相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)要求于2016年3月9日提交的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)第62/305,715號(hào)的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用并入本文。本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體材料的加工，并且具體地，涉及用于清洗和材料移除的方法、系統(tǒng)和裝置。
背景技術(shù)：
：集成電路和半導(dǎo)體器件的制造可涉及許多不同類型的加工技術(shù)。這種技術(shù)通常涉及使基底圖案化并使用圖案來(lái)制造各種犧牲結(jié)構(gòu)和/或永久結(jié)構(gòu)。例如，可使用光刻法利用輻射敏感材料例如光致抗蝕劑的薄層來(lái)產(chǎn)生圖案化層。將該輻射敏感層轉(zhuǎn)化為圖案化掩模，其可用于將圖案蝕刻或轉(zhuǎn)移到基底上的一個(gè)或更多個(gè)下層中。因此，圖案化的光致抗蝕劑層可用作一個(gè)或更多個(gè)下層的定向(即各向異性)蝕刻的掩模?？蓪?duì)任何的各種材料包括氧化物、有機(jī)材料、硬掩模、金屬等進(jìn)行圖案化。集成電路和半導(dǎo)體器件的制造可為使材料沉積、對(duì)材料進(jìn)行改性、使材料圖案化和移除材料的循環(huán)工藝。通常需要移除給定基底上的一種類型的材料而不移除其他類型的材料?？蓪?shí)施各種清洗工藝以從給定基底上選擇性地移除或清洗材料。這樣的清洗工藝可包括使用特定化學(xué)物質(zhì)和/或物理機(jī)制從基底上清洗或移除材料的濕法清洗技術(shù)(例如反應(yīng)性液體化學(xué)品)和干法清洗技術(shù)(例如基于等離子體的清洗)。前述“背景”描述是出于一般地呈現(xiàn)本公開(kāi)上下文的目的。該
背景技術(shù)：
中描述的本發(fā)明人的工作進(jìn)行的程度以及描述的各方面不可限定為在遞交時(shí)的現(xiàn)有技術(shù)，也不能明確地或隱含地視為本發(fā)明的現(xiàn)有技術(shù)。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本公開(kāi)的一個(gè)方面包括一種用于加工基底的方法。該方法包括將基底設(shè)置在基底加工系統(tǒng)的加工室內(nèi)。該基底包括在基底的工作表面上的含碳材料的層。該方法還包括在基底加工系統(tǒng)的蒸氣處理區(qū)中接收過(guò)氧化氫蒸氣，通過(guò)處理蒸氣處理區(qū)中的過(guò)氧化氫蒸氣來(lái)產(chǎn)生羥基自由基蒸氣，以及將羥基自由基蒸氣和剩余的過(guò)氧化氫蒸氣引導(dǎo)至基底的工作表面，使含碳材料被化學(xué)改性。本公開(kāi)的另一方面包括一種基底加工系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括配置為保持基底的加工室。該基底包括在基底的工作表面上的含碳材料的層。基底加工系統(tǒng)還包括羥基自由基蒸氣產(chǎn)生系統(tǒng)，其配置為接收過(guò)氧化氫蒸氣，使過(guò)氧化氫蒸氣產(chǎn)生羥基自由基蒸氣，并且將羥基自由基蒸氣和剩余的過(guò)氧化氫蒸氣引導(dǎo)至基底的工作表面，使含碳材料被化學(xué)改性。本公開(kāi)的另一方面包括一種用于在基底加工系統(tǒng)中進(jìn)行基底清洗的裝置。該裝置包括：入口，其配置為接收過(guò)氧化氫蒸氣；紫外(uv)源，其配置為將過(guò)氧化氫蒸氣暴露于充足的uv輻射以產(chǎn)生羥基自由基蒸氣；和出口，其配置為將羥基自由基蒸氣和剩余的過(guò)氧化氫蒸氣引導(dǎo)至基底使含碳材料被化學(xué)改性，基底包括在基底的工作表面上的含碳材料的層。前述段落通過(guò)一般的介紹而提供，并且不旨在限制以下權(quán)利要求的范圍。通過(guò)參考結(jié)合附圖的以下詳細(xì)說(shuō)明將更好地理解所描述的實(shí)施方案以及進(jìn)一步的優(yōu)點(diǎn)。附圖說(shuō)明當(dāng)結(jié)合附圖并參照以下詳細(xì)說(shuō)明時(shí)，將更全面地理解本發(fā)明，并且將容易獲得許多伴隨的優(yōu)點(diǎn)，在附圖中：圖1是根據(jù)一個(gè)實(shí)例的用于加工基底的系統(tǒng)的示意圖；圖2a是根據(jù)一個(gè)實(shí)例的蒸氣加工系統(tǒng)的示意圖；圖2b是示出圖2a的系統(tǒng)的側(cè)視圖的示意圖；圖3是根據(jù)一個(gè)實(shí)例的用于加工基底的具有多個(gè)紫外(uv)曝光室的系統(tǒng)的示意圖；圖4是根據(jù)一個(gè)實(shí)例的用于加工基底的系統(tǒng)的示意圖；圖5是根據(jù)一個(gè)實(shí)例的有機(jī)過(guò)氧化物輸送系統(tǒng)的示意圖；圖6是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)例的用于加工基底的方法的流程圖；圖7是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)例的示例性結(jié)果的示意圖；以及圖8是根據(jù)一個(gè)實(shí)例的控制器的示例性框圖。具體實(shí)施方式現(xiàn)在參照附圖，其中在幾個(gè)視圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或相應(yīng)的部件，以下描述涉及用于基底的氣相羥基自由基加工的系統(tǒng)和相關(guān)方法。在整個(gè)說(shuō)明書中對(duì)“一個(gè)實(shí)施方案”或“實(shí)施方案”的引用意指結(jié)合該實(shí)施方案描述的特定特征、結(jié)構(gòu)、材料或特性包括在至少一個(gè)實(shí)施方案中，但不表示它們存在于每個(gè)實(shí)施方案中。因此，在說(shuō)明書中各個(gè)地方出現(xiàn)的措辭“在一個(gè)實(shí)施方案中”不一定指的是同一實(shí)施方案。此外，在一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施方案中，特定特征、結(jié)構(gòu)、材料或特性可以以任何合適的方式組合。本文所述的技術(shù)提供了不依賴于使用等離子體或高加工溫度(即，高于150℃)的低損傷氧化工藝。該技術(shù)包括產(chǎn)生用于移除含碳膜的高濃度的羥基自由基蒸氣?？梢栽诟邼舛冗^(guò)氧化氫流到達(dá)基底表面之前將其暴露于紫外(uv)輻射，以產(chǎn)生高濃度的羥基自由基蒸氣。這種氧化技術(shù)可提供用于處理半導(dǎo)體和平板基底的干法氧化工藝。通常，氧化清洗或氧化處理工藝依賴于氧化等離子體或高溫氧化濕化學(xué)品，例如硫酸和過(guò)氧化氫的混合物(spm)、標(biāo)準(zhǔn)清洗1(sc1)(有機(jī)清洗+顆粒清洗)、h2o2或氧化氣氛中的熱處理。過(guò)氧化氫的反應(yīng)性可通過(guò)加熱過(guò)氧化物和/或基片而提高，但是缺點(diǎn)在于過(guò)氧化氫對(duì)熱敏感分解成水和氧。就反應(yīng)性而言，羥基自由基(ho·)比單獨(dú)的h2o2顯著地更具氧化性。使用具有較高氧化電位的反應(yīng)物的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)允許移除在氧化性較低的條件下不易移除的膜。此外，與使用氧化性較低的反應(yīng)物的加工時(shí)間相比，使用氧化性較高的反應(yīng)物將減少移除目標(biāo)膜所需的加工時(shí)間。表1示出了多種氧化物質(zhì)的氧化電位，并且突出了羥基自由基與過(guò)氧化氫之間的氧化電位差。因此，通過(guò)將過(guò)氧化氫蒸氣轉(zhuǎn)化為羥基自由基蒸氣可提高過(guò)氧化氫蒸氣的反應(yīng)性。表1：氧化電位(v)氧化物質(zhì)氧化電位(v)氟(f2)3.0羥基自由基(ho·)2.7單態(tài)氧(o)2.4臭氧(o3)2.1氧氣(o2)1.2過(guò)氧化物(h2o2)1.8圖1是根據(jù)一個(gè)實(shí)例的用于加工基底的系統(tǒng)100的示意圖。系統(tǒng)100可包括半導(dǎo)體爐、單晶片加工系統(tǒng)、蝕刻系統(tǒng)(例如，等離子體加工系統(tǒng))和清洗工具。系統(tǒng)100可包括加工室102，在加工室102內(nèi)設(shè)置有用于接收基底104的基底保持器116如靜電卡盤。基底保持器116可為溫控卡盤?；?04包括在基底104的工作表面上的含碳材料的層。該層可通過(guò)本文所述的方法移除或處理。含碳材料的層選自半導(dǎo)體加工單元操作的含碳副產(chǎn)物、非晶碳、光致抗蝕劑或旋涂碳。例如，膜可包括碳膜，例如化學(xué)氣相沉積的非晶碳以及旋涂碳(spin-on-carbon，soc)。可使用多種光致抗蝕劑，包括離子注入光致抗蝕劑。也可處理蝕刻副產(chǎn)物膜例如蝕刻后聚合物。在基底加工系統(tǒng)100的蒸氣處理區(qū)120中接收過(guò)氧化氫蒸氣。這樣的過(guò)氧化氫蒸氣可以以高濃度(例如5000ppm至150000ppm)提供?？墒褂迷谡婵罩链髿鈮合庐a(chǎn)生高濃度的干h2o2或h2o2/h2o蒸氣的各種過(guò)氧化氫發(fā)生器。示例性過(guò)氧化氫蒸氣發(fā)生器由sandiego,ca的rasirc生產(chǎn)。相比于過(guò)氧化氫與水蒸氣的平衡蒸氣濃度，這種蒸氣發(fā)生器可提供更高濃度的過(guò)氧化氫。蒸氣處理區(qū)120可為基底加工室102內(nèi)基底104的工作表面上方的區(qū)域，或鄰近基底加工室102或基底加工室102外部的室或管內(nèi)的區(qū)域。通過(guò)處理蒸氣處理區(qū)120中的過(guò)氧化氫蒸氣來(lái)產(chǎn)生羥基自由基蒸氣。處理過(guò)氧化氫蒸氣包括將過(guò)氧化氫蒸氣暴露于紫外輻射。過(guò)氧化氫蒸氣的氧化性能可通過(guò)將過(guò)氧化氫蒸氣暴露于uv光以使過(guò)氧化氫裂化為羥基自由基蒸氣而得到提高。然后可以將產(chǎn)生的羥基自由基用于在基底表面上的直接氧化反應(yīng)，或在其他氣體存在下產(chǎn)生羥基自由基以產(chǎn)生有機(jī)自由基或有機(jī)過(guò)氧化物。因此，羥基自由基可顯著減少氧化工藝的時(shí)間，改善產(chǎn)量。羥基自由基蒸氣可在基底加工室中原位產(chǎn)生或在進(jìn)入加工室之前的單獨(dú)區(qū)域中產(chǎn)生。一些基底可對(duì)uv光敏感，因此在包含uv光曝光的相鄰區(qū)域中產(chǎn)生羥基自由基蒸氣可以是有益的。如圖1所示，可使高濃度的過(guò)氧化氫蒸氣流入基底加工室102?；准庸な?02可包括一個(gè)或更多個(gè)uv源106(例如uv燈)，其可放置在uv透明窗108的后面。隨著過(guò)氧化氫蒸氣從h2o2發(fā)生器110向基底流動(dòng)，uv輻射與過(guò)氧化氫蒸氣相互作用并形成羥基自由基蒸氣，然后使羥基自由基蒸氣向基底流動(dòng)。該系統(tǒng)還可包括蒸氣臭氧發(fā)生器112和蒸汽發(fā)生器114。h2o2發(fā)生器110、蒸氣臭氧發(fā)生器112、蒸汽發(fā)生器114和溫控基底保持器116可由控制器118控制以調(diào)節(jié)系統(tǒng)100的各種參數(shù)。一些基底上的材料對(duì)uv輻射敏感和/或可能被uv輻射損壞。因此，在某些情況下圖1所示的配置可能是非優(yōu)選的，原因是uv輻射可到達(dá)基底的工作表面。在另一些實(shí)施方案中，蒸氣處理區(qū)可位于鄰近基底加工室102或剛好在加工室外部，使得可用uv輻射產(chǎn)生羥基自由基蒸氣，然后可將羥基自由基蒸氣輸送到加工室而沒(méi)有uv輻射到達(dá)基底。圖2a是根據(jù)一個(gè)實(shí)例的蒸氣加工系統(tǒng)200的示意圖。產(chǎn)生254納米波長(zhǎng)的uv光源202是環(huán)繞有uv透明材料的細(xì)長(zhǎng)uv源。在該實(shí)例中，石英管204環(huán)繞uv光源202。外管206(其可包括uv反射材料)提供用于使過(guò)氧化氫蒸氣流過(guò)/圍繞uv光源202的管道。過(guò)氧化氫和uv透明載氣(例如氮?dú)?可經(jīng)由入口208引入。uv透明載氣可攜帶濕的或干的過(guò)氧化氫蒸氣通過(guò)管道以暴露于uv光源202。然后這樣的uv曝光使過(guò)氧化氫裂化產(chǎn)生羥基自由基，然后可使羥基自由基經(jīng)由出口210流至基底的工作表面。圖2b是示出圖2a的系統(tǒng)的側(cè)視截面圖的示意圖。圖3是根據(jù)一個(gè)實(shí)例的使用多個(gè)uv曝光室的加工基底的系統(tǒng)300的示意圖?？墒褂貌煌膗v光源來(lái)進(jìn)一步增加所產(chǎn)生的羥基自由基的濃度。多個(gè)uv曝光室和/或uv光源可用于產(chǎn)生羥基自由基。在一個(gè)實(shí)施方案中，該系統(tǒng)可包括第一曝光室302和第二曝光室304。第一曝光室302可包括具有第一波長(zhǎng)(例如185nm或172nm)的第一uv源306。第二曝光室304可包括具有第二波長(zhǎng)(例如254nm)的第二uv源308。將過(guò)氧化氫引入第一曝光室302中，并將來(lái)自第一曝光室的輸出(例如，h2o2、o2、h2o、ho·、o3、o)引導(dǎo)至第二曝光室304的輸入。然后將來(lái)自第二曝光室的輸出(例如，h2o2、o2、h2o、ho·)引導(dǎo)至基底加工室。多次曝光加工配置中的各曝光室的波長(zhǎng)的順序的選擇確定為自由基的壽命的函數(shù)。例如，如果原子氧(o)比臭氧(o3)更具反應(yīng)性，則有利的是在順序的最后(即，在基底加工室之前的最后曝光室中)產(chǎn)生原子氧以增加基底表面的反應(yīng)濃度，否則較高百分比的o可能在到達(dá)基底之前已在別處反應(yīng)。h2o2在254nm處強(qiáng)烈吸收，并分裂成羥基自由基。o3也在254nm處強(qiáng)烈吸收并可產(chǎn)生原子氧(o)和雙原子氧(o2)。如果存在o2，則185nm或172nm的光可使o2分子分解以產(chǎn)生原子氧。原子氧本身對(duì)基底具有反應(yīng)性或與氧反應(yīng)形成臭氧。臭氧比氧氣更具反應(yīng)性。如果使用h2o2/氮?dú)獾幕旌衔?，則僅使用波長(zhǎng)為254nm的曝光室。如果載氣是空氣，則可使用具有較短波長(zhǎng)的曝光室以增強(qiáng)氣體的反應(yīng)性。注意，將uv光源設(shè)置在管內(nèi)并使過(guò)氧化氫圍繞管流動(dòng)只是一個(gè)示例性配置。例如，uv源可位于過(guò)氧化氫蒸氣流過(guò)其中的管道周圍。各種幾何形狀可用于進(jìn)入基底加工室之前的預(yù)曝光室或管道。在一個(gè)實(shí)施方式中，可在基底加工室內(nèi)產(chǎn)生羥自由基蒸氣，同時(shí)使uv對(duì)基底的損害的危險(xiǎn)最小化。具體地，可引導(dǎo)uv光以使基底暴露于uv最小化。圖4是根據(jù)一個(gè)實(shí)例的用于加工基底的系統(tǒng)400的示意圖?？蓪⒐饣蚣す庾o(hù)套(sheath)402與基底404的工作表面平行地引導(dǎo)。因此，基底404基本上不經(jīng)受uv輻射。光護(hù)套402可具有距基底404的各種距離和高度。因此，可在接觸蒸氣處理區(qū)406中的基底404的工作表面之前即刻產(chǎn)生羥基自由基蒸氣。在另一些實(shí)施方案中，除了遞送濃縮的干燥或濕的過(guò)氧化氫之外，可包括如圖5所述的有機(jī)過(guò)氧化物遞送系統(tǒng)。圖5是根據(jù)一個(gè)實(shí)例的有機(jī)過(guò)氧化物輸送系統(tǒng)500的示意圖。有機(jī)過(guò)氧化物輸送系統(tǒng)500可包括一個(gè)或更多個(gè)入口(例如入口502)。烷烴或烯烴可經(jīng)由入口502注入到過(guò)氧化氫流中以形成有機(jī)過(guò)氧化物。有機(jī)過(guò)氧化物能夠用作聚合劑(例如，用于引發(fā)型化學(xué)氣相沉積(icvd))或用于接枝到表面上以提供表面改性。該實(shí)施方案的一個(gè)益處是避免了高能有機(jī)過(guò)氧化物作為消耗品的使用，以及避免了這種使用的輸送和存儲(chǔ)危險(xiǎn)。在有機(jī)過(guò)氧化物輸送系統(tǒng)500中有機(jī)過(guò)氧化物自由基根據(jù)需要而產(chǎn)生。第二入口504可用于將o2、烷烴或烯烴注入有機(jī)過(guò)氧化物自由基。所選擇的給定氣體組成以及用于照射的uv波長(zhǎng)決定了所產(chǎn)生的物質(zhì)?？刂普羝⒀鯕?、氮?dú)夂瓦^(guò)氧化氫的氣氛可控制在uv暴露之后給定的工藝氣體混合物中產(chǎn)生/存在的過(guò)氧物質(zhì)的比例。用uv進(jìn)行的各種氧/過(guò)氧化合物反應(yīng)的實(shí)例包括：o2+hv(<230nm)＝>2oo+o2+m＝o3+m(m為惰性的第三主體，例如n2)o3+hv(254nm)＝>o+o2o+h2o＝>2ho·h2o2+hv(<300nm)＝2ho·在不同的含碳材料的加工中不同的過(guò)氧化物物質(zhì)以是有利的。此外，在較高的加工溫度下可優(yōu)選某些過(guò)氧化物物質(zhì)。因此，可通過(guò)考慮所產(chǎn)生的過(guò)氧化物物質(zhì)的類型通過(guò)控制器118來(lái)控制基底溫度。因此，本文描述了用于產(chǎn)生羥基自由基蒸氣的多種不同實(shí)施方案。生成之后，將羥基自由基蒸氣和剩余的過(guò)氧化氫蒸氣引導(dǎo)至基底的工作表面，使得羥基自由基蒸氣接觸含碳材料的層。可將充足的羥基自由基蒸氣引導(dǎo)至基底的工作表面，以將含碳材料的層氧化成氣態(tài)，或以其他方式使有機(jī)材料層改性。在另一些實(shí)施方案中，將充足的羥基自由基蒸氣引導(dǎo)至基底的工作表面，使得氧和氫添加到含碳材料的碳結(jié)構(gòu)中。因此，含碳層被化學(xué)改性，但保留在原位，而不是被礦化成h2o和co2并以氣相移除。這樣的改性使得能夠使用經(jīng)uv處理的空氣進(jìn)行隨后的移除。將羥基自由基蒸氣引導(dǎo)至基底的工作表面可包括使基底保持在低于260攝氏度，或甚至低于100攝氏度，或者在給定的加工室壓力的過(guò)氧化氫蒸氣的冷凝溫度處及以下。例如，壓力可為6毫托至20托。因此，在經(jīng)氧化的含碳材料變成揮發(fā)物之后，可將其從加工室移除。例如，在氧化之后可使用泵或真空系統(tǒng)從加工室移除含碳材料。圖6是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)例的用于加工基底的方法600的流程圖。將基底設(shè)置在基底加工系統(tǒng)的加工室內(nèi)(602)?；卓砂ㄔ诨椎墓ぷ鞅砻嫔系暮疾牧系膶?。含碳材料可包括非晶碳、光致抗蝕劑、旋涂碳和蝕刻后聚合物殘留物。如上所述，蒸氣處理區(qū)可為基底上方的區(qū)域(例如，圖1或圖4的系統(tǒng)100)。在一個(gè)實(shí)施方式中，蒸氣處理區(qū)可在加工室的外部。例如，蒸氣處理區(qū)可包括配置為接收uv光或輻射的石英管(例如，圖2或圖3的曝光室)。在一個(gè)實(shí)例中，基底可保持在預(yù)定溫度下。預(yù)定溫度可為對(duì)于給定的加工室壓力低于過(guò)氧化氫蒸氣的冷凝溫度的溫度。在一個(gè)實(shí)例中，基底可保持在低于100攝氏度。在基底加工系統(tǒng)的蒸氣處理區(qū)中接收過(guò)氧化氫蒸氣(604)。在一個(gè)實(shí)施方案中，蒸氣處理區(qū)保持在大氣壓下。此外，可接收具有載氣的過(guò)氧化氫蒸氣。過(guò)氧化氫蒸氣的濃度可為1％至40％。例如，高濃度可用于有機(jī)移除反應(yīng)。通過(guò)在蒸氣處理區(qū)中處理過(guò)氧化氫蒸氣來(lái)產(chǎn)生羥基自由基蒸氣(606)。處理過(guò)氧化氫蒸氣可包括將過(guò)氧化氫蒸氣暴露于充足的uv輻射。充足的uv輻射為使過(guò)氧化氫蒸氣產(chǎn)生羥基自由基蒸氣的量，如本領(lǐng)域技術(shù)人員所理解的。在一個(gè)實(shí)施方案中，uv輻射源布置成使得基底基本上不暴露于uv輻射，例如，如圖4所示。將羥基自由基蒸氣和剩余的過(guò)氧化氫蒸氣引導(dǎo)至基底的工作表面，使得充足的羥基自由基蒸氣接觸含碳材料的層，使含碳材料被化學(xué)改性(608)。充足的羥基自由基蒸氣可為例如將基底暴露于蒸氣少于5分鐘，并且優(yōu)選少于2分鐘。在一個(gè)實(shí)施方式中，將基底暴露于蒸氣少于30秒。將氧和氫添加到含碳材料的碳結(jié)構(gòu)中。例如，含碳材料被氧化成氣態(tài)。在一個(gè)實(shí)施方式中，引導(dǎo)至基底104的羥基自由基蒸氣足以使含碳材料的層部分氧化。將經(jīng)氧化的含碳材料從加工室中移除(610)。在一個(gè)實(shí)施方式中，還將烷烴或烯烴輸入到基底加工系統(tǒng)的蒸氣處理區(qū)中。因此，通過(guò)將烷烴或烯烴暴露于uv輻射在蒸氣處理區(qū)中處理烷烴或烯烴以產(chǎn)生有機(jī)過(guò)氧化物。圖7是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)例的示例性結(jié)果的示意圖。圖700示出了對(duì)于brutus(即，高濃度過(guò)氧化氫氣體(干燥)和過(guò)氧化劑(即，高濃度過(guò)氧化氫氣體(濃縮物h2o2：diw混合物))的以納米計(jì)的非晶碳移除量。圖702示出了brutus和過(guò)氧化劑在不同溫度和時(shí)間下的非晶碳移除速率。將過(guò)氧化氫作為使用來(lái)源提供到加熱的管式反應(yīng)器中。brutus過(guò)氧化氫示出低的移除量。brutus是過(guò)氧化氫的高濃度干源(無(wú)水蒸汽)。過(guò)氧化劑過(guò)氧化氫在25℃下示出顯著的活性，如圖700和702所示。接著，參照?qǐng)D8描述根據(jù)示例性實(shí)施方案的控制器118的硬件描述。在圖8中，控制器118包括執(zhí)行本文所述工藝的cpu800。工藝數(shù)據(jù)和指令可存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器802中。這些工藝和指令還可存儲(chǔ)在存儲(chǔ)介質(zhì)盤804(例如硬盤驅(qū)動(dòng)器(hdd)或便攜式存儲(chǔ)介質(zhì))上，或者可以遠(yuǎn)程存儲(chǔ)。此外，所要求保護(hù)的優(yōu)勢(shì)不受存儲(chǔ)有本發(fā)明工藝的指令的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的形式的限制。例如，指令可存儲(chǔ)在cd、dvd、閃存存儲(chǔ)器、ram、rom、prom、eprom、eeprom、硬盤或控制器118與其進(jìn)行通信的任何其他信息處理器件(例如服務(wù)器或計(jì)算機(jī))中。此外，所要求保護(hù)的進(jìn)步可作為以下來(lái)提供：結(jié)合cpu800以及操作系統(tǒng)執(zhí)行的實(shí)用應(yīng)用、后臺(tái)守護(hù)程序或操作系統(tǒng)的組件或者其組合，所述操作系統(tǒng)如solaris、applemacostm和本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的其他系統(tǒng)。為了實(shí)現(xiàn)控制器118，可通過(guò)本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的多種不同電路元件來(lái)實(shí)現(xiàn)硬件元件。例如，cpu800可為來(lái)自美國(guó)intel的xenon或core處理器或來(lái)自美國(guó)amd的opteron處理器，或者可為本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到的其他處理器類型。或者，如本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到的，cpu800可以在fpga、asic、pld上或使用離散邏輯電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。此外，cpu800可實(shí)施為并行協(xié)作工作的多個(gè)處理器，以執(zhí)行上述發(fā)明工藝的指令。圖8中的控制器118還包括用于與網(wǎng)絡(luò)828對(duì)接的網(wǎng)絡(luò)控制器806，例如來(lái)自美國(guó)intelcorporation的intelethernetpro網(wǎng)絡(luò)接口卡。可以理解，網(wǎng)絡(luò)828可為公共網(wǎng)絡(luò)(如因特網(wǎng))，或?qū)Ｓ镁W(wǎng)絡(luò)(如lan或wan網(wǎng)絡(luò))，或者其任何組合，并且還可包括pstn或isdn子網(wǎng)絡(luò)。網(wǎng)絡(luò)828還可為有線的(如以太網(wǎng)網(wǎng)絡(luò))，或者可為無(wú)線的(如包括edge的蜂窩網(wǎng)絡(luò)、3g和4g無(wú)線蜂窩系統(tǒng))。無(wú)線網(wǎng)絡(luò)還可為或已知的任何其他無(wú)線形式的通信?？刂破?18還包括顯示控制器808，例如來(lái)自美國(guó)nvidiacorporation的gtx或圖形適配器，用于與顯示器810(例如hewletthpl2445wlcd監(jiān)視器)對(duì)接。通用i/o接口812與鍵盤和/或鼠標(biāo)814以及在顯示器810上或與顯示器810分離的可選觸摸屏面板816對(duì)接。通用i/o接口還連接至各種外圍設(shè)備818，包括打印機(jī)和掃描儀(例如來(lái)自hewlettpackard的或)。在控制器118中還提供了聲音控制器820，例如來(lái)自creative的soundx-fi以與揚(yáng)聲器/麥克風(fēng)822對(duì)接，從而提供聲音和/或音樂(lè)。通用存儲(chǔ)控制器824將存儲(chǔ)介質(zhì)盤804與用于使控制器118的所有組件互聯(lián)的總線826(其可為isa、eisa、vesa、pci等)連接。為簡(jiǎn)潔起見(jiàn)，這里省略了顯示器810、鍵盤和/或鼠標(biāo)814以及顯示控制器808、存儲(chǔ)控制器824、網(wǎng)絡(luò)控制器806、聲音控制器820和通用i/o接口812的一般特征和功能的描述，因?yàn)檫@些特征是已知的。在前面的描述中，已闡述了具體細(xì)節(jié)，例如加工系統(tǒng)的特定幾何形狀以及其中使用的多種不同組件和工藝的描述。然而，應(yīng)理解，本文的技術(shù)可以在背離這些具體細(xì)節(jié)的另一些實(shí)施方案中實(shí)踐，并且這些細(xì)節(jié)是出于解釋而非限制的目的。已參照附圖描述了本文公開(kāi)的實(shí)施方案。類似地，出于說(shuō)明的目的，已闡述了具體的數(shù)字、材料和配置以提供透徹的理解。然而，可以在沒(méi)有這些具體細(xì)節(jié)的情況下實(shí)踐實(shí)施方案。具有基本上相同的功能結(jié)構(gòu)的部件由相同的附圖標(biāo)記表示，因此可省略任何冗余的描述。多種不同技術(shù)已經(jīng)描述為多個(gè)獨(dú)立操作以幫助理解多種不同實(shí)施方案。描述的順序不應(yīng)解釋為暗示這些操作必須依賴順序。實(shí)際上，這些操作不需要按照呈現(xiàn)的順序來(lái)進(jìn)行。所描述的操作可以以與所描述的實(shí)施方案不同的順序來(lái)進(jìn)行。在另外的實(shí)施方案中可進(jìn)行各種另外的操作和/或可省略所描述的操作。如本文所用的“基底”或“目標(biāo)基底”一般是指根據(jù)本發(fā)明進(jìn)行加工的物體。基底可包括器件，特別是半導(dǎo)體或其他電子器件的任何材料部分或結(jié)構(gòu)，并且可例如為基礎(chǔ)基底結(jié)構(gòu)(例如半導(dǎo)體晶片、掩模版)或者在基礎(chǔ)基底上或覆于基礎(chǔ)基底上的層(如薄膜)。因此，基底不限于任何特定的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)、下層或上層、圖案化或未圖案化的，而是預(yù)期包括任何這樣的層或基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)，以及層和/或基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)的任何組合。該描述可以參考特定類型的基底，但是這僅是出于說(shuō)明的目的。本領(lǐng)域技術(shù)人員還將理解，可對(duì)以上解釋的技術(shù)的操作進(jìn)行許多變化，同時(shí)仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的相同目的。這樣的變化旨在被本公開(kāi)的范圍覆蓋。因此，本發(fā)明的實(shí)施方案的以上描述不旨在是限制性的。相反，本發(fā)明的實(shí)施方案的任何限制在以下權(quán)利要求中給出。當(dāng)前第1頁(yè)12