本申請要求于2015年12月28日提交的第10-2015-0187469號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，出于各種目的將該韓國專利申請通過引用包含于此，如同在此充分闡述一樣。

發(fā)明大體上涉及一種顯示裝置，更具體地，涉及一種與用戶操作的觸摸屏結(jié)合的顯示裝置。

背景技術(shù)：

包括附著到顯示面板上的觸摸屏的顯示裝置已經(jīng)被開發(fā)為信息輸入裝置。在觀看顯示面板上顯示的圖像的同時，用戶可以通過按壓或觸摸觸摸屏中的觸摸傳感器來輸入信息。

最近，為了減小諸如智能電話和平板pc的便攜式終端的厚度，開發(fā)了觸摸屏集成在顯示面板中的顯示裝置。這種設(shè)計會具有不充分的結(jié)構(gòu)支撐和/或不利地影響裝置的電氣特性和性能。

在該背景部分公開的以上信息僅用于增強(qiáng)對發(fā)明構(gòu)思的上下文的理解，因此，可以包括在這個國家中對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說不構(gòu)成已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

通過提供包括對裝置的性能無不利影響的用于支撐觸摸屏的元件的觸摸屏集成顯示裝置，在避免與現(xiàn)有技術(shù)相關(guān)聯(lián)的不足和缺點(diǎn)的同時，發(fā)明滿足了更薄的便攜式電子裝置的需求。

發(fā)明的示例性實施例提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：第一基底，包括多個像素區(qū)域；多個顯示元件，分別設(shè)置在第一基底上的所述多個像素區(qū)域中；第二基底，面對第一基底；多個間隔件，設(shè)置在所述多個顯示元件之間；以及多個觸摸感測電極，設(shè)置在第二基底的面對第一基底的表面上。所述多個顯示元件之中的顯示元件包括：第一電極，設(shè)置在所述多個像素區(qū)域之中的像素區(qū)域中；像素限定層，設(shè)置在所述多個像素區(qū)域中的每個像素區(qū)域之間并暴露第一電極；發(fā)射層，設(shè)置在第一電極上并至少包括光產(chǎn)生層；以及第二電極，設(shè)置在發(fā)射層上并延伸到像素限定層和所述多個間隔件。所述多個間隔件設(shè)置在像素限定層上，第二電極包括與所述多個間隔件疊置的開口。

觸摸感測電極可以包括彼此交叉的多條導(dǎo)電細(xì)線。間隔件可以設(shè)置在導(dǎo)電細(xì)線交叉的點(diǎn)處。顯示元件可以設(shè)置在通過交叉所述多條導(dǎo)電細(xì)線形成的區(qū)域中。

觸摸感測電極可以包括一個或更多個第一區(qū)域和與第一區(qū)域電分離的一個或更多個第二區(qū)域，所述一個或更多個第一區(qū)域與所述一個或更多個第二區(qū)域電隔離。第二區(qū)域可以圍繞第一區(qū)域。開口可以設(shè)置在第二區(qū)域中。

顯示裝置還可以包括設(shè)置在第二電極上的包封層。

顯示裝置還可以包括設(shè)置在第一基底和第二基底之間的填充材料。

發(fā)明的另一個示例性實施例提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：第一基底，包括多個像素區(qū)域；多個第一電極，分別設(shè)置在所述多個像素區(qū)域中；像素限定層，設(shè)置在所述多個像素區(qū)域的每個像素區(qū)域之間并暴露所述多個第一電極；多個間隔件，設(shè)置在像素限定層上；發(fā)射層，設(shè)置在第一電極上并至少包括光產(chǎn)生層；第二電極，設(shè)置在發(fā)射層上并延伸到像素限定層和所述多個間隔件；第二基底，面對第一基底；以及多個觸摸感測電極，設(shè)置在第二基底的面對第二電極的表面上并包括彼此交叉的多條導(dǎo)電細(xì)線，所述多個觸摸感測電極包括位于所述多個觸摸感測電極中的電隔離區(qū)域，設(shè)置在隔離區(qū)域中的所述多條導(dǎo)電細(xì)線與設(shè)置在其它區(qū)域中的所述多條導(dǎo)電細(xì)線電分離。在其它區(qū)域中，第二電極包括與所述多個間隔件疊置的開口。

前面的一般性描述和后面的詳細(xì)描述是示例性和解釋性的，旨在提供對僅由權(quán)利要求限定的所要求的主題的進(jìn)一步解釋。

附圖說明

包括附圖以提供發(fā)明構(gòu)思的進(jìn)一步理解，附圖被包含在本說明書中且構(gòu)成本說明書的一部分，所述附圖示出發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，并且與描述一起用來解釋發(fā)明構(gòu)思的原理。

在附圖中，為了圖示的清楚可以夸大尺寸。將理解的是，當(dāng)元件被稱為“在”兩個元件“之間”時，該元件可以是兩個元件之間唯一的元件，或者還可以存在一個或更多個中間元件。同樣的附圖標(biāo)記始終表示同樣的元件。

圖1是示出根據(jù)發(fā)明的示例性實施例構(gòu)造的顯示裝置的透視圖。

圖2是示出圖1的第一基底的俯視平面圖。

圖3是示出圖1的第二基底的俯視平面圖。

圖4是示出圖1的顯示裝置中設(shè)置有觸摸感測電極的區(qū)域的俯視平面圖。

圖5是圖4的區(qū)域ea1的放大俯視平面圖。

圖6是沿圖5的v-v’線截取的剖視圖。

圖7是示出根據(jù)發(fā)明的另一個示例性實施例的顯示裝置中設(shè)置有觸摸感測電極的區(qū)域的俯視平面圖。

圖8是圖7的區(qū)域ea2的放大圖。

圖9是沿圖8的vii-vii’線截取的剖視圖。

圖10是沿圖8的viii-viii’線截取的剖視圖。

具體實施方式

在以下描述中，為了解釋的目的，闡述了許多具體細(xì)節(jié)以便提供對各種示例性實施例的深入理解。然而，顯然，可以在沒有這些具體細(xì)節(jié)或有一個或更多個等同布置的情況下實施各種示例性實施例。在其它情況下，以框圖形式示出公知的結(jié)構(gòu)和設(shè)備以便避免不必要地使各種示例性實施例模糊不清。

在附圖中，為了清楚和描述的目的，可以夸大層、膜、面板、區(qū)域等的尺寸和相對尺寸。并且，同樣的附圖標(biāo)記表示同樣的元件。

當(dāng)元件或?qū)颖环Q作“在”另一元件或?qū)印吧稀薄ⅰ斑B接到”另一元件或?qū)踊颉敖Y(jié)合到”另一元件或?qū)訒r，該元件或?qū)涌梢灾苯釉诹硪辉驅(qū)由?、直接連接到另一元件或?qū)踊蛑苯咏Y(jié)合到另一元件或?qū)?，或者可以存在中間元件或?qū)?。然而，?dāng)元件或?qū)颖环Q作“直接在”另一元件或?qū)印吧稀?、“直接連接到”另一元件或?qū)踊颉爸苯咏Y(jié)合到”另一元件或?qū)訒r，不存在中間元件或?qū)印τ诒竟_的目的來說，“x、y和z中的至少一個”和“從由x、y和z組成的組中選擇的至少一個”可以解釋為僅為x、僅為y、僅為z，或者為x、y和z中兩個或更多個的任意組合，例如xyz、xyy、yz和zz。如在此使用的，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項目中一個或更多個的任意和所有組合。

雖然在此可以使用術(shù)語“第一”、“第二”等來描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語被用來區(qū)分一個元件、組件、區(qū)域、層和/或部分與另一個元件、組件、區(qū)域、層和/或部分。因此，在不脫離本公開的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層和/或部分可以被稱為第二元件、組件、區(qū)域、層和/或部分。

出于描述的目的，可以在此使用諸如“在……下面”、“在……下方”、“下方的”、“在……上方”、“上方的”等的空間相對術(shù)語，從而來描述如附圖中示出的一個元件或特征與另一個(另外多個)元件或特征的關(guān)系?？臻g相對術(shù)語旨在包括除了附圖中描述的方向之外，在使用、操作和/或制造中裝置的不同方向。例如，如果翻轉(zhuǎn)附圖中的裝置，那么被描述為“在”其它元件或特征“下面”或“在”其它元件或特征“下方”的元件將被定向為“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例性術(shù)語“在……下方”可以包括在上方和在下方兩個方向。此外，裝置可被另外定向(例如，旋轉(zhuǎn)90度或在其它方位)，同樣地，相應(yīng)地解釋在此使用的空間相對描述符。

在此使用的術(shù)語是為了描述具體實施例的目的，而不意圖限制。如在此使用的，除非上下文另外明確地指出，否則單數(shù)形式“一個”、“一種”和“所述(該)”也旨在包括復(fù)數(shù)形式。此外，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語“包括”和/或“包含”時，說明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或其組合，但并不排除存在或添加一個或更多的其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或其組合。

參照理想化示例性實施例和/或中間結(jié)構(gòu)的示意圖的剖示圖，在此描述了各種示例性實施例。同樣地，可以預(yù)期由于例如制造技術(shù)和/或公差造成的圖示的形狀的變化。因此，在此公開的示例性實施例不應(yīng)被解釋為對具體示出的區(qū)域的形狀的限制，而是包括由例如制造導(dǎo)致的形狀的偏差。例如，示出為矩形的注入?yún)^(qū)將通常在注入?yún)^(qū)邊緣處具有圓形的或彎曲的特征和/或注入濃度的梯度，而不是從注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū)的二元變化。同樣地，通過注入形成的埋區(qū)可以導(dǎo)致在埋區(qū)和發(fā)生注入的表面之間的區(qū)域中的一些注入。因此，在附圖中示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，它們的形狀不意圖示出裝置的區(qū)域的實際形狀且不意圖限制。

除非另外定義，否則這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有與本公開作為其中一部分的領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的含義相同的含義。除非在此明確地定義，否則諸如在常用字典中定義的術(shù)語應(yīng)當(dāng)被理解為具有與在相關(guān)領(lǐng)域背景下它們的含義一致的含義，并且不以理想化或過于正式的意義來解釋。

圖1是示出根據(jù)發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置的透視圖，圖2是示出圖1的第一基底的俯視平面圖，圖3是示出圖1的第二基底的俯視平面圖。

參照圖1、圖2和圖3，顯示裝置可以包括：第一基底110；顯示元件(未示出)，設(shè)置在第一基底110上；第二基底120，面對第一基底110；以及觸摸感測電極tse，設(shè)置在第二基底120的面對第一基底110的表面上。

第一基底110可以包括顯示區(qū)域da和非顯示區(qū)域nda。顯示區(qū)域da可以包括多個像素區(qū)域(圖2中未示出)。非顯示區(qū)域nda可以設(shè)置為與顯示區(qū)域da相鄰。

此外，第一基底110可以包括多條柵極線(未示出)、與柵極線交叉的多條數(shù)據(jù)線(未示出)以及連接到柵極線和數(shù)據(jù)線的多個薄膜晶體管(未示出)。每個顯示元件可以連接到薄膜晶體管中的一個。

顯示元件可以設(shè)置在第一基底110上的像素區(qū)域中。此外，顯示元件可以是液晶顯示裝置(lcd裝置)、電泳顯示裝置(epd裝置)、電濕潤顯示裝置(ewd裝置)和有機(jī)發(fā)光顯示裝置(oled裝置)中的任何一種。為了方便，在此使用oled裝置作為顯示元件的示例。

顯示元件可以包括連接到薄膜晶體管的第一電極、設(shè)置在第一電極上的發(fā)射層和設(shè)置在發(fā)射層上的第二電極。發(fā)射層可以包括光產(chǎn)生層，所述光產(chǎn)生層由通過第一電極和第二電極注入的電子和空穴的復(fù)合而產(chǎn)生光。

第二基底120可以包括感測區(qū)域sa和非感測區(qū)域nsa。感測區(qū)域sa可以對應(yīng)于第一基底110的顯示區(qū)域da。非感測區(qū)域nsa可以設(shè)置為與感測區(qū)域sa相鄰。此外，非感測區(qū)域nsa可以對應(yīng)于第一基底110的非顯示區(qū)域nda。

觸摸感測電極tse可以設(shè)置在第二基底120的面對第一基底110的表面上的感測區(qū)域sa中，觸摸感測電極tse可以通過感測線sl連接到焊盤部分。觸摸感測電極tse可以根據(jù)顯示裝置的觸摸感測形式被設(shè)置為各種形式。

例如，如圖3中所示，顯示裝置的觸摸感測形式可以是互電容觸摸屏類型。這里，一些觸摸感測電極tse可以包括在預(yù)定方向上連接且彼此平行的多個觸摸感測電極行。此外，剩余的觸摸感測電極tse可以包括在與觸摸感測電極行交叉的方向上連接且彼此平行的多個觸摸感測電極列。觸摸感測電極行和觸摸感測電極列可以通過感測線sl分別連接到焊盤部分pda的焊盤。

圖4是示出圖1的顯示裝置中設(shè)置觸摸感測電極的區(qū)域的俯視平面圖，圖5是圖4的區(qū)域ea1的放大俯視平面圖，圖6是沿圖5的v-v’線截取的剖視圖。

參照圖1、圖2、圖3、圖4、圖5和圖6，顯示裝置可以包括第一基底110、設(shè)置在第一基底110上的顯示元件dd、面對第一基底110的第二基底120和設(shè)置在第二基底120的面對第一基底110的表面上的觸摸感測電極tse。

第一基底110可以包括顯示區(qū)域da和非顯示區(qū)域nda。顯示區(qū)域da可以包括多個像素區(qū)域。非顯示區(qū)域nda可以設(shè)置為與顯示區(qū)域da相鄰。此外，第一基底110可以包括基礎(chǔ)基底sub和設(shè)置在基礎(chǔ)基底sub上的每個像素區(qū)域中的一個或更多個薄膜晶體管tft。

基礎(chǔ)基底sub可以包括透明絕緣材料以允許光透過。此外，基礎(chǔ)基底sub可以是剛性基底或柔性基底。剛性基底可以包括玻璃基底、石英基底、玻璃陶瓷基底和水晶玻璃基底中的至少一種。柔性基底可以包括含有聚合物有機(jī)材料的膜基底和塑料基底中的至少一種。例如，柔性基底可以包括聚醚砜(pes)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亞胺(pei)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚對苯二甲酸乙二酯(pet)、聚苯硫醚(pps)、聚芳酯(par)、聚酰亞胺(pi)、聚碳酸酯(pc)、三醋酸纖維素(tac)、醋酸丙酸纖維素(cap)和玻璃纖維增強(qiáng)塑料(frp)中的至少一種。

包括在基礎(chǔ)基底sub中的材料可以對在顯示裝置的制造工藝期間會存在的高工藝溫度有抗力(耐熱性)。

緩沖層bul可以設(shè)置在基礎(chǔ)基底sub和薄膜晶體管tft之間。緩沖層bul可以包括氧化硅和氮化硅中的至少一種。例如，緩沖層bul可以包括含有氧化硅的第一絕緣層和設(shè)置在第一絕緣層上且包括氮化硅的第二絕緣層。緩沖層bul可以防止雜質(zhì)從基礎(chǔ)基底sub擴(kuò)散到薄膜晶體管tft。此外，緩沖層bul可以使基礎(chǔ)基底sub的表面平坦化。

薄膜晶體管tft可以連接到柵極線和數(shù)據(jù)線。薄膜晶體管tft可以包括半導(dǎo)體層scl、柵電極ge、源電極se和漏電極de。

半導(dǎo)體層scl可以設(shè)置在緩沖層bul上。半導(dǎo)體層scl可以包括非晶硅(a-si)、多晶硅(p-si)、氧化物半導(dǎo)體和有機(jī)半導(dǎo)體中的一種。在半導(dǎo)體層scl中，與源電極se和漏電極de連接的區(qū)域可以是具有摻雜在其上或者注入到其中的雜質(zhì)的源區(qū)和漏區(qū)。源區(qū)和漏區(qū)之間的區(qū)域可以是溝道區(qū)。

盡管未示出，但是當(dāng)半導(dǎo)體層scl包括氧化物半導(dǎo)體時，用于阻擋光入射到半導(dǎo)體層scl的光阻擋層也可以設(shè)置在半導(dǎo)體層scl的上部或下部上。

柵極絕緣層gi可以設(shè)置在半導(dǎo)體層scl上。柵極絕緣層gi可以覆蓋半導(dǎo)體層scl，并且可以使半導(dǎo)體層scl和柵電極ge絕緣。柵極絕緣層gi可以包括氧化硅層和氮化硅層中的至少一個。

柵電極ge可以設(shè)置在柵極絕緣層gi上。柵電極ge可以連接到柵極線。柵電極ge可以包括低電阻導(dǎo)電材料，并且可以與半導(dǎo)體層scl疊置。

層間絕緣層ild可以設(shè)置在柵電極ge上。層間絕緣層ild可以包括與柵極絕緣層gi的材料相同的材料。層間絕緣層ild可以使源電極se、漏電極de和柵電極ge絕緣。

穿過柵極絕緣層gi和層間絕緣層ild的接觸孔可以暴露半導(dǎo)體層scl的源區(qū)和漏區(qū)。

源電極se和漏電極de可以在層間絕緣層ild上彼此分隔開。源電極se和漏電極de可以包括低電阻導(dǎo)電材料。源電極se的一端可以連接到數(shù)據(jù)線。源電極se的另一端可以通過接觸孔中的一個連接到源區(qū)。漏電極de的一端可以通過另一個接觸孔連接到漏區(qū)。漏電極de的另一端可以連接到顯示元件dd中的一個。

在示例性實施例中，雖然已經(jīng)描述了薄膜晶體管tft是具有頂柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管的情形作為示例，但是薄膜晶體管不限于此。例如，薄膜晶體管tft還可以是具有底柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管。

鈍化層psv可以設(shè)置在其上設(shè)置有薄膜晶體管tft的基礎(chǔ)基底sub上。即，鈍化層psv可以覆蓋薄膜晶體管tft?？梢匀コg化層的psv的一部分以暴露漏電極de。

鈍化層psv可以包括至少一層。例如，鈍化層psv可以包括無機(jī)鈍化層和設(shè)置在無機(jī)鈍化層上的有機(jī)鈍化層。無機(jī)鈍化層可以包括氧化硅和氮化硅中的至少一種。有機(jī)鈍化層可以包括亞克力、聚酰亞胺(pi)、聚酰胺(pa)和苯并環(huán)丁烯(bcb)中的一種。此外，有機(jī)鈍化層可以是透明且柔性的以使下部結(jié)構(gòu)的彎曲或非平坦部分光滑且平坦的平坦化層。

顯示元件dd可以設(shè)置在鈍化層psv上。顯示元件dd可以包括與漏電極de連接的第一電極ae、設(shè)置在第一電極ae上的發(fā)射層el和設(shè)置在發(fā)射層el上的第二電極ce。

第一電極ae和第二電極ce中的一個可以是陽極電極，另一個可以是陰極電極。例如，第一電極ae可以是陽極電極，第二電極ce可以是陰極電極。

此外，第一電極ae和第二電極ce中的至少一個可以是透射電極。例如，當(dāng)顯示元件dd是底部發(fā)射有機(jī)發(fā)光器件時，第一電極ae可以是透射電極，第二電極ce可以是反射電極。當(dāng)顯示元件dd是頂部發(fā)射有機(jī)發(fā)光器件時，第一電極ae可以是反射電極，第二電極ce可以是透射電極。例如，當(dāng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置是雙型有機(jī)發(fā)光裝置時，第一電極ae和第二電極ce都可以是透射電極。在本示例性實施例中，將描述顯示元件dd是頂部發(fā)射有機(jī)發(fā)光器件且第一電極ae是陽極的情形作為示例。

在每個像素區(qū)域中，第一電極ae可以設(shè)置在鈍化層psv上。第一電極ae可以包括能夠反射光的反射層(未示出)和設(shè)置在反射層的上部或下部上的透明導(dǎo)電層(未示出)。透明導(dǎo)電層和反射層中的至少一個可以與漏電極de連接。

反射層可以包括能夠反射光的材料。例如，反射層可以包括鋁(al)、銀(ag)、鉻(cr)、鉬(mo)、鉑(pt)、鎳(ni)和它們的合金中的至少一種。

透明導(dǎo)電層可以包括透明導(dǎo)電氧化物。例如，透明導(dǎo)電層可以包括氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、氧化鋅鋁(azo)、鎵摻雜氧化鋅(gzo)、氧化鋅錫(zto)、氧化鎵錫(gto)和氟摻雜氧化錫(fto)中的至少一種透明導(dǎo)電氧化物。

像素限定層pdl可以設(shè)置在第一電極ae上。像素限定層pdl可以設(shè)置在像素區(qū)域之間，并且可以使第一電極ae暴露。此外，像素限定層pdl可以與第一電極ae的邊緣部分疊置。因此，像素限定層pdl可以使第一電極ae的靠近第二基底120的表面的大部分暴露。

像素限定層pdl可以包括有機(jī)絕緣材料。例如，像素限定層pdl可以包括聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)、聚丙烯腈(pan)、聚酰胺(pa)、聚酰亞胺(pi)、聚芳醚(pae)、雜環(huán)聚合物、聚對二甲苯、環(huán)氧樹脂、苯并環(huán)丁烯(bcb)、硅氧烷類樹脂和硅烷類樹脂中的至少一種。

多個間隔件sp可以設(shè)置在像素限定層pdl上。間隔件sp可以保持第一基底110和第二基底120之間的距離。即使向第一基底110或第二基底120施加外部壓力，間隔件sp也可以防止顯示元件dd因第二基底120與顯示元件dd接觸而產(chǎn)生的損壞。

間隔件sp可以包括有機(jī)絕緣材料。例如，間隔件sp可以包括與像素限定層pdl的材料相同的材料。

發(fā)射層el可以設(shè)置在第一電極ae的暴露表面上。發(fā)射層el可以具有包括至少一個光產(chǎn)生層的多層薄膜結(jié)構(gòu)。例如，發(fā)射層el可以包括用于注入空穴的空穴注入層、具有優(yōu)良的空穴傳輸性能且抑制未能在光產(chǎn)生層中結(jié)合的電子的移動以增加空穴和電子復(fù)合機(jī)會的空穴傳輸層。發(fā)射層el還可以包括可以通過注入的電子和空穴的復(fù)合來發(fā)射光的光產(chǎn)生層、用來抑制未能在光產(chǎn)生層中結(jié)合的空穴的移動的空穴阻擋層、用來將電子順利地傳輸?shù)焦猱a(chǎn)生層的電子傳輸層和用于注入電子的電子注入層。

發(fā)射層中產(chǎn)生的光的顏色可以是紅色、綠色、藍(lán)色和白色中的一種，但是本示例性實施例中不進(jìn)行限制。例如，發(fā)射層el的光產(chǎn)生層中產(chǎn)生的光的顏色可以是品紅、青色和黃色中的一種。

空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、電子傳輸層和電子注入層可以是連接到相鄰像素區(qū)域的公共層。

第二電極ce可以設(shè)置在發(fā)射層el上。此外，第二電極ce可以延伸到像素限定層pdl和間隔件sp。

第二電極ce可以是半透反射層。例如，第二電極ce可以是具有光可以透過的厚度的薄金屬層。第二電極ce可以允許光產(chǎn)生層中產(chǎn)生的光的一部分透過，并且可以反射光產(chǎn)生層中產(chǎn)生的剩余的光。

第二電極ce可以包括具有比透明導(dǎo)電層的逸出功低的逸出功的材料。例如，第二電極ce可以包括鉬(mo)、鎢(w)、銀(ag)、鎂(mg)、鋁(al)、鉑(pt)、鈀(pd)、金(au)、鎳(ni)、釹(nd)、銥(ir)、鉻(cr)鋰(li)、鈣(ca)和它們的合金中的至少一種。

從發(fā)射層el發(fā)射的光的一部分可能不能透過第二電極ce，從第二電極ce反射的光可以再次從反射層被反射。即，從發(fā)射層el發(fā)射的光可以在反射層和第二電極ce之間共振?？梢酝ㄟ^光的共振提高顯示元件dd的光提取效率。

反射層和第二電極ce之間的距離可以根據(jù)光產(chǎn)生層中產(chǎn)生的光的顏色而不同。即，反射層和第二電極ce之間的距離可以被調(diào)整為與光產(chǎn)生層中產(chǎn)生的光的顏色的共振距離一致。

包封層ecl可以設(shè)置在第二電極ce上。包封層ecl可以防止氧和水分滲透到顯示元件dd中。包封層ecl可以包括多個無機(jī)層(未示出)和多個有機(jī)層(未示出)。例如，包封層ecl可以包括具有無機(jī)層和設(shè)置在無機(jī)層上的有機(jī)層的多個單元包封層。此外，無機(jī)層可以設(shè)置在包封層ecl的最低部和最頂部中。無機(jī)層可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯和氧化錫中的至少一種。

第二基底120可以使顯示元件dd與外部環(huán)境隔離。此外，第二基底120可以包括與基礎(chǔ)基底sub的材料相同的材料。第二基底120可以通過密封劑結(jié)合到第一基底110。

第二基底120可以包括感測區(qū)域sa和設(shè)置為與感測區(qū)域sa相鄰的非感測區(qū)域nsa。感測區(qū)域sa可以對應(yīng)于第一基底110的顯示區(qū)域da。非感測區(qū)域nsa可以設(shè)置為與感測區(qū)域sa相鄰。此外，非感測區(qū)域nsa可以對應(yīng)于第一基底110的非顯示區(qū)域nda。

觸摸感測電極tse可以設(shè)置在第二基底120的面對第一基底110的表面上的感測區(qū)域sa中。

觸摸感測電極tse可以包括金屬網(wǎng)。更具體地，觸摸感測電極tse可以包括彼此交叉的多條導(dǎo)電細(xì)線cfl。導(dǎo)電細(xì)線cfl可以包括沿預(yù)定方向延伸的多條第一線cfl1和沿與第一線cfl1交叉的方向延伸的多條第二線cfl2。

通過第一線cfl1和第二線cfl2的交叉形成的區(qū)域可以對應(yīng)于像素區(qū)域。即，顯示元件dd可以設(shè)置在通過第一線cfl1和第二線cfl2的交叉形成的區(qū)域中。

第一線cfl1與第二線cfl2交叉的區(qū)域可以對應(yīng)于間隔件sp。即，間隔件sp可以設(shè)置在第一線cfl1和第二線cfl2交叉的點(diǎn)處。此外，第二電極ce不應(yīng)設(shè)置在間隔件sp的上表面上。相反，第二電極ce可以包括與間隔件sp的上表面疊置的開口oa。

第二電極ce不設(shè)置在間隔件sp的上表面上，以防止在第二電極ce和間隔件sp的上表面上的導(dǎo)電細(xì)線cfl之間形成寄生電容器。因此，這個構(gòu)造防止顯示裝置的觸摸靈敏度降低。

如果與發(fā)明的原則相反，第二電極ce被設(shè)置在間隔件sp的上表面上，那么在第二電極ce和設(shè)置在朝向第二基底120的間隔件sp的上表面上的導(dǎo)電細(xì)線cfl之間會形成寄生電容器。第二電極ce和設(shè)置在靠近第二基底120的間隔件sp的上表面上的導(dǎo)電細(xì)線cfl之間的距離可以遠(yuǎn)小于在設(shè)置有間隔件sp的其它區(qū)域中第二電極ce和導(dǎo)電細(xì)線cfl之間的距離。因此，在第二電極ce和設(shè)置在朝向第二基底120的間隔件sp的上表面上的導(dǎo)電細(xì)線cfl之間形成的寄生電容器的寄生電容可以遠(yuǎn)大于在設(shè)置有間隔件sp的其它區(qū)域中第二電極ce和導(dǎo)電細(xì)線cfl之間形成的寄生電容器的寄生電容。寄生電容器會降低顯示裝置的觸摸靈敏度。

填充材料fm可以設(shè)置在第一基底110和第二基底120之間。填充材料fm可以包括能夠減少外部沖擊或外部壓力的材料。例如，填充材料fm可以包括液體聚合物。填充材料fm可以防止第一基底110或第二基底120由于外部沖擊或外部壓力被損壞。此外，填充材料fm可以防止顯示元件dd由于外部沖擊或外部壓力被損壞。

在下文中，將參照圖7、圖8、圖9和圖10來描述根據(jù)發(fā)明的另一個示例性實施例的顯示裝置。在圖7、圖8、圖9和圖10中，由相同的附圖標(biāo)記表示與圖1、圖2、圖3、圖4、圖5和圖6中示出的組成元件相同的組成元件，并將進(jìn)行簡要描述。此外，為了防止圖7至圖10中重復(fù)的描述，將主要描述與圖1、圖2、圖3、圖4、圖5和圖6中的內(nèi)容不同的內(nèi)容。

圖7是示出根據(jù)發(fā)明的另一個示例性實施例的顯示裝置中設(shè)置觸摸感測電極的區(qū)域的俯視平面圖。圖8是圖7的區(qū)域ea2的放大圖。圖9是沿圖8的vii-vii’線截取的剖視圖。圖10是沿圖8的viii-viii’線截取的剖視圖。

參照圖1、圖2和圖3以及圖7、圖8、圖9和圖10，顯示裝置可以包括第一基底110、設(shè)置在第一基底110上的顯示元件dd、面對第一基底110的第二基底120和設(shè)置在第二基底120的面對第一基底110表面上的觸摸感測電極tse。

第一基底110可以包括顯示區(qū)域da和非顯示區(qū)域nda。顯示區(qū)域da可以包括多個像素區(qū)域。非顯示區(qū)域nda可以設(shè)置為與顯示區(qū)域da相鄰。此外，第一基底110可以包括基礎(chǔ)基底sub和設(shè)置在基礎(chǔ)基底sub上的每個像素區(qū)域中的一個或更多個薄膜晶體管tft。

鈍化層psv可以設(shè)置在其上設(shè)置有薄膜晶體管tft的基礎(chǔ)基底sub上。即，鈍化層psv可以覆蓋薄膜晶體管tft。

顯示元件dd可以設(shè)置在鈍化層psv上。顯示元件dd可以包括：第一電極ae，連接到薄膜晶體管tft；像素限定層pdl，暴露第一電極ae；多個間隔件sp，設(shè)置在像素限定層pdl上；發(fā)射層el，設(shè)置在與像素限定層pdl相鄰的第一電極ae上；以及第二電極ce，設(shè)置在發(fā)射層el上。第二電極ce可以延伸到像素限定層pdl和間隔件sp。間隔件sp可以保持第一基底110和第二基底120之間的距離。

第二基底120可以包括感測區(qū)域sa和設(shè)置為與感測區(qū)域sa相鄰的非感測區(qū)域nsa。感測區(qū)域sa可以對應(yīng)于第一基底110的顯示區(qū)域da。非感測區(qū)域nsa可以設(shè)置為與感測區(qū)域sa相鄰。此外，非感測區(qū)域nsa可以對應(yīng)于第一基底110的非顯示區(qū)域nda。

觸摸感測電極tse可以設(shè)置在第二基底120的面對第一基底110的表面上的感測區(qū)域sa中。

觸摸感測電極tse可以包括一個或更多個第一區(qū)域tse1和與第一區(qū)域tse1分開的一個或更多個第二區(qū)域tse2。第一區(qū)域tse1可以是電隔離區(qū)。此外，在俯視平面圖中，第二區(qū)域tse2可以構(gòu)造為圍繞第一區(qū)域tse1的形狀。即，第一區(qū)域tse1可以具有在第二區(qū)域tse2中隔離的島形。

觸摸感測電極tse可以包括彼此交叉的多條導(dǎo)電細(xì)線cfl。設(shè)置在第一區(qū)域tse1中的導(dǎo)電細(xì)線cfl和設(shè)置在第二區(qū)域tse2中的導(dǎo)電細(xì)線cfl可以電分離。即，設(shè)置在第一區(qū)域tse1中的導(dǎo)電細(xì)線cfl可以處于與設(shè)置在第二區(qū)域tse2中的導(dǎo)電細(xì)線cfl電隔離的狀態(tài)。

觸摸感測電極tse可以包括彼此交叉的多條導(dǎo)電細(xì)線cfl。顯示元件dd可以設(shè)置在由交叉導(dǎo)電細(xì)線cfl形成的區(qū)域中。間隔件sp可以設(shè)置在導(dǎo)電細(xì)線cfl交叉的點(diǎn)處。

在第一區(qū)域tse1中，第二電極ce可以向上延伸至間隔件sp的上表面。即，在第一區(qū)域tse1中，第二電極ce可以不包括開口oa。此外，在第一區(qū)域tse1中，導(dǎo)電細(xì)線cfl是電隔離的。因此，在第一區(qū)域tse1中，第二電極ce和導(dǎo)電細(xì)線cfl之間不會形成寄生電容器。

在第二區(qū)域tse2中，第二電極ce可以形成為具有其中去除了對應(yīng)于間隔件sp的上表面的區(qū)域的形狀。即，在第二區(qū)域tse2中，第二電極ce可以包括位于間隔件sp的上表面上的開口oa，開口oa可以設(shè)置在第二區(qū)域tse2中。因此，可以防止在第二電極ce和間隔件sp的上表面中的導(dǎo)電細(xì)線cfl之間形成寄生電容器。因此，這個構(gòu)造防止顯示裝置的觸摸靈敏度降低。

與包括圖4、圖5和圖6中示出的第二電極的顯示裝置相比，在這個示例性實施例中，顯示裝置可以防止第二電極ce的電壓降(ir壓降)現(xiàn)象。原因是在第一區(qū)域tse1中第二電極ce不包括開口oa。

雖然已經(jīng)在這里描述了特定示例性實施例和實施方式，但從本描述出發(fā)其它實施例和改變將是明顯的。因此，本發(fā)明構(gòu)思不限于這些實施例，而是相反，本發(fā)明構(gòu)思是權(quán)利要求以及對于本領(lǐng)域技術(shù)人員明顯的各種改變和等同布置的范圍。