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陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置的制造方法_2

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于柵線的Shorting Bar (短路布線),則對(duì)于上述結(jié)構(gòu)的測(cè)試墊,其第一導(dǎo)電層與顯示區(qū)域的柵線相連,且兩者為相同材料并同層設(shè)置,其絕緣層與顯示區(qū)域的第一保護(hù)層為相同材料并同層設(shè)置,其第二導(dǎo)電層與顯示區(qū)域的像素電極為相同材料并同層設(shè)置;
[0040]當(dāng)上述的測(cè)試墊用于測(cè)試陣列基板顯示區(qū)域上的數(shù)據(jù)線時(shí),該測(cè)試墊連接至對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)線的Shorting Bar (短路布線),則對(duì)于上述的測(cè)試墊,第一導(dǎo)電層與所述數(shù)據(jù)線相連,且兩者為相同材料并同層設(shè)置,絕緣層與所述第二保護(hù)層為相同材料并同層設(shè)置,第二導(dǎo)電層與像素電極為相同材料并同層設(shè)置。
[0041]本發(fā)明還提供了一種顯示面板,包括上述的陣列基板。
[0042]本發(fā)明還提供了一種顯示裝置,包括上述的顯示面板。其中,本發(fā)明實(shí)施方式提供的顯示裝置可以是筆記本電腦顯示屏、液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0043]本發(fā)明實(shí)施方式還提供了一種陣列基板的制作方法,包括:
[0044]在襯底基板上形成測(cè)試墊,所述測(cè)試墊的表面形成有溝槽;
[0045]在所述襯底基板上形成取向膜,所述取向膜的摩擦取向方向與所述溝槽的延伸方向一致。
[0046]優(yōu)選地,所述在襯底基板上形成測(cè)試墊包括:
[0047]在所述襯底基板上形成第一導(dǎo)電層,所述第一導(dǎo)電層包括多條相互平行的條狀金屬;
[0048]在所述第一導(dǎo)電層上形成厚度均勻的絕緣層和厚度均勻的第二導(dǎo)電層,所述第二導(dǎo)電層通過(guò)所述絕緣層上的過(guò)孔與所述第一導(dǎo)電層電連接。
[0049]例如,對(duì)于TN模式的陣列基板,其顯示區(qū)域包括設(shè)置在襯底基板上的柵極(與柵線同層)、第一保護(hù)層(即柵絕緣層)、有源層、源漏極(與數(shù)據(jù)線同層)、第二保護(hù)層(即鈍化層)、像素電極,在制作該結(jié)構(gòu)的陣列基板過(guò)程中,可以在陣列基板顯示區(qū)域制作上述層結(jié)構(gòu)圖案的同時(shí)制作測(cè)試墊;
[0050]例如,可以在陣列基板的顯示區(qū)域制作柵線、第一保護(hù)層、像素電極的同時(shí),在其非顯示區(qū)域制作用于測(cè)試柵線的測(cè)試墊,使其第一導(dǎo)電層與柵線在一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成,絕緣層與第一保護(hù)層在一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成,第二導(dǎo)電層與像素電極在一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成;
[0051]可以在陣列基板的顯示區(qū)域制作數(shù)據(jù)線、第二保護(hù)層、像素電極的同時(shí),在其非顯示區(qū)域制作用于測(cè)試數(shù)據(jù)線的測(cè)試墊,使其第一導(dǎo)電層與數(shù)據(jù)線在一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成,絕緣層與第二保護(hù)層在一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成,第二導(dǎo)電層與像素電極在一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成。
[0052]此外,在上述的測(cè)試墊制作過(guò)程中,可以盡量將第一導(dǎo)電層中的條狀金屬的寬度減小,使其數(shù)量增多,從而對(duì)摩擦效果有更好的保證,另外,還可以根據(jù)具體情況增加測(cè)試墊的面積,以彌補(bǔ)由于設(shè)置溝槽而造成與其他結(jié)構(gòu)接觸面積的減少。
[0053]本發(fā)明實(shí)施方式提供的陣列基板的制作方法,通過(guò)在測(cè)試墊的表面形成溝槽,在對(duì)取向膜摩擦取向時(shí),通過(guò)溝槽可以容納被擠壓的摩擦布毛,從而減小摩擦布毛向的影響程度,進(jìn)而減少摩擦不良,同時(shí)提高摩擦布的壽命。
[0054]以上實(shí)施方式僅用于說(shuō)明本發(fā)明,而并非對(duì)本發(fā)明的限制,有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下,還可以做出各種變化和變型,因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本發(fā)明的范疇,本發(fā)明的專利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板,包括襯底基板以及形成在所述襯底基板上的測(cè)試墊和取向膜,其特征在于,所述測(cè)試墊的表面設(shè)置有溝槽,且所述溝槽的延伸方向與所述取向膜的摩擦取向方向一致。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述測(cè)試墊包括設(shè)置在所述襯底基板上的第一導(dǎo)電層、絕緣層和第二導(dǎo)電層,所述第二導(dǎo)電層通過(guò)所述絕緣層上的過(guò)孔與所述第一導(dǎo)電層電連接。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述第一導(dǎo)電層包括多條相互平行的條狀金屬,所述絕緣層與所述第二導(dǎo)電層厚度均勻從而在所述測(cè)試墊的表面形成所述溝槽。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述測(cè)試墊形成在所述陣列基板的非顯示區(qū)域,所述陣列基板的顯示區(qū)域包括設(shè)置在所述襯底基板上的柵線、第一保護(hù)層、像素電極,所述第一導(dǎo)電層與所述柵線為相同材料并同層設(shè)置,所述絕緣層與所述第一保護(hù)層為相同材料并同層設(shè)置,所述第二導(dǎo)電層與所述像素電極為相同材料并同層設(shè)置。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述測(cè)試墊形成在所述陣列基板的非顯示區(qū)域,所述陣列基板的顯示區(qū)域包括設(shè)置在所述襯底基板上的數(shù)據(jù)線、第二保護(hù)層、像素電極,所述第一導(dǎo)電層與所述數(shù)據(jù)線為相同材料并同層設(shè)置,所述絕緣層與所述第二保護(hù)層為相同材料并同層設(shè)置,所述第二導(dǎo)電層與所述像素電極為相同材料并同層設(shè)置。6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述的陣列基板,其特征在于,所述襯底基板上還設(shè)置有短路布線,所述測(cè)試墊與所述短路布線相連。7.—種顯示面板,其特征在于,包括權(quán)利要求1-6任一所述的陣列基板。8.—種顯示裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求7所述的顯示面板。9.一種陣列基板的制作方法,其特征在于,包括: 在襯底基板上形成測(cè)試墊,所述測(cè)試墊的表面形成有溝槽; 在所述襯底基板上形成取向膜,所述取向膜的摩擦取向方向與所述溝槽的延伸方向一致。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,所述在襯底基板上形成測(cè)試墊包括: 在所述襯底基板上形成第一導(dǎo)電層,所述第一導(dǎo)電層包括多條相互平行的條狀金屬; 在所述第一導(dǎo)電層上形成厚度均勻的絕緣層和厚度均勻的第二導(dǎo)電層,所述第二導(dǎo)電層通過(guò)所述絕緣層上的過(guò)孔與所述第一導(dǎo)電層電連接。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,所述測(cè)試墊形成在所述陣列基板的非顯示區(qū)域,所述陣列基板的顯示區(qū)域包括形成在所述襯底基板上的柵線、第一保護(hù)層、像素電極,所述第一導(dǎo)電層與所述柵線在一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成,所述絕緣層與所述第一保護(hù)層在一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成,所述第二導(dǎo)電層與所述像素電極在一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,所述測(cè)試墊形成在所述陣列基板的非顯示區(qū)域,所述陣列基板的顯示區(qū)域包括形成在所述襯底基板上的數(shù)據(jù)線、第二保護(hù)層、像素電極,所述第一導(dǎo)電層與所述數(shù)據(jù)線在一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成,所述絕緣層與所述第二保護(hù)層在一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成,所述第二導(dǎo)電層與所述像素電極在一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置,該陣列基板包括襯底基板以及形成在所述襯底基板上的測(cè)試墊和取向膜,所述測(cè)試墊的表面設(shè)置有溝槽,且所述溝槽的延伸方向與所述取向膜的摩擦取向方向一致。本發(fā)明提供的陣列基板,通過(guò)在測(cè)試墊的表面形成溝槽,在對(duì)取向膜摩擦取向時(shí),能夠減小對(duì)摩擦布的損傷,進(jìn)而減少摩擦不良,同時(shí)提高摩擦布的壽命。
【IPC分類】G02F1/1337, H01L27/12, G02F1/13, H01L21/77
【公開(kāi)號(hào)】CN105068327
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510591070
【發(fā)明人】王美旭, 吳松, 代超, 李建輝
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥鑫晟光電科技有限公司
【公開(kāi)日】2015年11月18日
【申請(qǐng)日】2015年9月16日
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