技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法在將經(jīng)薄膜化的半導(dǎo)體晶片從支撐基板剝離時(shí)，使半導(dǎo)體晶片所受的損壞減少。實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法是在線剝離結(jié)束位置(E2)，通過(guò)將爪(6A)的前端插入到支撐基板(1)與粘接層(2)之間而在支撐基板(1)設(shè)置剝離面(H1)，并且在線剝離開(kāi)始位置(E1)，通過(guò)將爪(6B)的前端插入到支撐基板(1)與粘接層(2)之間而在支撐基板(1)設(shè)置剝離面(H2)，通過(guò)使剝離線(LH)沿剝離方向(DH)移動(dòng)而將支撐基板(1)從半導(dǎo)體晶片(W)剝離。

技術(shù)研發(fā)人員：白河達(dá)彥
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.08
技術(shù)公布日：2017.09.19