磊晶晶圓以及發(fā)光二極管的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種磊晶晶圓，能改善在發(fā)光波長為670nm以上且690nm以下的范圍，自AlGaInp系材料所構(gòu)成的發(fā)光部的發(fā)光效率。本發(fā)明的磊晶晶圓包含發(fā)光層，是由以化學(xué)式(AlxGa1?x)yIn1?yP所表示的化合物半導(dǎo)體所構(gòu)成的第一導(dǎo)電型包覆層、活性層以及第二導(dǎo)電型包覆層所積層而成，其中0≤x≤1，0≤y≤1，該發(fā)光層的發(fā)光波長為670nm以上且690nm以下，該活性層為阱層與障壁層交互積層而成的量子阱構(gòu)造，該障壁層的組成為0.20≤x≤0.45，0＜y＜1。
【專利說明】
晶晶晶圓以及發(fā)光二極管
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及一種磊晶晶圓以及使用此種磊晶晶圓所制造的發(fā)光二極管。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]
[0003] 使用借由省能源、長壽命并且可小型化的發(fā)光二極管的照明的栽培方法受到矚 目。從至今的研究結(jié)果，作為適用于植物育成(光合成）用的光源，660~670nm的范圍的紅色 光的效果受到確認(rèn)，特別是發(fā)光波長為660nm的光在光合成的反應(yīng)效率為受高度滿意的光 源。另一方面，綠色植物的光的吸收在680nm為高峰，故發(fā)光波長為680nm的光作為光合成的 反應(yīng)效率更高的光源而備受期待。
[0004] 在具有由AlGalnp((AlxGal-X)yIn 1UsxSUOSySl)系材料所構(gòu)成的發(fā)光層的 化合物半導(dǎo)體的發(fā)光二極管中，雖然具有GaQ. 5lnQ.5l^^組成的發(fā)光層的波長為最長，但是此 以發(fā)光層所得到的發(fā)光波長(峰值波長)為650nm附近。因此，比650nm長的波長范圍借由使 用應(yīng)變發(fā)光層而實現(xiàn)。但是，由于發(fā)光波長變長則應(yīng)變量隨之變大的緣故，發(fā)光層內(nèi)部的結(jié) 晶缺陷增加，難以實用化與高效率化。
[0005] 為了解決這些問題，專利文獻(xiàn)1記載的方法，在活性層為應(yīng)變發(fā)光層與障壁層交互 地積層的積層構(gòu)造中，借由在障壁層施加與應(yīng)變發(fā)光層為逆向的應(yīng)變，而緩和在發(fā)光層發(fā) 生的應(yīng)變，抑制在應(yīng)變發(fā)光層的內(nèi)部的結(jié)晶缺陷的發(fā)生，從而得到高發(fā)光效率。再者，專利 文獻(xiàn)2記載的方法，其中活性層為應(yīng)變發(fā)光層與障壁層交互地積層的積層構(gòu)造，應(yīng)變發(fā)光層 的層數(shù)為1~7，以及膜厚度為250nm以下，使應(yīng)變量變小從而得到高發(fā)光效率。
[0006] [現(xiàn)有技術(shù)]
[0007][專利文獻(xiàn)]
[0008][專利文獻(xiàn)1]日本特開2012-18986號公報 [0009][專利文獻(xiàn)2]日本特開2012-039049號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010][發(fā)明要解決的技術(shù)問題]
[0011] 如同上述，對于在發(fā)光波長為650nm以上的波長范圍得到高發(fā)光效率的課題，雖然 專利文獻(xiàn)1與2皆有記載，但是在發(fā)光波長為670nm以上的情況下，應(yīng)變量變大的緣故，發(fā)光 層的內(nèi)部的結(jié)晶缺陷增加，無法斷言必定能得到高發(fā)光效率。
[0012] 由于以上的情況，在使用AlGaInP系材料的發(fā)光組件之中，特別是期望提升發(fā)光波 長為670nm以上的波長范圍的發(fā)光效率的緣故，必須優(yōu)化活性層的構(gòu)造的參數(shù)。
[0013] 有鑒于上述的問題點，本發(fā)明的目的在于提供一種磊晶晶圓，能改善發(fā)光二極管 的發(fā)光波長為670nm以上且690nm以下的范圍內(nèi)，并且由AlGaInP系的材料所構(gòu)成的發(fā)光部 的發(fā)光效率。
[0014] [解決問題的技術(shù)手段]
[0015] 為達(dá)成上述目的，本發(fā)明提供一種磊晶晶圓，包含一發(fā)光層，該發(fā)光層是由以化學(xué) 式(AlxGa1- x)yIm-yP(其中，〇SxSl，〇SySl)所表示的化合物半導(dǎo)體所構(gòu)成的第一導(dǎo)電型 包覆層、活性層以及第二導(dǎo)電型包覆層所積層而成，該發(fā)光層的發(fā)光波長為670nm以上且 690nm以下。其中，該活性層為阱層與障壁層交互積層而成的量子阱構(gòu)造，該障壁層的組成 為 〇.20$x$0.45,0<y<l。
[0016] 借由如此將障壁層的組成構(gòu)成為0.20 SXS0.45，0〈y〈l，發(fā)光波長為670~690nm 的發(fā)光二極管可得到高發(fā)光效率。
[0017] 再者，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管，使用上述的磊晶晶圓所制造。
[0018] 若為如此的發(fā)光二極管，可成為在發(fā)光波長為670~690nm的范圍內(nèi)得到高發(fā)光效 率的發(fā)光二極管。
[0019] 〔對照現(xiàn)有技術(shù)的技術(shù)效果〕
[0020] 如同上述，本發(fā)明的磊晶晶圓，在發(fā)光波長為670~690nm的發(fā)光二極管可得到高 發(fā)光效率。再者，若為本發(fā)明的發(fā)光二極管，可作為在發(fā)光波長為670~690nm的范圍內(nèi)得到 高發(fā)光效率的發(fā)光二極管。
[0021] 附圖簡要說明
[0022] 圖1是顯示本發(fā)明的嘉晶晶圓的實施方式的一范例的示意剖面圖。
[0023]圖2是顯示本發(fā)明的發(fā)光二極管的實施方式的一范例的示意剖面圖。
[0024]圖3是顯示制造本發(fā)明的發(fā)光二極管的方法的一范例的處理剖面圖。
[0025]圖4是顯示發(fā)光波長為680nm時的障壁層的Al組成X與PL強(qiáng)度的關(guān)系的圖。
【具體實施方式】
[0026] 如同前述，使用AlGaInP系材料的發(fā)光組件，特別是為了提升發(fā)光波長為670nm以 上的波長范圍的發(fā)光效率，必須優(yōu)化活性層的構(gòu)造的參數(shù)。
[0027] 因此，本發(fā)明人對于能改善發(fā)光波長為670nm以上、690nm以下的范圍且自AlGaInP 系材料所構(gòu)成的發(fā)光層的發(fā)光效率的磊晶晶圓努力地進(jìn)行研究。結(jié)果發(fā)現(xiàn)借由將障壁層的 組成在(AlxGa 1-x)yIm-yP的化學(xué)式中設(shè)為0.20&$0.45,0< 7<1，而能于發(fā)光波長為670~ 690nm的發(fā)光二極管得到高發(fā)光效率，完成了本發(fā)明。
[0028] 以下，參考圖式對本發(fā)明的實施方式的一范例進(jìn)行詳細(xì)的說明，但本發(fā)明不限定 于此。
[0029]首先，參考圖1對本發(fā)明的磊晶晶圓進(jìn)行說明。
[0030]如圖1所不，本實施例的嘉晶晶圓10具有設(shè)置于GaAs基板12上的pn接面型的發(fā)光 部28,發(fā)光部28內(nèi)則含有作為發(fā)光層的一部分的量子阱活性層17。
[0031] 具體為，磊晶晶圓10為于GaAs基板12上經(jīng)依序磊晶成長第一導(dǎo)電型蝕刻停止層 13、第一導(dǎo)電型接觸層14以及發(fā)光部28之物。發(fā)光部28具有第一導(dǎo)電型電流擴(kuò)散層15、設(shè)置 于第一導(dǎo)電型電流擴(kuò)散層15之上的發(fā)光層27以及設(shè)置于發(fā)光層27之上的第二導(dǎo)電型電流 擴(kuò)散層19。
[0032] 發(fā)光層27具有第一導(dǎo)電型包覆層16、設(shè)置于第一導(dǎo)電型包覆層16之上的量子阱活 性層17以及設(shè)置于量子阱活性層17之上的第二導(dǎo)電型包覆層18。量子阱活性層17為阱層 17a與障壁層17b交互積層而成。
[0033] 在此，例如，第一導(dǎo)電型為p型，第二導(dǎo)電型為η型。此情況，詳細(xì)為，第一導(dǎo)電型蝕 亥Ij停止層13為P-UlxGa 1-x)yIm-yP(但是，0SxSl，0<y<l)，第一導(dǎo)電型接觸層14為P-6 &八8，第一導(dǎo)電型電流擴(kuò)散層15為?-(厶14&1-41111-^(但是，0$1$1，0< 7<1)，第一導(dǎo)電 型包覆層16為P-UlxGa1-x) yIm-yP(但是，0SxSl，0<y<l)，量子阱活性層17之中的阱層 17a為i-Ga yIm-yP(但是，0<y<l)，量子阱活性層17之中的障壁層17b為HAlxGa 1-x)yIm-yP (但是，0.2$1$0.45,0<7<1)，第二導(dǎo)電型包覆層18為11-以14&1-^111 1-^(但是，0$1$ l，0<y<l)，第二導(dǎo)電型電流擴(kuò)散層19為n-GaP層。此情況，能將量子阱活性層17的阱層17a 的Ga組成y為可變而變成期望的發(fā)光波長。本發(fā)明的磊晶晶圓的發(fā)光波長為670nm以上且 690nm以下，故量子阱活性層17的阱層17a的Ga組成y經(jīng)設(shè)定而使發(fā)光波長為670nm以上且 690nm以下。
[0034]本發(fā)明的磊晶晶圓借由使量子阱活性層17的障壁層17b的組成為0.20SxS0.45， 〇<y<l，使發(fā)光波長為670~690nm的發(fā)光二極管能得到高發(fā)光效率。
[0035]接下來，參考圖2對本發(fā)明的發(fā)光二極管進(jìn)行說明。
[0036]如圖2所示，本實施方式的發(fā)光二極管11系具有發(fā)光部28、第一導(dǎo)電型側(cè)(例如p型 偵D的第一歐姆線狀電極20與焊墊電極(未圖示）、第二導(dǎo)電型側(cè)(例如η型側(cè))的第二歐姆線 狀電極21、透明氧化膜層22、反射金屬層23、接合金屬層24、導(dǎo)電性支承基板25以及導(dǎo)電性 歐姆電極26。發(fā)光二極管11為于導(dǎo)電性支承基板25上依序設(shè)置有接合金屬層24、反射金屬 層23、透明氧化膜層22以及發(fā)光部28,第一歐姆線狀電極20以及焊墊電極透過第一導(dǎo)電型 接觸層14而設(shè)置于發(fā)光部28之上，第二歐姆線狀電極21設(shè)置于透明氧化膜層22之中，導(dǎo)電 性歐姆電極26設(shè)置于導(dǎo)電性支承基板25的下表面上。構(gòu)成發(fā)光部28的第一導(dǎo)電型電流擴(kuò)散 層15、發(fā)光層27(第一導(dǎo)電型包覆層16、量子阱活性層17以及第二導(dǎo)電型包覆層18)、第二導(dǎo) 電型電流擴(kuò)散層19與于圖1所示的構(gòu)件相同。再者，第一歐姆線狀電極20與第二歐姆線狀電 極21系配置為自上方觀看不互相重疊的位置。
[0037] 另外，圖2的發(fā)光二極管11，如同后述，是使用圖1的嘉晶晶圓10所制造。若為圖2的 發(fā)光二極管，可成為在發(fā)光波長670~690nm的范圍內(nèi)得到尚發(fā)光效率的發(fā)光二極管。
[0038] 接下來，對于制造本發(fā)明的磊晶晶圓的方法的一范例進(jìn)行說明。
[0039] 借由MOVPE法，于圖1所示的n-GaAs基板12上形成多個AlGaInP系材料的半導(dǎo)體積 層構(gòu)造。具體為，借由MOVPE法，于n-GaAs基板12之上依序堆積有自p-Gao.5Ino.5P所構(gòu)成的p 型蝕刻停止層13、自p-GaAs所構(gòu)成的p型接觸層14、自口-(41〇.463().6)().5111().5?所構(gòu)成的口型電 流擴(kuò)散層15、自ρ-Α1ο. 5Ιη〇.5Ρ所構(gòu)成的p型包覆層16、自無參雜的Gao.3lno.7P的阱層17a(膜厚 度為8nm)與無參雜的(AluGao.fOo.sIno.sP的障壁層17b(膜厚度為7.7nm)所構(gòu)成配對數(shù)為4 (阱層數(shù)5,障壁層數(shù)4)的量子阱活性層17(記載發(fā)光波長為680nm的情況）、自η-Α1〇. 5Ιη〇.5Ρ 所構(gòu)成的η型包覆層18以及自n-GaP所構(gòu)成的η型電流擴(kuò)散層19。借此形成如圖1所示的磊晶 晶圓10。
[0040] 于此，用于MOVPE法的原料，可使用三甲基鎵（TMGa )、三乙基鎵（TEGa )、三甲基鋁 (TMAl)、三甲基銦(TMIn)等的有機(jī)金屬化合物，以及砷化氫(AsH3)、磷化氫(PH3)等的氫化物 氣體。更進(jìn)一步，η型參雜物的原料可使用甲硅烷（SiH 4), ρ型參雜物的原料可使用二茂鎂 (Cp2Mg)。再者，作為η型參雜物的原料，使用硒化氫(H2Se)、乙硅烷(Si 2H6)、二乙基碲(DETe) 或是二甲基碲(DMTe)亦可。然后，為ρ型參雜物的原料，使用二甲基鋅(DMZn)或是二乙基鋅 (DEZn)亦可。
[0041] 接下來，參考圖3對制造本發(fā)明的發(fā)光二極管的方法的一范例進(jìn)行說明。
[0042] 首先，于如同上述所形成的磊晶晶圓10的η型電流擴(kuò)散層19的表面形成透明氧化 膜層22,并且于透明氧化膜層22之中形成η型側(cè)的第二歐姆線狀電極21(參考圖3(a)與圖3 (b))。具體為，使用等離子體CVD(Chemical Vapor Deposition)裝置，形成透明氧化膜層22 (例如SiO2膜)后，使用光刻法與蝕刻法而于透明氧化膜層22設(shè)置開口部。更詳細(xì)為，利用作 為蝕刻液的氟酸系的蝕刻劑，借由將未形成有抗蝕圖案的區(qū)域的透明氧化膜層22去除而設(shè) 置開口部。接著利用真空蒸鍍法，于開口部內(nèi)將構(gòu)成η型側(cè)的第二歐姆線狀電極21的材料的 AuSi合金予以形成。
[0043] 接下來，利用真空蒸鍍法或是濺鍍法而形成作為反射層的Al層、作為障壁層的Ti 層以及作為接合層的Au層。借此形成反射金屬層23(參考圖3(c))。另外，構(gòu)成反射金屬層23 的材料可選擇對量子阱活性層17所發(fā)出的光的波長具有高反射率的材料。借此得到半導(dǎo)體 積層構(gòu)造體29。
[0044] 接下來，利用真空蒸鍍法，于導(dǎo)電性支承基板25(例如Si基板)上將作為導(dǎo)電性歐 姆的接合金屬層24的作為接觸電極的Ti、作為障壁層的Ni以及作為接合層的Au予以形成， 而準(zhǔn)備支承基板30。借由將此支承基板30與表示于圖3(c)的半導(dǎo)體積層構(gòu)造體29予以貼 合，而形成機(jī)械地且電氣地連接的接合構(gòu)造體31(參考圖3(d))。于此，晶圓的貼合于貼合裝 置內(nèi)施加規(guī)定的壓力后，透過治具對重疊的半導(dǎo)體積層構(gòu)造體29與支承基板30施加壓力， 同時加熱至規(guī)定的溫度。具體為，以壓力90N/cm 2,溫度350°C進(jìn)行30分鐘。
[0045] 接下來，利用GaAs蝕刻用的蝕刻劑而自接合構(gòu)造體31選擇性地將GaAs基板12完全 地去除，而使自p-GaQ. 5In〇.5P所構(gòu)成的p型蝕刻停止層13露出。作為GaAs蝕刻用的蝕刻劑系 舉氨水與雙氧水的混合液為例。接下來借由利用特定的蝕刻劑而進(jìn)行的蝕刻，自經(jīng)去除 GaAs基板的接合構(gòu)造體31將蝕刻停止層13去除（參考圖3(e))。在蝕刻停止層13為AlGaInP 系材料的化合物半導(dǎo)體所形成的情況下，可使用含有鹽酸的蝕刻劑作為規(guī)定的蝕刻劑。
[0046] 接下來，利用光刻法以及真空蒸鍍法于特定的位置形成p型側(cè)的歐姆電極(參考圖 3(f)) 型側(cè)的歐姆電極借由圓盤電極(未圖示）與線狀電極20所形成，例如以Ti、AuBe、Au 的順序蒸鍍而形成。此情況，P型側(cè)的歐姆電極系被形成于自上方觀看與第二歐姆線狀電極 21不互相重疊的位置。接下來，作為屏蔽p型側(cè)的歐姆電極，將自p-GaAs所構(gòu)成的p型接觸層 14蝕刻而去除。再者，作為屏蔽p型側(cè)的歐姆電極，可將p型電流擴(kuò)散層15進(jìn)行表面粗糙化處 理。再者，去除P型接觸層14之后，可利用規(guī)定的蝕刻劑進(jìn)行表面粗糙化處理。
[0047] 接下來，借由真空蒸鍍法，于導(dǎo)電性支承基板25的背面的約略全表面形成導(dǎo)電性 歐姆電極26(參考圖3(g))。背面的歐姆電極26系以Ti、Au的順序并且借由蒸鍍而形成于導(dǎo) 電性支承基板25的底面。之后，施以合金處理，系為使各歐姆電極形成為電氣地接合的合金 化處理。作為一范例，在作為不活性氛圍的氮氛圍氣體下進(jìn)行400°C、5分鐘的熱處理。借此 形成接合構(gòu)造體31'。
[0048] 然后，利用具有切割刀的切割裝置，將接合構(gòu)造體31'分割成組件。借此形成多個 如圖2所示的發(fā)光二極管11。
[0049] 以下透過表示實施例與比較例而對本發(fā)明進(jìn)行更具體的說明，但本發(fā)明不限定于 這些實施例。
[0050][實施例1-9與比較例1-7]
[0051 ] 實施例1-9與比較例1-7在借由MOVPE法于直徑50mm的n-GaAs基板12上積層多層的 半導(dǎo)體層的處理中，僅在使量子阱活性層17的障壁層17b(在(AlxGa^Mm-yP之中，y = 0.5 的(AlxGa1-Xk5IntL5P)的Al組成X在0.1~0.6之間變化，以及使阱層17a(在(AlxGai-dylm-yP 之中，x = 0的GayIm-yP)的Ga組成y變化而對于各Al組成有期望的波長（亦即670nm、680nm、 690nm)的點為相異之外，其它的處理系依照如同上述說明的制造方法制造磊晶晶圓。于此， 實施例1 -9與比較例1 -7的Ga組成y系如同表1所示。
[0052][表1]
[0055]圖4是顯示在發(fā)光波長為680nm的情況(實施例1-3、比較例1-3)下，障壁層17b的Al 組成X與嘉晶晶圓的PL強(qiáng)度的關(guān)系。于此，PL(Photo Luminescence)法為一方法，借由透過 光的照射而產(chǎn)生電子電洞對，再經(jīng)過各種過程而再結(jié)合，并且測定此時的發(fā)光的光譜，進(jìn)而 測定能帶間隙、材料的結(jié)晶性、雜質(zhì)等的參雜量等。由于磊晶晶圓的PL強(qiáng)度、半峰全寬等可 判定材料的結(jié)晶性，故PL強(qiáng)度的大小可得知在組件狀態(tài)下的約略的亮度的大小。
[0056] 從圖4得知，障壁層17b的Al組成X在0.4附近時，PL強(qiáng)度為最大，并且隨著障壁層 17b的Al組成X變小，PL強(qiáng)度逐漸降低。雖然Al組成變小，應(yīng)變量也會變小，但是同時載體的 局限效果變小的緣故，而發(fā)生強(qiáng)度的下降。再者，Al組成為0.5以上的情況，應(yīng)變量變大，發(fā) 光層內(nèi)部的結(jié)晶缺陷增加的緣故，強(qiáng)度會極端地下降。此時的磊晶晶圓的表面，結(jié)晶缺陷起 因的凸起被大量觀察到。
[0057] 實施例1-9與比較例1-7的障壁層17b的Al組成X與磊晶晶圓的表面狀態(tài)顯示于表 2〇
[0058] 使用實施例1-9與比較例1-7的磊晶晶圓，依照如同上述說明的制造方法制造發(fā)光 二極管。
[0059] 對制作的發(fā)光二極管測定峰值波長與發(fā)光效率。將其結(jié)果表示于表2。于此，發(fā)光 效率(a. u.)借由發(fā)光效率（％ )=輸出(mW)/輸入電力(mW)而計算出，并且以使在障壁層17b 的Al組成X為0.4的情況的值作為「1」時的比率來表示。
[0060] [表2]
[0063] 從表2得知，在Al組成X為0.5以上的情況，于磊晶晶圓表面產(chǎn)生大量的凸起，表面 凹凸變得過大，無法作到半導(dǎo)體積層構(gòu)造體29與支承基板30的接合，無法組件化(發(fā)光二極 管的制作）。在組件化為可能的Al組成X為0.1~0.4的范圍內(nèi)，發(fā)光效率與PL強(qiáng)度結(jié)果有相 同的傾向，對于比較例1、4、6的0.90以下，實施例1 -9則改善為0.94~1.00。
[0064] 再者，Al組成X為0.5以上（比較例2、3、5、7)的情況，即使組件化為可能，自圖4的結(jié) 果推測發(fā)光效率會非常地低下。
[0065] 亦即，實施例1-9借由使障壁層17b的Al組成X為0.2以上且0.45以下，可在發(fā)光層 的應(yīng)變量變大的發(fā)光波長670~690nm的范圍內(nèi)抑制發(fā)光層的內(nèi)部的結(jié)晶缺陷，故與比較例 相比，可見發(fā)光效率的改善，可得到能用于制作具有高發(fā)光效率的發(fā)光二極管的磊晶晶圓。
[0066]此外，本發(fā)明并不限定于上述的實施例。上述實施例為舉例說明，凡具有與本發(fā)明 的申請專利范圍所記載之技術(shù)思想實質(zhì)上同樣之構(gòu)成，產(chǎn)生相同的功效者，不論為何物皆 包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。
[0067] 符號說明
[0068] 10 嘉晶晶圓
[0069] 11 發(fā)光二極管
[0070] 12 GaAs 基板(n-GaAs 基板）
[0071] 13 第一導(dǎo)電型蝕刻停止層(P型蝕刻停止層）
[0072] 14 第一導(dǎo)電型接觸層(P型接觸層）
[0073] 15 第一導(dǎo)電型電流擴(kuò)散層(P型電流擴(kuò)散層）
[0074] 16 第一導(dǎo)電型包覆層(P型包覆層）
[0075] 17 量子阱活性層
[0076] 17a 阱層
[0077] 17b 障壁層
[0078] 18 第二導(dǎo)電型包覆層(η型包覆層）
[0079] 19 第二導(dǎo)電型電流擴(kuò)散層(η型電流擴(kuò)散層）
[0080] 20 第一歐姆線狀電極(線狀電極）
[0081] 21 第二歐姆線狀電極
[0082] 22 透明氧化膜層
[0083] 23 反射金屬層
[0084] 24 接合金屬層
[0085] 25 導(dǎo)電性支承基板
[0086] 26 導(dǎo)電性歐姆電極
[0087] 27 發(fā)光層
[0088] 28 發(fā)光部
[0089] 29 半導(dǎo)體積層構(gòu)造體
[0090] 30 支承基板
[0091] 31、31' 接合構(gòu)造體
【主權(quán)項】
1 · 一種嘉晶晶圓，包括： 發(fā)光層，其由將以化學(xué)式(AlxGai-x)ylni-yP所表不的化合物半導(dǎo)體所構(gòu)成的第一導(dǎo)電型 包覆層、活性層以及第二導(dǎo)電型包覆層為積層而成，其中〇$1$1，〇$7$1，該發(fā)光層的發(fā) 光波長為670nm以上且690nm以下， 其中，該活性層為將阱層及障壁層為交互積層而成的量子阱構(gòu)造，該障壁層的組成為 〇.20^x^0.45,0<y<l〇2. -種發(fā)光二極管，其使用如權(quán)利要求1所述的磊晶晶圓所制造。
【文檔編號】H01L33/30GK106067494SQ201610130003
【公開日】2016年11月2日
【申請日】2016年3月8日 公開號201610130003.6, CN 106067494 A, CN 106067494A, CN 201610130003, CN-A-106067494, CN106067494 A, CN106067494A, CN201610130003, CN201610130003.6
【發(fā)明人】酒井健滋, 池田淳, 川原實
【申請人】信越半導(dǎo)體株式會社