1.一種設(shè)備，其包括：
隔離層壓材料，所述隔離層壓材料包括：
電介質(zhì)核心，其具有第一表面及與所述第一表面相對(duì)的第二表面；
至少一個(gè)導(dǎo)電層，其被配置成上覆所述第一表面的第一變壓器線圈；
第一電介質(zhì)層，其環(huán)繞所述至少一個(gè)導(dǎo)電層；
第一磁性層，其上覆所述至少一個(gè)導(dǎo)電層；
至少一個(gè)附加導(dǎo)電層，其被配置成上覆所述第二表面的第二變壓器線圈；
第二電介質(zhì)層，其環(huán)繞所述至少一個(gè)附加導(dǎo)電層；及
第二磁性層，其上覆至少一個(gè)附加導(dǎo)電層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括：
導(dǎo)電層，其形成上覆所述電介質(zhì)核心的所述第一表面及所述第二表面中的一者的至少一個(gè)EMI屏蔽物；及
電介質(zhì)材料，其環(huán)繞所述磁性屏蔽物并使所述至少一個(gè)EMI屏蔽物與所述第一變壓器線圈及所述第二變壓器線圈絕緣。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括：
引線框，其具有管芯連接焊盤；且
所述隔離層壓材料安置在所述管芯連接焊盤上并通過所述第一磁性層及所述第二磁性層中的一者與所述管芯連接焊盤熱接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述電介質(zhì)核心進(jìn)一步包括BT樹脂。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第一電介質(zhì)層進(jìn)一步包括半固化片材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第一磁性層及所述第二磁性層是由燒結(jié)操作中的粉末狀磁性材料形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中所述粉末狀磁性材料包括鐵氧體材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第一磁性層進(jìn)一步包括具有大于約1的磁導(dǎo)率的磁性材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第一磁性層進(jìn)一步包括含鐵材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第一磁性層進(jìn)一步包括包含鎳及鋅中的至少一者的材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述至少一個(gè)導(dǎo)電層進(jìn)一步包括銅或其它電導(dǎo)體。
12.一種封裝的集成電路，其包括：
引線框，其具有用于放置第一半導(dǎo)體電路及第二半導(dǎo)體電路的第一部分及第二部分；及
隔離層壓材料，其安裝在所述引線框的第三部分上且與所述第一部分及所述第二部分中的至少一者隔離，所述隔離層壓材料包括：
電介質(zhì)核心，其具有第一表面及與所述第一表面相對(duì)的第二表面；
至少一個(gè)導(dǎo)電層，其被配置成上覆所述第一表面的第一變壓器線圈；
第一電介質(zhì)層，其環(huán)繞所述至少一個(gè)導(dǎo)電層；
第一磁性層，其上覆所述至少一個(gè)導(dǎo)電層；
至少一個(gè)附加導(dǎo)電層，其被配置成上覆所述第二表面的第二變壓器線圈；
第二電介質(zhì)層，其環(huán)繞所述至少一個(gè)附加導(dǎo)電層；及
第二磁性層，其上覆所述至少一個(gè)附加導(dǎo)電層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的封裝的集成電路，且其進(jìn)一步包括：
第一電路，其安置于所述引線框的所述第一部分上且耦合到所述第一變壓器線圈；及
第二電路，其安置于所述引線框的所述第二部分上且耦合到所述第二變壓器線圈；
其中所述第一電路及所述第二電路彼此流電隔離且來自所述第一電路的信號(hào)由所述第一變壓器線圈及所述第二變壓器線圈耦合到所述第二電路。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的封裝的集成電路，其中所述隔離層壓材料進(jìn)一步包括：
導(dǎo)電層，其形成上覆所述電介質(zhì)核心的所述第一表面及所述第二表面中的一者的至少一個(gè)EMI屏蔽物；及
電介質(zhì)材料，其環(huán)繞所述EMI屏蔽物并使所述EMI屏蔽物與所述第一變壓器線圈及所述第二變壓器線圈絕緣。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的封裝的集成電路，其中所述隔離層壓材料進(jìn)一步包括：
第二導(dǎo)電層，其形成上覆所述電介質(zhì)核心的所述第一表面及所述第二表面中的一者的至少一個(gè)附加EMI屏蔽物；及
電介質(zhì)材料，其環(huán)繞所述至少一個(gè)附加EMI屏蔽物，并使所述至少一個(gè)附加EMI屏蔽物與所述第一變壓器線圈、所述第二變壓器線圈及所述至少一個(gè)EMI屏蔽物絕緣。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的封裝的集成電路，其中所述第一磁性層包括具有大于約1的磁導(dǎo)率的磁性材料。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的封裝的集成電路，其中所述第一磁性層包括從主要由鐵氧體材料及基于金屬的磁性材料組成的群組中選出的一種材料。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的封裝的集成電路，且其進(jìn)一步包括環(huán)繞所述引線框及所述隔離層壓材料的封裝材料。
19.一種方法，其包括：
提供具有第一表面及與所述第一表面對(duì)置的第二表面的電介質(zhì)核心材料；
在第一導(dǎo)電層中形成上覆所述電介質(zhì)核心的所述第一表面的第一變壓器線圈；
形成環(huán)繞所述第一導(dǎo)電層的第一電介質(zhì)層；
形成上覆所述第一變壓器線圈的第一磁性層；
在第二導(dǎo)電層中形成上覆所述電介質(zhì)核心的所述第二表面的第二變壓器線圈；
形成環(huán)繞所述第二變壓器線圈的第二電介質(zhì)層；及
形成上覆所述第二變壓器線圈的第二磁性層。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中形成所述第一磁性層進(jìn)一步包括燒結(jié)磁性粉末狀材料。