本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域以及半導(dǎo)體測試領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種用于減少晶圓邊緣良率測試問題的方法。

背景技術(shù)：

晶圓級測試(CP Test，也稱為晶圓級測試)是半導(dǎo)體制造工藝的一個(gè)重要步驟。采用晶圓級測試可以獲得早期的器件特征。

但是，有些產(chǎn)品在進(jìn)行晶圓良率測試時(shí)，會遇到晶圓邊緣低良率的問題，甚至有些單芯片面積大的產(chǎn)品良率低到5％。這是不期望出現(xiàn)的。

實(shí)際上，這種晶圓邊緣低良率與測試扎針有關(guān)。具體地說，晶圓邊緣的不完整的芯片(partial die)可以導(dǎo)致一次扎針時(shí)(多芯片同時(shí)測試)的其他完整的芯片直接由于不完整芯片針腳漏電，由此被直接判定失效。

圖1示意性地示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的金屬層和鈍化層的晶圓邊緣曝光和洗邊的距離的結(jié)示意圖。如圖1所示，在現(xiàn)有技術(shù)中，金屬層和鈍化層的洗邊(WEE(wafer edge exposure，晶圓邊緣曝光)/EBR(edge bead remove，光刻時(shí)的晶圓邊緣洗邊))距離是從邊緣起2.8mm的范圍，通孔層的光刻洗邊是從邊緣起1.0mm的范圍。通孔鎢插塞張膜時(shí)，機(jī)械設(shè)置在晶圓邊緣起1.5mm的范圍內(nèi)不生長。這樣，在邊緣起1.5mm到2.8mm的范圍內(nèi)，物理材質(zhì)是金屬之間的介電層和鎢插塞，通孔的鎢插塞經(jīng)過晶圓邊緣曝光之后，晶圓邊緣0-2.8mm部分的鈍化層被去掉了。由此，會造成如上所述的與測試扎針有關(guān)的這種晶圓邊緣低良率。

由此，在半導(dǎo)體測試領(lǐng)域中，希望能夠提供一種能夠有效地減少晶圓邊緣良率測試問題的方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠減少晶圓邊緣良率測試問題的方法。

為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種用于減少晶圓邊緣良率測試問題的方法，包括：

第一步驟：獲取對晶圓的鈍化層執(zhí)行光刻所將要采用的圖案化光罩和圖案化光阻；

第二步驟：將所述圖案化光罩變成反相的以得到反相的圖案化光罩，而且在保持光阻圖案不變的情況下使得所述圖案化光阻的正負(fù)屬性變化以得到相反的圖案化光阻；

第三步驟：利用所述反相的圖案化光罩和所述相反的圖案化光阻，對晶圓執(zhí)行光刻。

優(yōu)選地，在所述用于減少晶圓邊緣良率測試問題的方法中，利用所述圖案化光罩和所述圖案化光阻對晶圓的鈍化層執(zhí)行光刻，將使得晶圓的鈍化層的從晶圓邊緣到距離晶圓邊緣預(yù)定距離的半徑處圓環(huán)之間的范圍內(nèi)的鈍化層區(qū)域被去除。

優(yōu)選地，在所述用于減少晶圓邊緣良率測試問題的方法中，所述預(yù)定距離為2.8mm。

優(yōu)選地，在所述用于減少晶圓邊緣良率測試問題的方法中，所述圖案化光罩形成的光罩圖案變成所述反相的圖案化光罩的鏤空部分。

優(yōu)選地，在所述用于減少晶圓邊緣良率測試問題的方法中，所述反相的圖案化光罩形成的光罩圖案是所述圖案化光罩的鏤空部分。

優(yōu)選地，在所述用于減少晶圓邊緣良率測試問題的方法中，所述圖案化光阻是正光阻，所述相反的圖案化光阻是負(fù)光阻。進(jìn)一步優(yōu)選地，在所述用于減少晶圓邊緣良率測試問題的方法中，在第二步驟中，使得所述圖案化光阻從正光阻變成負(fù)光阻。即，在所述圖案化光阻是正光阻的情況下，在第二步驟中，使得所述圖案化光阻從正光阻變成負(fù)光阻。

優(yōu)選地，在所述用于減少晶圓邊緣良率測試問題的方法中，所述圖案化光阻是負(fù)光阻，所述相反的圖案化光阻是正光阻。進(jìn)一步優(yōu)選地，在所述用于減少晶圓邊緣良率測試問題的方法中，在第二步驟中，使得所述圖案化光阻從負(fù)光阻變成正光阻。即，在所述圖案化光阻是負(fù)光阻的情況下，在第二步驟中，使得所述圖案化光阻從負(fù)光阻變成正光阻。

優(yōu)選地，在所述用于減少晶圓邊緣良率測試問題的方法中，所述用于減少晶圓邊緣良率測試問題的方法用于晶圓的晶圓級測試。

在根據(jù)本發(fā)明的用于減少晶圓邊緣良率測試問題的方法中，晶圓邊緣的鈍化層保留下來，并且高度不會突出，不會影響晶圓后續(xù)的制程(例如測試，劃片等制程)；由于鈍化層保留下來，就不會發(fā)生現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)的在晶圓級測試過程中由于一起扎針時(shí)某個(gè)不完整的芯片的邊緣的露出的鎢而導(dǎo)致針與針之間的漏電，從而導(dǎo)致一起扎針的其他芯片被判為失效的問題。在根據(jù)本發(fā)明的用于減少晶圓邊緣良率測試問題的方法中，將鈍化層的光罩和光阻都變成反相的，這樣既保持了晶圓中，除去邊緣位置開始的預(yù)定部分(例如，2.8mm的部分)，其他部分圖形不變；而從邊緣起到預(yù)定部分(2.8mm的部分)，鈍化層保留下來；這樣就不會產(chǎn)生測試假失效的問題。根據(jù)本發(fā)明的用于減少晶圓邊緣良率測試問題的方法可有利地用于晶圓的晶圓級測試。

附圖說明

結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細(xì)描述，將會更容易地對本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中：

圖1示意性地示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的金屬層和鈍化層的晶圓邊緣曝光和洗邊的距離的結(jié)示意圖。

圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的金屬層和鈍化層的晶圓邊緣曝光和洗邊的距離的結(jié)示意圖。

圖3示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的用于減少晶圓邊緣良率測試問題的方法的流程圖。

需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。

本發(fā)明的發(fā)明人提出，在根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的用于減少晶圓邊緣良率測試問題的方法中，將鈍化層的光罩和光阻都變成反相的，這樣既保持了晶圓中，除去邊緣位置開始的預(yù)定部分，其他部分圖形不變；而從邊緣起到預(yù)定部分，鈍化層保留下來，這樣就不會產(chǎn)生測試假失效的問題。

圖3示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的用于減少晶圓邊緣良率測試問題的方法的流程圖。

具體地說，如圖3所示，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的用于減少晶圓邊緣良率測試問題的方法包括依次執(zhí)行的下述步驟：

第一步驟S1：獲取對晶圓的鈍化層執(zhí)行光刻所將要采用的圖案化光罩和圖案化光阻；

優(yōu)選地，其中所述圖案化光阻是正光阻。

其中，利用所述圖案化光罩和所述圖案化光阻對晶圓的鈍化層執(zhí)行光刻，將使得晶圓的鈍化層的從晶圓邊緣到距離晶圓邊緣預(yù)定距離的半徑處圓環(huán)之間的范圍內(nèi)的鈍化層區(qū)域被去除。

優(yōu)選地，所述預(yù)定距離為2.8mm。當(dāng)然，所述預(yù)定距離也可能是其它適當(dāng)數(shù)值或數(shù)值范圍。

第二步驟S2：將所述圖案化光罩變成反相的以得到反相的圖案化光罩，而且在保持光阻圖案不變的情況下使得所述圖案化光阻的正負(fù)屬性變化以得到相反的圖案化光阻；

對于圖案化光罩的反相，具體地，所述圖案化光罩形成的光罩圖案變成所述反相的圖案化光罩的鏤空部分；而且具體地，所述反相的圖案化光罩形成的光罩圖案是所述圖案化光罩的鏤空部分。

例如，在某些具體實(shí)施例中，在所述圖案化光阻是正光阻的情況下，在第二步驟S2中，使得所述圖案化光阻從正光阻變成負(fù)光阻。例如，在其它具體實(shí)施例中，在所述圖案化光阻是負(fù)光阻的情況下，在第二步驟S2中，使得所述圖案化光阻從負(fù)光阻變成正光阻。一般，優(yōu)選地，所述圖案化光阻是正光阻，所述相反的圖案化光阻是負(fù)光阻。

第三步驟S3：利用所述反相的圖案化光罩和所述相反的圖案化光阻，對晶圓執(zhí)行光刻。

圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的金屬層和鈍化層的晶圓邊緣曝光和洗邊的距離的結(jié)示意圖。

如圖2所示，在根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的用于減少晶圓邊緣良率測試問題的方法中，晶圓邊緣的鈍化層保留下來，并且高度不會突出，不會影響晶圓后續(xù)的制程(例如測試，劃片等制程)；由于鈍化層保留下來，就不會發(fā)生現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)的在晶圓級測試過程中由于一起扎針時(shí)某個(gè)不完整的芯片的邊緣的露出的鎢而導(dǎo)致針與針之間的漏電，從而導(dǎo)致一起扎針的其他芯片被判為失效的問題。在根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的用于減少晶圓邊緣良率測試問題的方法中，將鈍化層的光罩和光阻都變成反相的，這樣既保持了晶圓中，除去邊緣位置開始的預(yù)定部分(例如，2.8mm的部分)，其他部分圖形不變；而從邊緣起到預(yù)定部分(2.8mm的部分)，鈍化層保留下來；這樣就不會產(chǎn)生測試假失效的問題。

根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的用于減少晶圓邊緣良率測試問題的方法可有利地用于晶圓的晶圓級測試。

此外，需要說明的是，除非特別說明或者指出，否則說明書中的術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說明書中的各個(gè)組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個(gè)組件、元素、步驟之間的邏輯關(guān)系或者順序關(guān)系等。

可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而上述實(shí)施例并非用以限定本發(fā)明。對于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。

而且還應(yīng)該理解的是，本發(fā)明并不限于此處描述的特定的方法、化合物、材料、制造技術(shù)、用法和應(yīng)用，它們可以變化。還應(yīng)該理解的是，此處描述的術(shù)語僅僅用來描述特定實(shí)施例，而不是用來限制本發(fā)明的范圍。必須注意的是，此處的以及所附權(quán)利要求中使用的單數(shù)形式“一個(gè)”、“一種”以及“該”包括復(fù)數(shù)基準(zhǔn)，除非上下文明確表示相反意思。因此，例如，對“一個(gè)元素”的引述意味著對一個(gè)或多個(gè)元素的引述，并且包括本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的它的等價(jià)物。類似地，作為另一示例，對“一個(gè)步驟”或“一個(gè)裝置”的引述意味著對一個(gè)或多個(gè)步驟或裝置的引述，并且可能包括次級步驟以及次級裝置。應(yīng)該以最廣義的含義來理解使用的所有連詞。因此，詞語“或”應(yīng)該被理解為具有邏輯“或”的定義，而不是邏輯“異或”的定義，除非上下文明確表示相反意思。此處描述的結(jié)構(gòu)將被理解為還引述該結(jié)構(gòu)的功能等效物?？杀唤忉尀榻频恼Z言應(yīng)該被那樣理解，除非上下文明確表示相反意思。