陣列基板的制作方法及陣列基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板的制作方法以及一種陣列基板。
【背景技術(shù)】
[0002]RGBff技術(shù)是在RGB (三色型像素技術(shù))的基礎(chǔ)上增加了 W像素(透明像素)，RGB技術(shù)產(chǎn)生的白光是通過RGB的混色來實現(xiàn)白光的出射，而RGBW技術(shù)中的W像素可直接透過背光源發(fā)出的白光，這便增加了白光的出射率，即增加了液晶顯示面板的亮度。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中的RGBW技術(shù)的做法是將R、G、B、W四種像素均形成在彩膜基板上，隨后將透明樹脂材料涂布在彩膜基板上作為平坦層，該平坦層一方面可作為各像素的保護層以及平坦層，另一方面其透明材料可使經(jīng)過W像素的光透過該平坦層。然而，由于現(xiàn)有技術(shù)中在制作彩膜基板時，需分別制作好R、G、B、W四種像素后才另外形成平坦層，其制作流程較為繁雜；另外，由于在陣列基板與彩膜基板的制作過程中，需分別在彩膜基板的各個色阻的表面以及陣列基板的控制電極的表面形成平坦層，因此需要經(jīng)過兩道平坦層的制程，這便增加了陣列基板與彩膜基板的制作流程，從而降低了生產(chǎn)效率。
[0004]針對上述技術(shù)存在的問題，在本領(lǐng)域中希望尋求一種陣列基板的制作方法及陣列基板，該陣列基板的制作方法可有效減少其制程，從而大大提高生產(chǎn)效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，提出了一種陣列基板的制作方法以及一種應(yīng)用該方法制作的陣列基板。
[0006]根據(jù)本發(fā)明提供的一種陣列基板的制作方法，包括:
[0007]在基板上形成多個控制電極，以使相鄰的兩個控制電極之間形成色阻區(qū)域，各色阻區(qū)域依次為第一色阻區(qū)域、第二色阻區(qū)域、第三色阻區(qū)域和第四色阻區(qū)域；
[0008]依次在第一色阻區(qū)域形成第一色阻、在第二色阻區(qū)域形成第二色阻、在第三色阻區(qū)域形成第三色阻；
[0009]在形成有控制電極、第一色阻、第二色阻、第三色阻的基板和第四色阻區(qū)域內(nèi)涂布透明光阻以形成平坦層。
[0010]本發(fā)明的陣列基板的制作方法中，將各個控制電極和各個色阻形成在同一基板上，隨后對各個控制電極和各個色阻以及色阻區(qū)域統(tǒng)一涂覆透明光阻從而形成平坦層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的陣列基板的制作方法無需在彩膜基板的各個色阻的表面以及陣列基板的控制電極的表面分別形成平坦層，這便節(jié)省了一道平坦層的制程，從而提高了生產(chǎn)效率。另外，本發(fā)明的陣列基板的制作方法中，在形成第三色阻后，將透明光阻完全涂覆在控制電極、第一色阻、第二色阻、第三色阻和第四色阻區(qū)域內(nèi)，從而無需單獨形成第四色阻區(qū)域內(nèi)的相應(yīng)色阻，即第四色阻區(qū)域內(nèi)的相應(yīng)色阻直接由透明光阻形成，因此又減少了一道單獨制作該相應(yīng)色阻的制程，從而進一步提高了陣列基板的生產(chǎn)效率。
[0011]在一些實施方案中，第四色阻區(qū)域內(nèi)的色阻由平坦層直接形成。該方案無需單獨形成第四色阻區(qū)域內(nèi)的相應(yīng)色阻，即第四色阻區(qū)域內(nèi)的色阻直接由平坦層形成，因而減少了一道單獨制作第四色阻區(qū)域內(nèi)的色阻的制程。
[0012]在一些實施方案中，第一色阻、第二色阻和第三色阻分別為紅色色阻、綠色色阻和藍色色阻。該方案中可根據(jù)具體的出光需要對紅色色阻、綠色色阻和藍色色阻進行選材，如在某一顏色的色阻可透過相應(yīng)的光的波長范圍內(nèi)，選取能夠透過某一波段的光的色阻材料，以便提高色域顯示，從而使光透過各個色阻后形成更好的畫面顯示。
[0013]在一些實施方案中，平坦層優(yōu)選采用透明樹脂材料制成，可以為透明正性光阻材料或透明負性光阻材料。進一步優(yōu)選地，其厚度優(yōu)選為1.5微米至5.5微米。該平坦層一方面對各色阻和控制電極起平坦化的作用，另一方面還對其起到保護作用。
[0014]在一些實施方案中，在形成平坦層后還包括以下步驟:
[0015]在平坦層上形成過孔；
[0016]在平坦層上順次形成公共電極和像素電極，像素電極通過過孔與控制電極相連。該過孔的形成用于實現(xiàn)控制電極與像素電極的電連通，以便實現(xiàn)陣列基板的電控功能。
[0017]在一些實施方案中，形成各控制電極的方法包括依次形成柵極、源極和漏極，并且漏極與像素電極相連。該實施方案中漏極通過平坦層上的過孔與像素電極相連通，以使漏極與像素電極電連通。
[0018]根據(jù)本發(fā)明提供的一種陣列基板，包括:基板；間隔式設(shè)置在基板上的多個控制電極；位于順次相鄰控制電極之間的第一色阻區(qū)域、第二色阻區(qū)域、第三色阻區(qū)域和第四色阻區(qū)域，第一色阻區(qū)域、第二色阻區(qū)域、第三色阻區(qū)域分別設(shè)置有第一色阻、第二色阻和第三色阻；以及完全覆蓋控制電極、第一色阻、第二色阻、第三色阻和第四色阻區(qū)域的平坦層。
[0019]在本發(fā)明的陣列基板中，各個控制電極和各個色阻均設(shè)置在同一基板上，并被平坦層統(tǒng)一覆蓋，與現(xiàn)有技術(shù)中將各個控制電極和各個色阻分別設(shè)置在不同的基板上相比，本發(fā)明的陣列基板大大降低了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率。另外，本發(fā)明的陣列基板中的第四色阻區(qū)域完全由平坦層制成，無需單獨形成第四色阻區(qū)域內(nèi)相應(yīng)的色阻，因此減少了一道單獨制作該相應(yīng)色阻的制程，從而進一步提高了生產(chǎn)效率。同時，本發(fā)明的陣列基板上設(shè)置的第四色阻區(qū)域用于增加陣列基板中的像素種類，提高了色域的同時還大大提升了光的出射率，即增加了陣列基板出光的亮度。
[0020]在一些實施方案中，第一色阻、第二色阻和第三色阻分別為紅色色阻、藍色色阻和綠色色阻。
[0021]在一些實施方案中，第四色阻區(qū)域內(nèi)的色阻由平坦層制成。該方案無需單獨形成第四色阻區(qū)域內(nèi)的色阻，從而簡化了陣列基板的制作工藝流程，提高了生產(chǎn)效率。
[0022]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點:
[0023]I)本發(fā)明的陣列基板的制作方法中，各色阻和控制電極均設(shè)置在同一基板上，大大降低了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率。同時也改善了傳統(tǒng)陣列基板和彩膜基板之間的對組精度，即提高了應(yīng)用該陣列基板的液晶顯示器的開口率；
[0024]2)平坦層完全覆蓋第四色阻區(qū)域，使第四色阻區(qū)域內(nèi)的相應(yīng)色阻直接由平坦層制成，從而節(jié)省了單獨制作該相應(yīng)色阻的材料；同時也提高了光在第四色阻區(qū)域處的透過率，進而提高了陣列基板出光的亮度；
[0025]3)本發(fā)明的陣列基板的制作方法較現(xiàn)有技術(shù)相比，制作流程更為簡單，大大減少了工藝制程，提高了生產(chǎn)效率。
【附圖說明】
[0026]在下文中將基于實施例并參考附圖來對本發(fā)明進行更詳細的描述。其中:
[0027]圖1是根據(jù)本發(fā)明的陣列基板的制作方法的流程圖；
[0028]圖2是根據(jù)本發(fā)明的陣列基板的制作方法中形成各控制電極的示意圖；
[0029]圖3是根據(jù)本發(fā)明的陣列基板的制作方法中形成第一色阻的示意圖；
[0030]圖4是根據(jù)本發(fā)明的陣列基板的制作方法中形成第二色阻的示意圖；
[0031]圖5是根據(jù)本發(fā)明的陣列基板的制作方法中形成第三色阻的示意圖；
[0032]圖6是根據(jù)本發(fā)明的陣列基板的制作方法中形成平坦層的示意圖；
[0033]圖7是根據(jù)本發(fā)明的陣列基板的制作方法中在平坦層上形成過孔的示意圖；
[0034]圖8是根據(jù)本發(fā)明的陣列基板的制作方法中形成公共電極的示意圖；
[0035]圖9是根據(jù)本發(fā)明的陣列基板的制作方法中形成像素電極的示意圖；
[0036]圖10是根據(jù)本發(fā)明的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]在附圖中，相同的部件使用相同的附圖標記，附圖并未按照實際的比例繪制。
【具體實施方式】
[0038]下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步說明。
[0039]這里所介紹的細節(jié)是示例性的，并僅用來對本發(fā)明的實施例進行例證性討論，它們的存在是為了提供被認為是對本發(fā)明的原理和概念方面的最有用和最易理解的描述。關(guān)于這一點，這里并沒有試圖對本發(fā)明的結(jié)構(gòu)細節(jié)作超出于基本理解本發(fā)明所需的程度的介紹，本領(lǐng)域的技術(shù)人員通過說明書及其附圖可以清楚地理解如何在實踐中實施本發(fā)明的幾種形式。
[0040]圖1顯示了根據(jù)本發(fā)明提供的一種陣列基板的制作方法，這里以a-Si FFS(非晶硅邊緣場開關(guān))技術(shù)為例作具體闡述。具體包括以下步驟:
[0041]步驟SlOO:結(jié)合圖2所示，在基板10上形成多個控制電極11，以使相鄰的兩個控制電極11之間形成色阻區(qū)域，各色阻區(qū)域依次為第一色阻區(qū)域12、第二色阻區(qū)域13、第三色阻區(qū)域14和第四色阻區(qū)域15 ;
[0042]步驟S200:結(jié)合圖3至圖5所示，依次在第一色阻區(qū)域12形成第一色阻121、在第二色阻區(qū)域13形成第二色阻131、在第三色阻區(qū)域14形成第三色阻141 ;第一色阻121、第二色阻131和第三色阻141的制作方法均通過相應(yīng)的光罩進行曝光、顯影、蝕刻后得到，其制作方法與現(xiàn)有技術(shù)中的制作方法相同，這里不再贅述。