本發(fā)明涉及平板顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種OLED顯示器及其制作方法。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)顯示器，具備自發(fā)光、高亮度、寬視角、高對(duì)比度、可撓曲、低能耗等特性，因此受到廣泛的關(guān)注，并作為新一代的顯示方式，已開始逐漸取代傳統(tǒng)液晶顯示器。目前，從小尺寸的移動(dòng)電話顯示屏，到大尺寸高分辨率的平板電視，應(yīng)用OLED顯示面板都成為一種高端的象征。

OLED顯示技術(shù)與傳統(tǒng)的液晶顯示技術(shù)不同，無需背光燈，采用非常薄的有機(jī)材料涂層和玻璃基板，當(dāng)有電流通過時(shí)，這些有機(jī)材料就會(huì)發(fā)光。但是由于有機(jī)材料易與水汽或氧氣反應(yīng)，作為基于有機(jī)材料的顯示設(shè)備，OLED顯示屏對(duì)封裝的要求非常高，因此，通過OLED器件的封裝提高器件內(nèi)部的密封性，盡可能的與外部環(huán)境隔離，對(duì)于OLED器件的穩(wěn)定發(fā)光至關(guān)重要。

目前對(duì)于OLED器件的封裝，最常用的方法是利用紫外光固化膠加硬質(zhì)封裝基板(如玻璃或金屬)覆蓋封裝，但是該方法并不適用于柔性器件，因此，也有技術(shù)方案采用無機(jī)/有機(jī)疊層的薄膜對(duì)OLED器件進(jìn)行封裝的薄膜封裝(TFE)，其中該方法所選用的薄膜材料也多種多樣，類金剛石(DLC)因具有良好的化學(xué)惰性、高熱導(dǎo)率以及高致密度而被廣泛應(yīng)用于OLED封裝結(jié)構(gòu)之中。

例如，專利文件US20060078677公開了一種OLED封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、設(shè)于基板上的OLED器件、及設(shè)于基板上并覆蓋OLED器件的薄膜封裝層，其中，所述薄膜封裝層包括交替層疊的3層DLC層和2層含硅或氮的無機(jī)材料層，雖然這種層層交替的方式能夠有效的阻隔外界的水氧，但由于DLC的透過率和阻隔水氧能力之間呈矛盾關(guān)系，對(duì)于頂發(fā)射器件，如果要增強(qiáng)DLC防水氧能力，這就意味著其透過率就會(huì)隨之降低，而該專利對(duì)此問題并未進(jìn)行明確說明。

再例如，3M公司在專利文件US20080196664上公開了一種OLED封裝工藝，具體為，在OLED器件的陰極上依次覆蓋粘合劑層、聚苯乙烯層、以及覆蓋粘合劑層及聚苯乙烯層的DLC層，雖然這種封裝方式也可以有效的阻隔外界的水氧侵蝕，然而這種封裝方式和前述專利公開的一樣，對(duì)DLC防水氧能力和透過率之間的關(guān)系缺乏說明。

再例如，最近，InnoLux公司在專利文件US20150340653上報(bào)道了一種DLC與其他無機(jī)材料交替的封裝結(jié)構(gòu)，該封裝結(jié)構(gòu)具體包括設(shè)在OLED器件上的有機(jī)覆蓋層、及設(shè)置在有機(jī)覆蓋層上的交替層疊的3層DLC層和2層無機(jī)層，對(duì)于該封裝結(jié)構(gòu)，DLC的加入能夠有效的填充無機(jī)層中的裂縫，提高其阻隔水氧特性。然而，DLC以及其他無機(jī)層的制備工藝在該專利文件中卻沒有詳細(xì)說明，同樣這種結(jié)構(gòu)如果用于頂發(fā)射元件，要保證DLC具有很高的阻隔水氧能力，那么它的透過率會(huì)隨之下降，這樣會(huì)增加光的損失，降低器件效率。

再例如，專利文件US20040056269公開了一種DLC與有機(jī)材料交替的封裝結(jié)構(gòu)，雖然這種結(jié)構(gòu)可用于頂發(fā)射式柔性元件，但是該專利文件對(duì)于DLC的透過率方面也并未做詳細(xì)說明。

因此，通過上述案例對(duì)DLC的應(yīng)用進(jìn)行詳細(xì)總結(jié)后可以看出，目前DLC在OLED封裝領(lǐng)域的應(yīng)用基本采用DLC/無機(jī)或DLC/有機(jī)交替的結(jié)構(gòu)，且DLC整面覆蓋DLC下方的功能層，然而，這樣的封裝方式都會(huì)帶來DLC阻隔水氧能力與透過率之間的矛盾。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種OLED顯示器，薄膜封裝層中有機(jī)緩沖層的外側(cè)設(shè)有類金剛石層，不但能夠有效阻隔外界水氧從側(cè)面對(duì)OLED器件的傷害，而且避免了頂發(fā)射器件的光經(jīng)過類金剛石而造成損失的問題。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種OLED顯示器的制作方法，將類金剛石用于側(cè)向封裝，在薄膜封裝層中有機(jī)緩沖層的外側(cè)設(shè)置類金剛石層，不但能夠有效阻隔外界水氧從側(cè)面對(duì)OLED器件的傷害，而且避免了頂發(fā)射器件的光經(jīng)過類金剛石而造成損失的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種OLED顯示器，包括基板、設(shè)于所述基板上的OLED器件、及設(shè)于所述基板、及OLED器件上并覆蓋OLED器件的薄膜封裝層；

所述薄膜封裝層包括至少兩層無機(jī)鈍化層、至少一層有機(jī)緩沖層、及至少一層類金剛石層；所述薄膜封裝層中，每一類金剛石層與一層有機(jī)緩沖層相對(duì)應(yīng)屬于同層，無機(jī)鈍化層和有機(jī)緩沖層交替層疊設(shè)置，無機(jī)鈍化層和類金剛石層交替層疊設(shè)置，且無機(jī)鈍化層比有機(jī)緩沖層、及類金剛石層在層數(shù)上多一層；

每一有機(jī)緩沖層的尺寸比下方相鄰的無機(jī)鈍化層的尺寸小，從而每一有機(jī)緩沖層下方相鄰的無機(jī)鈍化層對(duì)應(yīng)該有機(jī)緩沖層的外側(cè)邊緣和該無機(jī)鈍化層的外側(cè)邊緣之間的部分形成臺(tái)階區(qū)，所述類金剛石層設(shè)置于對(duì)應(yīng)的臺(tái)階區(qū)上并覆蓋該臺(tái)階區(qū)。

所述無機(jī)鈍化層的材料為Al₂O₃、ZrO₂、ZnO₂、SiNx、SiCN、SiOx、或TiO₂，所述無機(jī)鈍化層的厚度為0.5-1μm；

所述有機(jī)緩沖層的材料為聚丙烯酸酯類聚合物、聚碳酸酯類聚合物、或聚苯乙烯，所述有機(jī)緩沖層的厚度為1-10μm；

所述類金剛石層的厚度為2-10μm。

所述薄膜封裝層包括2-5層無機(jī)鈍化層、1-4層有機(jī)緩沖層、及1-4層類金剛石層

可選地，所述薄膜封裝層包括兩層無機(jī)鈍化層、一層有機(jī)緩沖層、及一層類金剛石層，該兩層無機(jī)鈍化層由下至上分別為第一、第二無機(jī)鈍化層，該一層有機(jī)緩沖層為第一有機(jī)緩沖層，該一層類金剛石層為第一類金剛石層；

所述第一無機(jī)鈍化層對(duì)應(yīng)所述第一有機(jī)緩沖層的外側(cè)邊緣與第一無機(jī)鈍化層的外側(cè)邊緣之間形成的臺(tái)階區(qū)為第一臺(tái)階區(qū)，所述第一類金剛石層設(shè)置于第一臺(tái)階區(qū)上并覆蓋該第一臺(tái)階區(qū)。

可選地，所述薄膜封裝層包括三層無機(jī)鈍化層、兩層有機(jī)緩沖層、及兩層類金剛石層，該三層無機(jī)鈍化層由下至上分別為第一、第二、第三無機(jī)鈍化層，該兩層有機(jī)緩沖層由下至上分別為第一、第二有機(jī)緩沖層，該兩層類金剛石層由下至上分別為第一、第二類金剛石層；

所述第一無機(jī)鈍化層對(duì)應(yīng)所述第一有機(jī)緩沖層的外側(cè)邊緣與第一無機(jī)鈍化層的外側(cè)邊緣之間形成的臺(tái)階區(qū)為第一臺(tái)階區(qū)，所述第一類金剛石層設(shè)置于第一臺(tái)階區(qū)上并覆蓋該第一臺(tái)階區(qū)；所述第二無機(jī)鈍化層對(duì)應(yīng)所述第二有機(jī)緩沖層的外側(cè)邊緣與第二無機(jī)鈍化層的外側(cè)邊緣之間形成的臺(tái)階區(qū)為第二臺(tái)階區(qū)，所述第二類金剛石層設(shè)置于第二臺(tái)階區(qū)上并覆蓋該第二臺(tái)階區(qū)。

本發(fā)明還提供一種OLED顯示器的制作方法，包括如下步驟：

步驟1、提供基板，在所述基板上形成OLED器件；

步驟2、在所述基板、及OLED器件上形成覆蓋OLED器件的薄膜封裝層，得到OLED顯示器；

其中，所述薄膜封裝層包括至少兩層無機(jī)鈍化層、至少一層有機(jī)緩沖層、及至少一層類金剛石層；所述薄膜封裝層中，每一類金剛石層與一層有機(jī)緩沖層相對(duì)應(yīng)屬于同層，無機(jī)鈍化層和有機(jī)緩沖層交替層疊設(shè)置，無機(jī)鈍化層和類金剛石層交替層疊設(shè)置，且無機(jī)鈍化層比有機(jī)緩沖層、及類金剛石層在層數(shù)上多一層；

每一有機(jī)緩沖層的尺寸比下方相鄰的無機(jī)鈍化層的尺寸小，從而每一有機(jī)緩沖層下方相鄰的無機(jī)鈍化層對(duì)應(yīng)該有機(jī)緩沖層的外側(cè)邊緣和該無機(jī)鈍化層的外側(cè)邊緣之間的部分形成臺(tái)階區(qū)，所述類金剛石層設(shè)置于對(duì)應(yīng)的臺(tái)階區(qū)上并覆蓋該臺(tái)階區(qū)。

所述步驟2中，所述無機(jī)鈍化層通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法、原子力沉積法、脈沖激光沉積法、或?yàn)R鍍沉積法形成，所述無機(jī)鈍化層的材料為Al₂O₃、ZrO₂、ZnO₂、SiNx、SiCN、SiOx、或TiO₂，所述無機(jī)鈍化層的厚度為0.5-1μm；

所述步驟2中，所述有機(jī)緩沖層通過噴墨印刷、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法、絲網(wǎng)印刷、或狹縫涂布形成，所述有機(jī)緩沖層的材料為聚丙烯酸酯類聚合物、聚碳酸酯類聚合物、或聚苯乙烯，所述有機(jī)緩沖層的厚度為1-10μm；

所述步驟2中，所述類金剛石層利用掩模板通過沉積形成；所述類金剛石層的厚度為2-10μm。

所述步驟2中形成的薄膜封裝層包括2-5層無機(jī)鈍化層、1-4層有機(jī)緩沖層、及1-4層類金剛石層。

可選地，所述步驟2中形成的薄膜封裝層包括兩層無機(jī)鈍化層、一層有機(jī)緩沖層、及一層類金剛石層，該兩層無機(jī)鈍化層由下至上分別為第一、第二無機(jī)鈍化層，該一層有機(jī)緩沖層為第一有機(jī)緩沖層，該一層類金剛石層為第一類金剛石層；

所述步驟2具體包括：

步驟21、在所述基板、及OLED器件上形成覆蓋OLED器件的第一無機(jī)鈍化層；

步驟22、在所述第一無機(jī)鈍化層上形成第一有機(jī)緩沖層，所述第一有機(jī)緩沖層的尺寸小于所述第一無機(jī)鈍化層的尺寸，所述第一無機(jī)鈍化層對(duì)應(yīng)所述第一有機(jī)緩沖層的外側(cè)邊緣和第一無機(jī)鈍化層的外側(cè)邊緣之間的部分形成第一臺(tái)階區(qū)；

步驟23、在所述第一臺(tái)階區(qū)上形成覆蓋第一臺(tái)階區(qū)的第一類金剛石層；

步驟24、在所述第一有機(jī)緩沖層、及第一類金剛石層上形成覆蓋所述第一有機(jī)緩沖層、及第一類金剛石層的第二無機(jī)鈍化層。

可選地，所述薄膜封裝層包括三層無機(jī)鈍化層、兩層有機(jī)緩沖層、及兩層類金剛石層，該三層無機(jī)鈍化層由下至上分別為第一、第二、第三無機(jī)鈍化層，該兩層有機(jī)緩沖層由下至上分別為第一、第二有機(jī)緩沖層，該兩層類金剛石層由下至上分別為第一、第二類金剛石層；

所述步驟2具體包括：

步驟21、在所述基板、及OLED器件上形成覆蓋OLED器件的第一無機(jī)鈍化層；

步驟22、在所述第一無機(jī)鈍化層上形成第一有機(jī)緩沖層，所述第一有機(jī)緩沖層的尺寸小于所述第一無機(jī)鈍化層的尺寸，所述第一無機(jī)鈍化層對(duì)應(yīng)所述第一有機(jī)緩沖層的外側(cè)邊緣和第一無機(jī)鈍化層的外側(cè)邊緣之間的部分形成第一臺(tái)階區(qū)；

步驟23、在所述第一臺(tái)階區(qū)上形成覆蓋第一臺(tái)階區(qū)的第一類金剛石層；

步驟24、在所述第一有機(jī)緩沖層、及第一類金剛石層上形成覆蓋所述第一有機(jī)緩沖層、及第一類金剛石層的第二無機(jī)鈍化層；

步驟25、在所述第二無機(jī)鈍化層上形成第二有機(jī)緩沖層，所述第二有機(jī)緩沖層的尺寸小于所述第二無機(jī)鈍化層的尺寸，所述第二無機(jī)鈍化層對(duì)應(yīng)所述第二有機(jī)緩沖層的外側(cè)邊緣和第二無機(jī)鈍化層的外側(cè)邊緣之間的部分形成第二臺(tái)階區(qū)；

步驟26、在所述第二臺(tái)階區(qū)上形成覆蓋第二臺(tái)階區(qū)的第二類金剛石層；

步驟27、在所述第二有機(jī)緩沖層、及第二類金剛石層上形成覆蓋所述第二有機(jī)緩沖層、及第二類金剛石層的第三無機(jī)鈍化層。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明的OLED顯示器，薄膜封裝層中每一有機(jī)緩沖層下方相鄰的無機(jī)鈍化層對(duì)應(yīng)該有機(jī)緩沖層的外側(cè)邊緣和該無機(jī)鈍化層的外側(cè)邊緣之間的部分形成臺(tái)階區(qū)，每一臺(tái)階區(qū)上設(shè)置有覆蓋該臺(tái)階區(qū)的類金剛石層，即本發(fā)明將類金剛石應(yīng)用于側(cè)向封裝，薄膜封裝層中每一有機(jī)緩沖層的外側(cè)均設(shè)有一層類金剛石層，從而不但能夠有效阻隔外界水氧從側(cè)面對(duì)OLED器件的傷害，而且避免了頂發(fā)射器件的光經(jīng)過類金剛石而造成損失的問題，進(jìn)而避免了類金剛石應(yīng)用于封裝時(shí)在阻隔水氧能力與透過率之間的矛盾；本發(fā)明的OLED顯示器的制作方法，將類金剛石用于側(cè)向封裝，在薄膜封裝層中有機(jī)緩沖層的外側(cè)設(shè)置類金剛石層，不但能夠有效阻隔外界水氧從側(cè)面對(duì)OLED器件的傷害，而且避免了頂發(fā)射器件的光經(jīng)過類金剛石而造成損失的問題，從而能夠獲得高壽命的OLED器件，而且不會(huì)影響OLED器件光的輸出。

為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對(duì)本發(fā)明加以限制。

附圖說明

下面結(jié)合附圖，通過對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其他有益效果顯而易見。

附圖中，

圖1為本發(fā)明的OLED顯示器的第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明的OLED顯示器的第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明的OLED顯示器的制作方法的流程示意圖；

圖4為本發(fā)明的OLED顯示器的制作方法的第一、及第二實(shí)施例的步驟21的示意圖；

圖5為本發(fā)明的OLED顯示器的制作方法的第一、及第二實(shí)施例的步驟22的示意圖；

圖6為本發(fā)明的OLED顯示器的制作方法的第一、及第二實(shí)施例的步驟23的示意圖；

圖7為本發(fā)明的OLED顯示器的制作方法的第二實(shí)施例的步驟25的示意圖；

圖8為本發(fā)明的OLED顯示器的制作方法的第二實(shí)施例的步驟26的示意圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

請(qǐng)參閱圖1，為本發(fā)明的OLED顯示器的第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，在本實(shí)施例中，所述OLED顯示器包括基板100、設(shè)于所述基板100上的OLED器件200、及設(shè)于所述基板100、及OLED器件200上并覆蓋OLED器件200的薄膜封裝層300；

所述薄膜封裝層300包括至少兩層無機(jī)鈍化層、至少一層有機(jī)緩沖層、及至少一層類金剛石層；所述薄膜封裝層300中，每一類金剛石層與一層有機(jī)緩沖層相對(duì)應(yīng)屬于同層，無機(jī)鈍化層和有機(jī)緩沖層交替層疊設(shè)置，無機(jī)鈍化層和類金剛石層交替層疊設(shè)置，且無機(jī)鈍化層比有機(jī)緩沖層、及類金剛石層在層數(shù)上多一層；

每一有機(jī)緩沖層的尺寸比下方相鄰的無機(jī)鈍化層的尺寸小，從而每一有機(jī)緩沖層下方相鄰的無機(jī)鈍化層對(duì)應(yīng)該有機(jī)緩沖層的外側(cè)邊緣和該無機(jī)鈍化層的外側(cè)邊緣之間的部分形成臺(tái)階區(qū)，所述類金剛石層設(shè)置于對(duì)應(yīng)的臺(tái)階區(qū)上并覆蓋該臺(tái)階區(qū)。

本發(fā)明的OLED顯示器，通過在薄膜封裝層中每一有機(jī)緩沖層下方相鄰的無機(jī)鈍化層對(duì)應(yīng)該有機(jī)緩沖層的外側(cè)邊緣和該無機(jī)鈍化層的外側(cè)邊緣之間的臺(tái)階區(qū)設(shè)置覆蓋該臺(tái)階區(qū)的類金剛石層，即將類金剛石應(yīng)用于側(cè)向封裝，使薄膜封裝層中每一有機(jī)緩沖層的外側(cè)均設(shè)有一層類金剛石層，從而不但能夠有效阻隔外界水氧從側(cè)面對(duì)OLED器件的傷害，而且避免了頂發(fā)射器件的光經(jīng)過類金剛石而造成損失的問題，進(jìn)而避免了類金剛石應(yīng)用于封裝時(shí)在阻隔水氧能力與透過率之間的矛盾。

具體地，所述無機(jī)鈍化層的材料為氧化鋁(Al₂O₃)、二氧化鋯(ZrO₂)、二氧化鋅(ZnO₂)、氮化硅(SiNx)、碳氮化硅(SiCN)、氧化硅(SiOx)、或二氧化鈦(TiO₂)，所述無機(jī)鈍化層的厚度為0.5-1μm。

具體地，所述有機(jī)緩沖層的材料為聚丙烯酸酯類聚合物(例如，壓克力)、聚碳酸酯類聚合物、或聚苯乙烯，所述有機(jī)緩沖層的厚度為1-10μm。

具體地，所述類金剛石層的厚度為2-10μm。

具體地，所述薄膜封裝層300包括2-5層無機(jī)鈍化層、1-4層有機(jī)緩沖層、及1-4層類金剛石層。

具體地，在本實(shí)施例中，所述薄膜封裝層300包括兩層無機(jī)鈍化層、一層有機(jī)緩沖層、及一層類金剛石層，該兩層無機(jī)鈍化層由下至上分別為第一、第二無機(jī)鈍化層311、312，該一層有機(jī)緩沖層為第一有機(jī)緩沖層321，該一層類金剛石層為第一類金剛石層331；

所述第一無機(jī)鈍化層311對(duì)應(yīng)所述第一有機(jī)緩沖層321的外側(cè)邊緣與第一無機(jī)鈍化層311的外側(cè)邊緣之間形成的臺(tái)階區(qū)為第一臺(tái)階區(qū)，所述第一類金剛石層331設(shè)置于第一臺(tái)階區(qū)上并覆蓋該第一臺(tái)階區(qū)。

請(qǐng)參閱圖2，為本發(fā)明的OLED顯示器的第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，與上述第一實(shí)施例相比，在本實(shí)施例中，所述薄膜封裝層300包括三層無機(jī)鈍化層、兩層有機(jī)緩沖層、及兩層類金剛石層，該三層無機(jī)鈍化層由下至上分別為第一、第二、第三無機(jī)鈍化層311、312、313，該兩層有機(jī)緩沖層由下至上分別為第一、第二有機(jī)緩沖層321、322，該兩層類金剛石層由下至上分別為第一、第二類金剛石層331、332。所述第一無機(jī)鈍化層311對(duì)應(yīng)所述第一有機(jī)緩沖層321的外側(cè)邊緣與第一無機(jī)鈍化層311的外側(cè)邊緣之間形成的臺(tái)階區(qū)為第一臺(tái)階區(qū)，所述第一類金剛石層331設(shè)置于第一臺(tái)階區(qū)上并覆蓋該第一臺(tái)階區(qū)；所述第二無機(jī)鈍化層312對(duì)應(yīng)所述第二有機(jī)緩沖層322的外側(cè)邊緣與第二無機(jī)鈍化層312的外側(cè)邊緣之間形成的臺(tái)階區(qū)為第二臺(tái)階區(qū)，所述第二類金剛石層332設(shè)置于第二臺(tái)階區(qū)上并覆蓋該第二臺(tái)階區(qū)。其他與上述第一實(shí)施例相同，在此不再贅述。

基于上述OLED顯示器，請(qǐng)參閱圖3，本發(fā)明還提供一種OLED顯示器的制作方法，具體地，其第一實(shí)施例包括如下步驟：

步驟1、提供基板100，在所述基板100上形成OLED器件200。

步驟2、在所述基板100、及OLED器件200上形成覆蓋OLED器件200的薄膜封裝層300，得到OLED顯示器。

其中，所述薄膜封裝層300包括至少兩層無機(jī)鈍化層、至少一層有機(jī)緩沖層、及至少一層類金剛石層；所述薄膜封裝層300中，每一類金剛石層與一層有機(jī)緩沖層相對(duì)應(yīng)屬于同層，無機(jī)鈍化層和有機(jī)緩沖層交替層疊設(shè)置，無機(jī)鈍化層和類金剛石層交替層疊設(shè)置，且無機(jī)鈍化層比有機(jī)緩沖層、及類金剛石層在層數(shù)上多一層；

每一有機(jī)緩沖層的尺寸比下方相鄰的無機(jī)鈍化層的尺寸小，從而每一有機(jī)緩沖層下方相鄰的無機(jī)鈍化層對(duì)應(yīng)該有機(jī)緩沖層的外側(cè)邊緣和該無機(jī)鈍化層的外側(cè)邊緣之間的部分形成臺(tái)階區(qū)，所述類金剛石層設(shè)置于對(duì)應(yīng)的臺(tái)階區(qū)上并覆蓋該臺(tái)階區(qū)。

本發(fā)明的OLED顯示器的制作方法，將類金剛石應(yīng)用于側(cè)向封裝，使薄膜封裝層中每一有機(jī)緩沖層的外側(cè)均設(shè)有一層類金剛石層，從而不但能夠有效阻隔外界水氧從側(cè)面對(duì)OLED器件的傷害，而且避免了頂發(fā)射器件的光經(jīng)過類金剛石而造成損失的問題，進(jìn)而避免了類金剛石應(yīng)用于封裝時(shí)在阻隔水氧能力與透過率之間的矛盾。

具體地，所述步驟2中，所述無機(jī)鈍化層通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)、原子力沉積法(ALD)、脈沖激光沉積法(PLD)、或?yàn)R鍍沉積法(Sputter)形成，所述無機(jī)鈍化層的材料為Al₂O₃、ZrO₂、ZnO₂、SiNx、SiCN、SiOx、或TiO₂，所述無機(jī)鈍化層的厚度為0.5-1μm。

具體地，所述步驟2中，所述有機(jī)緩沖層通過噴墨印刷(IJP)、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法、絲網(wǎng)印刷(Screen printing)、或狹縫涂布(slot coating)形成，所述有機(jī)緩沖層的材料為聚丙烯酸酯類聚合物(例如，壓克力)、聚碳酸酯類聚合物、或聚苯乙烯，所述有機(jī)緩沖層的厚度為1-10μm。

具體地，所述步驟2中，所述類金剛石層利用掩模板通過沉積形成；所述類金剛石層的厚度為2-10μm。

具體地，所述步驟2中形成的薄膜封裝層300包括2-5層無機(jī)鈍化層、1-4層有機(jī)緩沖層、及1-4層類金剛石層。

具體地，在本實(shí)施例中，所述步驟2中形成的薄膜封裝層300包括兩層無機(jī)鈍化層、一層有機(jī)緩沖層、及一層類金剛石層，該兩層無機(jī)鈍化層由下至上分別為第一、第二無機(jī)鈍化層311、312，該一層有機(jī)緩沖層為第一有機(jī)緩沖層321，該一層類金剛石層為第一類金剛石層331。

從而，所述步驟2具體包括：

步驟21、如圖4所示，在所述基板100、及OLED器件200上形成覆蓋OLED器件200的第一無機(jī)鈍化層311；

步驟22、如圖5所示，在所述第一無機(jī)鈍化層311上形成第一有機(jī)緩沖層321，所述第一有機(jī)緩沖層321的尺寸小于所述第一無機(jī)鈍化層311的尺寸，所述第一無機(jī)鈍化層311對(duì)應(yīng)所述第一有機(jī)緩沖層321的外側(cè)邊緣和第一無機(jī)鈍化層311的外側(cè)邊緣之間的部分形成第一臺(tái)階區(qū)；

步驟23、如圖6所示，在所述第一臺(tái)階區(qū)上形成覆蓋第一臺(tái)階區(qū)的第一類金剛石層331；

步驟24、在所述第一有機(jī)緩沖層321、及第一類金剛石層331上形成覆蓋所述第一有機(jī)緩沖層321、及第一類金剛石層331的第二無機(jī)鈍化層312，從而得到如圖1所示的OLED顯示器。

本發(fā)明的OLED顯示器的制作方法的第二實(shí)施例，與上述第一實(shí)施例相比，所述步驟2中形成的薄膜封裝層300包括三層無機(jī)鈍化層、兩層有機(jī)緩沖層、及兩層類金剛石層，該三層無機(jī)鈍化層由下至上分別為第一、第二、第三無機(jī)鈍化層311、312、313，該兩層有機(jī)緩沖層由下至上分別為第一、第二有機(jī)緩沖層321、322，該兩層類金剛石層由下至上分別為第一、第二類金剛石層331、332；

從而，在本實(shí)施例中，與上述第一實(shí)施例相比，在進(jìn)行步驟24之后，所述步驟2還包括：

步驟25、如圖7所示，在所述第二無機(jī)鈍化層312上形成第二有機(jī)緩沖層322，所述第二有機(jī)緩沖層322的尺寸小于所述第二無機(jī)鈍化層312的尺寸，所述第二無機(jī)鈍化層312對(duì)應(yīng)所述第二有機(jī)緩沖層322的外側(cè)邊緣和第二無機(jī)鈍化層312的外側(cè)邊緣之間的部分形成第二臺(tái)階區(qū)；

步驟26、如圖8所示，在所述第二臺(tái)階區(qū)上形成覆蓋第二臺(tái)階區(qū)的第二類金剛石層332；

步驟27、在所述第二有機(jī)緩沖層322、及第二類金剛石層332上形成覆蓋所述第二有機(jī)緩沖層322、及第二類金剛石層332的第三無機(jī)鈍化層313，從而得到如圖2所示的OLED顯示器。

綜上所述，本發(fā)明的OLED顯示器，薄膜封裝層中每一有機(jī)緩沖層下方相鄰的無機(jī)鈍化層對(duì)應(yīng)該有機(jī)緩沖層的外側(cè)邊緣和該無機(jī)鈍化層的外側(cè)邊緣之間的部分形成臺(tái)階區(qū)，每一臺(tái)階區(qū)上設(shè)置有覆蓋該臺(tái)階區(qū)的類金剛石層，即本發(fā)明將類金剛石應(yīng)用于側(cè)向封裝，薄膜封裝層中每一有機(jī)緩沖層的外側(cè)均設(shè)有一層類金剛石層，從而不但能夠有效阻隔外界水氧從側(cè)面對(duì)OLED器件的傷害，而且避免了頂發(fā)射器件的光經(jīng)過類金剛石而造成損失的問題，進(jìn)而避免了類金剛石應(yīng)用于封裝時(shí)在阻隔水氧能力與透過率之間的矛盾；本發(fā)明的OLED顯示器的制作方法，將類金剛石用于側(cè)向封裝，在薄膜封裝層中有機(jī)緩沖層的外側(cè)設(shè)置類金剛石層，不但能夠有效阻隔外界水氧從側(cè)面對(duì)OLED器件的傷害，而且避免了頂發(fā)射器件的光經(jīng)過類金剛石而造成損失的問題，從而能夠獲得高壽命的OLED器件，而且不會(huì)影響OLED器件光的輸出。

以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明后附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。