本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件的技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種引線框架結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的引線框架如圖1所示，包括基島1′，基島1′外環(huán)繞有引腳和連接腳(后續(xù)會(huì)被切除)，引腳包括與基島1′間隔設(shè)置(即未與基島1′直接連接)的第一引腳2′和與基島直接連接的第二引腳，引線框架在與芯片焊接后會(huì)進(jìn)行塑封處理，塑封后如圖2所示，在將塑封后的引線框架切筋(即將連接腳切除)和成形(將引腳折彎呈類似于S形)時(shí)，如圖3和圖4所示，第一引腳2′在成形時(shí)會(huì)被拉動(dòng)，從圖3中2′被拉動(dòng)到2a′的位置，使得銅2b′外露、塑封內(nèi)部的焊線(連接于芯片和引腳之間的導(dǎo)線)也因此斷裂，導(dǎo)致塑封后的引線框架報(bào)廢。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的第一目的在于提出一種引線框架結(jié)構(gòu)，利用凸起增加引腳和塑封膠體之間的結(jié)合力，避免引腳被拉動(dòng)，從而避免焊線斷裂。

為達(dá)此目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案：

一種引線框架結(jié)構(gòu)，包括基島和環(huán)繞所述基島設(shè)置的引腳，所述引腳包括與所述基島間隔設(shè)置的第一引腳，所述第一引腳的側(cè)面上靠近所述基島的區(qū)域設(shè)置有凸出于所述側(cè)面的凸起。

其中，所述凸起通過沖壓或蝕刻形成。

其中，所述凸起凸出于側(cè)面的高度為0.05mm-0.15mm。

其中，所述凸起凸出于側(cè)面的高度為0.075mm。

其中，所述凸起為尖端形。

其中，所述凸起位于所述側(cè)面的邊緣處。

其中，所述第一引腳靠近基島的一端沿所述基島的外圍間隔設(shè)置，且向遠(yuǎn)離所述基島的一側(cè)傾斜，并形成傾斜面，所述凸起位于所述傾斜面與所述側(cè)面的交接處。

其中，所述第一引腳的數(shù)目為多個(gè)，多個(gè)第一引腳環(huán)繞所述基島設(shè)置，每個(gè)所述第一引腳上均設(shè)置有所述凸起。

本實(shí)用新型的第二目的在于提出一種半導(dǎo)體器件，利用凸起增加引腳和塑封膠體之間的結(jié)合力，避免引腳被拉動(dòng)，從而避免焊線斷裂。

為達(dá)此目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案：

一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括上述的引線框架結(jié)構(gòu)。

有益效果：本實(shí)用新型提供了一種引線框架結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體器件。引線框架結(jié)構(gòu)包括基島和環(huán)繞所述基島設(shè)置的引腳，所述引腳包括與所述基島間隔設(shè)置的第一引腳，所述第一引腳的側(cè)面上靠近所述基島的區(qū)域設(shè)置有凸出于所述側(cè)面的凸起。凸起可以增加引腳和塑封膠體之間的結(jié)合力，避免引腳被拉動(dòng)，從而避免焊線斷裂，提高了引線框架在切筋成形后的良品率，且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的引線框架的主視圖。

圖2是現(xiàn)有技術(shù)的引線框架的進(jìn)行塑封后的主視圖。

圖3是現(xiàn)有技術(shù)的塑封后的引線框架的切筋成形后的主視圖。

圖4是現(xiàn)有技術(shù)的塑封后的引線框架的切筋成形后的側(cè)圖。

圖5是本實(shí)用新型的引線框架的主視圖。

圖6是圖5的A處的局部放大圖。

圖7是本實(shí)用新型的引線框架的進(jìn)行塑封后的主視圖。

圖8是本實(shí)用新型的塑封后的引線框架的切筋成形后的主視圖。

其中：

1-基島，2-第一引腳，21-凸起，1′-基島，2′-第一引腳，2a′-變形后的第一引腳，2b′-銅。

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型解決的技術(shù)問題、采用的技術(shù)方案和達(dá)到的技術(shù)效果更加清楚，下面結(jié)合附圖并通過具體實(shí)施方式來進(jìn)一步說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案。

實(shí)施例1

本實(shí)施例提供了一種引線框架結(jié)構(gòu)，如圖5和圖6所示，包括基島1和環(huán)繞基島1設(shè)置的引腳，引腳包括與基島1間隔設(shè)置的第一引腳2，第一引腳2的側(cè)面上靠近基島1的區(qū)域設(shè)置有凸出于側(cè)面的凸起21。引腳也包括了直接與基島1連接的第二引腳，第二引腳由于直接與基島1連接，在折彎時(shí)受到基島1的拉力，不會(huì)被拉動(dòng)。第一引腳2通過在側(cè)面(側(cè)面是指第一引腳2延伸的兩側(cè)的面)設(shè)置凸起21，第一引腳2的側(cè)面不再是光面，可以增加第一引腳2和塑封膠體之間的結(jié)合力，避免第一引腳2被拉動(dòng)，從而避免焊線斷裂，提高了引線框架在切筋成形后的良品率，且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低。本實(shí)施例的引線框架在塑封后如圖7所示，在經(jīng)過切筋和折彎后，如圖8所示，第一引腳2仍然保持在原位置，不會(huì)被拉動(dòng)。

凸起21可以通過沖壓形成，即在沖壓形成第一引腳2時(shí)，在此處加大沖壓模之間的間隙，故意形成毛刺結(jié)構(gòu)，形成凸起21，此種方式不需要增加額外工序，簡(jiǎn)單可靠。凸起21也可以由蝕刻形成，此種方式可以不改變現(xiàn)有的沖壓模具，重新經(jīng)過蝕刻形成凸起21。凸起21還可以不拘于上述的形成方式，只要能形成從側(cè)面凸出的凸起21即可，均可以避免第一引腳21被拉動(dòng)。凸起21凸出于側(cè)面的高度最低不能低于0.05mm，否則不能拉住第一引腳，導(dǎo)致第一引腳由于與塑封膠體之間結(jié)合力偏低而被拉動(dòng)；由于第一引腳2與基島1之間的間隔不太大，因此，為了避免芯片短路，凸起21的高度凸起21凸出的高度不宜超過0.15mm，凸起21凸出于側(cè)面的高度在0.075mm比較適宜，可以兼顧第一引腳2與塑封膠體的結(jié)合力和間隙。本實(shí)施例的凸起21為尖端形，此種結(jié)構(gòu)易于成型，其他形狀也可以，此處不對(duì)其作限制。

本實(shí)施例的凸起21設(shè)置于側(cè)面的邊緣處，由于第一引腳2折彎時(shí)比較靠近塑封膠體的邊緣，而為了塑封后的尺寸盡可能小，塑封膠體本身的邊緣也已經(jīng)非常貼近引腳的端部，因此，可以將凸起21設(shè)置于側(cè)面的邊緣處，從而保證凸起21位于塑封膠體內(nèi)，且在前端拉住第一引腳2，避免第一引腳2被拉動(dòng)。具體而言，第一引腳2靠近基島1的一端沿基島1的外圍間隔設(shè)置，且向遠(yuǎn)離基島1的一側(cè)傾斜，并形成傾斜面，凸起21位于傾斜面與側(cè)面的交接處，避免第一引腳2被拉動(dòng)。由于第一引腳21的端部向遠(yuǎn)離基島1的一側(cè)偏離，因此，第一引腳2在遠(yuǎn)離基島1的一側(cè)本身已經(jīng)形成了凸出于側(cè)面的結(jié)構(gòu)，可以增強(qiáng)與塑封膠體之間的結(jié)合力，只需要在第一引腳2靠近基島1的側(cè)面與傾斜面的交接處設(shè)置凸起21即可。本實(shí)施例的第一引腳2的數(shù)目為多個(gè)，多個(gè)第一引腳2環(huán)繞基島1設(shè)置，每個(gè)第一引腳2上均設(shè)置有凸起21，保證每個(gè)第一引腳2均不被拉動(dòng)。

實(shí)施例2

本實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體器件，包括實(shí)施例1的引線框架結(jié)構(gòu)。第一引腳2通過在側(cè)面(側(cè)面是指第一引腳2延伸的兩側(cè)的面)設(shè)置凸起21，第一引腳2的側(cè)面不再是光面，可以增加第一引腳2和塑封膠體之間的結(jié)合力，避免第一引腳2被拉動(dòng)，從而避免焊線斷裂，提高了引線框架在切筋成形后的良品率，且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低。

以上內(nèi)容僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，依據(jù)本實(shí)用新型的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制。