覆 蓋整個所述陣列基板，所述陣列基板還包括貫穿所述隔離層的過孔，所述像素電極通過所 述過孔與所述漏極中距離所述襯底基板最遠(yuǎn)的一個導(dǎo)電層電連接。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，還包括位于所述薄膜晶體管和所 述像素電極上的純化層，W及位于所述純化層上的公共電極，所述公共電極為狹縫狀電極 或者條狀電極。
4. 一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-3任一項所述的陣列基板。
5. -種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括： 在襯底基板上形成薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的漏極包括相互疊加的至少兩個導(dǎo)電 層，其中，除距離所述襯底基板最遠(yuǎn)的一個導(dǎo)電層之外，至少一個導(dǎo)電層的材質(zhì)為侶； 形成包括隔離層的圖形，所述隔離層位于所述漏極靠近像素電極的側(cè)壁與像素電極之 間； 形成包括所述像素電極的圖形，所述像素電極的材質(zhì)為氧化銅錫，所述像素電極與所 述漏極中距離所述襯底基板最遠(yuǎn)的一個導(dǎo)電層電連接。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板的制作方法，其特征在于， 所述隔離層為絕緣層，所述隔離層覆蓋整個所述陣列基板。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述形成包括隔離層 的圖形，之后，包括： 經(jīng)過構(gòu)圖工藝，形成貫穿所述隔離層的過孔，所述過孔用于電連接所述像素電極和所 述漏極中距離所述襯底基板最遠(yuǎn)的一個導(dǎo)電層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述經(jīng)過構(gòu)圖工藝，形成 貫穿所述隔離層的過孔，包括： 在所述隔離層上涂布一層光刻膠； 使用半灰階掩膜板遮蓋所述光刻膠，對所述光刻膠進(jìn)行曝光，其中，所述過孔對應(yīng)位置 處的所述光刻膠全曝光，所述像素電極對應(yīng)位置處的所述光刻膠半曝光，其他位置處的所 述光刻膠完全不曝光； 對所述光刻膠進(jìn)行顯影，其中，所述過孔對應(yīng)位置處形成光刻膠完全去除區(qū)，所述像素 電極對應(yīng)位置處形成光刻膠部分保留區(qū)，所述其他位置處形成光刻膠完全保留區(qū)； 對所述隔離層進(jìn)行刻蝕，其中，所述光刻膠完全去除區(qū)處的所述隔離層被刻蝕掉，形成 所述過孔。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述對所述隔離層進(jìn) 行刻蝕，之后，還包括： 經(jīng)過灰化工藝，去除所述光刻膠部分保留區(qū)處的所述光刻膠，所述光刻膠完全保留區(qū) 處的所述光刻膠仍有殘留； 所述形成包括所述像素電極的圖形，包括： 在整個所述陣列基板上形成一層氧化銅錫； 剝離所述光刻膠完全保留區(qū)處殘留的所述光刻膠，同時將所述光刻膠上覆蓋的氧化銅 錫去除，形成包括所述像素電極的圖形，所述像素電極通過所述過孔與所述漏極中距離所 述襯底基板最遠(yuǎn)的一個導(dǎo)電層電連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求5-9任一項所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，還包括： 在所述薄膜晶體管和所述像素電極上形成純化層； 在所述純化層上形成包括公共電極的圖形，所述公共電極為狹縫狀電極或者條狀電 極。
【專利摘要】本發(fā)明實施例公開了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，能夠防止像素電極失效。該陣列基板包括襯底基板和位于所述襯底基板上的薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管的漏極包括相互疊加的至少兩個導(dǎo)電層，其中，除距離所述襯底基板最遠(yuǎn)的一個導(dǎo)電層之外，至少一個導(dǎo)電層的材質(zhì)為鋁，所述像素電極的材質(zhì)為氧化銦錫，所述像素電極與所述漏極中距離所述襯底基板最遠(yuǎn)的一個導(dǎo)電層電連接，所述漏極靠近所述像素電極的側(cè)壁與所述像素電極之間設(shè)置有隔離層。
【IPC分類】G02F1-1333, H01L27-12, H01L21-77
【公開號】CN104538411
【申請?zhí)枴緾N201510032699
【發(fā)明人】郭會斌, 王守坤, 馮玉春, 李梁梁, 王靜
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司
【公開日】2015年4月22日
【申請日】2015年1月22日