技術(shù)編號：10698208
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種磊晶晶圓，能改善在發(fā)光波長為670nm以上且690nm以下的范圍，自AlGaInp系材料所構(gòu)成的發(fā)光部的發(fā)光效率。本發(fā)明的磊晶晶圓包含發(fā)光層，是由以化學(xué)式(AlxGa1?x)yIn1?yP所表示的化合物半導(dǎo)體所構(gòu)成的第一導(dǎo)電型包覆層、活性層以及第二導(dǎo)電型包覆層所積層而成，其中0≤x≤1，0≤y≤1，該發(fā)光層的發(fā)光波長為670nm以上且690nm以下，該活性層為阱層與障壁層交互積層而成的量子阱構(gòu)造，該障壁層的組成為0.20≤x≤0.45，0＜y...
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