本發(fā)明涉及光學
技術(shù)領域：
，具體而言，涉及一種濕膜處理裝置、系統(tǒng)和方法。
背景技術(shù)：
：QLED(量子點發(fā)光二極管)器件一般包括多層結(jié)構(gòu)，如陰極、電子注入層、電子傳輸層、量子點層、空穴傳輸層、空穴注入層、陽極、以及其他一些功能層，各個膜層都比較薄，其制作是整個QLED器件制作的關(guān)鍵步驟，均勻平整的膜層的制備(尤其是量子點膜層的制備)是QLED器件具有良好發(fā)光性能的保障，但實際在噴墨打印制備的各個膜層的過程中，常會出現(xiàn)墨滴在被打印到基板上后分布不均勻的現(xiàn)象，以打印量子點墨水為例，濕膜干燥成膜后量子點層表面常會出現(xiàn)褶皺、或者出現(xiàn)中間厚邊緣薄的現(xiàn)象，并且由于量子點墨水中的溶劑揮發(fā)速度很快，使得量子點墨水在像素坑中還沒完全鋪展開時，就已經(jīng)干燥定形，這無疑更加劇了量子點墨水的不均勻程度，同樣的問題也出現(xiàn)于其他膜層的制備中，這些都嚴重影響了最終QLED器件的發(fā)光質(zhì)量。因此，通過噴墨打印得到的濕膜不均勻問題亟待解決。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明的主要目的在于提供一種濕膜處理裝置、系統(tǒng)和方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)制作的發(fā)光器件膜層均勻性差的問題。為了實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種濕膜處理裝置，該濕膜處理裝置包括：一密封腔體，所述密封腔體包括底部和氣體接入口，所述底部設置有至少一個通孔，用于將通入所述氣體接入口的氣體從所述密封腔體內(nèi)排出至待處理濕膜表面；一超聲發(fā)生器，所述超聲發(fā)生器固定地設置于所述密封腔體內(nèi)，所述超聲發(fā)生器發(fā)出的超聲振動經(jīng)由所述密封腔體和所述氣體傳遞至所述待處理濕膜。進一步地，所述通孔中的至少一個還用于將從所述密封腔體排出的所述氣體從所述待處理濕膜所在的空間移除。進一步地，所述濕膜處理裝置內(nèi)還設置有一個或多個第一抽氣口，用于將從所述密封腔體排出的所述氣體從所述待處理濕膜所在的空間移除。進一步地，所述第一抽氣口設置于所述濕膜處理裝置的底部。進一步地，所述底部為平面結(jié)構(gòu)，所述第一抽氣口位于所述底部的第一區(qū)域，所述通孔位于所述底部的第二區(qū)域，所述第一區(qū)域環(huán)繞在所述第二區(qū)域的外側(cè)。進一步地，所述超聲發(fā)生器對應設置于所述底部的通孔的上方。進一步地，所述通孔包括多個，優(yōu)選所述通孔在所述底部成蜂窩結(jié)構(gòu)排列。進一步地，所述濕膜處理裝置還包括：離子發(fā)生器，設置于所述密封腔體內(nèi)或與進氣管道連接，用于使流經(jīng)所述密封腔體的所述氣體攜帶正和/或負電荷，其中，所述進氣管道與所述氣體接入口連接。進一步地，所述濕膜處理裝置還包括：溶劑儲液裝置，設置于所述密封腔體內(nèi)或與進氣管道連接，用于為所述待處理濕膜提供氣態(tài)溶劑，其中，所述進氣管道與所述氣體接入口連接。為了實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種濕膜處理系統(tǒng)，該濕膜處理系統(tǒng)包括：載物平臺，所述載物平臺的上表面用于承載具有待處理濕膜的基板；上述的濕膜處理裝置，設置于所述載物平臺上的所述待處理濕膜上方位置。進一步地，所述濕膜處理系統(tǒng)為在密封[除了王兵提的都設置在密封腔體內(nèi)之外，沒有更好地想法，如果要加這個密封腔體的話，可如下，我認為是公知的，沒有必要：進一步地，所述濕膜處理系統(tǒng)還包括：密封罩，所述密封罩具有容納所述濕膜處理裝置和所述載物平臺的密封空間。]環(huán)境下工作，所述載物臺的第三區(qū)域上設置有一個或多個第二抽氣口，其中，所述載物臺表面包括所述第三區(qū)域和用于放置所述基板的第四區(qū)域。為了實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的再一個方面，提供了一種濕膜處理方法，該濕膜處理方法包括：在載物平臺的基板上設置墨水，所述基板上形成待處理濕膜；對所述待處理濕膜進行氣體吹掃，并在所述待處理濕膜上方以所述氣體為傳遞介質(zhì)對所述待處理濕膜進行超聲振動處理。進一步地，在對所述待處理濕膜進行氣體吹掃，并在所述待處理濕膜上方以所述氣體為傳遞介質(zhì)對所述待處理濕膜進行超聲振動處理之前，所述濕膜處理方法還包括：對氣體進行負離子處理，得到帶有正/負電荷的所述氣體；對所述待處理濕膜進行氣體吹掃包括：將所述帶有正/負電荷的氣體通入所述待處理濕膜的上方空間，以減少所述待處理濕膜的表面離子量。進一步地，對所述待處理濕膜進行氣體吹掃包括：控制所述氣體在距離所述待處理濕膜表面0.2mm至5mm的上方對所述待處理濕膜吹掃。進一步地，在對所述待處理濕膜進行氣體吹掃，并在所述待處理濕膜上方以所述氣體為傳遞介質(zhì)對所述待處理濕膜進行超聲振動處理之后，所述濕膜處理方法還包括：將吹掃后的所述氣體從所述待處理濕膜所在的空間移除。進一步地，在對所述待處理濕膜進行氣體吹掃，并在所述待處理濕膜上方以所述氣體為傳遞介質(zhì)對所述待處理濕膜進行超聲振動處理同時，所述濕膜處理方法還包括：根據(jù)所述墨水中的溶劑種類準備同種溶劑；控制所述氣體與氣態(tài)的所述同種溶劑混合，以獲得具有所述同種溶劑的氣體；對所述待處理濕膜進行氣體吹掃包括：將具有所述同種溶劑的氣體通入所述待處理濕膜的上方空間。應用本發(fā)明的技術(shù)方案，提供了一種濕膜處理裝置，該濕膜處理裝置包括一密封腔體和一超聲發(fā)生器，由于該密封腔體包括底部和氣體接入口，其底部設置有至少一個通孔，從而可以將從氣體接入口通入到密封腔體內(nèi)的氣體從該密封腔體內(nèi)排出至待處理濕膜表面，并且該超聲發(fā)生器固定地設置于密封腔體內(nèi)，從而該超聲發(fā)生器發(fā)出的超聲振動可以經(jīng)由密封腔體和氣體傳遞至待處理濕膜，進而該待處理濕膜可在該超聲振動的作用下，內(nèi)部材料分布更加均勻，提高了濕膜干燥成膜后膜層的均勻性，解決了現(xiàn)有技術(shù)制作的發(fā)光器件膜層均勻性差的問題，實現(xiàn)了提高發(fā)光器件的發(fā)光質(zhì)量的效果。另外，由于是在濕膜上方非接觸的處理該待處理濕膜，避免了對其下面的其他制作好的膜層的損壞，保證了各個膜層的均勻性和完整度。除了上面所描述的目的、特征和優(yōu)點之外，本發(fā)明還有其它的目的、特征和優(yōu)點。下面將參照圖，對本發(fā)明作進一步詳細的說明。附圖說明構(gòu)成本發(fā)明的一部分的說明書附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當限定。在附圖中：圖1示出了本發(fā)明實施方式所提供的濕膜處理裝置的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2示出了本發(fā)明實施方式所提供的濕膜處理裝置的底部結(jié)構(gòu)示意圖；圖3示出了本發(fā)明實施方式所提供的濕膜處理系統(tǒng)的基板上的第二抽氣口的示意圖；圖4示出了利用本發(fā)明實施例1所提供的濕膜處理裝置處理后的膜層輪廓的示意圖；以及圖5示出了利用本發(fā)明對比例1所提供的濕膜處理裝置處理后的膜層輪廓的示意圖。其中，上述附圖包括以下附圖標記：20、密封腔體；21、氣體接入口；211、進氣管道；22、底部；221、通孔；222、第一抽氣孔；223、第二抽氣口；224、第一區(qū)域；225、第二區(qū)域；23、抽氣管道；24、離子發(fā)生器；26、溶劑儲液裝置；40、超聲發(fā)生器；60、載物平臺；602、第三區(qū)域；603、第四區(qū)域；62、基板；64、待處理濕膜；80、支撐結(jié)構(gòu)；100、濕膜處理裝置。具體實施方式需要說明的是，在不沖突的情況下，本發(fā)明中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實施例來詳細說明本發(fā)明。為了使本
技術(shù)領域：
的人員更好地理解本發(fā)明方案，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分的實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都應當屬于本發(fā)明保護的范圍。需要說明的是，本發(fā)明的說明書和權(quán)利要求書及上述附圖中的術(shù)語“第一”、“第二”等是用于區(qū)別類似的對象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應該理解這樣使用的數(shù)據(jù)在適當情況下可以互換，以便這里描述的本發(fā)明的實施例。此外，術(shù)語“包括”和“具有”以及他們的任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過程、方法、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設備不必限于清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒有清楚地列出的或?qū)τ谶@些過程、方法、產(chǎn)品或設備固有的其它步驟或單元。正如
背景技術(shù)：
中所介紹的，現(xiàn)有技術(shù)中通過噴墨打印等方法制作的濕膜，由于溶劑揮發(fā)速率不同的原因，在干燥成膜時常出現(xiàn)均勻性差的問題，嚴重影響了最后制成的發(fā)光器件的質(zhì)量。本申請的發(fā)明人針對上述問題進行研究，提出了一種濕膜處理裝置，如圖1所示，該濕膜處理裝置包括：一密封腔體20和一超聲發(fā)生器40，其中，該密封腔體20包括底部22和氣體接入口21，底部22設置有至少一個通孔221(如圖2所示)，用于將通入氣體接入口21的氣體從密封腔體20內(nèi)排出至待處理濕膜64表面；該超聲發(fā)生器40固定地設置于密封腔體20內(nèi)，超聲發(fā)生器40發(fā)出的超聲振動經(jīng)由密封腔體20和氣體傳遞至待處理濕膜。本發(fā)明的濕膜處理裝置包括一密封腔體和一超聲發(fā)生器，由于該密封腔體包括底部和氣體接入口，其底部設置有至少一個通孔，從而可以將從氣體接入口通入到密封腔體內(nèi)的氣體從該密封腔體內(nèi)排出至待處理濕膜表面，并且該超聲發(fā)生器固定地設置于密封腔體內(nèi)，從而該超聲發(fā)生器發(fā)出的超聲振動可以經(jīng)由密封腔體和氣體傳遞至待處理濕膜，進而該待處理濕膜可在該超聲振動的作用下，內(nèi)部材料分布更加均勻，提高了濕膜干燥成膜后膜層的均勻性，解決了現(xiàn)有技術(shù)制作的發(fā)光器件膜層均勻性差的問題，實現(xiàn)了提高發(fā)光器件的發(fā)光質(zhì)量的效果。并且，由于是在濕膜上方非接觸的處理該待處理濕膜，避免了在對最上面的待處理濕膜進行處理的同時對其下面的其他制作好的膜層的損壞，保證了包括待處理濕膜形成的膜層在內(nèi)的各個膜層的均勻性和完整度。上述濕膜處理可以用于待處理濕膜干燥成膜之前的預干燥過程中，由于底部的通孔的氣體也會吹掃在待處理濕膜的表面，這樣有助于加快待處理濕膜的干燥速度，從而實現(xiàn)了使待處理濕膜既均勻又快速的干燥成膜的效果。在一個可選的實施例中，上述濕膜處理裝置可以處理溶液法制作電致發(fā)光器件的各個膜層，這些膜層在未干燥成膜之前的濕膜即為上述的待處理濕膜，利用超聲發(fā)生器發(fā)出的超聲振動對各個待處理濕膜進行處理時，可選地，該超聲發(fā)生器的聲波頻率范圍為20KHZ～160MHZ，功率范圍為30W～120KW，濕膜處理裝置中的密封腔體底部與待處理濕膜之間的距離范圍為1mm～50mm。優(yōu)選地，在處理發(fā)光器件中的各個待處理膜層時可以選用不同的聲波頻率和功率的超聲振動對其進行處理，例如，在處理空穴注入層(聚3，4-乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸鹽，簡稱PEDOT：PSS)時，可以選用頻率130KZ、功率為280W的超聲振動進行處理，此時密封腔體與待處理濕膜之間的距離以2mm為宜，且該密封腔體底部與待處理膜層之間可以相對的水平和豎直移動，其中，相對水平移動的速度以100mm/min為宜；而在處理設置在空穴注入層上的空穴傳輸層(PVK)時、以及設置在空穴傳輸層上面的發(fā)光層(QDs)時，該濕膜處理裝置宜采用頻率95KZ、功率230W的超聲振動對其進行處理，密封腔體與待處理膜層的間距以2.3mm為宜，且密封腔體底部與待處理膜層的相對移動速度以80mm/min為宜。在本發(fā)明提供的上述濕膜處理裝置中，為了保證待處理膜層不受污染或空氣中氧氣和水的腐蝕，延長濕膜干燥成膜后的壽命，進而保證發(fā)光器件的發(fā)光質(zhì)量，上述流經(jīng)密封腔體后吹至待處理膜層表面的氣體可以采用不與該待處理濕膜中的材料反應的氣體，比如采用惰性氣體或者氮氣等。在上述氣體對待處理膜層進行處理后，為保證待處理濕膜所在空間的環(huán)境不被污染，以及操作該濕膜處理裝置的人員的安全，在一個可選的實施例中，上述通孔221除了在第一時間段用于從密封腔體中排出氣體外，上述通孔221中的至少一個還可以在第二時間段中用于將從密封腔體20排出的氣體從待處理濕膜所在的空間移除，從而保證了待處理膜濕膜所在空間的氣體的流動。在另一個可選的實施例中，該濕膜處理裝置內(nèi)還設置有一個或多個第一抽氣口222，用于將從密封腔體20排出的氣體從待處理濕膜所在的空間移除。第一抽氣口222可以設置于濕膜處理裝置的非底面或底面，也可以設置于其他位置，比如用于放置待處理濕膜的載物臺上，從而可以有效的將排出到待處理濕膜的氣體抽走，并可以將該氣體在回收過濾后實現(xiàn)循環(huán)利用。優(yōu)選地，第一抽氣口222設置于濕膜處理裝置的底部22時，可以更好地對排出的氣體進行移除，并且，當?shù)撞?2為平面結(jié)構(gòu)時，且第一抽氣口222位于底部22的第一區(qū)域224，通孔221位于底部22的第二區(qū)域225，該第一區(qū)域224環(huán)繞在第二區(qū)域225的外側(cè)，也即將第一抽氣口222設置于底部22平面的通孔221的外側(cè)，這樣設置既確保了氣體在待處理濕膜上表面的流動性，也使得排出的氣體更徹底地通過第一抽氣口抽走。上述可選實施例中的通孔221可以為一個，也可以為多個，并且優(yōu)選地該多個通孔221可以在底部22成蜂窩結(jié)構(gòu)排列，如圖2所示，第一抽氣口222可以設計成環(huán)狀環(huán)繞在蜂窩結(jié)構(gòu)排列的通孔221的外側(cè)，具體的，第一抽氣口222位于底部22的第一區(qū)域224，通孔221位于底部22的第二區(qū)域225(如圖2所示的虛線所圍的區(qū)域)，該第一區(qū)域224環(huán)繞在第二區(qū)域225的外側(cè)，此時，可以使得排出的氣體可以幾乎全部的被抽走，同時各個方向上的氣體的流動速度相同，確保了濕膜干燥成膜的均勻性。在上述濕膜處理裝置中，為了保證超聲振動可以更加有效地傳遞到待處理濕膜表面，超聲發(fā)生器40可以對應設置于底部22的通孔221的上方，這樣超聲發(fā)生器發(fā)出的超聲波產(chǎn)生的超聲振動帶動密封腔體的振動，從而提高流經(jīng)其中的氣體振動能量，設置在氣體流出密封腔體的通孔的上方，可以使得大部分氣體超聲振動，并且振動的強度較高，有利于將更多的振動能量傳遞給待處理濕膜，進而提高了成膜的均勻性。在上述的濕膜處理裝置中，為了更好地控制氣體的流量，該濕膜處理裝置還包括：氣體流量閥，設置于氣體接入口21上或者設置于密封腔體20外且與進氣管道211連接，用于控制通入密封腔體20內(nèi)的氣體的流量，其中，進氣管道211與氣體接入口21連接；或者，設置于至少一個通孔221或抽氣管道23上，用于控制排出密封腔體20的氣體的流量，其中，抽氣管道23與抽氣孔222連接。通過上述實施例，可以控制氣體接入到密封腔體的流量和氣體排出密封腔體吹至待處理濕膜表面的流量，以及氣體從待處理濕膜表面抽走的流量，從而可以根據(jù)實際的生產(chǎn)需要，精確控制氣體的流動速度，以及是否需要氣體流動，更好地控制濕膜處理裝置，提高了裝置的實用性。在本發(fā)明的濕膜處理裝置中，為了能夠讓濕膜成膜更加均勻，濕膜處理裝置還包括：離子發(fā)生器24，設置于密封腔體20內(nèi)或與進氣管道211連接，用于使流經(jīng)密封腔體20的氣體攜帶正和/或負電荷，其中，進氣管道211與氣體接入口21連接。通過上述實施例，氣體經(jīng)過離子發(fā)生器處理之后，可以攜帶正電荷、或負電荷、或同時具有正電荷和負電荷，經(jīng)過具有電荷的氣體吹掃過后，待處理膜層表面的靜電被減弱或消除，保證了濕膜干燥成膜的過程中不受靜電的干擾，從而使得成膜更加均勻，該離子發(fā)生器處理后的氣體也可以在基板未設置待處理濕膜之前就開始吹掃，這樣可以確保整個成膜的過程都免于靜電的干擾。在本發(fā)明的濕膜處理裝置中，為了能夠在待處理濕膜干燥成膜的過程中保證濕膜鋪展均勻，以及使得待處理濕膜的中間和邊緣部分干燥速度趨于一致，該濕膜處理裝置還可以包括：溶劑儲液裝置26，設置于密封腔體20內(nèi)或與進氣管道211連接，用于為待處理濕膜提供氣態(tài)溶劑，其中，進氣管道211與氣體接入口21連接。上述實施例中溶劑儲液裝置可以儲存溶劑，并且還可以為溶劑進行加熱或者攪拌的操作，使溶劑可以更快地揮發(fā)，形成氣態(tài)溶劑，并且上述待處理濕膜包括溶質(zhì)和溶劑，其中的溶劑可以為一種或多種，上述的同種溶劑可以是與待處理濕膜中的一種溶劑相同，也可以是與待處理濕膜中的多種溶劑都相同，或者部分種類的溶劑相同的溶劑。通過上述實施例，可以將氣體中具有溶劑液滴(氣態(tài)溶劑)，使得氣體處理待處理濕膜表面時，形成溶劑氛圍，與濕膜中的溶劑同種的溶劑液滴可以減緩濕膜的干燥速度，從而使得濕膜有時間可以鋪展的更開，并且濕膜中的溶質(zhì)可以在溶劑中變得均勻。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種濕膜處理系統(tǒng)，該濕膜處理系統(tǒng)包括：載物平臺60，載物平臺60的上表面用于承載具有待處理濕膜的基板62；以及上述實施例中的濕膜處理裝置100，設置于載物平臺60上的待處理濕膜64上方位置。本發(fā)明的濕膜處理系統(tǒng)包括載物平臺和上述的濕膜處理裝置，該載物平臺上承載基板，基板上設置有待處理濕膜，該濕膜處理裝置設置在載物平臺的待處理濕膜的上方位置，該裝置包括一密封腔體和一超聲發(fā)生器，由于該密封腔體包括底部和氣體接入口，其底部設置有至少一個通孔，從而可以將從氣體接入口通入到密封腔體內(nèi)的氣體從該密封腔體內(nèi)排出至待處理濕膜表面，并且該超聲發(fā)生器固定地設置于密封腔體內(nèi)，從而該超聲發(fā)生器發(fā)出的超聲振動可以經(jīng)由密封腔體和氣體傳遞至待處理濕膜，進而該待處理濕膜可在該超聲振動的作用下，內(nèi)部材料分布更加均勻，提高了濕膜干燥成膜后膜層的均勻性，解決了現(xiàn)有技術(shù)制作的發(fā)光器件膜層均勻性差的問題，實現(xiàn)了提高發(fā)光器件的發(fā)光質(zhì)量的效果。并且，由于是在濕膜上方非接觸的處理該待處理濕膜，避免了在對最上面的待處理濕膜進行處理的同時對其下面的其他制作好的膜層的損壞，保證了包括待處理濕膜形成的膜層在內(nèi)的各個膜層的均勻性和完整度。為了可以使得上述的濕膜處理系統(tǒng)中的濕膜處理裝置和載物平臺更好地固定，該濕膜處理系統(tǒng)還可以包括：支撐結(jié)構(gòu)80，與濕膜處理裝置100和載物平臺60連接，用于支撐濕膜處理裝置100于載物平臺60上方位置?？蛇x的，該支架結(jié)構(gòu)還具有調(diào)節(jié)機構(gòu)，可以用來調(diào)節(jié)濕膜處理裝置和載物平臺之間的距離。在一個優(yōu)選的實施例中，濕膜處理裝置100的密封腔體20的底部與載物平臺60上的待處理濕膜的基板62上表面之間的距離大于零且小于等于預設距離，其中，預設距離選自1mm～50mm。通過上述實施例，將濕膜處理裝置和載物臺之間設置合適的距離，可以使得載物臺上的待處理濕膜可以更好地鋪展、接受氣體傳遞的超聲振動的能量，有助于提高待處理濕膜干燥成膜的均勻性。上述的濕膜處理系統(tǒng)可以是開放的，也可以是密封的，若該濕膜處理系統(tǒng)在密封環(huán)境下工作時，比如可以在一密封罩內(nèi)工作，該密封罩具有容納濕膜處理裝置和載物平臺的密封空間，其通過濕膜處理裝置中的通孔排出到待處理濕膜上表面的氣體，可以通過一個或多個第一抽氣口222或第二抽氣口223移除出該濕膜處理系統(tǒng)所處的密封環(huán)境中，該第一抽氣口222可以設置于濕膜處理裝置的非底面或者底部；第二抽氣口223可以設置于載物平臺60上的第三區(qū)域602，其中，該載物臺60表面包括第三區(qū)域602和用于放置該基板的第四區(qū)域603，如圖3所示；或者設置于該濕膜處理系統(tǒng)中的其他位置。根據(jù)本發(fā)明的再一個方面，提供了一種濕膜處理方法，該濕膜處理方法包括：在載物平臺的基板上設置墨水，基板上形成待處理濕膜；對待處理濕膜進行氣體吹掃，并在待處理濕膜上方以氣體為傳遞介質(zhì)對待處理濕膜進行超聲振動處理。通過采用本發(fā)明上述實施例，可以采用以氣體為傳遞介質(zhì)從上方對待處理濕膜進行超聲振動處理的方式，使得該待處理濕膜也進行超聲振動，其內(nèi)部材料(包括溶劑和溶質(zhì))分布更加均勻，從而提高了濕膜干燥成膜后膜層的均勻性，解決了現(xiàn)有技術(shù)制作的發(fā)光器件膜層均勻性差的問題，實現(xiàn)了提高發(fā)光器件的發(fā)光質(zhì)量的效果。并且在上方對待處理濕膜進行處理，可以避免超聲振動對其他已經(jīng)做好的膜層的損壞，從而提高了各個膜層的成膜的完整度和均勻性。在本發(fā)明的濕膜處理方法中，為了能夠讓濕膜成膜更加均勻，在對待處理濕膜進行氣體吹掃，并在待處理濕膜上方以氣體為傳遞介質(zhì)對待處理濕膜進行超聲振動處理之前，該濕膜處理方法還包括：對氣體進行負離子處理，得到帶有正/負電荷的氣體；并且，對待處理濕膜進行氣體吹掃可以包括：將帶有正/負電荷的氣體通入待處理濕膜的上方空間，以減少待處理濕膜的表面離子量。通過上述實施例，氣體經(jīng)過離子發(fā)生器處理之后，可以具有正電荷、或負電荷、或同時具有正電荷和負電荷，經(jīng)過具有電荷的氣體吹掃過后，待處理膜層表面的靜電被減弱或消除，實現(xiàn)了濕膜干燥成膜的過程中不受靜電的干擾的效果，從而使得成膜更加均勻，該離子發(fā)生器處理后的氣體也可以在基板未設置待處理濕膜之前就開始吹掃，這樣可以使得整個成膜的過程都免于靜電的干擾。為使得待處理濕膜所在空間的環(huán)境不被污染，以及操作該濕膜處理裝置的人員的安全，上述的濕膜處理方法中，在對待處理濕膜進行氣體吹掃，并在待處理濕膜上方以氣體為傳遞介質(zhì)對待處理濕膜進行超聲振動處理之后，該濕膜處理方法還可以包括：將吹掃后的氣體從待處理濕膜所在的空間移除。在一個優(yōu)選的實施例中，對待處理濕膜進行氣體吹掃可以包括：控制氣體在距離待處理濕膜表面0.2mm至5mm的上方對待處理濕膜吹掃。通過上述實施例，設置合適的距離進行氣體吹掃，可以使得載物臺上的待處理濕膜更好地鋪展、接受氣體傳遞的超聲振動的能量，有助于提高待處理濕膜干燥成膜的均勻性。在本發(fā)明的濕膜處理方法中，為了能夠在待處理濕膜干燥成膜的過程中保證濕膜鋪展均勻，以及使得待處理濕膜的中間和邊緣部分干燥速度趨于一致，在對待處理濕膜進行氣體吹掃，并在待處理濕膜上方以氣體為傳遞介質(zhì)對待處理濕膜進行超聲振動處理同時，濕膜處理方法還包括：根據(jù)墨水中的溶劑種類準備同種溶劑；控制氣體與氣態(tài)的同種溶劑混合，以獲得具有同種溶劑的氣體；并且，對待處理濕膜進行氣體吹掃包括：將具有同種溶劑的氣體通入待處理濕膜的上方空間。通過上述實施例，可以先讓氣體具有與待處理濕膜同種的溶劑，并通過將氣體吹掃在待處理濕膜上方，使得待處理濕膜處于溶劑氛圍中，并且隨著氣體的流動，使得溶劑氛圍更加均勻，從而使得在這種溶劑氛圍中的待處理膜層可以鋪展的較開，并且能夠減緩待處理膜層的溶劑蒸發(fā)速率，使得待處理濕膜中的溶質(zhì)能夠充分的分散均勻，從而提高了濕膜干燥成膜后的膜層的均勻性和發(fā)光器件的質(zhì)量。下面將結(jié)合實施例進一步說明本發(fā)明提供的濕膜處理裝置、濕膜處理系統(tǒng)以及濕膜處理方法。實施例1本實施例提供的濕膜處理裝置包括：一密封腔體，該密封腔體包括底部和氣體接入口，底部設置有一個通孔；該裝置還包括一超聲發(fā)生器，該超聲發(fā)生器固定地設置于密封腔體內(nèi)。實施例2本實施例提供的濕膜處理裝置與實施例1的區(qū)別在于：底部設置有六個通孔，其中三個通孔還用于將從密封腔體排出的氣體從待處理濕膜所在的空間移除。實施例3本實施例提供的濕膜處理裝置與實施例1的區(qū)別在于：底部設置有六個通孔；還設置有四個第一抽氣口，位于密封腔體表面上，用于將從密封腔體排出的氣體從待處理濕膜所在的空間移除。實施例4本實施例提供的濕膜處理裝置與實施例3的區(qū)別在于：通孔在底部成蜂窩結(jié)構(gòu)排列；設置有四個第一抽氣口，位于密封腔體底部，底部為平面結(jié)構(gòu)，第一抽氣口位于底部的第一區(qū)域，通孔位于底部的第二區(qū)域，第一區(qū)域環(huán)繞在第二區(qū)域的外側(cè)。超聲發(fā)生器對應設置于底部的通孔的上方。實施例5本實施例提供的濕膜處理裝置與實施例3的區(qū)別在于：該濕膜處理裝置還包括：離子發(fā)生器，設置于密封腔體內(nèi)，用于使流經(jīng)密封腔體的氣體具有正電荷，其中，進氣管道與氣體接入口連接。實施例6本實施例提供的濕膜處理裝置與實施例5的區(qū)別在于：該濕膜處理裝置還包括：溶劑儲液裝置，設置與進氣管道連接，用于為待處理濕膜提供氣態(tài)溶劑。實施例7本實施例提供的濕膜處理系統(tǒng)包括：載物平臺，載物平臺的上表面用于承載具有待處理濕膜的基板；濕膜處理裝置，設置于載物平臺上的待處理濕膜上方位置。濕膜處理裝置的密封腔體的底部與載物平臺上的待處理濕膜的基板上表面之間的距離等于5mm。實施例8本實施例提供的濕膜處理系統(tǒng)與實施例7的區(qū)別在于：該濕膜處理系統(tǒng)還包括：支撐結(jié)構(gòu)，與濕膜處理裝置和載物平臺連接，用于支撐濕膜處理裝置于載物平臺上方位置，濕膜處理裝置的密封腔體的底部與載物平臺上的待處理濕膜的基板上表面之間的距離等于0.2mm。該濕膜處理系統(tǒng)為密封系統(tǒng)，一個或多個第一抽氣口設置于載物平臺上。實施例9本實施例提供的濕膜處理方法包括如下步驟：S01，提供具有像素隔離結(jié)構(gòu)的TFT基板，像素隔離結(jié)構(gòu)具有50×50個相互隔離的子像素區(qū)域，該TFT基板為有陽極層的基板，且陽極層為ITO陽極；S02，采用噴墨打印工藝使作為空穴注入層墨水的PEDOT:PSS的水溶液進入對應的子像素區(qū)域中，形成待處理濕膜；S03，將子像素區(qū)域中的待處理濕膜(空穴注入層墨水)放置在實施例7中的濕膜處理系統(tǒng)中的載物平臺上，并采用實施例1中的濕膜處理裝置通過設置在底部的通孔對待處理濕膜進行惰性氣體吹掃，并在待處理濕膜上方以該惰性氣體為傳遞介質(zhì)對待處理濕膜進行超聲振動處理，以使待處理膜層干燥后形成均勻的空穴注入層，其中，超聲振動處理的頻率為20KHZ，功率范圍為30W；S04，再次執(zhí)行步驟S02至S03，在上述重復過程的步驟S02中采用空穴傳輸層對應的墨水，且空穴傳輸層對應的墨水為聚(9-乙烯基)咔唑(PVK)的甲苯溶液，以在步驟S03中形成空穴傳輸層；S05，再次執(zhí)行步驟S02至S03，在上述重復過程的步驟S02中采用量子點材料墨水，且量子點材料墨水為CdSe/ZnS的癸烷溶液，以在步驟S03中形成發(fā)光層；S06，再次執(zhí)行步驟S02至S03，在上述重復過程的步驟S02中采用電子傳輸層對應的墨水和電子注入層對應的墨水，且電子傳輸層對應的墨水和電子注入層對應的墨水為ZnO的丁醇溶液，以在步驟S03中形成電子傳輸層及電子注入層；S07，在電子注入層的遠離第一電極基板的一側(cè)蒸鍍第二電極，形成陰極層的材料為Ag。實施例10本實施例提供的濕膜處理方法與實施例9的區(qū)別在于：在步驟S03中采用實施例2中的濕膜處理裝置通過設置于底部的通孔對待處理濕膜進行氣體吹掃，并在待處理濕膜上方以氣體為傳遞介質(zhì)對待處理濕膜進行超聲振動處理，并在吹掃一段時間后停止吹掃，通過底面的三個通孔將吹掃后的氣體從待處理濕膜所在的空間移除，然后再停止移除，進行吹掃，這樣反復操作。實施例11本實施例提供的濕膜處理方法與實施例9的區(qū)別在于：在步驟S03中采用實施例3中的濕膜處理裝置通過設置于密封腔體底面上的六個通孔對待處理濕膜進行惰性氣體吹掃，并在待處理濕膜上方以惰性氣體為傳遞介質(zhì)對待處理濕膜進行超聲振動處理，該超聲發(fā)生器的聲波頻率范圍為160MHZ，功率范圍為120KW，與此同時，還通過設置于密封腔體表面上的四個第一抽氣口將從密封腔體排出的惰性氣體從待處理濕膜所在的空間移除。實施例12本實施例提供的濕膜處理方法與實施例11的區(qū)別在于：在步驟S03中采用實施例4中的濕膜處理裝置通過設置于密封腔體底面上的成蜂窩結(jié)構(gòu)排列的六個通孔對待處理濕膜進行惰性氣體吹掃，并在待處理濕膜上方以惰性氣體為傳遞介質(zhì)對待處理濕膜進行超聲振動處理，與此同時，還通過設置于密封腔體底面上且在六個通孔所在區(qū)域的外側(cè)的四個第一抽氣口將從密封腔體排出的惰性氣體從待處理濕膜所在的空間移除，其中，在處理空穴注入層時，選用頻率130KZ、功率為280W的超聲振動進行處理，此時密封腔體與待處理濕膜之間的距離為2mm，且該密封腔體底部與待處理膜層的相對水平移動速度為100mm/min；在處理設置在空穴注入層上的空穴傳輸層、以及設置在空穴傳輸層上面的發(fā)光層時，該濕膜處理裝置采用頻率95KZ、功率230W的超聲振動進行處理，密封腔體與待處理膜層的間距為2.3mm，且密封腔體底部與待處理膜層的相對移動速度為80mm/min。。實施例13本實施例提供的濕膜處理方法與實施例12的區(qū)別在于：在步驟S03中采用實施例5中的濕膜處理裝置，在利用惰性氣體進行吹掃之前，對該惰性氣體進行負離子處理，使惰性氣體經(jīng)過設置于密封腔體內(nèi)的離子發(fā)生器后得到帶有正電荷的惰性氣體，以除去該待處理濕膜表面的負電荷。實施例14本實施例提供的濕膜處理方法與實施例13的區(qū)別在于：在步驟S03中將子像素區(qū)域中的待處理濕膜(空穴注入層墨水)放置在實施例8中的濕膜處理系統(tǒng)中的載物平臺上，并采用實施例6中的濕膜處理裝置對待處理濕膜進行惰性氣體吹掃，以及通過設置與載物平臺上的第一抽氣口將惰性氣體從待處理膜層所在空間移除，并在待處理濕膜上方以氣體為傳遞介質(zhì)對待處理濕膜進行超聲振動處理，與此同時，在惰性氣體進行吹掃之前，通過設置與進氣管連接的裝有與濕膜具有同種溶劑的溶液儲液裝置，使得經(jīng)過該溶液儲液裝置后的惰性氣體混合有氣態(tài)的同種溶劑，該溶液儲液裝置具有加熱和攪拌的功能，再將具有同種溶劑的氣體通入待處理濕膜的上方空間。對比例1本對比例提供的濕膜處理方法包括以下步驟：S001，提供具有像素隔離結(jié)構(gòu)的TFT基板，像素隔離結(jié)構(gòu)具有50×50個相互隔離的子像素區(qū)域，TFT基板為有陽極層的基板，且陽極層為ITO陽極；S002，采用噴墨打印工藝使作為空穴注入層墨水的PEDOT:PSS的水溶液進入對應的子像素區(qū)域中，形成待處理濕膜；S003，將子像素區(qū)域中的待處理濕膜(空穴注入層墨水)在噴墨打印的機臺上常溫常壓下自然干燥，形成空穴注入層；S004，再次執(zhí)行步驟S002至S003，在上述重復過程的步驟S002中采用空穴傳輸層對應的墨水，且空穴傳輸層對應的墨水為聚(9-乙烯基)咔唑(PVK)的甲苯溶液，在形成待處理濕膜(空穴傳輸層對應的墨水)后，在噴墨打印的機臺上使待處理濕膜在常溫常壓下自然干燥，在步驟S003中形成空穴傳輸層；S005，再次執(zhí)行步驟S002至S003，在上述重復過程的步驟S002中采用量子點材料墨水，且量子點材料墨水為CdSe/ZnS的癸烷溶液，在形成待處理濕膜(量子點材料墨水)后，在噴墨打印的機臺上使待處理濕膜在常溫常壓下自然干燥，溶液自然干燥后，以在步驟S003中形成發(fā)光層；S006，再次執(zhí)行步驟S002至S003，在上述重復過程的步驟S002中采用電子傳輸層對應的墨水和電子注入層對應的墨水，且電子傳輸層對應的墨水和電子注入層對應的墨水為ZnO的丁醇溶液，在形成待處理濕膜(ZnO的丁醇溶液)后，在噴墨打印的機臺上使待處理濕膜在常溫常壓下自然干燥，以在步驟S003中形成電子傳輸及注入層；S007，在電子注入層的遠離第一電極基板的一側(cè)蒸鍍第二電極，形成陰極層的材料為Ag。對比例2本對比例提供的濕膜處理方法與對比例1的區(qū)別在于：在上述步驟S002至步驟S005中，在形成待處理濕膜之后，在打印機臺下面設置超聲振動裝置，超聲振動裝置通過打印機臺的傳遞，從下方依次對步驟S002至步驟S005中的待處理膜層進行超聲振動。對上述實施例和對比例中發(fā)光器件的亮度均勻度進行測試，測試方法為：采用PHOTORESEARCH公司生產(chǎn)的PR670光譜光度/色度/輻射度計，在電流密度為2mA/cm2的條件下，測試實施例中的發(fā)光器件中平均分配的21個點的亮度(單位Cd/m2)，并通過計算公式算出亮度均勻度＝(Max-Min)/(2Ave)，且Ave＝(L1+L2+L3+……+L20+L21)/21，其中Max是指21個數(shù)據(jù)中亮度最大的值，Min指其中亮度最小的值，Ave是指各點的亮度平均值，L1、L2……L21代表各點的亮度值。亮度均勻度的值越小，表示其發(fā)光越均勻，膜層的厚度均勻度越好，測結(jié)果如表1所示：表1名稱亮度均勻度％實施例947.2實施例1047.6實施例1147.8實施例1248.0實施例1348.1實施例1448.3對比例123.5對比例240.2從上述測試結(jié)果可以看出，采用本發(fā)明提供的濕膜處理裝置對待處理濕膜(包括未干燥成膜的發(fā)光層和各功能層)進行處理得到的發(fā)光器件，其光電性能遠大于未利用上述濕膜處理裝置進行前期處理的發(fā)光器件的光電性能，并且也大于僅利用超聲處理裝置在濕膜下方進行超聲振動處理的發(fā)光器件的光電性能。并且，通過臺階儀對利用上述實施例1和對比例1處理后的量子點墨水干燥后的膜層進行測量，得到的膜層輪廓分別如圖4和圖5所示。從圖4和圖5中可以看出，圖4所示的實施例1中的利用本發(fā)明的濕膜處理裝置處理后的膜層均勻度較好，而圖5中的直接對量子點墨水進行自然干燥的情況下，干燥后的膜層出現(xiàn)了兩邊高中間低的咖啡環(huán)現(xiàn)象，由上述對比可知，濕膜處理裝置能夠?qū)崿F(xiàn)有效減弱甚至消除膜層干燥后的咖啡環(huán)現(xiàn)象的效果。從以上的描述中，可以看出，本發(fā)明上述的實施例實現(xiàn)了如下技術(shù)效果：1、由于本發(fā)明提供的濕膜處理裝置采用近距離非接觸的處理模式對濕膜表面進行處理，解決了濕膜的各個區(qū)域因溶劑揮發(fā)速率不同而導致的干燥后膜層形貌不均勻的問題，且相比于現(xiàn)有的設置在打印基臺下面的超聲裝置，避免了從下方接觸式的超聲振動處理對待處理濕膜下面已制備好的膜層或基板的破壞，以及解決了從下方超聲振動導致干燥后的各個膜層間的粘接牢固程度下降的問題，從而實現(xiàn)了在保證發(fā)光器件中各個膜層的完整度的情況下，提高各個膜層的均勻性和發(fā)光器件的發(fā)光質(zhì)量的效果。2、采用本發(fā)明提供的濕膜處理裝置可通入具有電荷的氣體，有效地減少了每一層濕膜中的有害電荷，避免了待處理濕膜成膜時受到靜電因素的影響，提高了待處理濕膜干燥成膜后的均勻性和發(fā)光器件的發(fā)光質(zhì)量。3、本發(fā)明提供的濕膜處理裝置由于具有獨立的腔體，從而無需在打印設備上改進，成本較低，且操作靈活。4、本發(fā)明提供的濕膜處理裝置的密封腔體上或者濕膜處理系統(tǒng)中的載物平臺上設置有用于抽氣的第一抽氣口，有助于在濕膜處理時將用于吹掃的氣體和濕膜里揮發(fā)出來的溶劑徹底排出，防止污染環(huán)境。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。當前第1頁1 2 3