技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及顯示器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種OLED顯示面板及其制備方法，以源漏極層作為掩膜，以HF藥液對(duì)位于封裝區(qū)的接觸孔結(jié)構(gòu)底部的緩沖層進(jìn)行蝕刻的方法，不需要額外的一個(gè)光罩即可蝕刻出位于封裝區(qū)的第二接觸孔達(dá)到封裝的目的，可以在簡化工藝的同時(shí)節(jié)約生產(chǎn)成本，同時(shí)本發(fā)明將接觸氮化硅層設(shè)置在接觸氧化硅層的上方，即先蝕刻接觸氮化硅層，后蝕刻接觸氧化硅層，避免接觸層的損傷過大造成產(chǎn)品良率的損失。

技術(shù)研發(fā)人員：丁漢锜;勞潯;郭美
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海和輝光電有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.25
技術(shù)公布日：2017.07.04