本申請(qǐng)要求于2016年4月22日提交到韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的第10-2016-0049637號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，該申請(qǐng)的公開通過引用全部包含于此。

發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例涉及一種能夠防止線之間短路的顯示裝置。

背景技術(shù)：

顯示裝置通常包括位于基底上的顯示單元。通過使顯示裝置的至少一部分彎曲，可以改善各種角度的可視性和/或可以減小非顯示區(qū)域的面積。

然而，對(duì)于傳統(tǒng)的顯示裝置，在制造工藝期間，當(dāng)使顯示裝置的一部分彎曲時(shí)會(huì)出現(xiàn)缺陷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，一種顯示裝置包括：基底，包括顯示圖像的顯示區(qū)域和設(shè)置在顯示區(qū)域的至少一側(cè)上的非顯示區(qū)域；多個(gè)像素，設(shè)置在基底上并設(shè)置在與顯示區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域中；第一絕緣層，具有位于非顯示區(qū)域的第一區(qū)域中的開口；第二絕緣層，設(shè)置在第一區(qū)域中；第一線，設(shè)置在基底上并連接到所述多個(gè)像素；以及第二線，設(shè)置在第一絕緣層和第二絕緣層上，并連接到第一線。第一線與第二線疊置的區(qū)域在平面圖中觀察時(shí)與第二絕緣層的邊緣分隔開。

第一線可以包括設(shè)置在每條第一線的端部處的第一焊盤，第二線包括設(shè)置在每條第二線的端部處的第二焊盤。第一焊盤和第二焊盤在平面圖中觀察時(shí)可以彼此疊置。

第一絕緣層可以包括位于第一焊盤與第二焊盤疊置的區(qū)域中的至少一個(gè)接觸孔，第一焊盤和第二焊盤可以通過所述至少一個(gè)接觸孔彼此連接。

顯示裝置還可以包括設(shè)置在第一絕緣層下方并具有位于第一區(qū)域中的開口的層間絕緣層。第一線包括設(shè)置在層間絕緣層下方的第一子線和設(shè)置在層間絕緣層上的第二子線。

第一子線和第二子線在平面圖中觀察時(shí)可以交替地布置。

第二線可以包括設(shè)置在第一絕緣層上的第三子線和設(shè)置在第三絕緣層上的第四子線。

第三子線和第四子線在平面圖中觀察時(shí)可以交替地布置。

第一子線可以連接到第三子線，第二子線可以連接到第四子線。

第二絕緣層可以覆蓋第一區(qū)域和與第一區(qū)域相鄰的第二區(qū)域的一部分。

第一區(qū)域可以與顯示區(qū)域分隔開。

第二絕緣層的邊緣可以設(shè)置在顯示區(qū)域和第一區(qū)域之間。

在平面圖中觀察時(shí)，第二絕緣層可以具有在與第一焊盤和第二焊盤對(duì)應(yīng)的位置中暴露第一絕緣層的上表面的孔。

孔可以具有比第一焊盤和第二焊盤的面積大的面積。

可選擇地，孔可以具有比第一焊盤和第二焊盤的面積小的面積。

在平面圖中觀察時(shí)，孔可以設(shè)置在與第一絕緣層的所述至少一個(gè)接觸孔對(duì)應(yīng)的位置中。

第一焊盤和第二焊盤的寬度可以大于第一線和第二線的第一焊盤和第二焊盤不疊置的部分的寬度。

可選擇地，第一焊盤和第二焊盤的寬度可以與第一線和第二線的第一焊盤和第二焊盤不疊置的部分的寬度基本相同。

在平面圖中觀察時(shí)，第二絕緣層的邊緣與顯示區(qū)域之間的距離可以比第一焊盤和第二焊盤與顯示區(qū)域之間的距離大。

在平面圖中觀察時(shí)，第二絕緣層的邊緣與顯示區(qū)域之間的距離可以比第一焊盤和第二焊盤與顯示區(qū)域之間的距離短。

第二線可以包括設(shè)置在第一絕緣層上的第三子線和設(shè)置在第三絕緣層上的第四子線。

第三子線和第四子線在平面圖中觀察時(shí)可以交替地布置。

顯示裝置還可以包括設(shè)置在第一絕緣層和第二絕緣層上的第三絕緣層。

第三絕緣層可以包括沿顯示區(qū)域的邊緣的第二開口。

每個(gè)像素可以包括：有源圖案，設(shè)置在基底上；柵極絕緣層，設(shè)置在有源圖案上；柵電極，設(shè)置在柵極絕緣層與第一絕緣層之間；源電極和漏電極，設(shè)置在第一絕緣層上；第一電極，設(shè)置在第三絕緣層上并連接到漏電極；有機(jī)層，設(shè)置在第一電極上；第二電極，設(shè)置在有機(jī)層上。

第一線的至少一部分可以利用與柵電極基本相同的材料與柵電極設(shè)置在同一層上。

第二線的至少一部分可以利用與源電極和漏電極基本相同的材料與源電極和漏電極設(shè)置在同一層上。

第一絕緣層可以包括無機(jī)材料。

第二絕緣層可以包括有機(jī)材料。

第一區(qū)域可以在第一方向上延伸，基底可以沿著在第一方向上延伸的折疊線彎曲。

顯示裝置的除了第一區(qū)域之外的區(qū)域可以是平坦的。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，一種顯示裝置包括：基底，包括顯示圖像的顯示區(qū)域和設(shè)置在顯示區(qū)域的至少一側(cè)上的非顯示區(qū)域；多個(gè)像素，設(shè)置在基底上并設(shè)置在與顯示區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域中；第一絕緣層，具有位于非顯示區(qū)域的可彎曲區(qū)域中的開口；第二絕緣層，設(shè)置在可彎曲區(qū)域的開口中；第一線，設(shè)置在基底上并連接到所述多個(gè)像素；第二線，連接到第一線。第一線在多個(gè)疊置部分中與第二線疊置。所述多個(gè)疊置部分不與第二絕緣層疊置。所述多個(gè)疊置部分包括第一疊置部分至第n疊置部分。第一疊置部分至第n疊置部分之中的奇數(shù)的疊置部分和偶數(shù)的疊置部分分別具有距顯示區(qū)域的第一距離和第二距離。第一距離大于第二距離或者小于第二距離。

第二線可以包括第一子線和第二子線。第一子線和第二子線設(shè)置在不同的層上。

第二絕緣層的邊緣與顯示區(qū)域之間的距離可以大于所述多個(gè)疊置部分與顯示區(qū)域之間的距離。

所述多個(gè)疊置部分可以包括第一焊盤和第二焊盤。第一焊盤設(shè)置在每條第一線的端部處。第二焊盤設(shè)置在每條第二線的端部處。第一焊盤包括第一子焊盤和第二子焊盤。第二焊盤包括第三子焊盤和第四子焊盤。第一子焊盤和第二子焊盤分別與第三子焊盤和第四子焊盤疊置。

顯示裝置還可以包括設(shè)置在形成有第二子焊盤的區(qū)域中的橋接圖案。第二子焊盤通過橋接圖案連接到第四子焊盤。

附圖說明

圖1是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的顯示裝置的平面圖。

圖2是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖1的顯示裝置的透視圖。

圖3是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沿圖1的線i-i’截取的剖視圖。

圖4是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的與圖1的a1對(duì)應(yīng)的部分的平面圖。

圖5a是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沿圖4的線ii-ii’截取的剖視圖，圖5b是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沿圖4的線iii-iii’截取的剖視圖，圖5c是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沿圖4的線iv-iv’截取的剖視圖。

圖6是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的與圖1的顯示裝置的a1對(duì)應(yīng)的部分的平面圖。

圖7a是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沿圖6的線ii-ii’截取的剖視圖，圖7b是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沿圖6的線iii-iii’截取的剖視圖，圖7c是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沿圖6的線iv-iv’截取的剖視圖。

圖8是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的與圖1的顯示裝置的a1對(duì)應(yīng)的部分的平面圖。

圖9a是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沿圖8的線ii-ii’截取的剖視圖，圖9b是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沿圖8的線iii-iii’截取的剖視圖，圖9c是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沿圖8的線iv-iv’截取的剖視圖。

圖10是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沿圖1的顯示裝置的線i-i’截取的剖視圖。

圖11是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的與圖1的顯示裝置的a1對(duì)應(yīng)的部分的平面圖。

圖12a是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沿圖11的線ii-ii’截取的剖視圖，圖12b是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沿圖11的線iii-iii’截取的剖視圖，圖12c是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沿圖11的線iv-iv’截取的剖視圖。

圖13是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沿關(guān)于顯示裝置的圖1的線i-i’截取的剖視圖。

圖14是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的與圖1的顯示裝置的a1對(duì)應(yīng)的部分的平面圖。

圖15a是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沿圖14的線ii-ii’截取的剖視圖，圖15b是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沿圖14的線iii-iii’截取的剖視圖，圖15c是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沿圖14的線iv-iv’截取的剖視圖。

具體實(shí)施方式

在下文中，將參照附圖更充分地描述發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例。在整個(gè)附圖中，同樣的附圖標(biāo)記可以表示同樣的元件。

在附圖中，為了清晰起見，可以夸大結(jié)構(gòu)的尺寸。術(shù)語“第一”和“第二”用于描述各種元件，但所述元件不限于這些術(shù)語。術(shù)語用于將一個(gè)元件與另一元件區(qū)分開。例如，在不脫離發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍的情況下，第一元件可以被稱為第二元件，相似地，第二元件可以被稱為第一元件。除非單數(shù)在上下文中明確不同，否則以單數(shù)使用的表達(dá)可以包括復(fù)數(shù)的表達(dá)。

將理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q作“在”另一元件或?qū)印吧稀?、“連接到”或“結(jié)合到”另一元件或?qū)訒r(shí)，該元件或?qū)涌梢灾苯釉谒隽硪辉驅(qū)由?、直接連接到或直接結(jié)合到所述另一元件或?qū)?，或者可以存在中間元件或中間層。如這里所使用的，術(shù)語“和/或”包括一個(gè)或更多個(gè)相關(guān)列出相的任意和全部組合。

發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例可以使在用于顯示裝置的制造工藝期間出現(xiàn)的諸如斷開或短路的缺陷最小化，并且可以確保顯示裝置的長(zhǎng)的壽命。

圖1是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的顯示裝置的平面圖，圖2是圖1的顯示裝置的透視圖。

參照?qǐng)D1和圖2，顯示裝置可以包括基底sub(如圖3中所示)、設(shè)置在基底sub上的多個(gè)像素pxl以及連接到像素pxl的線部lp。

基底sub可以包括顯示區(qū)域da和設(shè)置在顯示區(qū)域da的至少一側(cè)上的非顯示區(qū)域nda。

基底sub可以大致具有矩形形狀。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，基底sub可以包括在第一方向dr1上彼此平行的一對(duì)短邊和在第二方向dr2上彼此平行的一對(duì)長(zhǎng)邊。

然而，基底sub的形狀可以不限于此，可以具有各種形狀。例如，基底sub可以以各種形狀(諸如具有由直線形成的邊的閉合形式的多邊形、具有由曲線形成的邊的圓形、橢圓形、包括由直線和曲線形成的邊的半圓形、半橢圓形等)設(shè)置。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，當(dāng)基底sub具有由直線形成的邊時(shí)，可以使基底sub的角彎曲。換句話講，當(dāng)基底sub具有矩形形狀時(shí)，相鄰的邊接觸的部分可以由具有預(yù)定曲率的曲線形成?？梢愿鶕?jù)位置而不同地確定該曲率。例如，該曲率可以根據(jù)曲線開始處和曲線的長(zhǎng)度來變化。

顯示區(qū)域da可以以與如上所述的基底sub的形狀對(duì)應(yīng)的形狀設(shè)置。例如，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，當(dāng)顯示區(qū)域da具有由直線形成的邊時(shí)，角可以由曲線形成。

像素pxl可以設(shè)置在基底sub的顯示區(qū)域da上或基底sub的顯示區(qū)域da中以顯示圖像。多個(gè)像素pxl可以設(shè)置為用于顯示圖像的最小單元。像素pxl可以發(fā)射紅光、綠光或藍(lán)光，但不限于此。例如，像素pxl可以發(fā)射藍(lán)綠色的光、品紅色的光或黃色的光。

像素pxl可以是包括有機(jī)層的有機(jī)發(fā)光器件，但不限于此。例如，像素pxl可以以諸如液晶裝置、電泳裝置或電潤(rùn)濕裝置的各種形式實(shí)現(xiàn)。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，多個(gè)像素pxl可以以具有在第一方向dr1上延伸的行和在第二方向dr2上延伸的列的矩陣形式布置。然而，像素pxl的布置不限于此，像素pxl可以以各種方式布置。例如，像素pxl可以布置在行方向上或者相對(duì)于第一方向dr1或第二方向dr2的傾斜方向上。

非顯示區(qū)域nda可以是未設(shè)置像素pxl的區(qū)域，因此不顯示圖像。

非顯示區(qū)域nda可以包括連接到像素pxl的線部lp和連接到像素pxl并驅(qū)動(dòng)像素pxl的驅(qū)動(dòng)器。

線部lp可以連接到像素pxl。線部lp可以向每個(gè)像素pxl提供信號(hào)。線部lp可以包括掃描線、數(shù)據(jù)線和驅(qū)動(dòng)電壓線，并且還可以包括根據(jù)需要的其他線。

線部lp可以設(shè)置在顯示區(qū)域da和非顯示區(qū)域nda的上方。

線部lp可以連接到驅(qū)動(dòng)器。驅(qū)動(dòng)器可以通過線部lp向每個(gè)像素pxl提供信號(hào)并控制每個(gè)像素pxl的驅(qū)動(dòng)。

驅(qū)動(dòng)器可以包括掃描驅(qū)動(dòng)器、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器和時(shí)序控制器，掃描驅(qū)動(dòng)器通過掃描線向每個(gè)像素pxl提供掃描信號(hào)，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器通過數(shù)據(jù)線向每個(gè)像素pxl提供數(shù)據(jù)信號(hào)，時(shí)序控制器控制掃描驅(qū)動(dòng)器和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，掃描驅(qū)動(dòng)器可以直接安裝在基底sub上。當(dāng)掃描驅(qū)動(dòng)器直接安裝在基底sub上時(shí)，掃描驅(qū)動(dòng)器可以在形成像素pxl時(shí)形成。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如，掃描驅(qū)動(dòng)器可以形成在單獨(dú)的芯片上并在基底sub上設(shè)置為玻璃上芯片型，或者可以安裝在印刷電路板上并通過連接構(gòu)件連接到基底sub。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器可以直接安裝在基底sub上，但不限于此。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器可以形成在單獨(dú)的芯片上并在基底sub上設(shè)置為玻璃上芯片型，或者安裝在印刷電路板上并通過連接構(gòu)件連接到基底sub。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器可以以層上芯片或膜上芯片cof的形狀形成并連接到基底sub。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，非顯示區(qū)域nda還可以包括從非顯示區(qū)域nda的一部分突出的附加區(qū)域ada。附加區(qū)域ada可以從基底sub的構(gòu)成非顯示區(qū)域nda的邊突出。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，如圖1中所示，附加區(qū)域ada可以從基底sub的短邊中的一個(gè)邊突出。然而，可選擇地，附加區(qū)域ada可以從長(zhǎng)邊中的一個(gè)邊或者從兩個(gè)或更多個(gè)邊突出。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器可以設(shè)置有附加區(qū)域ada或者連接到附加區(qū)域ada，但數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器不限于此，可以以各種構(gòu)成元件設(shè)置。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，顯示裝置的至少一部分可以具有柔性，并且顯示裝置可以在柔性部分處折疊或彎曲。換句話講，顯示裝置可以包括可彎曲區(qū)域ba(或折疊區(qū)域)和平坦區(qū)域，可彎曲區(qū)域ba(或折疊區(qū)域)具有柔性并且可以在一個(gè)方向上彎曲，平坦區(qū)域設(shè)置在可彎曲區(qū)域ba的至少一側(cè)上并且是相對(duì)平坦的(例如，不彎曲的)。平坦區(qū)域可以具有柔性或者可以不具有柔性。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，可彎曲區(qū)域ba可以設(shè)置在附加區(qū)域ada上。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，平坦區(qū)域包括彼此分隔開的第一平坦區(qū)域fa1和第二平坦區(qū)域fa2并且可彎曲區(qū)域ba設(shè)置在它們之間。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，可彎曲區(qū)域ba可以與顯示區(qū)域da分隔開。

折疊顯示裝置的線可以被定義為折疊線。折疊線可以設(shè)置在可彎曲區(qū)域ba中。術(shù)語“可彎曲(的)”表示結(jié)構(gòu)不是固定的并且“折疊”在于將結(jié)構(gòu)從初始類型改變?yōu)椴煌念愋?。換句話講，可以沿折疊線折疊、彎曲或卷繞一條或更多條特定的線。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，如圖1中所示，第一平坦區(qū)域fa1和第二平坦區(qū)域fa2的最接近可彎曲區(qū)域ba的邊可以彼此平行并且彼此相對(duì)布置。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如，第一平坦區(qū)域fa1和第二平坦區(qū)域fa2的這些邊可以關(guān)于設(shè)置在它們之間的可彎曲區(qū)域ba以預(yù)定的角度(例如，銳角、直角或鈍角)被折疊。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，附加區(qū)域ada可以沿著折疊線彎曲，使得可以減小邊框的寬度。

圖3是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沿圖1的線i-i’截取的剖視圖。顯示裝置可以具有如圖2中所示的部分彎曲的形狀。然而，在圖3中，為了便于說明，示出了未彎曲的顯示裝置。換句話講，顯示裝置構(gòu)造為彎曲的并以其彎曲之前的形式示出。為了便于說明，在下面描述的示例性實(shí)施例的剖視圖或平面圖中也示出了彎曲之前的顯示裝置。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，顯示區(qū)域da設(shè)置有多個(gè)像素pxl。每個(gè)像素pxl可以包括連接到線部lp中相應(yīng)的線的晶體管、連接到晶體管的有機(jī)發(fā)光器件以及電容器cst。晶體管可以包括用于控制有機(jī)發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)晶體管和用于使驅(qū)動(dòng)晶體管開關(guān)的開關(guān)晶體管。

像素pxl可以以如圖3中所示的堆疊的層結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)。在圖3中，為了便于說明，單個(gè)像素pxl示出有單個(gè)晶體管和單個(gè)電容器，但發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如，單個(gè)像素pxl中可以包括兩個(gè)或更多個(gè)晶體管和一個(gè)或更多個(gè)電容器，或者單個(gè)像素pxl中可以包括三個(gè)或更多個(gè)晶體管和兩個(gè)或更多個(gè)電容器。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，像素pxl可以設(shè)置在基底sub上。

基底sub可以由諸如玻璃或樹脂的絕緣材料制成。此外，基底sub可以由具有柔性的材料制成以被彎曲或折疊，并且可以具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。

例如，基底sub可以包括聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亞胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯、三醋酸纖維素和醋酸丙酸纖維素中的一種。然而，構(gòu)成基底sub的材料可以變化并且可以包括纖維增強(qiáng)塑料(frp)等。

緩沖層bf形成在基底sub上。緩沖層bf防止雜質(zhì)向開關(guān)晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管的擴(kuò)散。緩沖層bf可以是由無機(jī)材料制成的無機(jī)絕緣層。例如，緩沖層bf可以由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等形成?？梢愿鶕?jù)基底sub的材料和工藝條件省略緩沖層bf。

有源圖案act設(shè)置在緩沖層bf上。有源圖案act可以由半導(dǎo)體材料形成。有源圖案act可以包括源區(qū)、漏區(qū)以及設(shè)置在源區(qū)和漏區(qū)之間的溝道區(qū)。有源圖案act可以是由多晶硅、非晶硅、氧化物半導(dǎo)體形成的半導(dǎo)體圖案。溝道區(qū)可以是具有摻雜有雜質(zhì)的半導(dǎo)體圖案的本征半導(dǎo)體。源區(qū)和漏區(qū)可以具有摻雜有雜質(zhì)的半導(dǎo)體圖案。雜質(zhì)可以是n型雜質(zhì)、p型雜質(zhì)或其他金屬。

柵極絕緣層gi設(shè)置在有源圖案act上。柵極絕緣層gi可以是由無機(jī)材料制成的無機(jī)絕緣層。諸如聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的無機(jī)材料可以作為無機(jī)絕緣材料使用。

柵電極ge和電容器下電極le設(shè)置在柵極絕緣層gi上。柵電極ge可以形成為覆蓋與有源圖案act的溝道區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域。

柵電極ge和電容器下電極le可以由金屬制成。例如，柵電極ge可以由金(au)、銀(ag)、鋁(al)、鉬(mo)、鉻(cr)、鈦(ti)、鎳(ni)、釹(nd)、銅(cu)和金屬的合金中的至少一種制成。此外，柵電極ge可以形成為單層，但不限于此，可以以形成有上述金屬和/或兩種或更多種金屬的合金的多層結(jié)構(gòu)形成。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，包括掃描線的其他線可以利用與柵電極ge和電容器下電極le基本相同的材料與柵電極ge和電容器下電極le設(shè)置在同一層上。這些其他線可以直接或間接連接到每個(gè)像素pxl中的晶體管的一部分(例如，柵電極ge)。

層間絕緣層il設(shè)置在柵電極ge和電容器下電極le上。層間絕緣層il可以是由無機(jī)材料制成的無機(jī)絕緣層。無機(jī)材料可以包括聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等。

電容器上電極ue設(shè)置在層間絕緣層il上。電容器上電極ue可以由金屬制成。例如，電容器上電極ue可以由金(au)、銀(ag)、鋁(al)、鉬(mo)、鉻(cr)、鈦(ti)、鎳(ni)、釹(nd)、銅(cu)和金屬的合金中的至少一種形成。此外，電容器上電極ue可以類似于如上所述的柵電極ge而以單層或多層形成。

電容器下電極le和電容器上電極ue構(gòu)成電容器并且層間絕緣層il介于電容器下電極le與電容器上電極ue之間。根據(jù)本示例性實(shí)施例，電容器cst包括電容器下電極le和電容器上電極ue，但電容器cst不限于此，可以以各種方式實(shí)現(xiàn)。

第一絕緣層ins1設(shè)置在電容器上電極ue上。第一絕緣層ins1可以是由無機(jī)材料制成的無機(jī)絕緣層。無機(jī)材料可以包括聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等。

源電極se和漏電極de設(shè)置在第一絕緣層ins1上。源電極se和漏電極de可以通過形成在第一絕緣層ins1、層間絕緣層il和柵極絕緣層gi上的接觸孔分別接觸源區(qū)和漏區(qū)。

源電極se和漏電極de可以由金屬制成。例如，源電極se和漏電極de可以由金(au)、銀(ag)、鋁(al)、鉬(mo)、鉻(cr)、鈦(ti)、鎳(ni)、釹(nd)、銅(cu)或金屬的合金形成。此外，源電極se和漏電極de可以類似于如上所述的柵電極ge而以單層或多層結(jié)構(gòu)形成。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，數(shù)據(jù)線和電源線可以使用與源電極se和漏電極de基本相同的材料與源電極se和漏電極de設(shè)置在同一層上。數(shù)據(jù)線或電源線可以直接或間接連接到每個(gè)像素pxl中的晶體管的一部分(例如，源電極se和/或漏電極de)。

鈍化層psv設(shè)置在源電極se和漏電極de上。鈍化層psv可以是由無機(jī)材料制成的無機(jī)絕緣層。無機(jī)材料可以包括聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等。

第三絕緣層ins3設(shè)置在鈍化層psv上。第三絕緣層ins3可以是由有機(jī)材料制成的有機(jī)絕緣層。有機(jī)材料可以包括諸如聚丙烯酸化合物、聚酰亞胺類化合物、諸如特氟龍(teflon)的含氟碳化合物或苯并環(huán)丁烯化合物的有機(jī)絕緣材料。

連接圖案cnp設(shè)置在第三絕緣層ins3上。連接圖案cnp可以經(jīng)由穿過第三絕緣層ins3和鈍化層psv的接觸孔連接到晶體管的漏電極de。連接圖案cnp可以由至少一種金屬形成，例如金(au)、銀(ag)、鋁(al)、鉬(mo)、鉻(cr)、鈦(ti)、鎳(ni)、釹(nd)、銅(cu)或金屬的合金。此外，連接圖案cnp可以類似于上述柵電極ge而以單層或多層結(jié)構(gòu)形成。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，諸如虛設(shè)電源線的其他線可以利用與連接圖案cnp基本相同的材料與連接圖案cnp設(shè)置在同一層上。

第四絕緣層ins4設(shè)置在連接圖案cnp上。第四絕緣層ins4可以是由有機(jī)材料制成的有機(jī)絕緣層。有機(jī)材料可以包括諸如聚丙烯酸化合物、聚酰亞胺類化合物、諸如特氟龍(teflon)的含氟碳化合物或苯并環(huán)丁烯化合物的有機(jī)絕緣材料。

第一電極el1設(shè)置在第四絕緣層ins4上。第一電極el1通過穿過第四絕緣層ins4的接觸孔連接到連接圖案cnp，并通過穿過第三絕緣層ins3和鈍化層psv的接觸孔連接到漏電極de。第一電極el1可以用作陽極和陰極中的一個(gè)。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，鈍化層psv、第三絕緣層ins3和第四絕緣層ins4可以設(shè)置在漏電極de上，但這些層的布置可以改變。例如，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，可以在漏電極de上僅設(shè)置鈍化層psv，第一電極el1可以設(shè)置在鈍化層psv上。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，可以僅設(shè)置鈍化層psv和第三絕緣層ins3，第一電極el1可以設(shè)置在第三絕緣層ins3上。在這種情況下，連接圖案cnp可以省略，第一電極el1可以直接連接到漏電極de。

第一電極el1可以由使用ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir或cr的合金和/或氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、氧化鋅(zno)或氧化銦錫鋅(itzo)的金屬層形成。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，第一電極el1由單一類型的金屬制成，但第一電極el1不限于此，可以由兩種或更多種金屬(例如，ag和mg的合金)制成。

當(dāng)在基底sub的下方向上提供圖像時(shí)，第一電極el1可以由透明導(dǎo)電層形成。當(dāng)在基底sub的上方向上提供圖像時(shí)，第一電極el1可以由金屬反射層和/或透明導(dǎo)電層形成。

用于將區(qū)域分隔為與每個(gè)像素pxl對(duì)應(yīng)的像素限定層pdl設(shè)置在基底sub上。像素限定層pdl可以是由有機(jī)材料制成的有機(jī)絕緣層。有機(jī)材料可以包括諸如聚丙烯酸化合物、聚酰亞胺類化合物、諸如特氟龍(teflon)的含氟碳化合物或苯并環(huán)丁烯化合物的有機(jī)絕緣材料。

像素限定層pdl暴露第一電極el1的上表面，并沿著像素pxl的外圍從基底sub突出。

有機(jī)層ol設(shè)置在由像素限定層pdl圍繞的區(qū)域中。

有機(jī)層ol可以包括具有低分子量的材料或聚合物。具有低分子量的材料包括銅鈦菁(cupc)、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基聯(lián)苯胺(npb)或三-8-羥基喹啉鋁(alq3)。這些材料可以通過真空沉積法形成。聚合物材料可以包括pedot、聚苯撐乙烯(ppv)或聚芴等。

有機(jī)層ol可以設(shè)置為單層或者可以以包括各種功能層的多層設(shè)置。當(dāng)有機(jī)層ol以多層結(jié)構(gòu)設(shè)置時(shí)，空穴注入層hil、空穴傳輸層htl、發(fā)光層eml、電子傳輸層etl和電子注入層eil等可以具有單一結(jié)構(gòu)或復(fù)合結(jié)構(gòu)。有機(jī)層ol可以通過絲網(wǎng)印刷法、噴墨印刷法、激光誘導(dǎo)熱成像(liti)法等形成。

有機(jī)層ol可以不必限制于此，可以具有各種結(jié)構(gòu)。有機(jī)層ol的至少一部分可以整體地形成在第一電極el1的上方，或者可以單獨(dú)地設(shè)置為與第一電極el1對(duì)應(yīng)。

第二電極el2形成在有機(jī)層ol上。第二電極el2可以針對(duì)每個(gè)像素pxl設(shè)置。多個(gè)第二電極el2可以設(shè)置為覆蓋大部分顯示區(qū)域da并且被多個(gè)像素pxl共享。

第二電極el2可以用作陽極和陰極中的一個(gè)。當(dāng)?shù)谝浑姌Oel1是陽極時(shí)，第二電極el2可以用作陰極，當(dāng)?shù)谝浑姌Oel1是陰極時(shí)，第二電極el2可以用作陽極。

第二電極el2可以由包括ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr等的金屬層或者包括例如氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、氧化鋅(zno)或氧化銦錫鋅(itzo)的透明導(dǎo)電層形成。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，第二電極el2可以以包含金屬薄膜的雙層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)形成。例如，第二電極el2可以由ito/ag/ito的三層形成。

當(dāng)在基底sub的下方向上提供圖像時(shí)，第二電極el2可以由金屬反射層和/或透明導(dǎo)電層形成。當(dāng)在基底sub的上方向上提供圖像時(shí)，第二電極el2可以由透明導(dǎo)電層形成。

密封層sl設(shè)置在第二電極el2上。密封層sl可以由單層或多層制成。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，密封層sl可以由第一密封層sl1、第二密封層sl2和第三密封層sl3形成。第一密封層sl1至第三密封層sl3可以由有機(jī)材料和/或無機(jī)材料制成。布置為最外面的密封層的第三密封層sl3可以由無機(jī)材料制成。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，第一密封層sl1可以由無機(jī)材料制成，第二密封層sl2可以由有機(jī)材料制成，第三密封層sl3可以由無機(jī)材料制成。對(duì)于無機(jī)層，可以更好地防止?jié)駳饣蜓醯臐B透，但它們由于較少的彈性或柔性而更容易受到裂紋的影響。可以通過利用無機(jī)材料形成第一密封層sl1和第三密封層sl3并利用有機(jī)材料形成第二密封層sl2來防止裂紋的擴(kuò)展。利用有機(jī)材料形成的第二密封層sl2可以完全被第三密封層sl3覆蓋，從而第二密封層sl2的端部不被外部暴露。諸如聚丙烯酸化合物、聚酰亞胺類化合物、諸如特氟龍(teflon)的含氟碳化合物、苯并環(huán)丁烯化合物的有機(jī)絕緣材料可以作為有機(jī)材料使用。聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅或氮氧化硅可以作為無機(jī)材料使用。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，形成發(fā)光器件的有機(jī)層ol會(huì)容易受到來自外部源的濕氣或氧的損害。如此，為了保護(hù)，密封層sl覆蓋有機(jī)層ol。密封層sl覆蓋顯示區(qū)域da并且可以延伸至顯示區(qū)域da的外部。然而，如果絕緣層由有機(jī)材料制成，則盡管絕緣層可以是更好的柔性的和彈性的，但是相比于由無機(jī)材料制成的絕緣層，濕氣或氧的滲透會(huì)相對(duì)更容易。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，為了防止?jié)駳夂脱跬ㄟ^由有機(jī)材料制成的絕緣層的滲透，絕緣層的端部被由無機(jī)材料制成的絕緣層覆蓋以不被外部暴露。例如，由有機(jī)材料制成的第三絕緣層ins3、第四絕緣層ins4和/或像素限定層pdl可以不連續(xù)地延伸至非顯示區(qū)域nda，并且可以包括第一開口opn1，第三絕緣層ins3、第四絕緣層ins4和/或像素限定層pdl的一部分沿著第一開口opn1的外圍被去除。因此，像素限定層pdl的上表面、由第一開口opn1暴露的第三絕緣層ins3、第四絕緣層ins4和/或像素限定層pdl的側(cè)面可以被包括無機(jī)材料的絕緣層(例如，密封層sl)密封，從而可以防止像素限定層pdl的側(cè)面被外部暴露。

然而，密封層sl的層結(jié)構(gòu)和材料不限于此，而可以被各種改變。例如，密封層sl可以包括彼此交替堆疊的若干有機(jī)材料層和無機(jī)材料層。

下面將描述非顯示區(qū)域nda，將省略或簡(jiǎn)要地描述上面已經(jīng)進(jìn)行的描述以避免重復(fù)說明。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，線部lp設(shè)置在非顯示區(qū)域nda中，基底sub被折疊的可彎曲區(qū)域ba可以包括在非顯示區(qū)域nda中。

線部lp包括掃描線、數(shù)據(jù)線和電源線。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，構(gòu)成線部lp的線可以是數(shù)據(jù)線。然而，可以不同地形成構(gòu)成線部lp的線。

線部lp包括多條線。每條線可以將像素pxl連接到驅(qū)動(dòng)器并且在第二方向dr2上從像素pxl大致延伸以提供連接。線可以在第二方向dr2上延伸至附加區(qū)域ada的端部，所述端部可以設(shè)置在接觸電極cte中。像素pxl可以通過結(jié)合到線的接觸電極cte連接到以層上芯片等實(shí)現(xiàn)的驅(qū)動(dòng)器。

線部lp包括第一線l1、第二線l2和第三線l3。第一線l1和第二線l2可以一對(duì)一連接。第二線l2和第三線l3可以一對(duì)一連接。

如圖3中所示，線部lp可以在非顯示區(qū)域nda中以堆疊結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)。在圖3中，為了便于描述，由于僅示意性地示出第一線l1和第二線l2的部分，所以下面將描述第一線l1與第二線l2之間的關(guān)系。

緩沖層bf設(shè)置在基底sub的非顯示區(qū)域nda上。緩沖層bf可以在可彎曲區(qū)域ba中具有第二開口opn2。

柵極絕緣層gi設(shè)置在緩沖層bf上。

第一線l1和第三線l3可以設(shè)置在柵極絕緣層gi上。第一線l1可以設(shè)置在第一平坦區(qū)域fa1中，第三線l3可以設(shè)置在第二平坦區(qū)域fa2中。第一線l1和第三線l3可以利用與柵電極ge基本相同的材料在同一工藝中形成。

層間絕緣層il設(shè)置在第一線l1和第三線l3上。

第一絕緣層ins1可以設(shè)置在層間絕緣層il上。

第二開口opn2在可彎曲區(qū)域ba中設(shè)置在絕緣層中。如上所述，可彎曲區(qū)域ba可以是基底sub的可以彎曲的部分。第二開口opn2可以通過去除緩沖層bf、柵極絕緣層gi、層間絕緣層il和第一絕緣層ins1中的與可彎曲區(qū)域ba對(duì)應(yīng)的區(qū)域來設(shè)置。

由于第二開口opn2與可彎曲區(qū)域ba對(duì)應(yīng)，所以第二開口opn2與可彎曲區(qū)域ba疊置。第二開口opn2的面積可以大于可彎曲區(qū)域ba的面積。為了便于描述，圖3中示出了第二開口opn2的寬度和可彎曲區(qū)域ba的寬度基本相同。然而，第二開口opn2的寬度可以大于可彎曲區(qū)域ba的寬度。

第二開口opn2中的緩沖層bf、柵極絕緣層gi、層間絕緣層il和第一絕緣層ins1的內(nèi)側(cè)可以以直線設(shè)置使得這些層的開口基本相同，但發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如，第一絕緣層ins1的開口可以大于緩沖層bf的開口。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，第二開口opn2的面積可以被定義為緩沖層bf、柵極絕緣層gi、層間絕緣層il和第一絕緣層ins1的面積之中的最小面積。

第二絕緣層ins2設(shè)置在第二開口opn2中。第二絕緣層ins2可以填充第二開口opn2的至少一部分。在圖3中，示出了第二絕緣層ins2填充第二開口opn2的全部。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，第二絕緣層ins2可以填充第二開口opn2以及與第二開口opn2相鄰的一部分(例如，第一絕緣層ins1的與平坦區(qū)域fa1和fa2對(duì)應(yīng)的上部)。

第二絕緣層ins2可以是由有機(jī)材料制成的有機(jī)絕緣層。有機(jī)材料可以包括諸如聚丙烯酸化合物、聚酰亞胺類化合物、諸如特氟龍(teflon)的含氟碳化合物、苯并環(huán)丁烯化合物的有機(jī)絕緣材料。

第二線l2設(shè)置在第一絕緣層ins1和第二絕緣層ins2上。此外，下接觸電極ctea可以設(shè)置在第一絕緣層ins1上。第二線l2和下接觸電極ctea可以利用與源電極se和漏電極de基本相同的材料與源電極se和漏電極de在同一工藝中形成。第二線l2可以在可彎曲區(qū)域ba的上方從第一平坦區(qū)域fa1延伸至第二平坦區(qū)域fa2，并且可以設(shè)置在第二絕緣層ins2上。第二線l2可以在未設(shè)置有第二絕緣層ins2的部分中設(shè)置在第一絕緣層ins1上。

如上所述，在圖3中，示出了被彎曲之前的顯示裝置。然而，顯示裝置可以在可彎曲區(qū)域ba中被彎曲。顯示裝置可以形成為是平坦的，并且最終是彎曲的。當(dāng)顯示裝置在制造之后被彎曲時(shí)，會(huì)在基底sub等的彎曲工藝期間向第二線l2施加拉應(yīng)力。然而，如上所述，第二線l2可以設(shè)置在由具有彈性和柔性的有機(jī)材料形成的第二絕緣層ins2上，從而使第二線l2上的缺陷最小化。換句話講，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，為了保持基底sub的柔性和彈性，可以在可彎曲區(qū)域ba中去除由具有低彈性和柔性的無機(jī)材料制成的無機(jī)絕緣層。此外，可以減小由具有低彈性和柔性的無機(jī)材料制成的絕緣層被彎曲時(shí)出現(xiàn)的缺陷。

當(dāng)諸如緩沖層bf、柵極絕緣層gi、層間絕緣層il和/或第一絕緣層ins1的無機(jī)絕緣層設(shè)置在可彎曲區(qū)域ba中時(shí)，會(huì)在彎曲基底sub的工藝期間向設(shè)置在這些無機(jī)絕緣層上的線(例如，第二線l2)施加極大的拉應(yīng)力。換句話講，與有機(jī)絕緣層相比，無機(jī)絕緣層由于相對(duì)高的硬度和低的柔性而可能具有裂紋。當(dāng)裂紋出現(xiàn)在無機(jī)絕緣層中時(shí)，裂紋會(huì)傳播到位于無機(jī)絕緣層上的線(例如，第二線l2)，最終會(huì)導(dǎo)致諸如線的斷開的缺陷。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，圖3中示出的可彎曲區(qū)域ba與無機(jī)絕緣層被去除的部分一致，這是為了便于描述。可彎曲區(qū)域ba和無機(jī)絕緣層的被去除的部分可以不精確地疊置。例如，可彎曲區(qū)域ba通?？梢耘c無機(jī)絕緣層的已經(jīng)被去除的部分對(duì)應(yīng)，或者可以根據(jù)需要大于或小于無機(jī)絕緣層的已經(jīng)被去除的部分。此外，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，僅可彎曲區(qū)域ba設(shè)置在非顯示區(qū)域nda中，但發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如，可彎曲區(qū)域ba可以設(shè)置在非顯示區(qū)域nda和顯示區(qū)域da的上方，或者可以設(shè)置在顯示區(qū)域da中。

鈍化層psv可以設(shè)置在基底sub上。鈍化層psv可以不設(shè)置在與可彎曲區(qū)域ba對(duì)應(yīng)的區(qū)域中。另外，鈍化層psv可以暴露下接觸電極ctea的上表面的一部分。

第三絕緣層ins3可以設(shè)置在鈍化層psv上。第四絕緣層ins4可以設(shè)置在第三絕緣層ins3上。沿著顯示區(qū)域da的外圍的第一開口opn1可以設(shè)置在第三絕緣層ins3和第四絕緣層ins4中。因此，第三絕緣層ins3和第四絕緣層ins4可以從顯示區(qū)域da不連續(xù)地延伸至非顯示區(qū)域nda，而可以在顯示區(qū)域da的邊緣處斷開。如上所述，第三絕緣層ins3和第四絕緣層ins4的設(shè)置在顯示區(qū)域da的這一側(cè)上的側(cè)表面可以被密封層sl覆蓋，但在非顯示區(qū)域nda中，第四絕緣層ins4的上表面以及第四絕緣層ins4和第三絕緣層ins3的側(cè)表面可以被外部暴露。

在形成第三絕緣層ins3之后，可以形成上接觸電極cteb。上接觸電極cteb可以利用與顯示區(qū)域da的連接圖案cnp基本相同的材料與顯示區(qū)域da的連接圖案cnp在同一工藝中形成。下接觸電極ctea和上接觸電極cteb可以構(gòu)成接觸電極cte，如上所述，線可以通過接觸電極cte連接到在基底sub上以層上芯片實(shí)現(xiàn)的驅(qū)動(dòng)器。

下面將描述第一線l1與第二線l2之間的連接。第二線l2和第三線l3可以以與第一線l1和第二線l2基本相同的方式連接。

例如，當(dāng)?shù)谝痪€l1至第三線l3連接到用于將數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸?shù)较袼豴xl的數(shù)據(jù)線時(shí)，第一線l1可以包括接觸單元以連接至顯示區(qū)域da附近的數(shù)據(jù)線。

圖4是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的與圖1的a1對(duì)應(yīng)的部分的平面圖。圖5a是沿圖4的線ii-ii’截取的剖視圖，圖5b是沿圖4的線iii-iii’截取的剖視圖，圖5c是沿圖4的線iv-iv’截取的剖視圖。

參照?qǐng)D4和圖5a至圖5c，線部lp可以包括第一線l1和第二線l2。第一線l1和第二線l2可以彼此一對(duì)一連接。

第一線l1可以在第二方向dr2上總體地延伸并且彼此分隔開。盡管圖4中示出了第一線l1彼此平行，但是第一線l1不限于此。由于第一線l1在第二方向dr2上延伸，所以第一線l1之中的距離可以變得更小或更大。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，第一線l1之中的距離沿著第二方向dr2變得更小并且最終第一線l1延伸至平行以保持預(yù)定的距離。

每條第一線l1可以沿第二方向dr2在端部處具有第一焊盤p1。在第一線l1中，包括第一焊盤p1的部分的寬度(例如，第二寬度w2)可以大于不包括第一焊盤p1的部分的寬度(例如，第一寬度w1)(寬度表示在第一方向dr1上的距離)。換句話講，第二寬度w2可以大于第一寬度w1。第一焊盤p1的相對(duì)大的寬度可以有利于與第二焊盤p2接觸?？蛇x擇地，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，第二寬度w2可以基本等于第一寬度w1。

第一線l1可以包括第一子線l1a和第二子線l1b。多條第一子線l1a和多條第二子線l1b可以被設(shè)置，并且可以交替地布置在第一方向dr1上。例如，第一子線l1a可以是第一線l1中的奇數(shù)編號(hào)的線，第二子線l1b可以是第一線l1中的偶數(shù)編號(hào)的線?？蛇x擇地，第一子線l1a可以是第一線l1中的偶數(shù)編號(hào)的線，第二子線l1b可以是第一線l1中的奇數(shù)編號(hào)的線。

第一焊盤p1包括第一子焊盤p1a和第二子焊盤p1b，第一子焊盤p1a和第二子焊盤p1b可以分別包括在第一子線l1a的端部和第二子線l1b的端部中。第一子焊盤p1a和第二子焊盤p1b可以沿第二方向dr2以與顯示區(qū)域da不同的距離布置。換句話講，第一子焊盤p1a的與顯示區(qū)域da的最小距離可以比第二子焊盤p1b的與顯示區(qū)域da的最小距離短?？梢曰诘谝蛔雍副Pp1a和第二子焊盤p1b在第二方向dr2上的長(zhǎng)度來確定第一子焊盤p1a的與顯示區(qū)域da的最小距離和第二子焊盤p1b的與顯示區(qū)域da的最小距離。

第一子線l1a和第二子線l1b可以設(shè)置在同一層上。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，第一子線l1a和第二子線l1b可以與柵電極ge和電容器下電極le一起設(shè)置在柵極絕緣層gi上。第一子線l1a和第二子線l1b可以利用與柵電極ge和電容器下電極le基本相同的材料與柵電極ge和電容器下電極le在同一工藝中形成。

第二線l2可以在第二方向dr2上基本延伸并且彼此分開。盡管第二線l2在圖4中示出為彼此平行，但是第二線l2不限于此。由于第二線l2在第二方向dr2上延伸，所以第二線l2之中的距離可以被加寬或逐漸變窄。

每條第二線l2可以在與可彎曲區(qū)域ba最接近的端部中具有第二焊盤p2。第二線l2的除了第二焊盤p2之外的部分具有第三寬度w3。第二焊盤p2具有第四寬度w4。第四寬度w4可以大于第三寬度w3。

第二焊盤p2的第四寬度w4可以相對(duì)大以有利于與第一焊盤p1接觸?？蛇x擇地，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，如果需要，第四寬度w4可以基本等于第三寬度w3。

如上所述，第二寬度w2可以大于第一寬度w1，第四寬度w4可以大于第三寬度w3。換句話講，第一焊盤p1和第二焊盤p2的寬度(例如w2和w4)可以大于第一線l1和第二線l2的不與第一焊盤和第二焊盤疊置的部分的寬度(例如，w1和w3)?？蛇x擇地，如上所述，第二寬度w2可以基本等于第一寬度w1，第四寬度w4可以基本等于第三寬度w3。換句話講，第一焊盤p1和第二焊盤p2的寬度(例如，w2和w4)可以與第一線l1和第二線l2的不與第一焊盤和第二焊盤疊置的部分的寬度(例如，w1和w3)基本相同。

第二線l2可以包括與第一線l1的第一子線l1a對(duì)應(yīng)的第三子線l2a和與第一線l1的第二子線l1b對(duì)應(yīng)的第四子線l2b。多條第三子線l2a和多條第四子線l2b可以沿第一方向dr1交替地布置。換句話講，第三子線l2a可以是第二線l2的奇數(shù)編號(hào)的線，第四子線l2b可以是第二線l2的偶數(shù)編號(hào)的線?？蛇x擇地，第三子線l2a可以是第二線l2的偶數(shù)編號(hào)的線，第四子線l2b可以是第二線l2的奇數(shù)編號(hào)的線。

第二焊盤p2包括第三子焊盤p2a和第四子焊盤p2b。第三子線l2a和第四子線l2b可以分別在與可彎曲區(qū)域ba最接近的端部中包括第三子焊盤p2a和第四子焊盤p2b。第三子焊盤p2a可以與第一子線l1a的第一子焊盤p1a對(duì)應(yīng)，第四子焊盤p2b可以與第二子線l1b的第二子焊盤p1b對(duì)應(yīng)。

當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)，第三子焊盤p2a可以與第一子焊盤p1a疊置，第四子焊盤p2b可以與第二子焊盤p1b疊置。因此，第三子焊盤p2a和第四子焊盤p2b可以分別與第一子焊盤p1a和第二子焊盤p1b的位置對(duì)應(yīng)，并且可以沿第二方向dr2形成為具有距顯示區(qū)域da不同的距離。換句話講，第三子焊盤p2a的與顯示區(qū)域da的最短距離可以比第四子焊盤p2b的與顯示區(qū)域da的最短距離短。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，第三子線l2a和第四子線l2b可以設(shè)置在同一層上。第三子線l2a和第四子線l2b可以與顯示區(qū)域da的源電極se和漏電極de一起設(shè)置在第一絕緣層ins1和第二絕緣層ins2上。第三子線l2a和第四子線l2b可以利用與源電極se和漏電極de基本相同的材料在同一工藝中形成。

每個(gè)第二焊盤p2的寬度可以與每個(gè)第一焊盤p1的寬度基本相同，或者可以不同。在圖4中，為了便于說明，第二焊盤p2的寬度稍微大于第一焊盤p1的寬度。例如，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，第二焊盤p2的寬度可以與第一焊盤p1的寬度基本相同。

第二線l2可以設(shè)置在第二絕緣層ins2與第三絕緣層ins3之間。

第二線l2和第一線l1可以一一對(duì)應(yīng)并且在第一線l1延伸的方向上延伸。當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)，第一線l1的端部和第二線l2的端部可以彼此疊置。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，第一線l1的第一焊盤p1和第二線l2的第二焊盤p2可以彼此疊置。

在形成有第一子焊盤p1a和第三子焊盤p2a的區(qū)域以及形成有第二子焊盤p1b和第四子焊盤p2b的區(qū)域中，可以設(shè)置穿過層間絕緣層il和第一絕緣層ins1的第一接觸孔ch1。第一接觸孔ch1可以設(shè)置在子焊盤的疊置部分中的至少一個(gè)或更多個(gè)中。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，在圖5a至圖5c中示出了三個(gè)第一接觸孔ch1。

第一孔h1可以在第二絕緣層ins2中設(shè)置在與第一子焊盤p1a和第二子焊盤p1b對(duì)應(yīng)的位置中。第一孔h1可以暴露第一子焊盤p1a和第二子焊盤p1b的上表面。第一孔h1可以形成為與第一子焊盤p1a和第二子焊盤p1b對(duì)應(yīng)并且具有比每個(gè)第一子焊盤p1a和每個(gè)第二子焊盤p1b的面積大的面積。

因此，第二焊盤p2的一部分(例如，第三子焊盤p2a)可以與通過第一接觸孔ch1和第一孔h1暴露的第一子焊盤p1a接觸，第二焊盤p2的剩余部分(例如，第四子焊盤p2b)可以與通過第一接觸孔ch1和第一孔h1暴露的第二子焊盤p1b接觸。結(jié)果，第一子焊盤p1a和第三子焊盤p2a可以彼此電連接，第二子焊盤p1b和第四子焊盤p2b可以彼此電連接。

當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)，第二絕緣層ins2的邊緣可以設(shè)置在顯示區(qū)域da和第一線l1與第二線l2疊置的部分之間。當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)，第二絕緣層ins2的所述邊緣可以表示第二絕緣層ins2的最外邊界或最外側(cè)，不包括第二絕緣層ins2的由第一孔h1形成的剩余部分(例如，如圖5a中所示的第二絕緣層ins2的距可彎曲區(qū)域ba最遠(yuǎn)的部分)。

在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的顯示裝置中，第二絕緣層ins2的所述邊緣、第一子焊盤p1a和第三子焊盤p2a以及第二子焊盤p1b和第四子焊盤p2b可以沿第二方向dr2順序地布置。因此，第一子焊盤p1a和第三子焊盤p2a的疊置部分以及第二子焊盤p1b和第四子焊盤p2b的疊置部分可以與第二絕緣層ins2的所述邊緣隔開。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，第二絕緣層ins2的所述邊緣可以與第一子焊盤p1a和第三子焊盤p2a的疊置部分分隔開至少一微米。

具有上述結(jié)構(gòu)的線部lp可以防止由于在形成線部lp期間會(huì)產(chǎn)生的殘余物而發(fā)生短路。

傳統(tǒng)上，第一線l1和第二線l2(例如，第一焊盤p1和第二焊盤p2)的疊置部分可以布置為具有與顯示區(qū)域da相同的最小距離。此外，第二絕緣層ins2的所述邊緣可以與第一焊盤p1和第二焊盤p2的至少一部分部分地疊置。對(duì)于第一焊盤p1和第二焊盤p2，由于焊盤的寬度大于線的其他部分的寬度從而鄰近焊盤之間的距離相對(duì)小，所以鄰近焊盤之間的短距離會(huì)引起殘余物。

然而，如上所述，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，第一子焊盤p1a和第三子焊盤p2a以及第二子焊盤p1b和第四子焊盤p2b可以沿第二方向dr2以與顯示區(qū)域da不同的距離布置，從而使鄰近焊盤之間的間隔最大化。

第二絕緣層ins2可以通過向其施用有機(jī)材料來制造，設(shè)置有第二絕緣層ins2的部分和未設(shè)置有第二絕緣層ins2的部分可以置于距基底sub不同的高度處。當(dāng)在由第二絕緣層ins2引起的距基底sub的高度處利用金屬材料等形成第一焊盤p1和第二焊盤p2時(shí)，還未被去除的金屬殘余物會(huì)保留在第二絕緣層ins2的所述邊緣處。金屬殘余物會(huì)使彼此鄰近的第一線l1和第二線l2短路，導(dǎo)致在顯示裝置中發(fā)生缺陷。

參照?qǐng)D4，對(duì)于第三子線l2a，第一距離d1是未設(shè)置有第四子焊盤p2b的區(qū)域中與最接近的第二線l2的最小距離，第二距離d2是設(shè)置有第四子焊盤p2b的區(qū)域中與最接近的第二線l2的最小距離。第二距離d2可以小于第一距離d1。

由于第二絕緣層ins2的所述邊緣與線(例如，第二線l2)之間的間隔相對(duì)狹窄處的第三子焊盤p2a分隔開，所以盡管金屬殘余物會(huì)保留，也可以減小或防止線之間的短路。在這種情況下，金屬殘余物可以位于第二絕緣層ins2的所述邊緣上浮置的導(dǎo)電層中。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，在第一線l1與第二線l2的疊置部分中，為了減小或防止鄰近線之間的短路，可以不同地布置第一線l1。在下面描述的示例性實(shí)施例中，為了避免贅述，將省略重復(fù)的描述。

圖6是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的與圖1的顯示裝置的a1對(duì)應(yīng)的部分的平面圖。圖7a是沿圖6的線ii-ii’截取的剖視圖，圖7b是沿圖6的線iii-iii’截取的剖視圖，圖7c是沿圖6的線iv-iv’截取的剖視圖。

參照?qǐng)D6和圖7a至圖7c，線部lp可以包括第一線l1和第二線l2。第一線l1和第二線l2可以一一對(duì)應(yīng)連接。

第一線l1可以包括第一子線l1a和第二子線l1b。第一子線l1a和第二子線l1b可以沿第一方向dr1交替地布置。第一子線l1a和第二子線l1b可以在其端部上分別包括第一子焊盤p1a和第二子焊盤p1b。

在本示例性實(shí)施例中，第一子線l1a和第二子線l1b形成在不同的層上并在第一方向dr1上交替地布置。

第一子線l1a可以與顯示區(qū)域da的柵電極ge和電容器下電極le設(shè)置在柵極絕緣層gi上。第一子線l1a可以利用與柵電極ge和電容器下電極le基本相同的材料與柵電極ge和電容器下電極le在同一工藝中形成。

第二子線l1b可以與顯示區(qū)域da的電容器上電極ue設(shè)置在層間絕緣層il上。第二子線l1b可以利用與電容器上電極ue基本相同的材料與電容器上電極ue在同一工藝中形成。

第二線l2可以包括與第一子線l1a對(duì)應(yīng)的第三子線l2a和與第二子線l1b對(duì)應(yīng)的第四子線l2b。第三子線l2a和第四子線l2b可以在其與可彎曲區(qū)域ba最近的端部處分別包括第三子焊盤p2a和第四子焊盤p2b。

第三子線l2a和第四子線l2b可以設(shè)置在同一層上。第三子線l2a和第四子線l2b可以與顯示區(qū)域da的源電極se和漏電極de設(shè)置在第一絕緣層ins1和第二絕緣層ins2上。第三子線l2a和第四子線l2b可以利用與源電極se和漏電極de基本相同的材料與源電極se和漏電極de在同一工藝中形成。

第二線l2和第一線l1可以一一對(duì)應(yīng)。第一線l1的第一焊盤p1和第二線l2的第二焊盤p2可以彼此疊置。

在形成有第一子焊盤p1a的區(qū)域中，可以設(shè)置穿過層間絕緣層il和第一絕緣層ins1的第一接觸孔ch1?？梢栽O(shè)置至少一個(gè)第一接觸孔ch1。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，設(shè)置三個(gè)第一接觸孔ch1。

在形成有第二子焊盤p1b的區(qū)域中，可以設(shè)置穿過第一絕緣層ins1的第二接觸孔ch2?？梢栽O(shè)置至少一個(gè)第二接觸孔ch2。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，設(shè)置三個(gè)第二接觸孔ch2。

第一孔h1可以在第二絕緣層ins2中設(shè)置在與第一子焊盤p1a和第二子焊盤p1b對(duì)應(yīng)的位置中。

因此，第二焊盤p2的一部分(例如，第三子焊盤p2a)可以與通過第一接觸孔ch1和第一孔h1暴露的第一子焊盤p1a接觸，第二焊盤p2的剩余部分(例如，第四子焊盤p2b)可以與通過第二接觸孔ch2和第一孔h1暴露的第二子焊盤p1b接觸。結(jié)果，第一子焊盤p1a和第三子焊盤p2a彼此電連接，第二子焊盤p1b和第四子焊盤p2b彼此電連接。

當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)，第二絕緣層ins2的所述邊緣可以設(shè)置在顯示區(qū)域da和第一線l1與第二線l2的疊置部分之間。第一子焊盤p1a和第三子焊盤p2a的疊置部分以及第二子焊盤p1b和第四子焊盤p2b的疊置部分可以與第二絕緣層ins2的所述邊緣隔開。

由于第一子線l1a和第二子線l1b具有上面描述的結(jié)構(gòu)，所以可以在第一線l1之中的鄰近的線之間建立更大的寬度。當(dāng)?shù)谝痪€l1交替地形成在單一層上時(shí)，鄰近的第一線l1之間的間隔小。然而，當(dāng)?shù)谝痪€l1交替地布置在不同的層上時(shí)，鄰近的第一線l1之間的間隔可以更寬。結(jié)果，設(shè)計(jì)第一線l1的自由度可以增大。

在圖6中，對(duì)于第一子線l1a，同一層上最鄰近的線可以不是第二子線l1b，而是其他第一子線l1a。第二子線l1b可以位于與第一子線l1a不同的層上。

第三距離d3可以是鄰近的第一子線l1a之間未設(shè)置有第一子焊盤p1a處的距離。第四距離d4可以是鄰近的第一子線l1a之間設(shè)置有第一子焊盤p1a處的距離。第四距離d4可以小于第三距離d3。此外，當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)，由于第一子線l1a和第二子線l1b設(shè)置在不同的層上，所以鄰近線之間的間隔可以更大。如上所述，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，由于線設(shè)置在不同的層上，所以更多條線可以布置在更狹窄的區(qū)域中，設(shè)計(jì)的自由度增大。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，如上所述，在第一線l1與第二線l2的疊置部分中，可以減少或防止鄰近線之間的短路。

圖8是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的與圖1的顯示裝置的a1對(duì)應(yīng)的部分的平面圖。圖9a是沿圖8的線ii-ii’截取的剖視圖，圖9b是沿圖8的線iii-iii’截取的剖視圖，圖9c是沿圖8的線iv-iv’截取的剖視圖。

參照?qǐng)D8和圖9a至圖9c，第一線l1可以在第二方向dr2上總體地延伸并且可以彼此分隔開。每條第一線l1在第二方向dr2上具有第一焊盤p1。第一焊盤p1可以具有比第一線l1的除第一焊盤p1之外的寬度大的寬度。

第一線l1可以包括第一子線l1a和第二子線l1b。第一子線l1a和第二子線l1b可以沿第一方向dr1交替地布置。第一子線l1a和第二子線l1b可以在其端部處分別具有第一子焊盤p1a和第二子焊盤p1b。

第一子線l1a可以與柵電極ge和電容器下電極le設(shè)置在柵極絕緣層gi上。第一子線l1a可以利用與柵電極ge和電容器下電極le基本相同的材料與柵電極ge和電容器下電極le在同一工藝中形成。

第二線l2可以包括與第一線l1的第一子線l1a對(duì)應(yīng)的第三子線l2a和與第一線l1的第二子線l1b對(duì)應(yīng)的第四子線l2b。第三子線l2a和第四子線l2b可以沿第一方向dr1交替地布置。

第三子線l2a和第四子線l2b可以設(shè)置在不同的層上。

第三子線l2a可以與顯示區(qū)域da的源電極se和漏電極de設(shè)置在第一絕緣層ins1和第二絕緣層ins2上。第三子線l2a可以利用與源電極se和漏電極de基本相同的材料與源電極se和漏電極de在同一工藝中形成。

第四子線l2b可以與顯示區(qū)域da的連接圖案cnp設(shè)置在第三絕緣層ins3上。第四子線l2b可以利用與連接圖案cnp基本相同的材料與連接圖案cnp在同一工藝中形成。

第三子線l2a和第四子線l2b可以形成在不同的層上并且可以在第一方向dr1上順序地并交替地布置。因此，可以建立鄰近的第二線l2之間的大的距離。當(dāng)?shù)诙€l2形成在單一層上時(shí)，鄰近的第二線l2之間的間隔相對(duì)狹窄。然而，當(dāng)?shù)诙€l2交替地布置在不同的層上時(shí)，鄰近的第二線l2之間的距離可以更寬。因此，第二線l2的設(shè)計(jì)自由可以增大。

穿過層間絕緣層il和第一絕緣層ins1的第一接觸孔ch1可以設(shè)置在形成有第一子焊盤p1a的區(qū)域中。穿過第一絕緣層ins1的第二接觸孔ch2可以設(shè)置在形成有第二子焊盤p1b的區(qū)域中。

第一孔h1可以在第二絕緣層ins2中設(shè)置在與第一子焊盤p1a和第二子焊盤p1b對(duì)應(yīng)的位置中。第一孔h1可以暴露第一子焊盤p1a和第二子焊盤p1b的上表面。

第三子焊盤p2a可以與通過第一接觸孔ch1和第一孔h1暴露的第一子焊盤p1a接觸。

在形成有第二子焊盤p1b的區(qū)域中，可以設(shè)置連接第二子焊盤p1b與第四子焊盤p2b的橋接圖案br。橋接圖案br可以與通過第二接觸孔ch2和第一孔h1暴露的第二子焊盤p1b接觸。

在形成有第二子焊盤p1b的區(qū)域中，可以設(shè)置穿過鈍化層psv和第三絕緣層ins3的第三接觸孔ch3。可以設(shè)置一個(gè)或更多個(gè)第三接觸孔ch3。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，設(shè)置三個(gè)第三接觸孔ch3。

因此，第四子焊盤p2b可以通過第三接觸孔ch3與橋接圖案br接觸，橋接圖案br可以通過第二接觸孔ch2與第二子焊盤p1b接觸。結(jié)果，第二子焊盤p1b可以電連接到第四子焊盤p2b。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)，第二絕緣層ins2的所述邊緣可以設(shè)置在顯示區(qū)域da和第一線l1與第二線l2的疊置部分之間。具有這樣結(jié)構(gòu)的線部lp可以防止在形成線部lp時(shí)會(huì)產(chǎn)生的殘余物而引起的短路。

此外，參照?qǐng)D8，對(duì)于第四子線l2b，因?yàn)榈谌泳€l2a和第四子線l2b位于不同的層上，所以同一層上最鄰近的線可以不是第三子線l2a，而是另一第四子線l2b。第五距離d5可以是鄰近的第四子線l2b之間未設(shè)置有第四子焊盤p2b處的距離。第六距離d6可以是鄰近的第四子線l2b之間設(shè)置有第四子焊盤p2b處的距離。第六距離d6可以小于第五距離d5。此外，由于第三子線l2a和第四子線l2b設(shè)置在不同的層上，所以同一層上鄰近線之間的距離可以更大。如上所述，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，隨著更多條線可以布置在更狹窄的區(qū)域中，鄰近線之間的間隔更大，設(shè)計(jì)自由度相應(yīng)地增大。

如上所述，針對(duì)線部lp，第一線l1和第二線l2可以設(shè)置在各種層上，并且可以在不脫離發(fā)明構(gòu)思的情況下彼此結(jié)合。形成在不同層上的線可以通過接觸孔彼此連接。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，第二絕緣層ins2可以以各種形式設(shè)置。例如，暴露線的一部分的孔可以具有不同的形狀。

圖10是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沿圖1的顯示裝置的線i-i’截取的剖視圖。圖11是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的與圖1的顯示裝置的a1對(duì)應(yīng)的部分的平面圖。圖12a是沿圖11的線ii-ii’截取的剖視圖，圖12b是沿圖11的線iii-iii’截取的剖視圖，圖12c是沿圖11的線iv-iv’截取的剖視圖。

參照?qǐng)D10、圖11以及圖12a至圖12c，當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)，第二絕緣層ins2的所述邊緣可以設(shè)置在顯示區(qū)域da與第一線l1和第二線l2的疊置部分之間。換句話講，第二絕緣層ins2的所述邊緣、第一子焊盤p1a和第三子焊盤p2a以及第二子焊盤p1b和第四子焊盤p2b可以在第二方向dr2上從顯示區(qū)域da順序地布置。

第二孔h2可以在第二絕緣層ins2中設(shè)置在與第一子焊盤p1a和第二子焊盤p1b對(duì)應(yīng)的位置處。每個(gè)第二孔h2可以具有比每個(gè)第一子焊盤p1a的面積和每個(gè)第二子焊盤p1b的面積小的面積。更詳細(xì)地講，第二孔h2可以設(shè)置在與設(shè)置有第二接觸孔ch2的位置對(duì)應(yīng)的位置中。在這種情況下，當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)，第二孔h2可以與第二接觸孔ch2疊置。在圖12a至圖12c中，示出了第二孔h2的面積稍微大于第二接觸孔ch2的面積，但發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如，每個(gè)第二孔h2的面積可以與每個(gè)第二接觸孔ch2的面積基本相同。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，對(duì)于第一線l1和第二線l2的疊置部分，第二絕緣層可以不同地布置以減小或防止短路，這將在下面進(jìn)行描述。

圖13是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沿圖1的顯示裝置的線i-i’截取的剖視圖。圖14是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的與圖1的顯示裝置的a1對(duì)應(yīng)的部分的平面圖。圖15a是沿圖14的線ii-ii’截取的剖視圖，圖15b是沿圖14的線iii-iii’截取的剖視圖，圖15c是沿圖14的線iv-iv’截取的剖視圖。

參照?qǐng)D13、圖14以及圖15a至圖15c，線部lp可以包括第一線l1和第二線l2。第一線l1和第二線l2可以彼此一對(duì)一連接。

第一線l1可以包括第一子線l1a和第二子線l1b。第一子線l1a和第二子線l1b可以沿第一方向dr1交替地布置。第一子線l1a和第二子線l1b在其端部上分別具有第一子焊盤p1a和第二子焊盤p1b。第一子焊盤p1a和第二子焊盤p1b可以形成為具有在第二方向dr2上與顯示區(qū)域da不同的距離。

第一子線l1a可以與顯示區(qū)域da的柵電極ge和電容器下電極le設(shè)置在柵極絕緣層gi上。第一子線l1a可以利用與柵電極ge和電容器下電極le基本相同的材料與柵電極ge和電容器下電極le在同一工藝中形成。

第二子線l1b可以與顯示區(qū)域da的電容器上電極ue設(shè)置在層間絕緣層il上。第二子線l1b可以利用與電容器上電極ue基本相同的材料與電容器上電極ue在同一工藝中形成。

第二線l2可以設(shè)置在第一絕緣層ins1和第二絕緣層ins2上。

第二線l2和第一線l1可以一一對(duì)應(yīng)。當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)，第一線l1的端部和第二線l2的端部可以彼此疊置。換句話講，第一線l1的第一焊盤p1和第二線l2的第二焊盤p2可以彼此疊置。

在與第一子線l1a的第一子焊盤p1a對(duì)應(yīng)的部分中，可以設(shè)置穿過層間絕緣層il和第一絕緣層ins1的第一接觸孔ch1。在與第二子線l1b的第二子焊盤p1b對(duì)應(yīng)的部分中，可以設(shè)置穿過第一絕緣層ins1的第二接觸孔ch2。

第二線l2的第三子線l2a可以與第一子線l1a對(duì)應(yīng)并且可以通過穿過層間絕緣層il和第一絕緣層ins1的第一接觸孔ch1連接到第一子線l1a。第二線l2的第四子線l2b可以與第二子線l1b對(duì)應(yīng)并且可以通過穿過第一絕緣層ins1的第二接觸孔ch2連接到第二子線l1b。結(jié)果，第一子焊盤p1a和第三子焊盤p2a彼此電連接，第二子焊盤p1b和第四子焊盤p2b彼此電連接。

當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)，第二絕緣層ins2的所述邊緣可以與顯示區(qū)域da分隔開并且第一線l1和第二線l2的疊置部分介于第二絕緣層ins2的所述邊緣與顯示區(qū)域da之間。換句話講，顯示區(qū)域da、第一線l1和第二線l2的疊置部分以及第二絕緣層ins2的所述邊緣可以沿第二方向dr2順序地布置。如此，第一子焊盤p1a和第三子焊盤p2a、第二子焊盤p1b和第四子焊盤p2b以及第二絕緣層ins2的所述邊緣可以從顯示區(qū)域da沿第二方向dr2順序地布置。第二絕緣層ins2的所述邊緣與第一線l1和第二線l2的疊置部分分隔開預(yù)定的距離。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，第二絕緣層ins2的所述邊緣可以與第二子焊盤p1b和第四子焊盤p2b的端部分隔開至少一微米。

由于第二絕緣層ins2與第一線l1和第二線l2的疊置部分分隔開，所以與上面描述的示例性實(shí)施例不同，在形成有第一子焊盤p1a和第三子焊盤p2a以及形成有第二子焊盤p1b和第四子焊盤p2b的位置中，可以不形成暴露第一子焊盤p1a和第三子焊盤p2a以及暴露第二子焊盤p1b和第四子焊盤p2b的孔。

在具有上述結(jié)構(gòu)的本示例性實(shí)施例中，由于第二絕緣層ins2的所述邊緣與第一線l1和第二線l2的疊置部分之間的間隔相對(duì)狹窄，所以即使金屬殘余物會(huì)保留，也可以減少或防止線之間的短路。

在上面的示例性實(shí)施例中，除非與發(fā)明構(gòu)思的精神相反，否則各個(gè)實(shí)施例可以彼此結(jié)合。例如，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，圖8和圖9a至圖9c示出的示例性實(shí)施例的一部分與圖13、圖14和圖15a至圖15c示出的示例性實(shí)施例的一部分可以彼此結(jié)合。例如，如參照?qǐng)D13、圖14和圖15a至圖15c所描述的，第二絕緣層ins2的所述邊緣可以與顯示區(qū)域da分隔開并且第一線l1和第二線l2的疊置部分位于第二絕緣層ins2的所述邊緣與顯示區(qū)域da之間。換句話講，顯示區(qū)域da、第一線l1和第二線l2的疊置部分以及第二絕緣層ins2的所述邊緣可以沿第二方向dr2按照順序設(shè)置。第二線l2可以具有與第一線l1的第一子線l1a對(duì)應(yīng)的第三子線l2a和與第一線l1的第二子線l1b對(duì)應(yīng)的第四子線l2b。如參照?qǐng)D8和圖9a至圖9c所描述的，第三子線l2a和第四子線l2b可以沿第一方向dr1交替地布置。第三子線l2a和第四子線l2b可以形成在不同的層上并且可以交替地并順序地布置在第一方向dr1上。因此，在鄰近的第二線l2之間可以獲得寬的間隙，第二絕緣層ins2的所述邊緣可以形成在遠(yuǎn)離第三子焊盤p2a和第四子焊盤p2b的區(qū)域中，從而在殘余物出現(xiàn)時(shí)可以大大減小短路的危險(xiǎn)。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的顯示裝置可以以各種類型的電子裝置實(shí)施。例如，顯示裝置可以應(yīng)用于諸如電視機(jī)、膝上型電腦、移動(dòng)電話、智能電話、智能平板、便攜式媒體播放器(pmp)、個(gè)人數(shù)字助理(pda)等的裝置。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，可以使顯示裝置的制造工藝期間的諸如斷開或短路的缺陷最小化。因此，可以提供高質(zhì)量的顯示裝置。

盡管已經(jīng)參照發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例示出和描述了發(fā)明構(gòu)思，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，在不脫離如由權(quán)利要求限定的本發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍的情況下，可以對(duì)其做出形式上和細(xì)節(jié)上的各種改變。