本發(fā)明涉及顯示器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種oled顯示面板及其制備方法。

背景技術(shù)：

第二接觸孔(ct2)是低溫多晶硅((lowtemperaturepolysilicon，簡稱ltps)中一項重要的制程，ct2的導(dǎo)入會導(dǎo)致生產(chǎn)成本的增加，ct2光罩的設(shè)計和制作需要人力和資金的投入，而黃光和蝕刻工序的導(dǎo)入，也會增加生產(chǎn)間接材料的使用量，這對于大規(guī)模生產(chǎn)是不利的。

近年來，第二接觸孔(ct2)的蝕刻工藝，是在sp(spacer，源漏極層)層之后上光阻并用ct2的光罩進行曝光顯影，再使用濕法(wet)+干法(dry)刻蝕的方式蝕刻出ct2的孔。這種做法的缺點在于：每支產(chǎn)品都需要多開一張ct2的光罩，提高了生產(chǎn)的固定成本；除此之外，還需要黃光進行上光阻/曝光/顯影，增大光阻和顯影液的使用量；而蝕刻需要使用hf液和cf4氣體，同樣會提高成本；同時，多一個層(layer)會使制程復(fù)雜化，增大良率損失(yieldloss)的可能性，這是本領(lǐng)域技術(shù)人員所不愿意看到的。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對上述存在的問題，本發(fā)明公開一種oled顯示面板，包括：

一基板，設(shè)置有封裝區(qū)域(frit區(qū)域)和顯示區(qū)域；

緩沖層(buffer)，設(shè)置于所述基板之上；

半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述顯示區(qū)域的所述緩沖層之上，且所述半導(dǎo)體層中設(shè)置有源極區(qū)/漏極區(qū)和溝道區(qū)；

第一閘極絕緣層，設(shè)置于所述半導(dǎo)體層和部分所述緩沖層之上；

閘極層，與所述溝道區(qū)相對應(yīng)設(shè)置于所述第一閘極絕緣層之上；

第二閘極絕緣層，設(shè)置于所述閘極層和部分所述第一閘極絕緣層之上；

接觸層，設(shè)置于所述第二閘極絕緣層之上；

第一接觸孔，位于所述顯示區(qū)域中，且貫穿所述接觸層至所述源極區(qū)或漏極區(qū)的上表面以用于連接所述顯示區(qū)域的電路；

第二接觸孔，位于所述封裝區(qū)域中，且貫穿所述接觸層至所述緩沖層中以用于連接所述封裝區(qū)域的電路；

源漏極層(dataline，簡稱dl)，設(shè)置于所述接觸層的部分上表面及所述第一接觸孔的底部及其側(cè)壁；

上述的oled顯示面板，其中，所述緩沖層包括緩沖氮化硅層和緩沖氧化硅層；

其中，所述緩沖氧化硅層位于所述緩沖氮化硅層的上方或所述緩沖氮化硅層位于所述緩沖氧化硅層的上方。

上述的oled顯示面板，其中，所述第一閘極絕緣層包括閘極 氧化硅層和位于所述閘極氧化硅層之上的閘極氮化硅層，所述閘極氮化硅層位于所述顯示區(qū)域內(nèi)溝道區(qū)的正上方。

上述的oled顯示面板，其中，所述閘極層的材質(zhì)為鉬(mo)。

上述的oled顯示面板，其中，所述第二閘極絕緣層的的材質(zhì)為氮化硅。

上述的oled顯示面板，其中，所述接觸層包括接觸氧化硅層和位于所述接觸氧化硅層上表面的接觸氮化硅層。

本發(fā)明還公開了一種oled顯示面板的制備方法，所述方法包括如下步驟：

提供一設(shè)置有封裝區(qū)域和顯示區(qū)域的基板；

于所述基板之上形成緩沖層；

于所述顯示區(qū)域的所述緩沖層之上形成具有源極區(qū)/漏極區(qū)和溝道區(qū)的半導(dǎo)體層；

于所述半導(dǎo)體層和所述緩沖層暴露的上表面形成第一閘極絕緣層；

于所述第一閘極絕緣層上表面形成與所述溝道區(qū)相對應(yīng)的閘極層；

于所述閘極層暴露的表面和部分所述第一閘極絕緣層暴露的表面沉積形成第二閘極絕緣層；

于部分所述第二閘極絕緣層的表面形成接觸層；

按照從上至下的順序依次刻蝕所述接觸層、所述第二閘極絕緣層和所述第一閘極絕緣層，以在所述顯示區(qū)域中形成位于所述源極區(qū)或 漏極區(qū)上表面用于連接所述顯示區(qū)域電路的第一接觸孔，及在所述封裝區(qū)域中形成位于所述緩沖層上方的接觸孔結(jié)構(gòu)；

于所述接觸層的部分上表面形成源漏極層，且所述源漏極層覆蓋所述第一接觸孔的底部及其側(cè)壁，并將所述接觸孔結(jié)構(gòu)予以暴露；

以所述源漏極層為掩膜，刻蝕位于所述接觸孔結(jié)構(gòu)底部的所述緩沖層，以形成用于連接所述封裝區(qū)域中電路的第二接觸孔。

上述的oled顯示面板的制備方法，其中，通過hf藥液刻蝕形成所述第二接觸孔。

上述的oled顯示面板的制備方法，其中，所述接觸層包括接觸氧化硅層和位于所述接觸氧化硅層上表面的接觸氮化硅層；

所述方法中，于部分所述第二閘極絕緣層的表面形成所述接觸層的步驟包括：

于部分所述第二閘極絕緣層的表面沉積形成所述接觸氧化硅層；

于所述接觸氧化硅層的上表面沉積形成所述接觸氮化硅層。

上述的oled顯示面板的制備方法，其中，于所述接觸氧化硅層的上表面沉積形成接觸氮化硅層時，所采用的nh3和sih4的配比為1:1。

上述的oled顯示面板的制備方法，其中，所述緩沖層包括緩沖氮化硅層和緩沖氧化硅層；

其中，所述緩沖氧化硅層位于所述緩沖氮化硅層的上方或所述緩沖氮化硅層位于所述緩沖氧化硅層的上方。

上述的oled顯示面板的制備方法，其中，所述第一閘極絕緣層包括閘極氧化硅層和位于所述閘極氧化硅層之上的閘極氮化硅層，所述閘極氮化硅層位于所述顯示區(qū)域內(nèi)溝道區(qū)的正上方。

上述的oled顯示面板的制備方法，其中，所述閘極層的材質(zhì)為鉬。

上述的oled顯示面板的制備方法，其中，所述第二閘極絕緣層的材質(zhì)為氮化硅。

上述發(fā)明具有如下優(yōu)點或者有益效果：

本發(fā)明公開了一種oled顯示面板及其制備方法，以源漏極層(dl層)作為掩膜(mask)，以hf藥液對位于封裝區(qū)的接觸孔結(jié)構(gòu)底部的緩沖層進行蝕刻的方法，不需要額外的一個光罩即可蝕刻出位于封裝區(qū)的第二接觸孔(ct2)達到封裝的目的，可以在簡化工藝的同時節(jié)約生產(chǎn)成本，同時本發(fā)明將接觸氮化硅層設(shè)置在接觸氧化硅層的上方，即先蝕刻接觸氮化硅層，后蝕刻接觸氧化硅層，避免接觸層的損傷過大造成產(chǎn)品良率的損失(loss)。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細描述，本發(fā)明及其特征、外形和優(yōu)點將會變得更加明顯。在全部附圖中相同的標(biāo)記指示相同的部分。并未可以按照比例繪制附圖，重點在于示出本發(fā)明的主旨。

圖1是本發(fā)明實施例中oled顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2～12是本發(fā)明實施例中oled顯示面板的制備方法的流程結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和具體的實施例對本發(fā)明作進一步的說明，但是不作為本發(fā)明的限定。

實施例一：

本發(fā)明公開一種oled顯示面板，該oled顯示面板包括設(shè)置有封裝區(qū)域和顯示區(qū)域的基板、設(shè)置于基板之上的緩沖層、設(shè)置于顯示區(qū)域的緩沖層之上，且設(shè)置有源極區(qū)/漏極區(qū)和溝道區(qū)的半導(dǎo)體層、設(shè)置于半導(dǎo)體層和部分緩沖層之上的第一閘極絕緣層、與溝道區(qū)相對應(yīng)設(shè)置于第一閘極絕緣層之上的閘極層、設(shè)置于閘極層和部分第一閘極絕緣層之上的第二閘極絕緣層、設(shè)置于第二閘極絕緣層之上的接觸層、位于顯示區(qū)域中，且貫穿接觸層至源極區(qū)或漏極區(qū)的上表面以用于連接顯示區(qū)域的電路的第一接觸孔、位于封裝區(qū)域中，且貫穿接觸層至緩沖層中以用于連接封裝區(qū)域的電路的第二接觸孔以及設(shè)置于接觸層的部分上表面及第一接觸孔的底部及其側(cè)壁的源漏極層。

在本發(fā)明一個優(yōu)選的實施例中，上述緩沖層包括緩沖氮化硅層和緩沖氧化硅層；其中，所述緩沖氧化硅層位于所述緩沖氮化硅層的上方或所述緩沖氮化硅層位于所述緩沖氧化硅層的上方。

在本發(fā)明一個優(yōu)選的實施例中，上述第一閘極絕緣層包括閘極氧化硅層和位于閘極氧化硅層之上的閘極氮化硅層，閘極氮化硅層位于 顯示區(qū)域內(nèi)溝道區(qū)的正上方。

在本發(fā)明一個優(yōu)選的實施例中，上述閘極層的材質(zhì)為鉬(mo)。

在本發(fā)明一個優(yōu)選的實施例中，上述第二閘極絕緣層的材質(zhì)為氮化硅。

在本發(fā)明一個優(yōu)選的實施例中，上述接觸層包括接觸氧化硅層和位于接觸氧化硅層上表面的接觸氮化硅層。

下面結(jié)合附圖以具體的實施例對本發(fā)明oled顯示面板作進一步的闡述：

如圖1所示，本實施例涉及一種oled顯示面板，該oled顯示面板包括設(shè)置有封裝區(qū)域和顯示區(qū)域的基板1、設(shè)置于基板1之上的緩沖層2、設(shè)置于顯示區(qū)域的緩沖層2之上，且設(shè)置有源極區(qū)/漏極區(qū)31和溝道區(qū)32的半導(dǎo)體層3、設(shè)置于半導(dǎo)體層3和部分緩沖層2之上的第一閘極絕緣層4、與溝道區(qū)32相對應(yīng)設(shè)置于第一閘極絕緣層4之上的閘極層5、設(shè)置于閘極層5和部分第一閘極絕緣層4之上的第二閘極絕緣層6、設(shè)置于第二閘極絕緣層6之上的接觸層7、位于顯示區(qū)域中，且貫穿接觸層7至源極區(qū)或漏極區(qū)31的上表面以用于連接顯示區(qū)域的電路的第一接觸孔8、位于封裝區(qū)域中，且貫穿接觸層7至緩沖層2中以用于連接封裝區(qū)域的電路的第二接觸孔9以及設(shè)置于接觸層7的部分上表面及第一接觸孔8的底部及其側(cè)壁的源漏極層10。

在本發(fā)明的實施例中，接觸層7包括接觸氧化硅層71(可以為二氧化硅)和接觸氮化硅層72，接觸氧化硅層71設(shè)置于第二閘極絕 緣層6之上，接觸氮化硅層72設(shè)置于接觸氧化硅層71的上表面，這是由于雖然接觸層7的部分上表面及第一接觸孔8的底部及其側(cè)壁被源漏極層10保護著，但是接觸層7仍大部分裸露在外，在后續(xù)采用hf藥液刻蝕形成第二接觸孔9時與hf藥液接觸，且hf藥液對氧化物的蝕刻率遠高于對氮化硅的蝕刻率，因此，若接觸層7仍然是氧化物在上，氮化硅在下，則接觸層7在蝕刻過程中會有較大的損失，而本實施例將氧化物和氮化硅進行倒置，使得接觸氮化硅層位于接觸氧化硅層之上，以避免接觸層7的損失量過大造成產(chǎn)品的良率損失。

在本發(fā)明的實施例中，上述緩沖層2包括緩沖氮化硅層21和覆蓋緩沖氮化硅層21上表面的緩沖氧化硅層22(該緩沖氧化硅層22可以為二氧化硅)，在本發(fā)明的其他實施例中，該緩沖層2中也可以緩沖氮化硅層21在上，緩沖氧化硅層22在下，這并不影響本發(fā)明的目的。

在本發(fā)明的實施例中，上述第一閘極絕緣層4包括閘極氧化硅層41和位于閘極氧化硅層之上的閘極氮化硅層42，且閘極氮化硅層42位于顯示區(qū)域內(nèi)溝道區(qū)32的正上方。

在本發(fā)明的實施例中，上述閘極層5的材質(zhì)為鉬(mo)，也可以為其他導(dǎo)電材料。

在本發(fā)明的實施例中，上述第二閘極絕緣層6的的材質(zhì)為氮化硅。

在本發(fā)明的實施例中，上述源漏極層10為復(fù)合結(jié)構(gòu)，優(yōu)選的，源漏極層10為包括第一鈦層(ti)、鋁層(al)和第二鈦層的三明治 結(jié)構(gòu)(第一鈦層、鋁層和第二鈦層圖中未示出)，即兩層鈦層將鋁層夾在中間的結(jié)構(gòu)，當(dāng)然該源漏極層10也可以為其他導(dǎo)電材料、其他結(jié)構(gòu)，只要能實現(xiàn)本發(fā)明的目的即可。

在本發(fā)明的一個實施例中，上述緩沖氮化硅層21的厚度為緩沖氧化硅層22的厚度為閘極氧化硅層41的厚度為閘極氮化硅層42的厚度為接觸氮化硅層72的厚度為接觸氧化硅層71的厚度為且第二接觸孔9底部和緩沖氮化硅層21底部之間的距離為當(dāng)然根據(jù)具體產(chǎn)品要求，各層膜厚可以不同，這對本發(fā)明并無影響。

實施例二：

本發(fā)明還公開了一種oled顯示面板的制備方法，該方法包括如下步驟：

提供一設(shè)置有封裝區(qū)域和顯示區(qū)域的基板；

于基板之上形成緩沖層；

于顯示區(qū)域的緩沖層之上形成具有源極區(qū)/漏極區(qū)和溝道區(qū)的半導(dǎo)體層；

于半導(dǎo)體層和緩沖層暴露的上表面形成第一閘極絕緣層；

于第一閘極絕緣層上表面形成與溝道區(qū)相對應(yīng)的閘極層；

于閘極層暴露的表面和部分第一閘極絕緣層暴露的表面沉積形成第二閘極絕緣層；

于部分第二閘極絕緣層的表面形成接觸層；

按照從上至下的順序依次刻蝕接觸層、第二閘極絕緣層和第一閘極絕緣層，以在顯示區(qū)域中形成位于源極區(qū)或漏極區(qū)上表面用于連接顯示區(qū)域電路的第一接觸孔，及在封裝區(qū)域中形成位于緩沖層上方的接觸孔結(jié)構(gòu)；

于接觸層的部分上表面形成源漏極層，且源漏極層覆蓋第一接觸孔的底部及其側(cè)壁，并將接觸孔結(jié)構(gòu)予以暴露；

以源漏極層為掩膜，刻蝕位于接觸孔結(jié)構(gòu)底部的緩沖層，以形成用于連接封裝區(qū)域中電路的第二接觸孔。

在本發(fā)明一個優(yōu)選的實施例中，通過hf藥液刻蝕形成上述第二接觸孔。

在本發(fā)明一個優(yōu)選的實施例中，上述接觸層包括接觸氧化硅層和位于接觸氧化硅層上表面的接觸氮化硅層；

上述方法中，于部分第二閘極絕緣層的表面形成接觸層的步驟包括：

于部分第二閘極絕緣層的表面沉積形成接觸氧化硅層；

于接觸氧化硅層的上表面沉積形成接觸氮化硅層。

在本發(fā)明一個優(yōu)選的實施例中，于接觸氧化硅層的上表面沉積形成接觸氮化硅層時，所采用的nh3和sih4的配比為1:1。

在本發(fā)明一個優(yōu)選的實施例中，上述緩沖層包括緩沖氮化硅層和緩沖氧化硅層；

其中，所述緩沖氧化硅層位于所述緩沖氮化硅層的上方或所述緩沖氮化硅層位于所述緩沖氧化硅層的上方。

在本發(fā)明一個優(yōu)選的實施例中，上述第一閘極絕緣層包括閘極氧化硅層和位于閘極氧化硅層之上的閘極氮化硅層，閘極氮化硅層位于顯示區(qū)域內(nèi)溝道區(qū)的正上方。

在本發(fā)明一個優(yōu)選的實施例中，上述閘極層的材質(zhì)為鉬。

在本發(fā)明一個優(yōu)選的實施例中，上述第二閘極絕緣層的的材質(zhì)為氮化硅。

下面結(jié)合附圖以具體的實施例對本發(fā)明oled顯示面板的制備方法作進一步的闡述：

本實施例涉及一種oled顯示面板的制備方法，該方法包括如下步驟：

步驟s1，提供一設(shè)置有封裝區(qū)域和顯示區(qū)域(該封裝區(qū)域和顯示區(qū)域并未于圖中標(biāo)示出)的基板1，優(yōu)選的，該基板1為玻璃基板，如圖2所示的結(jié)構(gòu)。

步驟s2，于基板1上形成緩沖層2，該緩沖層2包括緩沖氮化硅層21和位于緩沖氮化硅層21上表面的緩沖氧化硅層22(該緩沖氧化硅層22可以為二氧化硅)，在本發(fā)明的其他實施例中，該緩沖層2中也可以緩沖氮化硅層21在上，緩沖氧化硅層22在下，這并不影響本發(fā)明的目的。在本發(fā)明的實施例中，形成該緩沖層2的步驟具體為，按照從下至上的順序于基板1依次沉積緩沖氮化硅層21和緩沖氧化硅層22，該沉積方式可以為化學(xué)氣相沉積等；如圖3所示的結(jié)構(gòu)。

步驟s3，于顯示區(qū)域內(nèi)部分緩沖層2之上形成具有源極區(qū)/漏極區(qū)31及溝道區(qū)32的半導(dǎo)體層3；該步驟具體為：首先于區(qū)域顯示內(nèi) 部分緩沖氧化硅層22的上表面形成半導(dǎo)體材料層之后，該半導(dǎo)體材料層僅覆蓋部分緩沖氧化硅層22的上表面，于該半導(dǎo)體材料層進行源漏注入工藝形成該具有源極區(qū)/漏極區(qū)31及溝道區(qū)32的半導(dǎo)體層3，如圖4所示的結(jié)構(gòu)。

步驟s4，于半導(dǎo)體層3和緩沖層2暴露的上表面形成第一閘極絕緣層4，在本發(fā)明的實施例中，第一閘極絕緣層4包括閘極氧化硅層41和位于閘極氧化硅層41之上的閘極氮化硅層42，閘極氮化硅層42位于顯示區(qū)域內(nèi)溝道區(qū)32的正上方，如圖5所示的結(jié)構(gòu)。

步驟s5，于第一閘極絕緣層4上表面形成與溝道區(qū)32相對應(yīng)的閘極層5，優(yōu)選的，閘極層5為鉬，該閘極層5也可以為其他導(dǎo)電材料，這并不影響本發(fā)明的目的。如圖6所示的結(jié)構(gòu)。

步驟s6，繼續(xù)沉積第二閘極絕緣層6以將閘極層5暴露的表面和部分第一閘極絕緣層4暴露的表面予以覆蓋，該第二閘極絕緣層6的材質(zhì)為氮化硅，如圖7所示的結(jié)構(gòu)。

步驟s7，于第二閘極絕緣層6上表面沉積形成接觸氧化硅層71(該接觸氧化硅層71可以為二氧化硅)，如圖8所示的結(jié)構(gòu)。

步驟s8，于接觸氧化硅層71表面沉積形成接觸氮化硅層72；該接觸氧化硅層71和接觸氮化硅層72形成接觸層7，且在本發(fā)明的實施例中，于接觸氧化硅層表面沉積形成接觸氮化硅層時，nh3和sih4的配比為1：1，也可以為其他配比，只要能實現(xiàn)本發(fā)明的目的即可；如圖9所示的結(jié)構(gòu)。

步驟s9，按照從上至下的順序依次刻蝕接觸氮化硅層72、接觸 氧化硅層71、第二閘極絕緣層6和第一閘極絕緣層4，以在顯示區(qū)域中形成位于源極區(qū)/漏極區(qū)4上表面以用于連接顯示區(qū)域電路的第一接觸孔8，及在封裝區(qū)域中形成位于緩沖層2上方的接觸孔結(jié)構(gòu)9；如圖10所示的結(jié)構(gòu)。

步驟s10，于接觸氮化硅層72的部分上表面形成源漏極層10，且源漏極層10覆蓋第一接觸孔8的底部及其側(cè)壁，即部分源漏極層10與半導(dǎo)體層3中的源極區(qū)或漏極區(qū)4相接觸，與源極區(qū)或漏極區(qū)4相接觸的部分源漏極層10也就是oled顯示面板中的源極或漏極。該源漏極層10將接觸孔結(jié)構(gòu)9予以暴露；優(yōu)選的，該源漏極層10為包括第一鈦層(ti)、鋁層(al)和第二鈦層的三明治結(jié)構(gòu)(該源漏極層10具體的結(jié)構(gòu)并未于圖中標(biāo)示出)；如圖11所示的結(jié)構(gòu)。

步驟s11，以源漏極層10為掩膜，通過hf藥液刻蝕位于接觸孔結(jié)構(gòu)9底部的緩沖層2以形成用于連接封裝區(qū)域電路的第二接觸孔11，且該第二接觸孔11在后續(xù)封裝的過程中可以使框膠與基板1更好的貼合在一起，防止產(chǎn)品在封裝后進行ra(reliabilityanalysis，可靠性分析(高溫/高濕/高壓))時在封裝(frit)區(qū)域出現(xiàn)嚴重的金屬裂痕(metalcrack)或輕微的水紋狀褶皺而導(dǎo)致封裝失敗(fail)，從而達到更好地封裝效果；如圖12所示的結(jié)構(gòu)。

其中，在本發(fā)明的實施例中，上述緩沖氮化硅層21的厚度為緩沖氧化硅層22的厚度為閘極氧化硅層41的厚度為閘極氮化硅層42的厚度為接觸氮化硅層72的厚度為接觸氧化硅層71的厚度為且第二接觸孔11底 部和緩沖氮化硅層21底部之間的距離為當(dāng)然根據(jù)具體產(chǎn)品要求，各層膜厚可以不同，這對本發(fā)明并無影響。

在此需要說明的是，參見上述步驟s7和步驟s8，之所以先制備接觸氧化硅層71，再制備接觸氮化硅層72是由于雖然接觸層7的上表面及第一接觸孔8的底部及其側(cè)壁被源漏極層10保護著，但是接觸層7仍大部分裸露在外，在采用hf藥液刻蝕形成第二接觸孔時與hf藥液接觸，且hf藥液對氧化物的蝕刻率遠高于對氮化硅的蝕刻率，因此，若接觸層仍然是氧化物在上，氮化硅在下，則接觸層7在蝕刻過程中會有較大的損失，而本實施例將氧化物和氮化硅進行倒置，以避免接觸層7的損失量過大造成產(chǎn)品的良率損失。

此外，參見步驟s8，在本發(fā)明的實施例中，于接觸氧化硅層表面沉積形成接觸氮化硅層時，之所以采用的nh3和sih4的配比為1：1，是由于hf藥液對接觸氮化硅層的蝕刻率只是較接觸氧化硅層更小，所以在進行第二接觸孔的蝕刻時，其也會受到hf藥液的蝕刻而導(dǎo)致部分的接觸層損失。為此，本發(fā)明通過改變化學(xué)氣相沉積(cvd)成膜的nh3和sih4的氣體配比，從而調(diào)整接觸氮化硅層的膜質(zhì)，改變hf藥液對接觸氮化硅層的蝕刻率。從實際的驗證結(jié)果看，接觸氮化硅層的蝕刻率的蝕刻率可以從1374a/min調(diào)整至279a/min，改善明顯，當(dāng)然nh3和sih4也可以采用其他配比，只要能調(diào)整接觸氮化硅層的膜質(zhì)，降低hf藥液對接觸氮化硅層的蝕刻率即可。

不難發(fā)現(xiàn)，本實施例為與上述oled顯示面板的實施例相對應(yīng)的方法實施例，本實施例可與上述oled顯示面板的實施例互相配 合實施。上述oled顯示面板的實施例中提到的相關(guān)技術(shù)細節(jié)在本實施例中依然有效，為了減少重復(fù)，這里不再贅述。相應(yīng)地，本實施方式中提到的相關(guān)技術(shù)細節(jié)也可應(yīng)用在上述oled顯示面板的實施例中。

本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員在結(jié)合現(xiàn)有技術(shù)以及上述實施例可以實現(xiàn)變化例，在此不做贅述。這樣的變化例并不影響本發(fā)明的實質(zhì)內(nèi)容，在此不予贅述。

以上對本發(fā)明的較佳實施例進行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述特定實施方式，其中未盡詳細描述的設(shè)備和結(jié)構(gòu)應(yīng)該理解為用本領(lǐng)域中的普通方式予以實施；任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例，這并不影響本發(fā)明的實質(zhì)內(nèi)容。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護的范圍內(nèi)。