陣列基板、顯示裝置及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種陣列基板、顯示裝置及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在平板顯示裝置中，薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，TFT-LCD)具有體積小、功耗低、制造成本相對較低和無福射等特點，在當(dāng)前的平板顯示器市場占據(jù)了主導(dǎo)地位。
[0003]目前，TFT-LCD的顯示模式主要有TN (Twisted Nematic,扭曲向列)模式、VA(Vertical Alignment，垂直取向)模式、IPS (In-Plane-Switching,平面方向轉(zhuǎn)換)模式和AD-SDS (ADvanced Super Dimens1n Switch，高級超維場轉(zhuǎn)換，簡稱 ADS)模式等。
[0004]基于ADS模式的顯示器通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極與板狀電極間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間的以及電極正上方的取向液晶分子產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。ADS技術(shù)可以提高TFT-LCD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點。
[0005]基于ADS模式的陣列基板通常包括呈陣列排布的多個像素單元，每個像素單元包含有薄膜晶體管、板狀電極以及位于板狀電極上方的狹縫電極，狹縫電極包括多個電極條，并且在相鄰的電極條之間形成狹縫。
[0006]在現(xiàn)有技術(shù)中，陣列基板的形成需要多次鍍膜與刻蝕，在形成過程中有可能出現(xiàn)構(gòu)圖(pattern)缺陷。當(dāng)構(gòu)圖缺陷出現(xiàn)在數(shù)據(jù)線與公共電極之間的絕緣層時，會造成數(shù)據(jù)線與和該數(shù)據(jù)線重疊的公共電極之間的短路，從而降低產(chǎn)品的良品率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]為了克服上述問題，本發(fā)明提出了一種陣列基板、顯示裝置及其制作方法，能夠避免由于數(shù)據(jù)線與公共電極之間的絕緣層出現(xiàn)缺陷造成的數(shù)據(jù)線與和該數(shù)據(jù)線重疊的公共電極之間的短路，從而大大提升廣品的良品率。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種陣列基板。所述陣列基板包括:多條柵線、多條數(shù)據(jù)線以及呈陣列排布的多個像素單元，其中每個像素單元包括板狀電極、狹縫電極和設(shè)置在板狀電極與狹縫電極之間的絕緣層。所述狹縫電極包括多個電極條，在相鄰的電極條之間形成狹縫，并且與數(shù)據(jù)線在陣列基板上的投影至少部分重疊的電極條斷開與其他電極條的連接。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的陣列基板，即便當(dāng)數(shù)據(jù)線與狹縫電極(例如，公共電極)之間的絕緣層出現(xiàn)缺陷而造成數(shù)據(jù)線與和該數(shù)據(jù)線重疊的狹縫電極的一個電極條之間的短路時，由于和數(shù)據(jù)線至少部分重疊的電極條與狹縫電極的其他電極條的連接是斷開的，因此可以避免數(shù)據(jù)線與整個狹縫電極之間的短路，從而大大提升產(chǎn)品的良品率。
[0010]根據(jù)一個實施例，通過在與數(shù)據(jù)線在陣列基板上的投影至少部分重疊的電極條的兩端形成狹縫來斷開與其他電極條的連接。
[0011]根據(jù)一個實施例，與數(shù)據(jù)線在陣列基板上的投影至少部分重疊的電極條覆蓋所述數(shù)據(jù)線。
[0012]根據(jù)一個實施例，所述板狀電極與數(shù)據(jù)線設(shè)置在同一層。
[0013]根據(jù)一個實施例，所述板狀電極是像素電極，所述狹縫電極是公共電極。
[0014]根據(jù)一個實施例，所述與數(shù)據(jù)線在陣列基板上的投影至少部分重疊的電極條斷開與公共電極的連接。
[0015]根據(jù)一個實施例，所述狹縫電極由氧化銦錫制成。
[0016]根據(jù)一個實施例，所述板狀電極由氧化銦錫制成。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種顯示裝置。所述顯示裝置包括根據(jù)上述任一個實施例的陣列基板。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，提供了一種制作陣列基板的方法。所述方法包括:在陣列基板上形成板狀電極和數(shù)據(jù)線；在板狀電極上形成絕緣層；在絕緣層上形成狹縫電極；其中，所述狹縫電極包括多個電極條，在相鄰的電極條之間形成狹縫，并且與數(shù)據(jù)線在陣列基板上的投影至少部分重疊的電極條斷開與其他電極條的連接。
[0019]根據(jù)一個實施例，在與數(shù)據(jù)線在陣列基板上的投影至少部分重疊的電極條的兩端形成狹縫，以斷開與其他電極條的連接。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的陣列基板、顯示裝置及其制作方法，能夠避免由于數(shù)據(jù)線與公共電極之間的絕緣層出現(xiàn)缺陷造成的數(shù)據(jù)線與公共電極之間的短路，從而大大提升產(chǎn)品的良品率。
【附圖說明】
[0021]通過以下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，將更加清楚地理解示例性實施例的以上和其它方面、特征和優(yōu)點，其中:
圖1是現(xiàn)有技術(shù)陣列基板的示意圖；
圖2是現(xiàn)有技術(shù)陣列基板的剖面示意圖；
圖3是絕緣層出現(xiàn)缺陷的可能性示意圖；
圖4是根據(jù)本發(fā)明實施例的陣列基板的示意圖；
圖5是根據(jù)本發(fā)明實施例的陣列基板的邊緣電場模擬示意圖；以及圖6是根據(jù)本發(fā)明實施例的制作陣列基板的方法流程圖。
【具體實施方式】
[0022]現(xiàn)在，將參照其中示出了一些實施例的附圖更完全地描述本發(fā)明構(gòu)思的各個示例性實施例。然而，本發(fā)明構(gòu)思可按照許多不同形式實現(xiàn)，并且不應(yīng)理解為限于本文闡述的示例性實施例。相反，提供這些示例性實施例以使得本公開將是徹底和完整的，并且將把本發(fā)明構(gòu)思完全傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。
[0023]在附圖中，為了清楚起見，可夸大層和區(qū)的大小和相對大小。
[0024]為了方便描述，本文中可使用諸如“在……下方”、“在……之下”、“下”、“在……之上”、“上”等的空間相對術(shù)語，以描述附圖中所示的一個元件或特征與另一元件或特征的關(guān)系。應(yīng)該理解，空間相對術(shù)語旨在涵蓋使用或操作中的裝置的除圖中所示的取向之外的不同取向。例如，如果圖中的裝置顛倒，則被描述為“在其它元件之下”或“在其它元件下方”的元件將因此被取向為“在其它元件或特征之上”。這樣，示例性術(shù)語“在……之下”可涵蓋在……之上和在……之下這兩個取向。裝置可按照其它方式取向(旋轉(zhuǎn)90度或位于其它取向)，并且本文所用的空間相對描述語將相應(yīng)地解釋。
[0025]為了克服由于數(shù)據(jù)線與公共電極之間的絕緣層出現(xiàn)缺陷造成的數(shù)據(jù)線與和該數(shù)據(jù)線重疊的公共電極之間的短路，本發(fā)明提出了一種陣列基板、顯示裝置及其制作方法，能夠大大提升廣品的良品率。
[0026]圖1是現(xiàn)有技術(shù)陣列基板的示意圖，圖2是現(xiàn)有技術(shù)陣列基板的剖面示意圖。
[0027]參見圖1和圖2，陣列基板包括多條柵線10、多條數(shù)據(jù)線20以及呈陣列排布的多個像素單元。每個像素單元包括板狀電極30和狹縫電極40。板狀電極與狹縫電極之間設(shè)置有絕緣層50。板狀電極30和狹縫電極40可以由氧化銦錫(ITO)制成。絕緣層50可以由氮化娃制成。