顯示器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種顯示器，且特別是有關(guān)于一種具有特定形狀的間隙物或凸塊的顯示器。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技的進(jìn)步，體積龐大的陰極射線管(Cathode Ray Tube，CRT)顯示器已經(jīng)漸漸地走入歷史。因此，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，IXD)、有機(jī)發(fā)光二極管顯不器(Organic Light Emitting D1de display，OLED display)、電泳顯不器(Electro-Phoretic Display，EI3D)、電楽顯不器(Plasma Display Panel,PDP)等顯不面板則逐漸地成為未來顯示器的主流。
[0003]為了精準(zhǔn)地控制顯示面板的主動元件陣列基板與對向基板的間隙(cellgap)，通常會在兩個基板之間加入間隙物以支撐間隙。一般來說，顯示面板被彎曲或按壓時(例如進(jìn)行移動間隙物測試(moving PS test)時)會造成間隙物的錯位(或滑動)，而錯位的間隙物有可能會刮傷顯示區(qū)域的主動元件陣列基板上的膜層，或者是使得主動元件陣列基板上的配向?qū)拥呐湎蛐Ч涣?，因而?dǎo)致顯示面板發(fā)生暗態(tài)漏光等問題。再者，若間隙物在斜向方向上錯位，由于間隙物有可能會不對稱地刮傷相鄰的兩個像素區(qū)，導(dǎo)致前述的暗態(tài)漏光問題更為嚴(yán)重。因此，增加顯示面板中間隙物的錯位容許量實(shí)為研發(fā)者所欲達(dá)成的目標(biāo)之一O

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種顯示器，可提高間隙物的錯位容許量，以改善顯示器的暗態(tài)漏光現(xiàn)象。
[0005]本發(fā)明提出一種顯示器。顯示器包括第一基板、多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、多個像素結(jié)構(gòu)、保護(hù)層、凸塊、第二基板以及間隙物。掃描線、數(shù)據(jù)線、像素結(jié)構(gòu)以及保護(hù)層位于第一基板上。凸塊配置于第一基板上。第二基板與第一基板相對設(shè)置。間隙物配置于第二基板上且與凸塊至少部分重疊。凸塊與間隙物中的一個具有第一形狀，凸塊與間隙物中的另一個具有第二形狀，其中第一形狀在第一方向上的兩側(cè)長度大于中間長度。
[0006]基于上述，本發(fā)明的凸塊與間隙物中的一個具有兩側(cè)長度大于中間長度的特殊形狀，當(dāng)間隙物斜向錯位時，此特殊形狀可增加間隙物與凸塊之間的接觸面積，維持面板間隙，避免間隙物刮傷顯示區(qū)域，進(jìn)而提高間隙物的錯位容許量。如此一來，可改善顯示器因間隙物錯位所致的暗態(tài)漏光等問題。
[0007]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說明如下。
【附圖說明】
[0008]圖1為依照本發(fā)明一實(shí)施例的顯示器的剖面示意圖。
[0009]圖2A與圖2B分別為依照本發(fā)明一實(shí)施例的顯示器的俯視示意圖，其中圖2A中省略繪示黑矩陣。
[0010]圖3A為沿圖2A的剖面線A-A’的剖面示意圖。
[0011]圖3B為沿圖2A的剖面線B-B’的剖面示意圖。
[0012]圖4為圖2A的區(qū)域R中凸塊與間隙物之間的相對位置的放大示意圖。
[0013]圖5為圖2A的區(qū)域R中凸塊與間隙物之間的相對位置的放大示意圖。
[0014]圖6為圖2A的區(qū)域R中凸塊與間隙物之間的相對位置的放大示意圖。
[0015]圖7A至圖7D分別為本發(fā)明的第一形狀的示意圖。
[0016]圖8A至圖8F分別為本發(fā)明的第二形狀的示意圖。
[0017]圖9A與圖9B為依照本發(fā)明另一實(shí)施例的顯示器的俯視示意圖，其中圖9A中省略繪示黑矩陣。
[0018]圖1OA為第一傳統(tǒng)顯不器的俯視不意圖。
[0019]圖1OB為沿圖1OA的剖面線A-A’的剖面示意圖。
[0020]圖1OC為沿圖1OA的剖面線B-B’的剖面示意圖。
[0021]圖1lA為第二傳統(tǒng)顯示器的俯視示意圖。
[0022]圖1lB為沿圖1lA的剖面線A_A’的剖面示意圖。
[0023]圖1lC為沿圖1lA的剖面線B-B’的剖面示意圖。
[0024]圖12為本發(fā)明一實(shí)驗(yàn)例的顯示器的間隙物的錯位容許量與顯示器種類的關(guān)系曲線圖。
[0025]圖13為本發(fā)明一實(shí)驗(yàn)例的顯示器的黑矩陣在第一方向上的最大長度與顯示器種類的關(guān)系曲線圖。
[0026]其中，附圖標(biāo)記說明如下:
[0027]10:第一形狀
[0028]1a:兩側(cè)
[0029]1b:中間
[0030]20:第二形狀
[0031]20a:主體部
[0032]20b:延伸部
[0033]100:第一基板
[0034]110:像素陣列層
[0035]114、114”:凸塊
[0036]200:第二基板
[0037]210:彩色濾光陣列層
[0038]211:濾光圖案
[0039]212:覆蓋層
[0040]214:配向?qū)?br>[0041]300:顯示介質(zhì)層
[0042]AA ’:剖面線
[0043]BB’:剖面線
[0044]BM、BM’、BM”:黑矩陣
[0045]C:開口
[0046]CH:通道層
[0047]CL:共用線
[0048]DUDr:第一方向
[0049]D2、D2’:第二方向
[0050]D:漏極
[0051]DL:數(shù)據(jù)線
[0052]G:柵極
[0053]G1:柵絕緣層
[0054]Η1、ΗΓ，、Η2、Η2，、Η2”:厚度
[0055]P:像素結(jié)構(gòu)
[0056]PE:像素電極
[0057]PS、PS’、PS”:間隙物
[0058]PV:保護(hù)層
[0059]S:源極
[0060]SL:掃描線
[0061]T:主動元件
【具體實(shí)施方式】
[0062]圖1為依照本發(fā)明一實(shí)施例的顯示器的剖面示意圖。圖2A與圖2B為依照本發(fā)明一實(shí)施例的顯示器的俯視示意圖，其中圖2A中省略繪示黑矩陣，而圖2B則提供了黑矩陣BM與其它構(gòu)件之間的配置關(guān)系。圖3A為沿圖2A的剖面線A-A’的剖面示意圖。圖3B為沿圖2A的剖面線B-B’的剖面示意圖。請同時參照圖1至圖3B，本實(shí)施例的顯示器包括第一基板100、第二基板200以及位于第一基板100與第二基板200之間的顯示介質(zhì)層300、凸塊114 (請參照圖3A與圖3B)以及間隙物PS (請參照圖3A與圖3B)。第一基板100的材質(zhì)可為玻璃、石英、有機(jī)聚合物或其類似材質(zhì)。第一基板100上例如是設(shè)置有像素陣列層110，其詳細(xì)結(jié)構(gòu)將于后續(xù)段落說明。
[0063]第二基板200設(shè)置于第一基板100的對向。第二基板200的材質(zhì)可各自為玻璃、石英、有機(jī)聚合物或是其他可適用的材料，其可與第一基板100具有相同或不同的材質(zhì)，本發(fā)明不以此為限。第二基板200上例如是配置有彩色濾光陣列層210，其詳細(xì)結(jié)構(gòu)將于后續(xù)段落說明。
[0064]顯不介質(zhì)層300例如是液晶材料。換目之，本實(shí)施例的顯不器例如是液晶顯不器。然而，本發(fā)明并不限于此。在其他實(shí)施例中，顯示介質(zhì)120亦可以是其他的顯示材料，諸如有機(jī)發(fā)光二極管材料、無機(jī)發(fā)光二極管材料、電泳顯示材料、螢光材料、磷光材料、電漿材料等。
[0065]為了清楚地說明，圖2A是以繪示出具有2X2個像素結(jié)構(gòu)的陣列的像素陣列層110以及對應(yīng)的彩色濾光陣列層為例，但本發(fā)明所屬領(lǐng)域中具有通常知識者應(yīng)可以理解，圖1的像素陣列層110實(shí)際上是由多個像素結(jié)構(gòu)排成的陣列所構(gòu)成。
[0066]請同時參照圖2A、圖3A以及圖3B，在本實(shí)施例中，像素陣列層110包括多條掃描線SL、多條數(shù)據(jù)線DL、多個像素結(jié)構(gòu)以及保護(hù)層PV。
[0067]掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL位于第一基板100上。掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL的延伸方向不相同，在本實(shí)施例中，掃描線SL的延伸方向與數(shù)據(jù)線DL的延伸方向例如是垂直。如圖2A所示，在本實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線DL例如是沿第一方向Dl延伸，而掃描線SL例如是沿第二方向D2延伸，且第一方向Dl與第二方向D2例如是實(shí)質(zhì)上互相垂直。此外，掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL是位于不相同的膜層，且兩者之間夾有絕緣層(未繪示)。掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL主要用來傳遞驅(qū)動此像素結(jié)構(gòu)的驅(qū)動訊號。掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL的材料包括導(dǎo)電材料，諸如金屬、合金、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、其他其堆疊層等。
[0068]像素結(jié)構(gòu)位于第一基板100上。像素結(jié)構(gòu)P與掃描線SL以及數(shù)據(jù)線DL電性連接。詳言之，像素結(jié)構(gòu)包含主動元件T以及與主動元件T電性連接的像素電極PE。主動元件T例如是薄膜晶體管，其包括柵極G、柵絕緣層G1、通道層CH、源極S以及漏極D。柵極G位于第一基板100上，柵絕緣層GI位于柵極G上，且通道層CH位于柵絕緣層GI上，且柵絕緣層GI位于通道層CH與柵極G之間。源極S以及漏極D分別位于柵極G上方的通道層CH兩側(cè)。柵極G、源極S以及漏極D的材料包括導(dǎo)電材料，諸如金屬、合金、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、其堆疊層等。通道層CH的材料包括半導(dǎo)體，諸如非晶硅半導(dǎo)體、金屬氧化物半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體等。柵絕緣層GI的材料包括無機(jī)材料、有機(jī)材料、上述的組合或其堆疊層，其中無機(jī)材料例如是氧化娃