陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示面板(TFT-1XD)具有顯示質(zhì)量高、功耗低、無(wú)輻射等優(yōu)點(diǎn)，近幾年發(fā)展十分迅速，并在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。
[0003]現(xiàn)有的液晶顯示面板主要包括陣列基板、彩膜基板和液晶層，其中，在陣列基板的制作工藝中，通常需要對(duì)制作的陣列基板的各方面性能進(jìn)行檢測(cè)，例如，在檢測(cè)陣列基板的電學(xué)性能時(shí)，為減少測(cè)試墊的數(shù)目，通常利用Shorting Bar (短路布線)技術(shù)，然而，由于采用Shorting Bar (短路布線)技術(shù)的測(cè)試墊通常面積比較大，且高度較高，在進(jìn)行后續(xù)的取向膜摩擦工藝時(shí)，這些測(cè)試墊容易對(duì)摩擦布造成損傷，從而導(dǎo)致摩擦不良。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004](一 )要解決的技術(shù)問(wèn)題
[0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是:如何減小現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的測(cè)試墊對(duì)摩擦布造成的損害。
[0006]( 二)技術(shù)方案
[0007]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的技術(shù)方案提供了一種陣列基板，包括襯底基板以及形成在所述襯底基板上的測(cè)試墊和取向膜，所述測(cè)試墊的表面設(shè)置有溝槽，且所述溝槽的延伸方向與所述取向膜的摩擦取向方向一致。
[0008]優(yōu)選地，所述測(cè)試墊包括設(shè)置在所述襯底基板上的第一導(dǎo)電層、絕緣層和第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層通過(guò)所述絕緣層上的過(guò)孔與所述第一導(dǎo)電層電連接。
[0009]優(yōu)選地，所述第一導(dǎo)電層包括多條相互平行的條狀金屬，所述絕緣層與所述第二導(dǎo)電層厚度均勻從而在所述測(cè)試墊的表面形成所述溝槽。
[0010]優(yōu)選地，所述測(cè)試墊形成在所述陣列基板的非顯示區(qū)域，所述陣列基板的顯示區(qū)域包括設(shè)置在所述襯底基板上的柵線、第一保護(hù)層、像素電極，所述第一導(dǎo)電層與所述柵線為相同材料并同層設(shè)置，所述絕緣層與所述第一保護(hù)層為相同材料并同層設(shè)置，所述第二導(dǎo)電層與所述像素電極為相同材料并同層設(shè)置。
[0011]優(yōu)選地，所述測(cè)試墊形成在所述陣列基板的非顯示區(qū)域，所述陣列基板的顯示區(qū)域包括設(shè)置在所述襯底基板上的數(shù)據(jù)線、第二保護(hù)層、像素電極，所述第一導(dǎo)電層與所述數(shù)據(jù)線為相同材料并同層設(shè)置，所述絕緣層與所述第二保護(hù)層為相同材料并同層設(shè)置，所述第二導(dǎo)電層與所述像素電極為相同材料并同層設(shè)置。
[0012]優(yōu)選地，所述襯底基板上還設(shè)置有短路布線，所述測(cè)試墊與所述短路布線相連。
[0013]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明還提供了一種顯示面板，包括上述的陣列基板。
[0014]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述的顯示面板。
[0015]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制作方法，包括:
[0016]在襯底基板上形成測(cè)試墊，所述測(cè)試墊的表面形成有溝槽；
[0017]在所述襯底基板上形成取向膜，所述取向膜的摩擦取向方向與所述溝槽的延伸方向一致。
[0018]優(yōu)選地，所述在襯底基板上形成測(cè)試墊包括:
[0019]在所述襯底基板上形成第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層包括多條相互平行的條狀金屬；
[0020]在所述第一導(dǎo)電層上形成厚度均勻的絕緣層和厚度均勻的第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層通過(guò)所述絕緣層上的過(guò)孔與所述第一導(dǎo)電層電連接。
[0021]優(yōu)選地，所述測(cè)試墊形成在所述陣列基板的非顯示區(qū)域，所述陣列基板的顯示區(qū)域包括形成在所述襯底基板上的柵線、第一保護(hù)層、像素電極，所述第一導(dǎo)電層與所述柵線在一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成，所述絕緣層與所述第一保護(hù)層在一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成，所述第二導(dǎo)電層與所述像素電極在一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成。
[0022]優(yōu)選地，所述測(cè)試墊形成在所述陣列基板的非顯示區(qū)域，所述陣列基板的顯示區(qū)域包括形成在所述襯底基板上的數(shù)據(jù)線、第二保護(hù)層、像素電極，所述第一導(dǎo)電層與所述數(shù)據(jù)線在一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成，所述絕緣層與所述第二保護(hù)層在一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成，所述第二導(dǎo)電層與所述像素電極在一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成。
[0023](三)有益效果
[0024]本發(fā)明提供的陣列基板，通過(guò)在測(cè)試墊的表面形成溝槽，在對(duì)取向膜摩擦取向時(shí)，能夠減小對(duì)摩擦布的損傷，進(jìn)而減少摩擦不良，同時(shí)提高摩擦布的壽命。
【附圖說(shuō)明】
[0025]圖1是本發(fā)明實(shí)施方式提供的一種陣列基板的示意圖；
[0026]圖2是圖1中的測(cè)試墊的俯視圖；
[0027]圖3是本發(fā)明實(shí)施方式提供的另一種陣列基板的示意圖；
[0028]圖4是圖3中的測(cè)試墊的俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說(shuō)明本發(fā)明，但不用來(lái)限制本發(fā)明的范圍。
[0030]圖1是本發(fā)明實(shí)施方式提供的一種陣列基板，該陣列基板包括襯底基板100以及形成在所述襯底基板100上的測(cè)試墊200和取向膜，其中，所述測(cè)試墊200的表面設(shè)置有溝槽210，且所述溝槽210的延伸方向與所述取向膜的摩擦取向方向一致；
[0031]參見圖2，圖2是圖1中的測(cè)試墊的俯視圖，在該測(cè)試墊的表面上設(shè)置有多個(gè)相互平行的條狀凸起220，通過(guò)使條狀凸起220的延伸方向與取向膜的摩擦方向相一致，從而使得相鄰兩個(gè)凸起220之間的溝槽的延伸方向與取向膜的摩擦方向相一致。
[0032]本發(fā)明實(shí)施方式提供的陣列基板，通過(guò)在測(cè)試墊的表面形成溝槽，在對(duì)取向膜摩擦取向時(shí)，能夠減小對(duì)摩擦布的損傷，進(jìn)而減少摩擦不良，同時(shí)提高摩擦布的壽命。
[0033]為形成上述形狀的測(cè)試墊，可以首先在襯底基板上形成一層較厚的導(dǎo)電薄膜，再采用構(gòu)圖工藝對(duì)該導(dǎo)電薄膜部分區(qū)域上部分的厚度進(jìn)行刻蝕，從而在其表面形成所需的溝槽，優(yōu)選地，由于測(cè)試墊通常形成在陣列基板的非顯示區(qū)域，為減少該陣列基板的構(gòu)圖工藝次數(shù)，上述測(cè)試墊可以在制作陣列基板顯示區(qū)域上的層結(jié)構(gòu)圖案的同時(shí)制作得到。
[0034]參見圖3，圖3是本發(fā)明實(shí)施方式提供的另一種陣列基板的示意圖，該陣列基板包括襯底基板100以及形成在襯底基板100上的測(cè)試墊和取向膜；
[0035]其中，該測(cè)試墊包括設(shè)置在襯底基板100上的第一導(dǎo)電層201、絕緣層202和第二導(dǎo)電層203，第二導(dǎo)電層203通過(guò)絕緣層202上的過(guò)孔與第一導(dǎo)電層201電連接；
[0036]如圖4所示，第一導(dǎo)電層201包括多條相互平行的條狀金屬2011，絕緣層202上與條狀金屬2011對(duì)應(yīng)的位置上開設(shè)有過(guò)孔2021，使得第二導(dǎo)電層203能夠通過(guò)過(guò)孔2021與第一導(dǎo)電層201電連接；
[0037]在該測(cè)試墊中，由于條狀金屬2011的延伸方向與取向膜的摩擦方向相一致，且絕緣層202與第二導(dǎo)電層203在各處厚度均勻，從而能夠在該測(cè)試墊的表面形成延伸方向與取向膜的摩擦方向一致的溝槽。
[0038]例如，對(duì)于TN模式的陣列基板，其顯示區(qū)域包括設(shè)置在襯底基板上的柵極(與柵線同層)、第一保護(hù)層(即柵絕緣層)、有源層、源漏極(與數(shù)據(jù)線同層)、第二保護(hù)層(即鈍化層)、像素電極；
[0039]當(dāng)上述的測(cè)試墊用于測(cè)試陣列基板顯示區(qū)域上的柵線時(shí)，該測(cè)試墊連接至對(duì)應(yīng)