本發(fā)明涉及一種預(yù)包封無導線可電鍍引線框架封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，屬于半導體封裝技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

當前引線框架產(chǎn)品結(jié)構(gòu)工藝主要有：

一、沖壓法：一般采用高精度帶材經(jīng)自動化程度很高的高速沖床沖制而成，得到許多具有獨立功能的單顆產(chǎn)品（如SOT、SOP等低密度產(chǎn)品），所有單顆產(chǎn)品通過導電線與邊筋連接成一個整體，在單顆產(chǎn)品所需區(qū)域電鍍NiAu、Ag、NiPtAu等，封裝完成后切成單顆，導電線可以沖切掉。

二、蝕刻法：采用掩膜曝光、顯影、蝕刻等工藝對金屬載板進行蝕刻，得到許多具有獨立功能的單顆產(chǎn)品（如QFN、DFN等高密度產(chǎn)品），所有單顆產(chǎn)品通過導電線與邊筋連接成一個整體，如圖16所示，在單顆產(chǎn)品所需區(qū)域電鍍NiAu、Ag、NiPtAu等；封裝完成后切成單顆，導電線無法去除。

當前引線框架制作（如QFN）工藝存在以下不足和缺陷：

1、隨著封裝產(chǎn)品小型化、超薄化、高密度的要求不斷提高，對引線框架或者基板制作要求也小型化、超薄化、高密度，受電鍍導線的布線限制，產(chǎn)品的布線能力無法做到小型化、超薄化、高密度；

2、采用導電線可電鍍引線框架，增加了單位面積的布線數(shù)量，導線會增加高頻信號對外的發(fā)射及相互間的耦合，增加信號的損耗，相互干擾和寄生耦合，制約高頻產(chǎn)品的性能；

3、采用導電線可電鍍引線框架，導電線的存在增加了與絕緣材料的接觸面積，在后續(xù)使用過程中增加了銅與絕緣材料分層的風險，導致產(chǎn)品失效；

4、采用導電線可電鍍引線框架，產(chǎn)品切割后會在側(cè)面露出所電鍍的導電線，在切割過程中導電線與絕緣材料間因機械應(yīng)力，易出現(xiàn)分層，進而降低產(chǎn)品的可靠性等級，影響產(chǎn)品的壽命；

5、采用導電線可電鍍引線框架，因增加了銅的含量，易導致銅與絕緣材料之間不匹配，影響產(chǎn)品的翹曲，影響后續(xù)封裝的作業(yè)性。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對上述現(xiàn)有技術(shù)提供一種預(yù)包封無導線可電鍍引線框架封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，它以整面預(yù)鍍的銅材為基材，對金屬線路層表面所需處理電鍍區(qū)域進行電鍍，電鍍完成后再蝕刻掉多余的預(yù)鍍銅材，從而實現(xiàn)無導線可電鍍的結(jié)構(gòu)，增加引線框架的高密度、高可靠性及優(yōu)秀的性能。

本發(fā)明解決上述問題所采用的技術(shù)方案為：一種預(yù)包封無導線可電鍍引線框架封裝結(jié)構(gòu)，它包括金屬線路層，所述金屬線路層背面設(shè)置有金屬引腳層，所述金屬線路層和金屬引腳層外圍包封有第一塑封料，所述金屬引腳層背面設(shè)置有蝕刻凹槽，所述金屬線路層正面設(shè)置有預(yù)鍍銅層，所述預(yù)鍍銅層正面設(shè)置有表面處理電鍍層，所述表面處理電鍍層上貼裝有芯片，所述預(yù)鍍銅層、表面處理電鍍層和芯片外圍包封有第二塑封料。

一種預(yù)包封無導線可電鍍引線框架封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，所述方法包括以下步驟：

步驟一、取一基材載板；

步驟二、基材載板表面預(yù)鍍銅層

步驟三、電鍍金屬線路層

在完成預(yù)鍍銅材的基材載板表面形成所需的金屬線路層；

步驟四、電鍍金屬引腳層

在金屬線路層的表面形成所需的金屬引腳層；

步驟五、填充絕緣材料

在金屬線路層及金屬引腳層外圍填充絕緣材料，對金屬線路層及金屬引腳層形成絕緣保護；

步驟六、去除基材載板

去除基材載板，保留基材載板正面的預(yù)鍍銅層；

步驟七、形成金屬引腳層深度

步驟八、形成表面處理電鍍層

在去除基材載板后保留的預(yù)鍍銅層表面形成一層表面處理電鍍層；

步驟九、去除預(yù)鍍銅層

去除無表面處理電鍍層處的預(yù)鍍銅層，露出金屬線路層；

步驟十、裝片

步驟十一、包封

對芯片外圍進行包封，對芯片進行保護；

步驟十二、切割成型

切割成單顆具有獨立電性能的產(chǎn)品。

所述基材載板的材質(zhì)為銅材、鐵材、鎳鐵材或鋅鐵材。

步驟二中的預(yù)鍍銅層采用化學鍍或是電解電鍍方式形成。

步驟六中的基材載板采用蝕刻或peeling方式去除。

表面處理電鍍層采用化學沉銅或電鍍的方式形成。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點在于：

1、本發(fā)明采用在整面預(yù)鍍銅層的基材載板上電鍍線路層，無需設(shè)計導電線，增加了布線的空間，可以做到更高的密度，更薄的厚度，實現(xiàn)高集成的電鍍設(shè)計能力；

2、本發(fā)明因無導電線存在最終的產(chǎn)品內(nèi)，減低了高頻信號對外的發(fā)射及相互間的耦合，減少了信號的損耗，相互干擾和寄生耦合，提升高頻產(chǎn)品的性能；

3、本發(fā)明取消了導電線設(shè)計，產(chǎn)品切割后側(cè)面無露出的導電線，取消了導電線與絕緣材料間因機械應(yīng)力，切割過程中應(yīng)力小，進而提升產(chǎn)品的可靠性等級，延長產(chǎn)品的壽命；

4、本發(fā)明無導電線設(shè)計，銅的比率降低，產(chǎn)品的翹曲會更加的小，降低后段封裝過程的難度。

附圖說明

圖1~圖13為本發(fā)明一種預(yù)包封無導線可電鍍引線框架封裝結(jié)構(gòu)制造方法的各工序流程示意圖。

圖14為本發(fā)明一種預(yù)包封無導線可電鍍引線框架封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。

圖15為本發(fā)明一種預(yù)包封無導線可電鍍引線框架封裝結(jié)構(gòu)另一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖16為現(xiàn)有采用蝕刻法得到的單顆產(chǎn)品通過導電線與邊筋連接成一個整體的示意圖。

其中：

金屬線路層1

金屬引腳層2

第一塑封料3

蝕刻凹槽4

預(yù)鍍銅層5

表面處理電鍍層6

芯片7

第二塑封料 8

導電線9

邊筋10。

具體實施方式

以下結(jié)合附圖實施例對本發(fā)明作進一步詳細描述。

參見圖14、15，本實施例中的一種預(yù)包封無導線可電鍍引線框架封裝結(jié)構(gòu)，它包括金屬線路層1，所述金屬線路層1背面設(shè)置有金屬引腳層2，所述金屬線路層1和金屬引腳層2外圍包封有第一塑封料3，所述金屬引腳層2背面設(shè)置有蝕刻凹槽4，所述金屬線路層1正面設(shè)置有預(yù)鍍銅層5，所述預(yù)鍍銅層5正面設(shè)置有表面處理電鍍層6，所述表面處理電鍍層6上貼裝有芯片7，所述預(yù)鍍銅層5、表面處理電鍍層6和芯片7外圍包封有第二塑封料8；

所述芯片7的貼裝方式采用正裝或倒裝。

其制造方法包括如下步驟：

步驟一、取一基材載板；

參見圖1，取一片厚度合適的基材載板，基材載板的材質(zhì)可以依據(jù)設(shè)計的功能與特性進行變換，例如：銅材、鐵材、鎳鐵材或鋅鐵材等；

步驟二、基材載板表面預(yù)鍍銅層

參見圖2，在基材載板表面電鍍一層銅層，目的是為后續(xù)電鍍作基礎(chǔ)，所述電鍍的方式可以采用化學鍍或是電解電鍍；

步驟三、電鍍金屬線路層

參見圖3，在完成預(yù)鍍銅材的基材載板表面通過電鍍形成所需的金屬線路層；

步驟四、電鍍金屬引腳層

參見圖4，在金屬線路層的表面通過電鍍形成所需的金屬引腳層；

步驟五、填充絕緣材料

參見圖5，利用壓膜、包封、印刷等工藝在金屬線路層及金屬引腳層外圍填充絕緣材料，對金屬線路層及金屬引腳層形成絕緣保護；

步驟六、去除基材載板

參見圖6，通過蝕刻、peeling等方式去除基材載板，保留基材載板正面的預(yù)鍍銅層；

步驟七、形成金屬引腳層深度

參見圖7，通過蝕刻等方式使金屬引腳層具有一定的深度；

步驟八、形成表面處理電鍍層

參見圖8，在去除基材載板后保留的預(yù)鍍銅層表面通過化學沉銅或電鍍的方式形成一層薄的表面處理電鍍層；

步驟九、去除預(yù)鍍銅層

參見圖9，通過蝕刻等方式去除無表面處理電鍍層處的預(yù)鍍銅層，露出金屬線路層；

步驟十、裝片

參加圖10，在裝芯片區(qū)域裝芯片，芯片可以是正裝，也可以倒裝；

步驟十一、打線

參見圖11，正裝芯片的產(chǎn)品進行打線，使芯片與框架進行導通，滿足電性能要求，倒裝芯片不需要打線；

步驟十二、包封

參見圖12，對芯片外圍進行包封，對芯片進行保護；

步驟十三、切割成型

參加圖13，切割成單顆具有獨立電性能的產(chǎn)品。

除上述實施例外，本發(fā)明還包括有其他實施方式，凡采用等同變換或者等效替換方式形成的技術(shù)方案，均應(yīng)落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍之內(nèi)。