本公開涉及顯示裝置。

背景技術(shù)：

近來已經(jīng)開發(fā)了能夠減小重量和體積(即，陰極射線管(crt)的缺點(diǎn))的各種平板顯示裝置。這些平面顯示裝置的示例包括液晶顯示裝置(lcd)、場(chǎng)發(fā)射顯示器(fed)、等離子體顯示面板(pdp)和有機(jī)發(fā)光顯示器(oled)。在它們當(dāng)中，有機(jī)發(fā)光顯示器是通過激發(fā)有機(jī)化合物而發(fā)光的自發(fā)光顯示器，并且因?yàn)槠洳恍枰趌cd中使用的背光單元而能夠?qū)崿F(xiàn)亮度和薄度并且能夠簡(jiǎn)化工序。此外，oled能夠在低溫下被制造，具有1ms或更短的快速響應(yīng)時(shí)間，并且具有諸如低功耗、寬視角和高對(duì)比度這樣的特性。

有機(jī)發(fā)光顯示器包括在第一電極(即，陽極)與第二電極(即，陰極)之間的由有機(jī)物質(zhì)制成的發(fā)光層。從第一電極提供的空穴和從第二電極提供的電子在發(fā)光層中結(jié)合以形成激子(即，空穴-電子對(duì))。由于當(dāng)激子返回到基態(tài)時(shí)產(chǎn)生的能量而發(fā)出光。

有機(jī)發(fā)光顯示器被劃分為包括多個(gè)像素并顯示圖像的顯示區(qū)域以及非顯示區(qū)域(即，除了顯示區(qū)域之外的區(qū)域)。用于將數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)信號(hào)施加到多個(gè)像素的數(shù)據(jù)焊盤部被設(shè)置在非顯示區(qū)域中。數(shù)據(jù)焊盤部包括從顯示區(qū)域延伸的多條布線。多個(gè)焊盤電極通過接觸孔連接到所述多條布線。為了防止焊盤電極由于接觸孔區(qū)域中的后續(xù)工序而損失，設(shè)置了覆蓋接觸孔區(qū)域的絕緣膜。

然而，覆蓋接觸孔區(qū)域的絕緣膜具有如下的問題：由于粘合力取決于與絕緣膜的底部接觸的層而變?nèi)酰虼私^緣膜被剝離。因此，存在如下的問題：因?yàn)樵O(shè)置在接觸孔區(qū)域中的焊盤電極損失，所以在與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部的連接中出現(xiàn)缺陷，并且有機(jī)發(fā)光顯示器的可靠性惡化。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，本公開考慮到現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)的以上問題而完成，本公開的目的在于提供一種能夠通過防止絕緣膜在數(shù)據(jù)焊盤部中剝離來提高有機(jī)發(fā)光顯示器的可靠性的顯示裝置。

本公開提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括：基板；顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域被設(shè)置在所述基板上方并且包括多個(gè)子像素；以及數(shù)據(jù)焊盤部，所述數(shù)據(jù)焊盤部被設(shè)置在除了所述顯示區(qū)域以外的區(qū)域中，其中，所述數(shù)據(jù)焊盤部包括：數(shù)據(jù)信號(hào)線，所述數(shù)據(jù)信號(hào)線從所述顯示區(qū)域延伸；絕緣膜，所述絕緣膜被設(shè)置在所述數(shù)據(jù)信號(hào)線上并且與所述數(shù)據(jù)信號(hào)線絕緣，所述絕緣膜包括使所述數(shù)據(jù)信號(hào)線部分地暴露的通孔；數(shù)據(jù)焊盤電極，所述數(shù)據(jù)焊盤電極被設(shè)置在所述絕緣膜上并且通過所述通孔連接到所述數(shù)據(jù)信號(hào)線，其中，所述數(shù)據(jù)焊盤電極包括至少一個(gè)電極孔；以及絕緣圖案，所述絕緣圖案被配置為覆蓋所述通孔。

所述電極孔使設(shè)置在所述數(shù)據(jù)焊盤電極下面的所述絕緣膜暴露。

所述電極孔的至少一部分與所述絕緣圖案交疊。

所述絕緣圖案通過所述電極孔與所述絕緣膜接觸。

所述電極孔與所述絕緣圖案完全重疊。

所述電極孔與所述數(shù)據(jù)焊盤電極的邊緣分隔開。

所述電極孔按照點(diǎn)形式形成。

所述電極孔的至少一部分與所述通孔交疊。

所述電極孔的面積為所述數(shù)據(jù)焊盤電極與所述絕緣圖案交疊的整個(gè)面積的5％至95％。

所述子像素中的每一個(gè)包括：薄膜晶體管，所述薄膜晶體管被設(shè)置在所述基板上方；平整膜，所述平整膜被設(shè)置在所述薄膜晶體管上方并且使所述薄膜晶體管的一部分暴露；第一電極，所述第一電極被設(shè)置在所述平整膜上并且連接到所述薄膜晶體管；發(fā)光層，所述發(fā)光層被設(shè)置在所述第一電極上；以及第二電極，所述第二電極被設(shè)置在所述發(fā)光層上。

所述絕緣圖案和所述平整膜由相同的材料形成。

附圖說明

附圖被包括進(jìn)來以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且被并入本說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，附圖例示了本發(fā)明的實(shí)施方式，并且與本說明書一起用來解釋本發(fā)明的原理。在附圖中：

圖1是有機(jī)發(fā)光顯示器的示意性框圖。

圖2是示出子像素的電路配置的第一示例性圖。

圖3是示出子像素的電路配置的第二示例性圖。

圖4是示出有機(jī)發(fā)光顯示器的平面圖。

圖5是示出有機(jī)發(fā)光顯示器的子像素的截面圖。

圖6是示出圖4所示的有機(jī)發(fā)光顯示器的數(shù)據(jù)焊盤部的第一實(shí)施方式的平面圖。

圖7、圖8和圖9是示出圖6所示的數(shù)據(jù)焊盤部的一部分的放大圖的平面圖。

圖10是沿著圖7的線i-i'截取的截面圖。

圖11是示出圖6所示的數(shù)據(jù)焊盤部的一部分的放大圖的平面圖。

圖12是沿著圖11的線ii-ii'截取的截面圖。

圖13是示出圖6所示的數(shù)據(jù)焊盤部的一部分的放大圖的平面圖。

圖14是沿著圖13的線iii-iii'截取的截面圖。

圖15是示出根據(jù)實(shí)驗(yàn)示例1的結(jié)構(gòu)的絕緣圖案中的缺陷的圖像。

圖16是示出根據(jù)實(shí)驗(yàn)示例2和3的結(jié)構(gòu)的絕緣圖案中的缺陷的圖像。

具體實(shí)施方式

在下文中，參照附圖詳細(xì)地描述本公開的一些實(shí)施方式。在本說明書中，相同的附圖標(biāo)記基本上指示相同的元件。在下面的描述中，如果認(rèn)為已知功能和元件的詳細(xì)描述使得本公開的主旨不必要地模糊，則將省略這些詳細(xì)描述。此外，在以下描述中使用的元件的名稱已經(jīng)通過僅考慮容易書寫本說明書被選擇，并且可以與實(shí)際部件的名稱不同。

根據(jù)本公開的實(shí)施方式的顯示裝置是顯示元件已經(jīng)形成在柔性塑料基板上的塑料顯示裝置。該塑料顯示裝置的示例可以包括有機(jī)發(fā)光顯示器、lcd和電泳顯示裝置。在本公開的實(shí)施方式中，作為示例，描述了有機(jī)發(fā)光顯示器。有機(jī)發(fā)光顯示器包括在第一電極(即，陽極)與第二電極(即，陰極)之間的由有機(jī)物質(zhì)制成的發(fā)光層。從第一電極提供的空穴和從第二電極提供的電子在發(fā)光層中結(jié)合以形成激子(即，空穴-電子對(duì))。由于當(dāng)激子返回到基態(tài)時(shí)產(chǎn)生的能量而發(fā)出光。除了塑料基板之外，根據(jù)本公開的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器還可以形成在玻璃基板中。

下面參照附圖來描述本公開的實(shí)施方式。

圖1是有機(jī)發(fā)光顯示器的示意性框圖。圖2是示出子像素的電路配置的第一示例性圖。圖3是示出子像素的電路配置的第二示例性圖。圖4是示出有機(jī)發(fā)光顯示器的平面圖。圖5是示出有機(jī)發(fā)光顯示器的子像素的截面圖。

參照?qǐng)D1，有機(jī)發(fā)光顯示器包括圖像處理部10、定時(shí)控制部20、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部30、選通驅(qū)動(dòng)部40和顯示面板50。

圖像處理部10將數(shù)據(jù)使能信號(hào)de連同外部數(shù)據(jù)信號(hào)data一起輸出。除了數(shù)據(jù)使能信號(hào)de之外，圖像處理部10還可以輸出垂直同步信號(hào)、水平同步信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)中的一個(gè)或更多個(gè)。為了便于描述，未示出垂直同步信號(hào)、水平同步信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)。圖像處理部10按照集成電路(ic)形式形成在系統(tǒng)電路基板中。

定時(shí)控制部20被提供有來自圖像處理部10的數(shù)據(jù)信號(hào)data以及數(shù)據(jù)使能信號(hào)de或者包括垂直同步信號(hào)、水平同步信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)在內(nèi)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。

定時(shí)控制部20輸出用于控制選通驅(qū)動(dòng)部40的操作定時(shí)的選通定時(shí)控制信號(hào)gdc以及用于基于驅(qū)動(dòng)信號(hào)控制數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部30的操作定時(shí)的數(shù)據(jù)定時(shí)控制信號(hào)ddc。定時(shí)控制部20按照ic形式形成在控制電路基板中。

數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部30響應(yīng)于由定時(shí)控制部20提供的數(shù)據(jù)定時(shí)控制信號(hào)ddc來對(duì)由定時(shí)控制部20提供的數(shù)據(jù)信號(hào)data進(jìn)行采樣和鎖存，將經(jīng)鎖存的信號(hào)轉(zhuǎn)換為伽瑪參考電壓，并且輸出該伽瑪參考電壓。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部30通過數(shù)據(jù)線輸出數(shù)據(jù)信號(hào)data。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部30按照ic形式附接到基板。

選通驅(qū)動(dòng)部40響應(yīng)于由定時(shí)控制部20提供的選通定時(shí)控制信號(hào)gdc來在對(duì)選通電壓的電平進(jìn)行移位的同時(shí)輸出選通信號(hào)。選通驅(qū)動(dòng)部40通過選通線輸出選通信號(hào)。選通驅(qū)動(dòng)部40按照ic形式形成在選通電路基板中或者按照面板內(nèi)柵極的形式形成在顯示面板50中。

顯示面板50響應(yīng)于由數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部30和選通驅(qū)動(dòng)部40提供的數(shù)據(jù)信號(hào)data和選通信號(hào)來顯示圖像。顯示面板50包括用于顯示圖像的子像素sp。

參照?qǐng)D2，一個(gè)子像素包括開關(guān)晶體管sw、驅(qū)動(dòng)晶體管dr、補(bǔ)償電路cc和有機(jī)發(fā)光二極管(oled)。oled響應(yīng)于由驅(qū)動(dòng)晶體管dr形成的驅(qū)動(dòng)電流來操作以發(fā)光。

開關(guān)晶體管sw執(zhí)行開關(guān)操作，使得通過第一數(shù)據(jù)線dl1提供的數(shù)據(jù)信號(hào)響應(yīng)于通過第一選通線gl1提供的選通信號(hào)而作為數(shù)據(jù)電壓被存儲(chǔ)在電容器cst中。驅(qū)動(dòng)晶體管dr取決于存儲(chǔ)在電容器cst中的數(shù)據(jù)電壓按照使得驅(qū)動(dòng)電流在高電位電力線vdd與低電位電力線gnd之間流動(dòng)的方式進(jìn)行操作。補(bǔ)償電路cc用于補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管dr的閾值電壓。此外，連接到開關(guān)晶體管sw或驅(qū)動(dòng)晶體管dr的電容器可以被設(shè)置在補(bǔ)償電路cc內(nèi)。

補(bǔ)償電路cc包括一個(gè)或更多個(gè)tft和電容器。補(bǔ)償電路cc可以取決于補(bǔ)償方法而具有各種結(jié)構(gòu)，并且省略了其詳細(xì)示例和描述。

此外，如圖3所示，如果包括補(bǔ)償電路cc，則子像素還包括用于在驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償tft的同時(shí)提供特定信號(hào)或電力的信號(hào)線和電力線。所添加的信號(hào)線可以被定義為用于驅(qū)動(dòng)子像素的補(bǔ)償tft的(1-2)選通線gl1b。此外，所添加的電力線可以被定義為用于將子像素的特定節(jié)點(diǎn)復(fù)位到特定電壓的初始化電力線init。然而，這僅是示例，并且本公開不限于此。

在圖2和圖3中，補(bǔ)償電路cc已經(jīng)被例示為包括在一個(gè)子像素中。然而，如果補(bǔ)償?shù)闹黧w如在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部30中那樣被設(shè)置在子像素外部，則可以省略補(bǔ)償電路cc。也就是說，一個(gè)子像素基本上具有包括開關(guān)晶體管sw、驅(qū)動(dòng)晶體管dr、電容器和oled在內(nèi)的2晶體管(2t)1電容器(1c)結(jié)構(gòu)。然而，如果添加了補(bǔ)償電路cc，則子像素可以具有諸如3t1c、4t2c、5t2c、6t2c和7t2c這樣的各種結(jié)構(gòu)。

此外，在圖2和圖3中，補(bǔ)償電路cc已經(jīng)被例示為設(shè)置在開關(guān)晶體管sw與驅(qū)動(dòng)晶體管dr之間。在一些實(shí)施方式中，補(bǔ)償電路cc還可以被設(shè)置在驅(qū)動(dòng)晶體管dr與oled之間。補(bǔ)償電路cc的位置和結(jié)構(gòu)不限于圖2和圖3。

參照?qǐng)D4，有機(jī)發(fā)光顯示器的顯示面板包括基板110、顯示區(qū)域dp、數(shù)據(jù)焊盤部60和數(shù)據(jù)信號(hào)線dsl。

數(shù)據(jù)焊盤部60形成在基板110的下側(cè)。數(shù)據(jù)焊盤部60是附接有數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部的焊盤區(qū)域。數(shù)據(jù)焊盤部60連接到例如安裝有數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部的數(shù)據(jù)電路基板或者安裝有定時(shí)控制部的控制電路基板。

數(shù)據(jù)信號(hào)線dsl將數(shù)據(jù)信號(hào)提供給在顯示區(qū)dp中形成的子像素sp。數(shù)據(jù)信號(hào)線dsl從數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部接收數(shù)據(jù)信號(hào)，并且將數(shù)據(jù)信號(hào)從數(shù)據(jù)焊盤部60傳送到子像素sp。數(shù)據(jù)信號(hào)線dsl連接到數(shù)據(jù)焊盤部60中的焊盤電極。焊盤電極連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部，這將在后面詳細(xì)地描述。

參照?qǐng)D5，根據(jù)本公開的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器100包括設(shè)置在基板110上的第一緩沖層112?；?10由玻璃、塑料或金屬制成。在本公開的實(shí)施方式中，基板110由塑料制成。更具體地，基板110可以是聚酰亞胺基板。因此，根據(jù)本公開的實(shí)施方式的基板110具有柔性特性。第一緩沖層112用于保護(hù)在后續(xù)工序中形成的薄膜晶體管(tft)免受諸如從基板110排出的堿離子這樣的雜質(zhì)的影響。第一緩沖層112可以是硅氧化物(siox)層、硅氮化物(sinx)層或者它們的多層。

屏蔽層114被設(shè)置在第一緩沖層112上。屏蔽層114用于防止由于使用聚酰亞胺基板而可能產(chǎn)生的面板驅(qū)動(dòng)電流的減小。第二緩沖層116被設(shè)置在屏蔽層114上。第二緩沖層116用于保護(hù)在后續(xù)工序中形成的tft免受諸如從屏蔽層114排出的堿離子這樣的雜質(zhì)的影響。第二緩沖層116可以是硅氧化物(siox)層、硅氮化物(sinx)層或者它們的多層。

半導(dǎo)體層120被設(shè)置在第二緩沖層116上。半導(dǎo)體層120可以由硅半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體制成。硅半導(dǎo)體可以包括非晶硅或結(jié)晶的多晶硅。因?yàn)槎嗑Ч杈哂?00cm²/vs或更大的高遷移率、低功耗和優(yōu)良的可靠性，所以它可以被應(yīng)用于用于驅(qū)動(dòng)元件的選通驅(qū)動(dòng)器和/或像素內(nèi)的復(fù)用器(mux)或tft。由于氧化物半導(dǎo)體具有低關(guān)斷電流，所以它適于具有短導(dǎo)通時(shí)間和長(zhǎng)截止時(shí)間的開關(guān)tft。此外，因?yàn)檠趸锇雽?dǎo)體具有低關(guān)斷電流并且對(duì)于像素具有長(zhǎng)電壓保持時(shí)間，所以它適于需要低速驅(qū)動(dòng)和/或低功耗的顯示裝置。此外，半導(dǎo)體層120包括具有p型或n型雜質(zhì)的漏極區(qū)域123和源極區(qū)域124，并且包括在漏極區(qū)域123與源極區(qū)域124之間的溝道121。此外，半導(dǎo)體層120包括在漏極區(qū)域123與源極區(qū)域124之間的與溝道121相鄰的低濃度摻雜區(qū)域122。

柵極絕緣膜gi被設(shè)置在半導(dǎo)體層120上。柵極絕緣膜gi可以是硅氧化物(siox)層、硅氮化物(sinx)層或者它們的多層。第一柵極130被設(shè)置在柵極絕緣膜gi上的與半導(dǎo)體層120對(duì)應(yīng)的特定區(qū)域中，即，當(dāng)植入雜質(zhì)時(shí)與溝道121對(duì)應(yīng)的位置。第一柵極130用作驅(qū)動(dòng)晶體管dr的柵極。第一柵極130由從由鉬(mo)、鋁(al)、鉻(cr)、金(au)、鈦(ti)、鎳(ni)、釹(nd)和銅(cu)或者它們的合金組成的組中選擇的任意一種制成。在一些實(shí)施方式中，第一柵極130可以是由從由鉬(mo)、鋁(al)、鉻(cr)、金(au)、鈦(ti)、鎳(ni)、釹(nd)和銅(cu)或者它們的合金組成的組中選擇的任意一種制成的多層。例如，柵極130可以是鉬/鋁-釹或者鉬/鋁的雙層。

連接電極132被設(shè)置在第一柵極130的一側(cè)上。連接電極132通過穿透第二緩沖層116的第一接觸孔ch1連接到柵極絕緣膜gi和屏蔽層114。

用于第一柵極130的絕緣的第一層間介電膜ild1被設(shè)置在第一柵極130上。第一層間介電膜ild1可以是硅氧化物(siox)層、硅氮化物(sinx)層或者它們的多層。第二柵極135被設(shè)置在第一層間介電膜ild1上。第二柵極135是與第一柵極130一起形成電容器的電容器電極，并且不用作驅(qū)動(dòng)晶體管dr的柵極。用于第二柵極135的絕緣的第二層間介電膜ild2被設(shè)置在第二柵極135上。使半導(dǎo)體層120的一部分暴露的第二接觸孔ch2和第三接觸孔ch3被設(shè)置在第二層間介電膜ild2、第一層間介電膜ild1和柵極絕緣膜gi的一些區(qū)域中。半導(dǎo)體層120的漏極區(qū)域123通過第二接觸孔ch2暴露，半導(dǎo)體層120的源極區(qū)域124通過第三接觸孔ch3暴露。此外，使連接電極132暴露的第四接觸孔ch4形成在第二層間介電膜ild2和第一層間介電膜ild1的一些區(qū)域中。此外，使第二柵極135暴露的第五接觸孔ch5被設(shè)置在第二層間介電膜ild2的一些區(qū)域中。

漏極140和源極145被設(shè)置在第二層間介電膜ild2上。漏極140通過使半導(dǎo)體層120的漏極區(qū)域123暴露的第二接觸孔ch2連接到半導(dǎo)體層120。源極145通過使半導(dǎo)體層120的源極區(qū)域124暴露的第三接觸孔ch3連接到半導(dǎo)體層120。此外，源極145穿透第二層間介電膜ild2和第一層間介電膜ild1，并且通過使連接電極132暴露的第四接觸孔ch4連接到連接電極132并通過第五接觸孔ch5連接到第二柵極135。源極145和漏極140可以是單層或多層。如果源極145和漏極140由單層形成，則它們可以由從由鉬(mo)、鋁(al)、鉻(cr)、金(au)、鈦(ti)、鎳(ni)、釹(nd)和銅(cu)或者它們的合金組成的組中選擇的任意一種制成。此外，如果源極145和漏極140由多層形成，則它們可以是鉬/鋁-釹的雙層或者鈦/鋁/鈦、鉬/鋁/鉬或鉬/鋁-釹/鉬的三層。

因此，包括半導(dǎo)體層120、第一柵極130、漏極140和源極145的驅(qū)動(dòng)晶體管dr被形成。

平整膜pln被設(shè)置在包括驅(qū)動(dòng)晶體管dr的基板110上方。平整膜pln可以是用于減少下層結(jié)構(gòu)的臺(tái)階的平整膜，并且由諸如聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯系列樹脂或丙烯酸酯這樣的有機(jī)物質(zhì)制成。平整膜pln可以通過諸如用于以液體形式涂覆有機(jī)物質(zhì)并使其固化的旋涂玻璃(sog)這樣的方法來形成。

使源極145暴露的第六接觸孔ch6形成在平整膜pln的一些區(qū)域中。第一電極160形成在平整膜pln上。第一電極160用作像素電極，并且通過第六接觸孔ch6連接到驅(qū)動(dòng)晶體管dr的源極145。第一電極160是陽極，并且可以由諸如銦錫氧化物(ito)、銦鋅氧化物(izc)或鋅氧化物(zno)這樣的透明導(dǎo)電材料制成。如果第一電極160是反射電極，則第一電極160包括反射層。反射層可以由鋁(al)、銅(cu)、銀(ag)或鎳(ni)或者它們的合金制成。更具體地，反射層可以由銀/鈀/銅的合金(apc)制成。

用于劃分像素的岸層bnk被設(shè)置在包括第一電極160的基板110上方。岸層bnk由諸如聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯系列樹脂或丙烯酸酯這樣的有機(jī)物質(zhì)制成。使第一電極160暴露的開口部op被設(shè)置在岸層bnk中。與第一電極160接觸的發(fā)光層170被設(shè)置在岸層bnk的開口部op中。發(fā)光層170是電子和空穴結(jié)合以發(fā)光的層?？昭ㄗ⑷雽踊蚩昭▊魉蛯涌梢员辉O(shè)置在發(fā)光層170與第一電極160之間。電子傳送層或電子注入層可以被設(shè)置在發(fā)光層170上。

第二電極180被設(shè)置在發(fā)光層170上。第二電極180被設(shè)置在顯示部a/a的整個(gè)表面上，并且是陰極電極。第二電極180可以由具有低功函數(shù)的鎂(mg)、鈣(ca)、鋁(al)或銀(ag)或者它們的合金制成。如果第二電極180是透射電極，則它具有達(dá)到使得第二電極180能夠透射光的薄的厚度。如果第二電極180是反射電極，則它具有達(dá)到使得光能夠從第二電極180反射的厚的厚度。

根據(jù)本公開的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器可以具有絕緣膜在數(shù)據(jù)焊盤部中剝離的問題。下面詳細(xì)地描述根據(jù)本公開的實(shí)施方式的數(shù)據(jù)焊盤部。

<第一實(shí)施方式>

圖6是示出圖4所示的有機(jī)發(fā)光顯示器的數(shù)據(jù)焊盤部的第一實(shí)施方式的平面圖。圖7、圖8和圖9是示出圖6所示的數(shù)據(jù)焊盤部的一部分的放大圖的平面圖。圖10是沿著圖7的線i-i'截取的截面圖。

參照?qǐng)D6，與從基板110的顯示區(qū)域延伸的數(shù)據(jù)信號(hào)線dsl連接的數(shù)據(jù)焊盤電極dpe被設(shè)置在有機(jī)發(fā)光顯示器的數(shù)據(jù)焊盤部60中。數(shù)據(jù)焊盤電極dpe在形成在基板110上的第二層間介電膜ild2上以多個(gè)行和多個(gè)列被設(shè)置，因此確保了空間，使得從顯示區(qū)域延伸的數(shù)據(jù)信號(hào)線不交疊。雖然在圖6中未示出，但是從顯示區(qū)域延伸的數(shù)據(jù)信號(hào)線與數(shù)據(jù)焊盤電極dpe一致地被設(shè)置在第二層間介電膜ild2下面。數(shù)據(jù)焊盤電極dpe通過穿透第二層間介電膜ild2的通孔via連接到數(shù)據(jù)信號(hào)線。

絕緣圖案oil被設(shè)置在設(shè)置有通孔via的區(qū)域上。絕緣圖案oil通過與顯示區(qū)域的平整膜的工序相同的工序形成。當(dāng)所有的通孔via都被絕緣圖案oil覆蓋時(shí)，被設(shè)置在通孔via上的數(shù)據(jù)焊盤電極dpe也被覆蓋。當(dāng)被設(shè)置在通孔via中的數(shù)據(jù)焊盤電極dpe被絕緣圖案oil覆蓋時(shí)，能夠防止數(shù)據(jù)焊盤電極dpe的一部分在后續(xù)工序中從通孔via損失。

參照?qǐng)D7和圖10，第一緩沖層112、第二緩沖層116和柵極絕緣膜gi被設(shè)置在基板110上。數(shù)據(jù)信號(hào)線dsl被設(shè)置在柵極絕緣膜gi上。數(shù)據(jù)信號(hào)線dsl通過與顯示區(qū)域的第一柵極的工序相同的工序形成。第一層間介電膜ild1和第二層間介電膜ild2依次堆疊在數(shù)據(jù)信號(hào)線dsl上。穿透第一層間介電膜ild1和第二層間介電膜ild2的通孔via形成在第一層間介電膜ild1和第二層間介電膜ild2中。數(shù)據(jù)焊盤電極dpe形成在第二層間介電膜ild2上。數(shù)據(jù)焊盤電極dpe通過通孔via連接到數(shù)據(jù)信號(hào)線dsl。

根據(jù)本公開的實(shí)施方式的數(shù)據(jù)焊盤電極dpe具有形成在與絕緣圖案oil交疊的一些區(qū)域中的電極孔sh。電極孔sh通過蝕刻數(shù)據(jù)焊盤電極dpe來形成，并且用于使下面的第二層間介電膜ild2暴露，以使得第二層間介電膜ild2與絕緣圖案oil接觸。絕緣圖案oil由類似平整膜的有機(jī)膜形成，并且絕緣圖案oil與諸如數(shù)據(jù)焊盤電極dpe這樣的金屬之間的粘合力減小。在這種情況下，如果絕緣圖案oil形成在數(shù)據(jù)焊盤電極dpe上，則絕緣圖案oil容易剝離。具體地，如果在數(shù)據(jù)焊盤電極dpe中形成臺(tái)階，則在已經(jīng)形成臺(tái)階的區(qū)域中絕緣圖案oil與數(shù)據(jù)焊盤電極dpe之間的粘合力減小。

在本公開的實(shí)施方式中，因?yàn)殡姌O孔sh形成在數(shù)據(jù)焊墊電極dpe中，所以具有與絕緣圖案oil的優(yōu)良粘合力的第二層間介電膜ild2與絕緣圖案oil接合，使得第二層間介電膜ild2通過電極孔sh暴露。因此，絕緣圖案oil和第二層間介電膜ild2在一些區(qū)域中接合在一起，因此防止數(shù)據(jù)焊盤電極dpe與數(shù)據(jù)焊盤電極dpe上面的絕緣圖案oil之間的粘合力減小。

數(shù)據(jù)焊盤電極dpe的電極孔sh按照特定距離“d1”的間隔與相鄰數(shù)據(jù)焊盤電極dpe的邊緣分隔開。電極孔sh用于增強(qiáng)數(shù)據(jù)焊盤電極dpe與絕緣圖案oil之間的粘合力，并因此數(shù)據(jù)焊盤電極dpe和絕緣圖案oil可以至少存在于電極孔sh的外圍中。在另一個(gè)實(shí)施方式中，如圖8所示，電極孔sh可以被形成為朝向相鄰數(shù)據(jù)焊盤電極dpe的一側(cè)傾斜。例如，電極孔sh可以被形成為具有使數(shù)據(jù)焊盤電極dpe的一側(cè)上的連接斷開的形狀。在本公開的又一個(gè)實(shí)施方式中，如圖9所示，可以形成多個(gè)電極孔sh。在這種情況下，每個(gè)電極孔sh可以具有點(diǎn)形式。在本公開的實(shí)施方式中，電極孔sh的數(shù)目或形狀不受限制。如果數(shù)據(jù)焊盤電極dpe僅需要通過使得第二層間介電膜ild2能夠與絕緣圖案oil接觸的方式暴露，則可以使用任何方式。

在本公開的實(shí)施方式中，絕緣圖案oil可以被形成為覆蓋形成在數(shù)據(jù)焊盤電極dpe中的整個(gè)電極孔sh，使得絕緣圖案oil與第二層間介電膜ild2之間的粘合區(qū)域最大化。然而，本公開不限于這樣的實(shí)施方式。絕緣圖案oil可以如第二實(shí)施例中那樣被形成為覆蓋電極孔sh的一部分。

<第二實(shí)施方式>

圖11是示出圖6所示的數(shù)據(jù)焊盤部的一部分的放大圖的平面圖。圖12是沿著圖11的線ii-ii'截取的截面圖。

參照?qǐng)D11和圖12，根據(jù)本公開的實(shí)施方式的數(shù)據(jù)焊盤電極dpe包括電極孔sh。絕緣圖案oil被設(shè)置在數(shù)據(jù)焊盤電極dpe上，但是僅電極孔sh的一部分可以被絕緣圖案oil覆蓋。僅電極孔sh的一部分被絕緣圖案oil覆蓋的結(jié)構(gòu)包括絕緣圖案oil的尺寸固定并且數(shù)據(jù)焊盤電極dpe的電極孔sh移動(dòng)到圖中的上側(cè)的結(jié)構(gòu)以及數(shù)據(jù)焊盤電極dpe的電極孔sh的位置固定并且絕緣圖案oil的尺寸減小的結(jié)構(gòu)。如果絕緣圖案oil和第二層間介電膜ild2可以通過數(shù)據(jù)焊盤電極dpe的電極孔sh彼此接觸，則可以將任何結(jié)構(gòu)應(yīng)用于本公開的實(shí)施方式。

本公開的第二實(shí)施方式能夠通過提供電極孔sh的至少一部分被絕緣圖案oil覆蓋的結(jié)構(gòu)來提供電極孔sh和絕緣圖案oil能夠交疊的工藝裕度。

在本公開的另一實(shí)施方式中，電極孔sh可以被設(shè)置為與通孔via交疊。

<第三實(shí)施方式>

圖13是示出圖6所示的數(shù)據(jù)焊盤部的一部分的放大圖的平面圖。圖14是沿著圖13的線iii-iii'截取的截面圖。

參照?qǐng)D13和圖14，根據(jù)本公開的實(shí)施方式的數(shù)據(jù)焊盤電極dpe包括電極孔sh。形成在數(shù)據(jù)焊盤電極dpe中的電極孔sh與形成在第一層間介電膜ild1和第二層間介電膜ild2中的通孔via交疊。電極孔sh的至少一部分(例如，整個(gè)電極孔sh)可以被形成在數(shù)據(jù)焊盤電極dpe上的絕緣圖案oil覆蓋。雖然根據(jù)本公開的第三實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)公開了電極孔sh的尺寸被盡可能地最大化，但是數(shù)據(jù)焊盤電極dpe和數(shù)據(jù)信號(hào)線dsl至少彼此接觸。因此，絕緣圖案oil與第二層間介電膜ild2之間的粘合力可以被最大化。

在本實(shí)施方式中，電極孔sh的面積可以為數(shù)據(jù)焊盤電極dpe和絕緣圖案oil交疊的整個(gè)面積的5％至95％。如果電極孔sh的面積為數(shù)據(jù)焊盤電極dpe和絕緣圖案oil交疊的整個(gè)面積的5％或更大，則因?yàn)榻^緣圖案oil和第二層間介電膜ild2的接觸面積變寬而能夠增加絕緣圖案oil與第二層間介電膜ild2之間的粘合力。如果電極孔sh的面積為數(shù)據(jù)焊盤電極dpe和絕緣圖案oil交疊的整個(gè)面積的95％或更小，則因?yàn)榇_保了數(shù)據(jù)焊盤電極dpe與數(shù)據(jù)信號(hào)線dsl之間的最小接觸面積而能夠防止數(shù)據(jù)焊盤電極dpe與數(shù)據(jù)信號(hào)線dsl之間的接觸電阻增加。

如上所述，在根據(jù)本公開的第一實(shí)施方式至第三實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器中，因?yàn)殡姌O孔形成在被設(shè)置在數(shù)據(jù)焊盤部中的數(shù)據(jù)焊盤電極中，所以數(shù)據(jù)焊盤電極下面的第二層間介電膜和絕緣圖案彼此接觸。因此，因?yàn)榻^緣圖案與第二層間介電膜之間的粘合力增強(qiáng)，所以能夠防止絕緣圖案在電極孔周圍的數(shù)據(jù)焊盤電極中剝離。因此，能夠提高有機(jī)發(fā)光顯示器的數(shù)據(jù)焊盤部中的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部與數(shù)據(jù)焊盤電極之間的連接的可靠性。

下面公開了根據(jù)本公開的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器的實(shí)驗(yàn)示例。

圖15是示出根據(jù)實(shí)驗(yàn)示例1的結(jié)構(gòu)的絕緣圖案中的缺陷的圖像。圖16是示出根據(jù)實(shí)驗(yàn)示例2和3的結(jié)構(gòu)的絕緣圖案中的缺陷的圖像。

在實(shí)驗(yàn)示例1中，絕緣圖案oil按照線形式形成在數(shù)據(jù)焊盤電極dpe和通孔via交疊的區(qū)域中。在實(shí)驗(yàn)示例2中，絕緣圖案oil按照島狀圖案僅形成在數(shù)據(jù)焊盤電極dpe和通孔via交疊的區(qū)域中。在實(shí)驗(yàn)示例3中，絕緣圖案oil還形成在與數(shù)據(jù)焊盤電極dpe和通孔via交疊的區(qū)域相鄰的第二層間介電膜ild2上。此外，通過執(zhí)行所有后續(xù)工序來制造有機(jī)發(fā)光顯示器，并且使用光學(xué)相機(jī)來測(cè)量數(shù)據(jù)焊盤部區(qū)域。

圖15示出了在實(shí)驗(yàn)示例1中絕緣圖案oil在數(shù)據(jù)焊盤電極dpe的整個(gè)頂表面上完全剝離。圖16示出了在實(shí)驗(yàn)示例2中形成在數(shù)據(jù)焊盤電極dpe的頂部上的絕緣圖案oil部分剝離，并且示出了在實(shí)驗(yàn)示例3中形成在數(shù)據(jù)焊盤電極dpe的頂部上的絕緣圖案oil部分剝離，但是形成在第二層間介電膜ild2上的絕緣圖案oil未剝離。

通過這些實(shí)驗(yàn)示例，本公開的發(fā)明人注意到，因?yàn)橥ㄟ^在數(shù)據(jù)焊盤電極內(nèi)形成電極孔而使第二層間介電膜暴露，所以能夠通過絕緣圖案與第二層間介電膜之間的粘附來防止絕緣圖案剝離。

如上所述，在根據(jù)本公開的第一實(shí)施方式至第三實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示器中，電極孔形成在被設(shè)置在數(shù)據(jù)焊盤部中的數(shù)據(jù)焊盤電極中，使得數(shù)據(jù)焊盤電極下面的第二層間介電膜與絕緣圖案彼此接觸。因此，因?yàn)榻^緣圖案與第二層間介電膜之間的粘合力增強(qiáng)，所以能夠防止絕緣圖案在電極孔周圍的數(shù)據(jù)焊盤電極中剝離。因此，能夠提高有機(jī)發(fā)光顯示器的數(shù)據(jù)焊盤部中的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部與數(shù)據(jù)焊盤電極之間的連接的可靠性。

盡管已經(jīng)參照本公開的多個(gè)示例性實(shí)施方式描述了實(shí)施方式，但是應(yīng)該理解的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠設(shè)計(jì)出將落入本公開的原理的范圍內(nèi)的眾多其它變型和實(shí)施方式。更具體地，可以在本公開、附圖和所附的權(quán)利要求的范圍內(nèi)對(duì)主題組合布置的組成部分和/或布置進(jìn)行各種變型和修改。除了對(duì)這些組成部分和/或布置的變型和修改之外，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言替代使用也將是顯而易見的。