相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2015年12月24日提交至韓國知識產(chǎn)權(quán)局的第10-2015-0186463號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該韓國專利申請的內(nèi)容通過引用以其整體并入本文。

本公開涉及有機(jī)發(fā)光顯示器。

背景技術(shù)：

應(yīng)用于多媒體設(shè)備(例如，電視機(jī)、移動電話、平板電腦、導(dǎo)航裝置、游戲裝置等)的多種顯示器已經(jīng)被開發(fā)。

出現(xiàn)了這樣一種顯示器，即有機(jī)發(fā)光二極管(oled)顯示器(或有機(jī)發(fā)光顯示器)。oled顯示器是自發(fā)射顯示設(shè)備，并具有諸如寬視角、高對比度、快響應(yīng)時間等的優(yōu)點。

oled顯示器包括有機(jī)發(fā)光顯示面板，并且近年來，已經(jīng)開發(fā)了用于將由有機(jī)發(fā)光顯示面板生成的熱量排出至oled顯示器外部的多種方法。

例如，題為“高散熱陶瓷復(fù)合物、用于制造該高散熱陶瓷復(fù)合物的方法及其使用(high-heatdissipationceramiccomposite,methodformanufacturingsame,andusethereof)”的第10-1524728號韓國專利(國際專利申請公開號wo2015-093825)公開了具有高發(fā)射率的散熱劑。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本公開提供一種有機(jī)發(fā)光顯示器，其具有抗外部碰撞的高耐久性并有效地耗散由有機(jī)發(fā)光顯示面板生成的熱量。

本發(fā)明構(gòu)思的實施方式提供包括有機(jī)發(fā)光顯示面板、熱輻射層以及保護(hù)構(gòu)件的有機(jī)發(fā)光顯示器。根據(jù)一個實施方式，有機(jī)發(fā)光顯示器包括有機(jī)發(fā)光顯示面板、熱輻射層以及保護(hù)構(gòu)件，其中，有機(jī)發(fā)光顯示面板包括發(fā)光表面和與發(fā)光表面相對的非發(fā)光表面，熱輻射層在非發(fā)光表面上并具有等于或大于約0.8且小于約1的發(fā)射率，保護(hù)構(gòu)件與熱輻射層間隔以使得空氣層在保護(hù)構(gòu)件和熱輻射層之間。保護(hù)構(gòu)件包括基底層和吸熱層，其中，吸熱層具有比基底層的發(fā)射率更大的發(fā)射率。

吸熱層可包括基底層的材料的氧化物。

基底層可包括鋁。

吸熱層可具有黑色。

有機(jī)發(fā)光顯示器還可包括多個粘合構(gòu)件，該多個粘合構(gòu)件在有機(jī)發(fā)光顯示面板和保護(hù)構(gòu)件之間并將有機(jī)發(fā)光顯示面板和保護(hù)構(gòu)件相互聯(lián)接。

粘合構(gòu)件中的每個可具有多個氣孔。

粘合構(gòu)件中的每個可具有比有機(jī)發(fā)光顯示面板的熱導(dǎo)率更大的熱導(dǎo)率。

有機(jī)發(fā)光顯示器還可包括第一數(shù)據(jù)驅(qū)動器和第二數(shù)據(jù)驅(qū)動器，其中，第一數(shù)據(jù)驅(qū)動器與有機(jī)發(fā)光顯示面板的第一側(cè)相鄰，第二數(shù)據(jù)驅(qū)動器與有機(jī)發(fā)光顯示面板的第二側(cè)相鄰。粘合構(gòu)件中的一個可與有機(jī)發(fā)光顯示面板的第一側(cè)或第二側(cè)相鄰。

有機(jī)發(fā)光顯示器還可包括在基底層的一個表面上的熱輻射層，并且該熱輻射層可具有等于或大于約0.8且小于約1的發(fā)射率。

有機(jī)發(fā)光顯示器還可包括驅(qū)動電路板和散熱構(gòu)件，其中，驅(qū)動電路板用于對信號進(jìn)行控制以驅(qū)動有機(jī)發(fā)光顯示面板，散熱構(gòu)件與驅(qū)動電路板相鄰以阻止熱量從驅(qū)動電路板耗散至有機(jī)發(fā)光顯示面板。

有機(jī)發(fā)光顯示器還可包括在散熱構(gòu)件上的熱輻射層，并且該熱輻射層可具有等于或大于約0.8且小于約1的發(fā)射率。

有機(jī)發(fā)光顯示器還可包括底蓋，其中有機(jī)發(fā)光顯示面板、保護(hù)構(gòu)件、驅(qū)動電路板以及散熱構(gòu)件布置在底蓋中。底蓋可包括具有等于或大于約0.8且小于約1的發(fā)射率的熱輻射層。

吸熱層可包括銅。

吸熱層可具有黑色。

基底層可包括鋁。

吸熱層可包括具有等于或大于約0.8且小于約1的發(fā)射率的熱輻射層。

熱輻射層可包括熱輻射涂料。

熱輻射層可具有等于或大于約20微米且等于或小于約50微米的厚度。

熱輻射層可包括鐵氧化物、硅氧化物、鎂氧化物或鋁氧化物中的至少一種。

根據(jù)另一實施方式，顯示設(shè)備包括有機(jī)發(fā)光顯示面板和保護(hù)構(gòu)件，其中，有機(jī)發(fā)光顯示面板包括提供圖像信息的第一表面和涂覆有熱輻射涂料的第二表面，該熱輻射涂料具有等于或大于約0.8且小于約1的發(fā)射率，保護(hù)構(gòu)件與有機(jī)發(fā)光顯示面板間隔并包括面對有機(jī)發(fā)光顯示面板的第二表面的表面。保護(hù)構(gòu)件的表面包括配置成吸收從熱輻射涂料輻射的熱量的金屬氧化物層。

根據(jù)上文，由于在有機(jī)發(fā)光顯示面板和保護(hù)構(gòu)件之間存在間隔，因此，即使外部碰撞施加于有機(jī)發(fā)光顯示器，有機(jī)發(fā)光顯示器也可不被損壞。此外，有機(jī)發(fā)光顯示器可通過布置在有機(jī)發(fā)光顯示面板的非發(fā)光表面上的熱輻射層有效地耗散熱量。

附圖說明

通過參照以下與附圖結(jié)合時的詳細(xì)描述，本公開的以上和其它方面及特征將變得容易顯而易見，在附圖中：

圖1是根據(jù)本公開示例性實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的立體圖；

圖2是圖1中示出的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的分解立體圖；

圖3是根據(jù)本公開示例性實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的框圖；

圖4是根據(jù)本公開示例性實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示面板的像素的等效電路圖；

圖5是根據(jù)本公開示例性實施方式的像素的布置圖；

圖6是沿圖5的線i-i'截取的剖視圖；

圖7是圖6的部分aa的放大剖視圖；

圖8是根據(jù)本公開示例性實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示面板和保護(hù)構(gòu)件的剖視圖；

圖9是根據(jù)本公開示例性實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示面板和保護(hù)構(gòu)件的剖視圖；

圖10是根據(jù)本公開示例性實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示面板和保護(hù)構(gòu)件的剖視圖；

圖11是根據(jù)本公開示例性實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示面板和保護(hù)構(gòu)件的立體圖；

圖12是根據(jù)本公開示例性實施方式的粘合構(gòu)件的立體圖；

圖13是根據(jù)本公開示例性實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示面板和保護(hù)構(gòu)件的立體圖；

圖14是根據(jù)本公開示例性實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示面板和保護(hù)構(gòu)件的立體圖；

圖15是根據(jù)本公開示例性實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示面板和保護(hù)構(gòu)件的剖視圖；

圖16是根據(jù)本公開示例性實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示面板、保護(hù)構(gòu)件、驅(qū)動電路板和散熱構(gòu)件的剖視圖；以及

圖17是根據(jù)本公開示例性實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示面板、保護(hù)構(gòu)件、驅(qū)動電路板、散熱構(gòu)件和底蓋的剖視圖。

具體實施方式

提供參照附圖的以下描述以幫助對如權(quán)利要求和其等同所限定的本公開的多種示例性實施方式的全面理解。該描述包括多種細(xì)節(jié)以幫助理解，但這些細(xì)節(jié)將被認(rèn)為僅是示例性的。相應(yīng)地，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將認(rèn)識到，在不背離本公開的范圍和精神的情況下，可對本文中描述的各種實施方式作出多種改變和修改。此外，為了清晰和簡潔，可省略對眾所周知的功能和結(jié)構(gòu)的描述。

下文中，將參照附圖對本發(fā)明的示例性實施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。

將理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)印吧稀?、“連接至”或“聯(lián)接至”另一元件或?qū)訒r，其可直接在該另一元件或?qū)由?、直接連接或聯(lián)接至該另一元件或?qū)?，或者還可存在一個或多個中間元件或?qū)?。?dāng)元件被稱為“直接在”另一元件或?qū)印吧稀?、“直接連接至”或“直接聯(lián)接至”另一元件或?qū)訒r，不存在中間元件或?qū)?。例如，?dāng)?shù)谝辉幻枋鰹槁?lián)接至或連接至第二元件時，該第一元件可直接聯(lián)接至或連接至第二元件，或者該第一元件可通過一個或多個中間元件間接地聯(lián)接至或連接至第二元件。相同的附圖標(biāo)記指代相同的元件。如本文中使用的，用語“和/或”包括相關(guān)的所列項中的一個或多個的任何和全部組合。此外，當(dāng)描述本發(fā)明的實施方式時，“可以(may)”的使用涉及“本發(fā)明的一個或多個實施方式”。當(dāng)諸如“……中的至少一個”的表達(dá)在元件的列表之后時，修飾元件的整個列表，并不修飾列表中的單個元件。此外，用語“示例性的”旨在指代示例或圖例。如本文中使用的，用語“使用(use)”、“使用(using)”和“使用的(used)”可認(rèn)為分別與用語“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“利用的(utilized)”同義。

將理解的是，雖然用語第一、第二、第三等可在本文中用于描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或區(qū)段，但這些元件、部件、區(qū)域、層和/或區(qū)段不應(yīng)受限于這些用語。這些用語用于將一個元件、部件、區(qū)域、層或區(qū)段與另一元件、部件、區(qū)域、層或區(qū)段區(qū)分開。因此，在不背離示例性實施方式的教導(dǎo)的情況下，下文所討論的第一元件、第一部件、第一區(qū)域、第一層或第一區(qū)段可被稱為第二元件、第二部件、第二區(qū)域、第二層或第二區(qū)段。在附圖中，為了說明的清楚，多種元件、層等的尺寸可能被夸大。

為了便于描述，在本文中可使用諸如“在……以下(beneath)”、“在……之下(below)”、“下(lower)”、“在……之上(above)”、“上(upper)”等的空間相對用語來描述如附圖中所示的一個元件或特征與另一元件(多個元件)或特征(多個特征)的關(guān)系。將理解的是，除附圖中描繪的定向外，空間相對用語旨在還包括設(shè)備在使用或操作中的不同定向。例如，如果附圖中的設(shè)備翻轉(zhuǎn)，則描述為在其它元件或特征“之下”或“以下”的元件將定向為在其它元件或特征“之上”或“以上”。因此，用語“在……之下(below)”可包括在……之上和在……之下兩個定向。設(shè)備可被另外定向(例如，旋轉(zhuǎn)90度或處于其它定向)，并且，本文中所使用的空間相對描述語應(yīng)被相應(yīng)地解釋。

本文中所使用的術(shù)語僅出于描述本發(fā)明的特定示例性實施方式的目的，并不旨在限制所描述的本發(fā)明示例性實施方式。如本文中使用的，除非上下文清楚地另有指示，否則單數(shù)形式“一(a)”和“一(an)”旨在也包括復(fù)數(shù)形式。還將理解的是，當(dāng)在本說明書中使用時，用語“包括(include)”、“包括有(including)”、“包含(comprise)”和/或“包含有(comprising)”指定所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個或多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或它們的組的存在或添加。

可利用任何合適的硬件、固件(例如，專用集成電路)、軟件和/或軟件、固件和硬件的合適組合來實施根據(jù)本文中描述的本發(fā)明的實施方式的掃描驅(qū)動器、數(shù)據(jù)驅(qū)動器、時序控制器和/或任何其它相關(guān)的設(shè)備或部件。例如，掃描驅(qū)動器和/或數(shù)據(jù)驅(qū)動器的多種部件可形成在一個集成電路(ic)芯片上或形成在分離的ic芯片上。此外，掃描驅(qū)動器和/或數(shù)據(jù)驅(qū)動器的多種部件可實施在柔性印刷電路膜、帶式載體封裝(tapecarrierpackage，“tcp”)、印刷電路板(pcb)上，或者形成在與掃描驅(qū)動器和/或數(shù)據(jù)驅(qū)動器相同的襯底上。此外，掃描驅(qū)動器和/或數(shù)據(jù)驅(qū)動器的多種部件可以是運(yùn)行于一個或多個處理器上、運(yùn)行于一個或多個計算設(shè)備中、執(zhí)行計算機(jī)程序指令以及與其它系統(tǒng)部件交互以執(zhí)行本文中描述的多種功能的進(jìn)程或線程。計算機(jī)程序指令被存儲在可利用標(biāo)準(zhǔn)存儲設(shè)備(諸如，例如，隨機(jī)存取存儲器(ram))在計算設(shè)備中實施的存儲器中。計算機(jī)程序指令還可被存儲在其它非暫時性計算機(jī)可讀介質(zhì)(諸如，例如，cd-rom、閃存驅(qū)動器等)中。此外，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)認(rèn)識到，在不背離本發(fā)明示例性實施方式的范圍的情況下，多種計算設(shè)備的功能可組合到或集成到單個計算設(shè)備中，或特定計算設(shè)備的功能可跨越分布于一個或多個其它計算設(shè)備中。

圖1是根據(jù)本公開示例性實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備dd的立體圖，以及圖2是圖1中示出的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備dd的分解立體圖。然而，本發(fā)明不限于有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，并可應(yīng)用于其它顯示設(shè)備(例如，液晶顯示(lcd)設(shè)備)。

參照圖1和圖2，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備dd包括頂蓋tc、有機(jī)發(fā)光顯示面板dp、掃描驅(qū)動器100、數(shù)據(jù)驅(qū)動器200、保護(hù)構(gòu)件pb、驅(qū)動電路板dcb以及底蓋bc。

如圖1中所示，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備dd通過顯示區(qū)da向觀察者提供圖像信息im(例如，顯示圖像信息im)。作為圖像信息im的代表性示例，圖1中示出了蝴蝶。

頂蓋tc保護(hù)有機(jī)發(fā)光顯示面板dp。頂蓋tc具有穿過頂蓋tc形成的開口op-tc，以及有機(jī)發(fā)光顯示面板dp的前表面通過開口op-tc暴露為顯示區(qū)da(即，有機(jī)發(fā)光顯示面板dp的前表面的、通過開口op-tc暴露的一部分為顯示區(qū)da)。

保護(hù)構(gòu)件pb(例如，底架)包括基底層和吸熱層。吸熱層具有比基底層的發(fā)射率更大的發(fā)射率。吸熱層可以是，但不限于，由氧化層、銅層或熱輻射涂料形成的熱輻射層。將參照圖8至圖10對其進(jìn)行更詳細(xì)地描述。

圖3是根據(jù)本公開示例性實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備dd的框圖。參照圖3，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備dd包括掃描驅(qū)動器100、數(shù)據(jù)驅(qū)動器200以及有機(jī)發(fā)光顯示面板dp。

掃描驅(qū)動器100包括多個級110(見圖2)。掃描驅(qū)動器100從時序控制器接收柵極控制信號。柵極控制信號包括豎直開始信號和時鐘信號，其中，豎直開始信號用于開啟掃描驅(qū)動器100的操作，時鐘信號用于確定信號的輸出時序。掃描驅(qū)動器100生成多個柵極信號，并將柵極信號順序地施加于柵極線gl1至gln，下文將進(jìn)一步描述柵極線。此外，掃描驅(qū)動器100響應(yīng)于柵極控制信號生成多個光發(fā)射控制信號，并將該光發(fā)射控制信號施加于光發(fā)射線el1至eln，下文將進(jìn)一步描述光發(fā)射線。

在圖3中，柵極信號和光發(fā)射控制信號從一個掃描驅(qū)動器100輸出，但本發(fā)明不限于此或不受此限制。例如，柵極信號和光發(fā)射控制信號可從多個掃描驅(qū)動器輸出。此外，用于生成柵極信號的驅(qū)動電路可設(shè)置成與用于生成光發(fā)射控制信號的驅(qū)動電路分離開。

數(shù)據(jù)驅(qū)動器200從時序控制器接收數(shù)據(jù)控制信號和圖像數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)驅(qū)動器200將圖像數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成數(shù)據(jù)信號，并將數(shù)據(jù)信號施加于與柵極線gl1至gln和光發(fā)射線el1至eln交叉并絕緣的多個數(shù)據(jù)線dl1至dlm。數(shù)據(jù)信號是與圖像數(shù)據(jù)的灰度值對應(yīng)的模擬電壓。

有機(jī)發(fā)光顯示面板dp包括柵極線gl1至gln、光發(fā)射線el1至eln、數(shù)據(jù)線dl1至dlm以及多個像素px。柵極線gl1至gln在第一方向dr1上延伸并沿與第一方向dr1基本上垂直的第二方向dr2排列。光發(fā)射線el1至eln中的每個與柵極線gl1至gln之中的對應(yīng)柵極線基本上平行。數(shù)據(jù)線dl1至dlm與柵極線gl1至gln和光發(fā)射線el1至eln交叉并絕緣。

像素px中的每個連接至柵極線gl1至gln之中的對應(yīng)柵極線、光發(fā)射線el1至eln之中的對應(yīng)光發(fā)射線以及數(shù)據(jù)線dl1至dlm之中的對應(yīng)數(shù)據(jù)線。

圖4是根據(jù)本公開示例性實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示面板dp的像素的等效電路圖。如圖4中所示，像素px中的每個包括有機(jī)發(fā)光二極管oled和用于控制有機(jī)發(fā)光二極管oled的電路(例如，電路部分)。電路包括第一晶體管tr1、第二晶體管tr2以及電容器cap，但每一像素px的等效電路圖不應(yīng)限于圖4中示出的等效電路圖。

第一晶體管tr1包括連接至柵極線gl的控制電極、連接至數(shù)據(jù)線dl的輸入電極、以及輸出電極。第一晶體管tr1響應(yīng)于施加于柵極線gl的柵極信號而輸出施加于數(shù)據(jù)線dl的數(shù)據(jù)信號。

電容器cap包括連接至第一晶體管tr1的第一電極和用于接收第一電源電壓elvdd的第二電極。電容器cap通過與從第一晶體管tr1提供的數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的電壓來充電。

第二晶體管tr2包括控制電極、輸入電極以及輸出電極，其中，控制電極連接至第一晶體管tr1的輸出電極和電容器cap的第一電極，輸入電極用于接收第一電源電壓elvdd。第二晶體管tr2的輸出電極連接至有機(jī)發(fā)光二極管oled。第二晶體管tr2響應(yīng)于在電容器cap中充電的電壓來對流過有機(jī)發(fā)光二極管oled的驅(qū)動電流進(jìn)行控制。

有機(jī)發(fā)光二極管oled包括陽極and和陰極ctd(參照圖7)，其中，陽極and連接至第二晶體管tr2用于接收第一電源電壓elvdd，陰極ctd用于接收第二電源電壓elvss。此外，有機(jī)發(fā)光二極管oled包括布置在陽極and和陰極ctd之間的光發(fā)射層eml(參照圖7)。有機(jī)發(fā)光二極管oled在第二晶體管tr2的導(dǎo)通周期期間發(fā)光。

圖5是根據(jù)本公開示例性實施方式的像素px的布置圖，以及圖6是沿圖5的線i-i'截取的剖視圖。下文中，將參照圖5和圖6進(jìn)一步詳細(xì)地描述有機(jī)發(fā)光顯示面板。

有機(jī)發(fā)光顯示面板dp包括基礎(chǔ)襯底bs、緩沖層bfl、信號線gl和dl以及像素px。基礎(chǔ)襯底bs、緩沖層bfl、信號線gl和dl以及像素px的結(jié)構(gòu)可根據(jù)有機(jī)發(fā)光顯示面板dp的種類(或類型)而改變。

緩沖層bfl布置在基礎(chǔ)襯底bs的一個表面(例如，上表面)上。

緩沖層bfl防止存在于基礎(chǔ)襯底bs中的雜質(zhì)在制造有機(jī)發(fā)光顯示面板dp期間進(jìn)入到(例如，遷移到)像素px中。例如，緩沖層bfl防止雜質(zhì)擴(kuò)散至像素px的半導(dǎo)體層sl中。雜質(zhì)從外部環(huán)境攜帶或通過基礎(chǔ)襯底bs的高溫分解生成。雜質(zhì)可以是從基礎(chǔ)襯底bs或鈉排出的氣體。此外，緩沖層bfl阻止水分從外部進(jìn)入像素px。

信號線gl和dl以及像素px布置在緩沖層bfl上。第二晶體管tr2的半導(dǎo)體層sl布置在緩沖層bfl上。半導(dǎo)體層sl可包括在低溫下形成的(例如，通過低溫過程形成的)多晶硅或非晶硅。此外，半導(dǎo)體層sl可包括金屬氧化物半導(dǎo)體。

半導(dǎo)體層sl包括溝道區(qū)域、第一離子摻雜區(qū)域以及第二離子摻雜區(qū)域，其中，溝道區(qū)域用作電子或空穴移動通過的路徑。溝道區(qū)域布置在第一離子摻雜區(qū)域和第二離子摻雜區(qū)域之間。

柵極絕緣層gi布置在緩沖層bfl上以覆蓋半導(dǎo)體層sl。柵極絕緣層gi包括有機(jī)層和/或無機(jī)層。在一個或多個實施方式中，柵極絕緣層gi可包括多個無機(jī)薄膜層。例如，無機(jī)薄膜層可包括氮化硅層和氧化硅層。

柵極線gl布置在柵極絕緣層gi上。第一晶體管tr1的控制電極ge1(下文中稱為第一控制電極)和第二晶體管tr2的控制電極ge2(下文中稱為第二控制電極)布置在柵極絕緣層gi上。

電容器cap的第一電極ce1布置在柵極絕緣層gi上，但第一電極ce1的位置不應(yīng)限于此或不應(yīng)受此限制。第一電極ce1和柵極線gl通過相同的或基本上相似的光刻過程形成。在一個或多個實施方式中，第一電極ce1和柵極線gl可包括相同的材料。

第一控制電極ge1、第二控制電極ge2以及覆蓋第一電極ce1的中間絕緣層il布置在柵極絕緣層gi上。中間絕緣層il包括有機(jī)層和/或無機(jī)層。在一個或多個實施方式中，中間絕緣層il可包括多個無機(jī)薄膜層。例如，無機(jī)薄膜層可包括氮化硅層和氧化硅層。

數(shù)據(jù)線dl和電源線kl布置在中間絕緣層il上。第一晶體管tr1的輸入電極se1(下文中稱為第一輸入電極)和輸出電極de1(下文中稱為第一輸出電極)布置在中間絕緣層il上。第二晶體管tr2的輸入電極se2(下文中稱為第二輸入電極)和輸出電極de2(下文中稱為第二輸出電極)布置在中間絕緣層il上。第一輸入電極se1從數(shù)據(jù)線dl分支(例如，延伸)，以及第二輸入電極se2從電源線kl分支(例如，延伸)。

電容器cap的第二電極ce2布置在中間絕緣層il上，但第二電極ce2的位置不應(yīng)限于此或不應(yīng)受此限制。第二電極ce2、數(shù)據(jù)線dl以及電源線kl通過相同的或基本上相似的光刻過程形成并包括相同的材料。

第一輸入電極se1和第一輸出電極de1通過穿過柵極絕緣層gi和中間絕緣層il形成的相應(yīng)的第一開口ch1和第二開口ch2(例如，第一通孔和第二通孔)連接至第一晶體管tr1的半導(dǎo)體層。第一輸出電極de1通過穿過中間絕緣層il形成的第三開口ch3(例如，第三通孔)連接至第一電極ce1。第二輸入電極se2和第二輸出電極de2通過穿過柵極絕緣層gi和中間絕緣層il形成的相應(yīng)的第四開口ch4和第五開口ch5(例如，第四通孔和第五通孔)連接至第二晶體管tr2的半導(dǎo)體層sl。在其它實施方式中，第一晶體管tr1和第二晶體管tr2可每個都具有底柵極結(jié)構(gòu)。

鈍化層pl布置在中間絕緣層il上以覆蓋第一輸入電極se1、第一輸出電極de1、第二輸入電極se2以及第二輸出電極de2。鈍化層pl包括有機(jī)層和/或無機(jī)層。例如，鈍化層pl可包括有機(jī)材料以提供平坦表面。

像素限定層pdl和有機(jī)發(fā)光二極管oled布置在鈍化層pl上。陽極and通過穿過鈍化層pl形成的第六開口ch6(例如，第六通孔)連接至第二輸出電極de2。然而，在其它實施方式中，有機(jī)發(fā)光二極管oled的陽極and和陰極ctd的位置可相對于彼此改變。

陽極and布置在鈍化層pl上。像素限定層pdl具有穿過像素限定層pdl形成的開口op以暴露陽極and。

密封層sil布置在陰極ctd上。密封層sil包括多個薄膜封裝層。薄膜封裝層包括氮化硅層和氧化硅層。

圖7示出了像素px中包括的有機(jī)發(fā)光二極管oled的橫截面。

參照圖7，有機(jī)發(fā)光二極管oled包括陽極and、布置在陽極and上的空穴傳輸區(qū)htr、布置在空穴傳輸區(qū)htr上的光發(fā)射層eml、布置在光發(fā)射層eml上的電子傳輸區(qū)etr、以及布置在電子傳輸區(qū)etr上的陰極ctd。

陽極and布置在基礎(chǔ)襯底bs上并且是導(dǎo)電的。陽極and為像素電極(例如，正電極)。陽極and為透射電極、透反電極或反射電極。

在陽極and為透射電極的實施方式中，陽極and可包括透明金屬氧化物(例如，銦錫氧化物(ito)、銦鋅氧化物(izo)、鋅氧化物(zno)、銦錫鋅氧化物(itzo)等)。在陽極and為透反電極或反射電極的實施方式中，陽極and可包括ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr或這些金屬中的兩種或更多種的混合物。陽極and可具有透明金屬氧化物或金屬的單層結(jié)構(gòu)，或具有包括多個層的多層結(jié)構(gòu)。例如，陽極and可具有：ito、ag或金屬混合物(例如，ag和mg的混合物)的單層結(jié)構(gòu)；ito/mg或ito/mgf的雙層結(jié)構(gòu)；或ito/ag/ito的三層結(jié)構(gòu)。

空穴傳輸區(qū)htr布置在陽極and之上并注入/傳輸空穴。空穴傳輸區(qū)htr包括空穴注入層、空穴傳輸層和/或電子阻擋層。

空穴傳輸區(qū)htr可具有包括單種材料或多種不同材料的單層結(jié)構(gòu)，或具有包括由不同材料形成的層的多層結(jié)構(gòu)。

例如，空穴傳輸區(qū)htr可具有包括不同材料的單層結(jié)構(gòu)，或具有按順序堆疊在陽極and上的空穴注入層/空穴傳輸層的結(jié)構(gòu)或空穴注入層/空穴傳輸層/電子阻擋層的結(jié)構(gòu)。

空穴傳輸區(qū)htr可通過多種方法形成，例如，真空沉積法、旋涂法、鑄造法、lb(langmuir-blodgett)法、墨噴式印刷法、激光印刷法、liti(激光誘導(dǎo)熱成像)法等。

在空穴傳輸區(qū)htr包括空穴注入層的實施方式中，空穴傳輸區(qū)htr可包括，但不限于，酞菁化合物(例如，銅酞菁)、dntpd(n,n'-二苯基-n,n'-雙-[4-(苯基-m-甲苯基-氨基)-苯基]-聯(lián)苯-4,4'-二胺)、m-mtdata(4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺)、tdata(4,4'4"-三(n,n-二苯基氨基)三苯胺)、2tnata(4,4',4"-三{n(2-萘基)-n-苯基胺基}-三苯胺)、pedot/pss(聚(3,4-乙撐二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸鹽))、pani/dbsa(聚苯胺/十二烷基苯磺酸)、pani/csa(聚苯胺/樟腦磺酸)、pani/pss((聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸鹽))等。空穴注入層具有在從約100埃至約10000埃(約10nm至約1000nm)的范圍內(nèi)的厚度。在空穴注入層的厚度滿足上述條件的實施方式中，可獲得滿意的空穴注入特性而不需提高或大幅提高驅(qū)動電壓。

在空穴傳輸區(qū)htr包括空穴傳輸層的實施方式中，空穴傳輸區(qū)htr可包括，但不限于，基于咔唑的衍生物(例如，n-苯基咔唑、聚乙烯咔唑等)、基于氟的衍生物、基于三苯胺的衍生物(例如，tpd(n,n'-雙(3-甲基苯基)-n,n'-二苯基-[1,1-聯(lián)苯]-4,4'-二胺)、tcta(4,4',4"-三(n-咔唑基)三苯胺)等)、npb(n,n'-二(1-萘基)-n,n'-二苯基聯(lián)苯胺)、tapc(4,4'-亞環(huán)己基-雙[n,n-二(4-甲基苯基)苯胺])等。空穴傳輸層具有在從約50埃至約2000埃(約5nm至約200nm)的范圍內(nèi)的厚度。在空穴傳輸層的厚度滿足上述條件的實施方式中，可獲得滿意的空穴傳輸特性而不需提高或大幅提高驅(qū)動電壓。

空穴傳輸區(qū)htr還可包括電荷產(chǎn)生材料以提高空穴傳輸區(qū)htr的導(dǎo)電性。電荷產(chǎn)生材料可均勻地或不均勻地分布在空穴傳輸區(qū)htr中。電荷產(chǎn)生材料可以是，但不限于，p型摻雜物。p型摻雜物可以是醌衍生物、金屬氧化物材料和/或含有氰基基團(tuán)的化合物，但不應(yīng)限于此或不應(yīng)受此限制。例如，p型摻雜物可包括醌衍生物(例如，tcnq(四氰二甲基苯醌)、f4-tcnq(2,3,5,6-四氟-四氰二甲基苯醌)等)或金屬氧化物材料(例如，氧化鎢材料、氧化鉬材料等)，但不應(yīng)限于此或不應(yīng)受此限制。

光發(fā)射層eml布置在空穴傳輸區(qū)htr上。光發(fā)射層eml可具有單種材料或多種不同材料的單層結(jié)構(gòu)，或具有包括由不同材料形成的層的多層結(jié)構(gòu)。

光發(fā)射層eml可通過多種方法形成，例如，真空沉積法、旋涂法、鑄造法、lb(langmuir-blodgett)法、墨噴式印刷法、激光印刷法、liti(激光誘導(dǎo)熱成像)法等。

光發(fā)射層eml可包括用于分別發(fā)紅光、綠光和藍(lán)光的材料，以及可包括熒光材料或磷光材料。光發(fā)射層eml可包括主體(host)和摻雜物。

可使用例如alq3(三(8-羥基喹啉)鋁)、cbp(4,4'-雙(n-咔唑基)-1,1'-聯(lián)苯)、pvk(聚(n-乙烯基咔唑))、adn(9,10-二(萘-2-基)蒽)、tcta(4,4',4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺)、tpbi(1,3,5-三(n-苯基苯并咪唑)-2-基)苯)、tbadn(3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽)、dsa(聯(lián)苯乙烯)、cdbp(4,4'-雙(9-咔唑基)-2,2′'-二甲基-聯(lián)苯)和/或madn(2-甲基-9,10-雙(萘-2-基)蒽)作為主體，然而，主體不應(yīng)限于此或不應(yīng)受此限制。

當(dāng)光發(fā)射層eml待發(fā)射紅光時，光發(fā)射層eml可包括含有pbd:eu(dbm)3(phen)(三(聯(lián)苯甲酰甲基)鄰二氮雜菲銪)或二萘嵌苯的熒光材料。當(dāng)光發(fā)射層eml待發(fā)射紅光時，可使用金屬絡(luò)合物(例如，piqir(acac)(雙(1-苯基異喹啉)乙酰丙酮銥)、pqir(acac)(雙(1-苯基喹啉)乙酰丙酮銥)、pqir(三(1-苯基喹啉)銥)、ptoep(八乙基卟啉鉑)等)和/或有機(jī)金屬絡(luò)合物作為光發(fā)射層eml中包括的摻雜物。

當(dāng)光發(fā)射層eml待發(fā)射綠光時，光發(fā)射層eml可包括含有alq3(三(8-羥基喹啉)鋁)的熒光材料。當(dāng)光發(fā)射層eml待發(fā)射綠光時，可使用金屬絡(luò)合物(例如，ir(ppy)3(面式-三(2-苯基吡啶)銥))和/或有機(jī)金屬絡(luò)合物作為光發(fā)射層eml中包括的摻雜物。

當(dāng)光發(fā)射層eml待發(fā)射藍(lán)光時，光發(fā)射層eml可包括含有螺-dpvbi、螺-6p、dsb(聯(lián)苯乙烯-苯)、dsa(聯(lián)苯乙烯-亞芳基)、pfo(聚芴)基聚合物和/或ppv(聚(對苯撐乙烯))基聚合物的熒光材料。當(dāng)光發(fā)射層eml待發(fā)射藍(lán)光時，光發(fā)射層eml中包括的摻雜物可從金屬絡(luò)合物(例如，(4,6-f2ppy)2irpic)和/或有機(jī)金屬絡(luò)合物中選擇。

電子傳輸區(qū)etr布置在光發(fā)射層eml上并注入/傳輸電子。電子傳輸區(qū)etr包括電子傳輸層和電子注入層，但電子傳輸區(qū)etr不應(yīng)限于此或不應(yīng)受此限制。

如圖7中所示，電子傳輸區(qū)etr具有按順序堆疊在光發(fā)射層eml上的電子傳輸層/電子注入層的結(jié)構(gòu)。此外，電子傳輸區(qū)etr可具有包括兩個層或更多個層的多層結(jié)構(gòu)，但電子傳輸區(qū)etr不應(yīng)限于此或不應(yīng)受此限制。

電子傳輸區(qū)etr可通過多種方法形成，例如，真空沉積法、旋涂法、鑄造法、lb(langmuir-blodgett)法、墨噴式印刷法、激光印刷法、liti(激光誘導(dǎo)熱成像)法等。

在電子傳輸區(qū)etr包括電子傳輸層的實施方式中，電子傳輸區(qū)etr可包括alq3(三(8-羥基喹啉)鋁)、tpbi(1,3,5-三(1-苯基-1h-苯并[d]咪唑-2-基)苯)、bcp(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-鄰二氮雜菲)、bphen(4,7-二苯基-1,10-鄰二氮雜菲)、taz(3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑)、ntaz(4-(萘乙酰胺-1-基)-3,5-二苯基-4h-1,2,4-三唑)、tbu-pbd(2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-惡二唑)、balq(雙(2-甲基)-8-羥基喹啉-n1,o8)-(1,1'-聯(lián)苯-4-根合)鋁)、bebq2(鈹二(苯并喹啉-10-酸鹽)、adn(9,10-二(萘-2-基)蒽)和/或它們的混合物，但電子傳輸區(qū)etr不應(yīng)限于此或不應(yīng)受此限制。電子傳輸層具有在約100埃至約1000埃(約10nm至約100nm)的范圍內(nèi)的厚度。在電子傳輸層的厚度滿足上述范圍的實施方式中，可獲得優(yōu)良的電子傳輸特性而不需提高或大幅提高驅(qū)動電壓。

在電子傳輸區(qū)etr包括電子注入層的實施方式中，電子傳輸區(qū)etr可包括基于鑭系元素的金屬(例如，lif、liq(鋰喹啉)、li2o、bao、nacl、csf、yb等)和/或金屬鹵化物(例如，rbcl、rbi等)，但本發(fā)明不應(yīng)限于此或不應(yīng)受此限制。電子注入層可包括電子傳輸材料和具有絕緣性質(zhì)的有機(jī)金屬鹽的混合物。有機(jī)金屬鹽具有約4ev或更大的能帶間隙。例如，有機(jī)金屬鹽可包括金屬醋酸鹽、金屬苯甲酸鹽、金屬乙酰乙酸鹽、金屬乙酰丙酮鹽和/或金屬硬脂酸鹽。電子注入層具有在約1埃至約100埃(約0.1nm至約10nm)的范圍內(nèi)的厚度。在電子注入層的厚度滿足上述范圍的實施方式中，可獲得優(yōu)良的電子注入特性而不需提高或大幅提高驅(qū)動電壓。

陰極ctd布置在電子傳輸區(qū)etr上，并包括導(dǎo)電化合物、具有低功函數(shù)的金屬或金屬合金或它們的混合物。陰極ctd是共用電極(例如，負(fù)電極)。

陰極ctd為透射電極、透反電極或反射電極。在陰極ctd為透射電極的實施方式中，陰極ctd包括li、ca、lif/ca、lif/al、al、mg、baf、ba、ag或它們的化合物或它們的混合物(例如，ag和mg的混合物)。陰極ctd可包括輔助電極。輔助電極可包括透明金屬氧化物或金屬，例如，銦錫氧化物(ito)、銦鋅氧化物(izo)、氧化鋅(zno)、銦錫鋅氧化物(itzo)、mo、ti等。在陰極ctd為透反電極或反射電極的實施方式中，陰極ctd可包括ag、mg、cu、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、lif/ca、lif/al、mo、ti或它們的化合物或它們的混合物(例如，ag和mg的混合物)。在其它實施方式中，陰極ctd可具有包括透明金屬氧化物(例如，ito、izo、zno、itzo等)的多層結(jié)構(gòu)。

在有機(jī)發(fā)光二極管oled為前表面發(fā)光型(例如，頂發(fā)射型)的實施方式中，陽極and為反射電極，以及陰極ctd為透射電極或透反電極。在有機(jī)發(fā)光二極管oled為后表面發(fā)光型(例如，底發(fā)射型)的實施方式中，陽極and為透射電極或透反電極，以及陰極ctd為反射電極。

圖8是根據(jù)本公開示例性實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示面板dp和保護(hù)構(gòu)件pb的剖視圖。

有機(jī)發(fā)光顯示面板dp和保護(hù)構(gòu)件pb以距離ll(例如，以預(yù)定距離或長度)彼此間隔(例如，間隔開)。相應(yīng)地，空氣層ag形成在有機(jī)發(fā)光顯示面板dp和保護(hù)構(gòu)件pb之間。由于有機(jī)發(fā)光顯示面板dp和保護(hù)構(gòu)件pb之間的空氣層ag(例如，由于有機(jī)發(fā)光顯示面板dp和保護(hù)構(gòu)件pb之間的距離)，施加于有機(jī)發(fā)光顯示面板dp的外部碰撞不傳遞至保護(hù)構(gòu)件pb。此外，施加于保護(hù)構(gòu)件pb的碰撞不傳遞至有機(jī)發(fā)光顯示面板dp。因此，歸因于空氣層ag，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備dd可承受外部碰撞(例如，可不被外部碰撞損壞)。

有機(jī)發(fā)光顯示面板dp包括提供圖像信息im(參照圖1)的發(fā)光表面ls和與發(fā)光表面ls相對的非發(fā)光表面nls。熱輻射層rhp布置在非發(fā)光表面nls上。

布置在非發(fā)光表面nls上的熱輻射層rhp具有等于或大于約0.8且小于約1的發(fā)射率。發(fā)射率表示物體的熱輻射水平相對于理想黑體的熱輻射水平的比例。根據(jù)stefan-boltzmann定律，每單位面積(m²)每單位時間(s)發(fā)射的輻射能(w)如下：

w＝ε×σ×t⁴

上述方程中，輻射能(w)的單位是j·s^-1·m^-2，以及ε表示發(fā)射率且不具有單位。σ表示輻射常數(shù)(stefan-boltzmann常數(shù))，以及輻射常數(shù)的值為5.67×10^-8j·s^-1·m^-2·k^-4。t表示絕對溫度。

熱量通過多種方法傳遞，例如，傳導(dǎo)、對流、輻射等。傳導(dǎo)表示通過分子運(yùn)動的傳遞而傳遞熱量的現(xiàn)象。即，熱量從高溫物體或高溫物體的一部分傳遞到低溫物體或低溫物體的一部分而不需涉及材料的運(yùn)動。對流表示熱量在處于液體狀態(tài)中或氣體狀態(tài)中的分子運(yùn)動時被傳遞。輻射表示熱量以電磁波形式從高溫物體直接傳遞到低溫物體而不需借助于材料。

由于熱輻射層rhp具有等于或大于約0.8的發(fā)射率，因此由有機(jī)發(fā)光顯示面板dp生成的熱量可通過輻射傳遞(例如，直接傳遞)至空氣層ag。

熱輻射層rhp可以是，但不限于，熱輻射涂料的涂層。在這樣一個實施方式中，熱輻射層rhp在第三方向dr3(例如，熱輻射層rhp的厚度方向)上的厚度在約20微米至約50微米的范圍內(nèi)。在熱輻射層rhp的厚度小于約20微米的實施方式中，由于通過熱輻射層rhp的熱輻射小，來自有機(jī)發(fā)光顯示面板dp的熱量可能不被有效地傳遞至空氣層ag。在熱輻射層rhp的厚度大于約50微米的實施方式中，由于有機(jī)發(fā)光顯示面板dp和保護(hù)構(gòu)件pb之間的距離ll相對小，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備dd可能更容易被外部碰撞損壞。

在一個實施方式中，熱輻射層rhp可包括陶瓷復(fù)合物。陶瓷復(fù)合物通過以下過程制造。制備金屬氧化物粉末(包括鐵氧化物、硅氧化物、鎂氧化物以及鋁氧化物)。然后，熱處理金屬氧化物粉末并熔化金屬氧化物粉末以形成金屬氧化物復(fù)合物。迅速冷卻并粉碎金屬氧化物復(fù)合物，產(chǎn)生陶瓷復(fù)合物。陶瓷復(fù)合物包括約60重量％至約85重量％的鐵氧化物、約13重量％至約30重量％的硅氧化物、約1重量％至約5重量％的鎂氧化物、以及約1重量％至約5重量％的鋁氧化物，但熱輻射層rhp不應(yīng)限于此或不應(yīng)受此限制。例如，熱輻射層rhp可包括不同材料以使得其發(fā)射率等于或大于約0.8。此外，熱輻射層rhp的制造方法不應(yīng)限于上述方法，以及可利用不同的方法制造熱輻射層rhp。

保護(hù)構(gòu)件pb包括基底層pbs和氧化層pba。氧化層pba具有比基底層pbs的發(fā)射率更大的發(fā)射率。氧化層pba可以是上文描述的吸熱層。

氧化層pba可包括基底層pbs的氧化物材料。例如，氧化層pba可通過基底層pbs的氧化形成。在一個實施方式中，基底層pbs可包括鋁(al)，以及氧化層pba可包括鋁氧化物。

氧化層pba可通過陽極氧化方法形成。陽極氧化方法氧化或腐蝕金屬材料的表面以形成氧化層。通過陽極氧化方法形成的多孔表面可被著色。

陽極氧化方法可以是軟陽極氧化工藝或硬陽極氧化工藝。執(zhí)行軟陽極氧化工藝以獲得外觀的色彩效果和光滑表面效果。硬陽極氧化工藝用陶瓷膜涂覆金屬材料的表面以獲得耐磨的和電絕緣的表面。通過以下步驟執(zhí)行硬陽極氧化工藝：將鋁浸漬在化學(xué)溶液中；使鋁氧化以在鋁的表面上形成多孔透明氧化層；以及將染料附著或涂覆至多孔透明氧化層的表面上?？赏ㄟ^對基底層pbs進(jìn)行軟陽極氧化或硬陽極氧化來形成氧化層pba。

氧化層pba可通過黑色染料著色(例如，氧化層pba可被黑色著色)。在氧化層pba被黑色著色的實施方式中，由于黑色的特性，氧化層pba的發(fā)射率增大。

由于根據(jù)熱輻射的基爾霍夫(kirchhoff)定律，發(fā)射率與吸收率相同或基本上相同，因此當(dāng)物體的吸收率增大時，其發(fā)射率增大。相應(yīng)地，由于氧化層pba的吸收率增加，從有機(jī)發(fā)光顯示面板dp耗散到空氣層ag的熱量被氧化層pba更有效地或更高效地吸收。因此，由有機(jī)發(fā)光顯示面板dp生成的熱量通過空氣層ag、氧化層pba以及基底層pbs耗散。

圖9是根據(jù)本公開示例性實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示面板dp和保護(hù)構(gòu)件pb-1的剖視圖。在示出的示例性實施方式中，有機(jī)發(fā)光顯示面板dp、熱輻射層rhp、空氣層ag以及基底層pbs具有與圖8中示出的有機(jī)發(fā)光顯示面板dp、熱輻射層rhp、空氣層ag以及基底層pbs基本上相同的結(jié)構(gòu)和功能，并且因此，可省略其細(xì)節(jié)。

參照圖9，保護(hù)構(gòu)件pb-1包括作為吸熱層的銅層cpp。即，銅層cpp可以是吸熱層。

銅(cu)具有比鋁(al)的熱導(dǎo)率更大的熱導(dǎo)率。在基底層pbs包括鋁(al)的實施方式中，保護(hù)構(gòu)件pb-1可通過與基底層pbs相鄰的銅層cpp容易地或高效地從空氣層ag吸收熱量。

銅層cpp可通過黑色染料著色(例如，可被黑色著色)，以及在該實施方式中，由于銅層cpp的熱導(dǎo)率相對高，保護(hù)構(gòu)件pb-1可更容易地或更高效地從空氣層ag吸收熱量。

圖10是根據(jù)本公開示例性實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示面板dp和保護(hù)構(gòu)件pb-2的剖視圖。在示出的示例性實施方式中，有機(jī)發(fā)光顯示面板dp、熱輻射層rhp、空氣層ag以及基底層pbs具有與圖8中示出的有機(jī)發(fā)光顯示面板dp、熱輻射層rhp、空氣層ag以及基底層pbs基本上相同的結(jié)構(gòu)和功能，并且因此，可省略其細(xì)節(jié)。

參照圖10，保護(hù)構(gòu)件pb-2包括熱輻射層rhp-1。熱輻射層rhp-1可與上文描述的吸熱層相同或基本上相同。

熱輻射層rhp-1布置在基底層pbs的一個表面上。布置在基底層pbs的表面上的熱輻射層rhp-1的制造方法、發(fā)射率以及其它特性與布置在有機(jī)發(fā)光顯示面板dp的非發(fā)光表面nls上的熱輻射層rhp的制造方法、發(fā)射率以及其它特性基本上相同。

圖11是根據(jù)本公開示例性實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示面板dp和保護(hù)構(gòu)件pb的立體圖，以及圖12是根據(jù)本公開示例性實施方式的粘合構(gòu)件tp的立體圖。在圖11和圖12中，有機(jī)發(fā)光顯示面板dp、熱輻射層rhp以及保護(hù)構(gòu)件pb具有與圖8中示出的有機(jī)發(fā)光顯示面板dp、熱輻射層rhp以及保護(hù)構(gòu)件pb基本上相同的結(jié)構(gòu)和功能，并且因此，可省略其細(xì)節(jié)。

參照圖11，多個粘合構(gòu)件tp布置在有機(jī)發(fā)光顯示面板dp和保護(hù)構(gòu)件pb之間。有機(jī)發(fā)光顯示面板dp通過粘合構(gòu)件tp聯(lián)接至保護(hù)構(gòu)件pb。

粘合構(gòu)件tp中的每個在第三方向dr3上具有厚度ww(例如，預(yù)定厚度)。厚度ww可與圖8至圖10中示出的距離ll和距離ll-1基本上相同。粘合構(gòu)件tp沿第一方向dr1排列并在第二方向dr2上延伸。粘合構(gòu)件tp以規(guī)則間距wd彼此間隔(例如，間隔開)。

參照圖12，粘合構(gòu)件tp中的每個包括形成在其中的氣孔ah。氣孔ah吸收施加于粘合構(gòu)件tp的外部碰撞。相應(yīng)地，包括形成在其中的氣孔ah的粘合構(gòu)件tp布置在有機(jī)發(fā)光顯示面板dp和保護(hù)構(gòu)件pb之間，并可吸收施加于有機(jī)發(fā)光顯示面板dp或施加于保護(hù)構(gòu)件pb的外部碰撞。

粘合構(gòu)件tp的熱導(dǎo)率可大于有機(jī)發(fā)光顯示面板dp或空氣層ag的熱導(dǎo)率。因此，由有機(jī)發(fā)光顯示面板dp生成的熱量可通過粘合構(gòu)件tp迅速地傳遞至保護(hù)構(gòu)件pb。

圖13是根據(jù)本公開示例性實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示面板dp和保護(hù)構(gòu)件pb的立體圖。在圖13中，有機(jī)發(fā)光顯示面板dp、熱輻射層rhp以及保護(hù)構(gòu)件pb具有與圖8中示出的有機(jī)發(fā)光顯示面板dp、熱輻射層rhp以及保護(hù)構(gòu)件pb基本上相同的結(jié)構(gòu)和功能，并且因此，可省略其細(xì)節(jié)。

參照圖13，多個粘合構(gòu)件tp-1布置在有機(jī)發(fā)光顯示面板dp和保護(hù)構(gòu)件pb之間。有機(jī)發(fā)光顯示面板dp通過粘合構(gòu)件tp-1聯(lián)接至保護(hù)構(gòu)件pb。

粘合構(gòu)件tp-1中的每個在第三方向dr3上具有厚度ww-1(例如，預(yù)定厚度)。厚度ww-1可與上文參照圖12描述的厚度ww基本上相同。粘合構(gòu)件tp-1沿第二方向dr2排列并在第一方向dr1上延伸。粘合構(gòu)件tp-1以規(guī)則間距wd-1彼此間隔(例如，間隔開)。由于粘合構(gòu)件tp-1具有與上文參照圖12描述的粘合構(gòu)件tp相同或基本上相同的結(jié)構(gòu)和功能，因此可省略對粘合構(gòu)件tp-1的詳細(xì)描述。

圖14是根據(jù)本公開示例性實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示面板dp和保護(hù)構(gòu)件pb的立體圖。在圖14中，有機(jī)發(fā)光顯示面板dp、熱輻射層rhp以及保護(hù)構(gòu)件pb具有與圖8中示出的有機(jī)發(fā)光顯示面板dp、熱輻射層rhp以及保護(hù)構(gòu)件pb基本上相同的結(jié)構(gòu)和功能，并且因此，可省略其細(xì)節(jié)。

參照圖14，第一數(shù)據(jù)驅(qū)動器200-1與有機(jī)發(fā)光顯示面板dp的一端eg1相鄰布置，以及第二數(shù)據(jù)驅(qū)動器200-2與有機(jī)發(fā)光顯示面板dp的另一端eg2(例如，相對端)相鄰布置。歸因于第一數(shù)據(jù)驅(qū)動器200-1和第二數(shù)據(jù)驅(qū)動器200-2，與有機(jī)發(fā)光顯示面板dp的端eg1和端eg2相鄰的區(qū)域中生成的熱量比其它區(qū)域中生成的熱量更多。

如圖14中所示，當(dāng)粘合構(gòu)件tp-2中的粘合構(gòu)件與端eg1和另一端eg2相鄰布置時，與端eg1和端eg2相鄰的區(qū)域中生成的熱量可被有效地排出。粘合構(gòu)件tp-2與參照圖12描述的粘合構(gòu)件tp基本上相同，并且因此，可省略其細(xì)節(jié)。

圖15是根據(jù)本公開示例性實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示面板dp和保護(hù)構(gòu)件pb的剖視圖。在本示例性實施方式中，有機(jī)發(fā)光顯示面板dp、熱輻射層rhp、空氣層ag以及保護(hù)構(gòu)件pb具有與圖8中示出的有機(jī)發(fā)光顯示面板dp、熱輻射層rhp、空氣層ag以及保護(hù)構(gòu)件pb基本上相同的結(jié)構(gòu)和功能，并且因此，可省略其細(xì)節(jié)。

參照圖15，基底層pbs具有接觸氧化層pba的第一表面sf1(例如，氧化層pba在基底層pbs的第一表面sf1上)和與第一表面sf1相對的第二表面sf2。熱輻射層rhp-2布置在第二表面sf2上。布置在第二表面sf2上的熱輻射層rhp-2的制造方法、發(fā)射率以及其它特性與上文描述的布置在有機(jī)發(fā)光顯示面板dp的非發(fā)光表面nls上的熱輻射層rhp的制造方法、發(fā)射率以及其它特性基本上相同。

布置在第二表面sf2上的熱輻射層rhp-2使由保護(hù)構(gòu)件pb通過空氣層ag從有機(jī)發(fā)光顯示面板dp吸收的熱量耗散至外部。

圖16是根據(jù)本公開示例性實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示面板dp、保護(hù)構(gòu)件pb、驅(qū)動電路板dcb以及散熱構(gòu)件hs和散熱構(gòu)件hs-1的剖視圖。在本示例性實施方式中，有機(jī)發(fā)光顯示面板dp、熱輻射層rhp、空氣層ag以及保護(hù)構(gòu)件pb具有與圖8中示出的有機(jī)發(fā)光顯示面板dp、熱輻射層rhp、空氣層ag以及保護(hù)構(gòu)件pb基本上相同的結(jié)構(gòu)和功能，并且因此，可省略其細(xì)節(jié)。此外，布置在第二表面sf2上的熱輻射層rhp-2與參照圖15描述的熱輻射層rhp-2基本上相同，并且因此，可省略其細(xì)節(jié)。

參照圖16，驅(qū)動電路板dcb布置在保護(hù)構(gòu)件pb的后側(cè)。驅(qū)動電路板dcb通過距離(例如，通過預(yù)定距離)與保護(hù)構(gòu)件pb間隔(例如，間隔開)。驅(qū)動電路板dcb和保護(hù)構(gòu)件pb以它們之間的空氣層彼此間隔。該空氣層用作絕熱層以使驅(qū)動電路板dcb與由有機(jī)發(fā)光顯示面板dp生成的熱量隔絕。

驅(qū)動電路板dcb可包括電路部件，例如，時序控制器。驅(qū)動電路板dcb生成并輸出信號以驅(qū)動掃描驅(qū)動器100和數(shù)據(jù)驅(qū)動器200，但驅(qū)動電路板dcb不應(yīng)限于此或不應(yīng)受此限制。例如，驅(qū)動電路板dcb可包括用于生成信號以驅(qū)動有機(jī)發(fā)光顯示面板dp的多種電路部件。

散熱構(gòu)件hs和散熱構(gòu)件hs-1中的每個與驅(qū)動電路板dcb相鄰布置。散熱構(gòu)件hs和散熱構(gòu)件hs-1中的每個包括在平面方向具有高熱導(dǎo)率的石墨，但散熱構(gòu)件hs和散熱構(gòu)件hs-1不應(yīng)限于此或不應(yīng)受此限制。例如，熱輻射層rhp-3和rhp-4可具有相對高的發(fā)射率，以及散熱構(gòu)件hs和散熱構(gòu)件hs-1可具有相對高的熱導(dǎo)率。

在散熱構(gòu)件hs和散熱構(gòu)件hs-1與驅(qū)動電路板dcb相鄰布置的實施方式中，從驅(qū)動電路板dcb傳遞至有機(jī)發(fā)光顯示面板dp的熱量的量減小，并且因此，有機(jī)發(fā)光顯示面板dp的溫度可不因為驅(qū)動電路板dcb而升高。

熱輻射層rhp-3和熱輻射層rhp-4分別布置在散熱構(gòu)件hs和散熱構(gòu)件hs-1上。分別布置在散熱構(gòu)件hs和散熱構(gòu)件hs-1上的熱輻射層rhp-3和熱輻射層rhp-4的制造方法、發(fā)射率以及其它特性與布置在有機(jī)發(fā)光顯示面板dp的非發(fā)光表面nls上的熱輻射層rhp的制造方法、發(fā)射率以及其它特性基本上相同。熱輻射層rhp-3和熱輻射層rhp-4允許散熱構(gòu)件hs和散熱構(gòu)件hs-1更有效地將有機(jī)發(fā)光顯示面板dp與驅(qū)動電路板dcb熱隔離。

圖17是根據(jù)本公開示例性實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示面板dp、保護(hù)構(gòu)件pb、驅(qū)動電路板dcb、散熱構(gòu)件hs和散熱構(gòu)件hs-1以及底蓋bc的剖視圖。在示出的示例性實施方式中，有機(jī)發(fā)光顯示面板dp、熱輻射層rhp、空氣層ag以及保護(hù)構(gòu)件pb具有與圖8中示出的有機(jī)發(fā)光顯示面板dp、熱輻射層rhp、空氣層ag以及保護(hù)構(gòu)件pb基本上相同的結(jié)構(gòu)和功能，并且因此，可省略其細(xì)節(jié)。此外，布置在第二表面sf2上的熱輻射層rhp-2與上文參照圖16描述的熱輻射層rhp-2基本上相同，并且因此，可省略其細(xì)節(jié)。驅(qū)動電路板dcb、散熱構(gòu)件hs和散熱構(gòu)件hs-1以及熱輻射層rhp-3和熱輻射層rhp-4與參照圖16描述的驅(qū)動電路板dcb、散熱構(gòu)件hs和散熱構(gòu)件hs-1以及熱輻射層rhp-3和熱輻射層rhp-4基本上相同，并且因此，可省略其細(xì)節(jié)。

參照圖17，底蓋bc覆蓋有機(jī)發(fā)光顯示面板dp、保護(hù)構(gòu)件pb、驅(qū)動電路板dcb以及散熱構(gòu)件hs和散熱構(gòu)件hs-1以保護(hù)有機(jī)發(fā)光顯示面板dp、保護(hù)構(gòu)件pb、驅(qū)動電路板dcb以及散熱構(gòu)件hs和散熱構(gòu)件hs-1不受外部碰撞和外部污染物的影響。

熱輻射層rhp-5可布置在底蓋bc的內(nèi)表面上。布置在底蓋bc的內(nèi)表面上的熱輻射層rhp-5的制造方法、發(fā)射率以及其它特性與布置在有機(jī)發(fā)光顯示面板dp的非發(fā)光表面nls上的熱輻射層rhp的制造方法、發(fā)射率以及其它特性基本上相同。

雖然在本文中已對本發(fā)明的示例性實施方式進(jìn)行了描述，但應(yīng)理解的是，本發(fā)明不應(yīng)限于這些示例性實施方式，并且在如所附權(quán)利要求和其等同所陳述的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可做出多種改變和修改。