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陣列基板的制作方法及陣列基板的制作方法_2

文檔序號:9349277閱讀:來源:國知局
[0043]步驟S300:結(jié)合圖6所示,在形成有控制電極11、第一色阻121、第二色阻131、第三色阻141的基板10和第四色阻區(qū)域15內(nèi)涂布透明光阻以形成平坦層20。平坦層20優(yōu)選采用透明樹脂材料制成。
[0044]本發(fā)明的陣列基板的制作方法中,將各個控制電極11和各個色阻形成在同一基板10上,隨后對各個控制電極11和各個色阻以及色阻區(qū)域統(tǒng)一涂覆透明光阻從而形成平坦層20。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的陣列基板的制作方法無需在彩膜基板的各個色阻的表面以及陣列基板的控制電極的表面分別形成平坦層,這便節(jié)省了一道平坦層的制程,從而提高了生產(chǎn)效率。另外,本發(fā)明的陣列基板的制作方法中,在形成第三色阻141后,將透明光阻完全涂覆在控制電極11、第一色阻121、第二色阻131、第三色阻141和第四色阻區(qū)域15內(nèi),從而無需單獨形成第四色阻區(qū)域15內(nèi)的相應(yīng)色阻,即第四色阻區(qū)域內(nèi)的相應(yīng)色阻直接由透明光阻形成,因此又減少了一道單獨制作該相應(yīng)色阻的制程,從而進一步提高了陣列基板的生產(chǎn)效率。
[0045]根據(jù)本發(fā)明,第四色阻區(qū)域15內(nèi)的色阻由平坦層20直接形成。該方案無需單獨形成第四色阻區(qū)域15內(nèi)的相應(yīng)色阻,即第四色阻區(qū)域15內(nèi)的色阻直接由平坦層20形成,因而減少了一道單獨制作第四色阻區(qū)域15內(nèi)的色阻的制程。
[0046]優(yōu)選地,第一色阻121、第二色阻131和第三色阻141分別為紅色色阻、綠色色阻和藍色色阻。該方案中可根據(jù)具體的出光需要對紅色色阻、綠色色阻和藍色色阻進行選材,如在某一顏色的色阻可透過相應(yīng)的光的波長范圍內(nèi),選取能夠透過某一波段的光的色阻材料,以便提高色域顯示,從而使光透過各個色阻后形成更好的畫面顯示。
[0047]根據(jù)本發(fā)明,平坦層20可以為透明正性光阻材料或透明負(fù)性光阻材料,其厚度優(yōu)選為1.5微米至5.5微米。該平坦層20 —方面對各色阻和控制電極11起平坦化的作用,另一方面還對其起到保護作用。
[0048]根據(jù)本發(fā)明,如圖7至圖9所示,在形成平坦層20后還包括以下步驟:
[0049]如圖7所示,在平坦層20上形成過孔21 ;
[0050]如圖8和圖9所示,在平坦層20上順次形成公共電極30和像素電極40,像素電極40通過過孔21與控制電極11相連。該過孔21的形成用于實現(xiàn)控制電極11與像素電極40的電導(dǎo)通,以便實現(xiàn)陣列基板的電控功能。該步驟中順序形成的公共電極30、絕緣層31以及像素電極40與現(xiàn)有技術(shù)中的制程做法相同,這里不再贅述。
[0051 ] 此外,根據(jù)本發(fā)明,如圖2所示,形成各控制電極11的步驟包括依次形成柵極111、源極112和漏極113。這里首先包括在基板10上制作出柵極111和柵信號線,其次在柵極111上形成非晶硅有源層,有源層112形成后緊接著形成源極112、漏極113和相應(yīng)的信號線,這三道制程與現(xiàn)有的非晶硅制程相同,這里也不再贅述。其中,像素電極40具體是與漏極113電連接。
[0052]圖10顯示了根據(jù)本發(fā)明提供的陣列基板100的結(jié)構(gòu)示意圖。該陣列基板100包括基板10 ;間隔式設(shè)置在基板10上的多個控制電極11 ;結(jié)合圖2所示,陣列基板100還包括位于順次相鄰控制電極11之間的第一色阻區(qū)域12、第二色阻區(qū)域13、第三色阻區(qū)域14和第四色阻區(qū)域15,第一色阻區(qū)域12、第二色阻區(qū)域13、第三色阻區(qū)域14分別設(shè)置有第一色阻121、第二色阻131和第三色阻141 ;以及完全覆蓋控制電極11、第一色阻121、第二色阻131、第三色阻141和第四色阻區(qū)域15的平坦層20。
[0053]在本發(fā)明的陣列基板100中,各個控制電極11和各個色阻均設(shè)置在同一基板10上,并被平坦層20統(tǒng)一覆蓋,與現(xiàn)有技術(shù)中將各個控制電極和各個色阻分別設(shè)置在不同的基板上相比,大大降低了生產(chǎn)成本,提高了生產(chǎn)效率。另外,本發(fā)明的陣列基板100中的第四色阻區(qū)域15完全由平坦層20制成,無需單獨形成相應(yīng)的色阻,因此減少了一道單獨制作該相應(yīng)色阻的制程,從而進一步提高了生產(chǎn)效率。同時,本發(fā)明的陣列基板100上設(shè)置的第四色阻區(qū)域15用于增加陣列基板100中的像素種類,其大大提升了光的出射率,即增加了陣列基板100出光的亮度。
[0054]優(yōu)選地,第一色阻121、第二色阻131、第三色阻141分別優(yōu)選為紅色色阻、藍色色阻和綠色色阻。
[0055]本發(fā)明提供的陣列基板100中,第四色阻區(qū)域15內(nèi)的色阻由平坦層20制成。由于無需單獨形成第四色阻區(qū)域內(nèi)的色阻,從而簡化了陣列基板的制作工藝流程,提高了生產(chǎn)效率。
[0056]可以理解的是,由于本發(fā)明的陣列基板同時包括了各個色阻以及控制電極11,因此在后續(xù)制作彩膜基板時只需完成黑矩陣和隔離子兩道制程即可。優(yōu)選地,黑矩陣層也可形成在陣列基板100上,如在步驟SlOO中形成各個色阻后形成。該設(shè)置可補償陣列基板與彩膜基板的對準(zhǔn)誤差,進一步提高了陣列基板與彩膜基板的對準(zhǔn)精度。
[0057]本發(fā)明的陣列基板100適用于多種顯示領(lǐng)域和顯示技術(shù)。如適用于移動顯示領(lǐng)域和大尺寸的顯示領(lǐng)域;適用于LTPS(低溫多晶硅)以及a-Si結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品設(shè)計中;本發(fā)明還適用于FFS/TN/VA/IPS等顯示結(jié)構(gòu)。另外,本發(fā)明還可適用于in cell touch (內(nèi)嵌式觸控技術(shù))結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品設(shè)計以及RGBW的顯示技術(shù)中。
[0058]應(yīng)注意的是,前面所述的例子僅以解釋為目的,而不能認(rèn)為是限制了本發(fā)明。雖然已經(jīng)根據(jù)示例性實施例對本發(fā)明進行了描述,然而應(yīng)當(dāng)理解,這里使用的是描述性和說明性的語言,而不是限制性的語言。在當(dāng)前所述的和修改的所附權(quán)利要求的范圍內(nèi),在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的范圍中,可以對本發(fā)明進行改變。盡管這里已經(jīng)根據(jù)特定的方式、材料和實施例對本發(fā)明進行了描述,但本發(fā)明并不僅限于這里公開的細(xì)節(jié);相反,本發(fā)明可擴展到例如在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)的所有等同功能的結(jié)構(gòu)、方法和應(yīng)用。
【主權(quán)項】
1.一種陣列基板的制作方法,包括: 在基板上形成多個控制電極,以使相鄰的兩個所述控制電極之間形成色阻區(qū)域,各所述色阻區(qū)域依次為第一色阻區(qū)域、第二色阻區(qū)域、第三色阻區(qū)域和第四色阻區(qū)域; 依次在所述第一色阻區(qū)域形成第一色阻、在所述第二色阻區(qū)域形成第二色阻、在所述第三色阻區(qū)域形成第三色阻; 在形成有所述控制電極、所述第一色阻、第二色阻、第三色阻的基板和所述第四色阻區(qū)域內(nèi)涂布透明光阻以形成平坦層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,所述第四色阻區(qū)域內(nèi)的色阻由所述平坦層直接形成。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,所述第一色阻、第二色阻和第三色阻分別為紅色色阻、綠色色阻和藍色色阻。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,所述平坦層由透明樹脂材料制成。5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,所述平坦層的厚度為1.5微米至5.5微米。6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,在形成所述平坦層后還包括以下步驟: 在所述平坦層上形成過孔; 在所述平坦層上順次形成公共電極和像素電極,所述像素電極通過所述過孔與所述控制電極相連。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,形成各控制電極的方法包括依次形成柵極、源極和漏極,并且所述漏極與所述像素電極相連。8.—種陣列基板,包括: 基板, 間隔式設(shè)置在所述基板上的多個控制電極, 位于順次相鄰所述控制電極之間的第一色阻區(qū)域、第二色阻區(qū)域、第三色阻區(qū)域和第四色阻區(qū)域,所述第一色阻區(qū)域、第二色阻區(qū)域、第三色阻區(qū)域分別對應(yīng)設(shè)置有第一色阻、第二色阻和第三色阻,以及 完全覆蓋所述控制電極、所述第一色阻、所述第二色阻、所述第三色阻和所述第四色阻區(qū)域的平坦層。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板,其特征在于,所述第一色阻、所述第二色阻和所述第三色阻分別為紅色色阻、藍色色阻和綠色色阻。10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的陣列基板,其特征在于,所述第四色阻區(qū)域內(nèi)的色阻由所述平坦層制成。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板的制作方法和一種陣列基板。該方法包括在基板上形成多個控制電極,以使相鄰的兩個控制電極之間形成第一色阻區(qū)域、第二色阻區(qū)域、第三色阻區(qū)域和第四色阻區(qū)域;依次在第一色阻區(qū)域形成第一色阻、在第二色阻區(qū)域形成第二色阻、在第三色阻區(qū)域形成第三色阻;在形成有控制電極、所述第一色阻、第二色阻、第三色阻的基板和第四色阻區(qū)域內(nèi)涂布透明光阻以形成平坦層。本發(fā)明的制作方法進一步提高了陣列基板的生產(chǎn)效率。
【IPC分類】G02F1/1362, G02F1/1343
【公開號】CN105068336
【申請?zhí)枴緾N201510524659
【發(fā)明人】明星
【申請人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司, 武漢華星光電技術(shù)有限公司
【公開日】2015年11月18日
【申請日】2015年8月25日
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