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一種功率半導(dǎo)體模塊底板預(yù)彎結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號:12451022閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種功率半導(dǎo)體模塊底板預(yù)彎結(jié)構(gòu),包括底板本體(1)、上接觸面(2)、下接觸面(3)和固定孔(4),固定孔(4)設(shè)置在底板本體(1)上,所述上接觸面(2)在長度方向呈內(nèi)凹圓弧面,下接觸面(3)為外凸圓弧面,外凸圓弧面與內(nèi)凹圓弧面平行,底板本體(1)為倒扇形環(huán),其特征是:在上接觸面(2)上設(shè)有變形槽(5)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體模塊底板預(yù)彎結(jié)構(gòu),其特征是:內(nèi)凹圓弧面的扇形角為115°~120°,內(nèi)凹圓弧面的玄高(h)與內(nèi)凹圓弧面的玄長(a)之間的關(guān)系為:h=(1.5~3)a/1000~1500。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體模塊底板預(yù)彎結(jié)構(gòu),其特征是:在上接觸面(2)上設(shè)有兩個以上變形槽(5),變形槽(5)沿上接觸面(2)的長度方向間隔設(shè)置。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的功率半導(dǎo)體模塊底板預(yù)彎結(jié)構(gòu),其特征是:在上接觸面(2)上沿長度方向等間距設(shè)有三個變形槽(5)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體模塊底板預(yù)彎結(jié)構(gòu),其特征是:在上接觸面(2)的寬度方向等間距設(shè)置有三個變形槽(5)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體模塊底板預(yù)彎結(jié)構(gòu),其特征是:所述變形槽(5)的中心線與底板本體(1)的長度邊垂直或平行。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體模塊底板預(yù)彎結(jié)構(gòu),其特征是:所述變形槽(5)的中心線與底板本體(1)的長度邊夾角為1°~89°。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率半導(dǎo)體模塊底板預(yù)彎結(jié)構(gòu),其特征是:所述變形槽(5)的中心線與底板本體(1)的長度邊夾角為45°。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體模塊底板預(yù)彎結(jié)構(gòu),其特征是:所述變形槽(5)的截面形狀為圓弧形或多邊形。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的功率半導(dǎo)體模塊底板預(yù)彎結(jié)構(gòu),其特征是:所述變形槽(5)的截面形狀為圓弧形。

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