1.一種柔性量子點(diǎn)發(fā)光二極管，包括從下向上依次設(shè)置的襯底、陽(yáng)極層、空穴傳輸層、量子發(fā)光層、電子產(chǎn)出層和陰極層，其中，所述陽(yáng)極層為PEDOT:PSS材質(zhì)，所述陽(yáng)極層與襯底之間設(shè)有金屬納米粒子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述金屬納米粒子選自Au、Ag和Al粒子中的一種或多種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述金屬納米粒子以單層形式分散在陽(yáng)極層和襯底之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述金屬納米粒子的尺寸為5-20nm，形狀為球形或長(zhǎng)方形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述金屬納米粒子之間具有一定的間隔，每?jī)蓚€(gè)金屬納米粒子之間的間隔為10-40nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述襯底材料選自聚醚酮、聚醚醚酮、聚碳酸酯、聚醚砜樹脂、聚芳酯或聚酰亞胺中的一種或多種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述陽(yáng)極層的厚度為40-60nm。
8.權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的柔性量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，包括以下步驟：
1)提供襯底，在襯底上制備一層密度適中的金屬納米粒子；
2)在所述金屬納米粒子上制備陽(yáng)極層；
3)在所述陽(yáng)極層上依次制備空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、電子產(chǎn)出層，最后再蒸鍍上金屬陰極。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述步驟1)金屬納米粒子采用蒸鍍、濺射、旋涂或噴墨打印的方式制備。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述陽(yáng)極層、空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層和電子產(chǎn)出層采用旋涂的方式制備。