1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，該半導(dǎo)體裝置具備非易失性存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器單元，所述半導(dǎo)體裝置的制造方法具有：
(a)準(zhǔn)備半導(dǎo)體基板的工序；
(b)設(shè)置隔著第1絕緣膜形成于所述半導(dǎo)體基板上的第1柵極電極、隔著在內(nèi)部具有電荷累積部的第2絕緣膜形成于所述半導(dǎo)體基板上的第2柵極電極以及介于所述第1柵極電極與所述第2柵極電極之間的第3絕緣膜，以夾著所述第1柵極電極和所述第2柵極電極的方式，在所述半導(dǎo)體基板的主面形成第1源極/漏極區(qū)域的工序；
(c)形成與所述第1源極/漏極區(qū)域的上表面相接的第1硅化物層以及與所述第2柵極電極的上表面相接的第2硅化物層的工序；
(d)在所述(c)工序后，在所述半導(dǎo)體基板上形成第1層間絕緣膜的工序；
(e)通過研磨所述第1層間絕緣膜和所述第2硅化物層，使所述第1柵極電極和所述第2柵極電極各自的上表面從所述第1層間絕緣膜和所述第2硅化物層露出，形成與所述第1柵極電極的上表面相接的第3硅化物層以及與所述第2柵極電極的上表面相接的第4硅化物層的工序；以及
(f)在所述(e)工序后，在所述第1柵極電極和所述第2柵極電極各自的上方形成第1金屬膜之后，利用熱處理進(jìn)行硅化物化，從而形成與所述第1柵極電極的上表面相接的第5硅化物層以及與所述第2柵極電極的上表面相接的第6硅化物層的工序，
所述第1源極/漏極區(qū)域、所述第1柵極電極、所述第2柵極電極和所述第2絕緣膜構(gòu)成所述存儲(chǔ)器單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
所述第3硅化物層和所述第4硅化物層的膜厚小于所述第5硅化物層和第6硅化物層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
在所述(e)工序中，通過使用包括堿性溶劑的懸浮液來進(jìn)行研磨，使所述第1柵極電極和所述第2柵極電極各自的上表面從所述第1層間絕緣膜和所述第2硅化物層露出，形成所述第3硅化物層和所述第4硅化物層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，還具有：
(g)在所述(f)工序后，在所述存儲(chǔ)器單元上形成第2層間絕緣膜之后，形成貫通所述第1層間絕緣膜和所述第2層間絕緣膜的接觸插銷的工序；
(h)在所述第2層間絕緣膜上形成具有多個(gè)第1槽的第3層間絕緣膜的工序；
(i)通過進(jìn)行第3濺射，在所述第3層間絕緣膜上形成第3金屬膜的工序；以及
(j)在所述第3金屬膜上進(jìn)一步形成第4金屬膜之后，去除所述第3層間絕緣膜上的所述第3金屬膜和所述第4金屬膜，從而形成包括被埋入到所述多個(gè)第1槽各自的內(nèi)側(cè)的所述第3金屬膜和所述第4金屬膜的布線的工序，
在所述(f)工序中，在通過進(jìn)行第2濺射形成所述第1金屬膜之后，形成所述第5硅化物層和所述第6硅化物層，
在所述第2濺射中對作為濺射對象的第2靶施加的第2電源的大小小于在所述第3濺射中對作為濺射對象的第3靶施加的第3電源的大小。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
在所述(b)工序中，在所述半導(dǎo)體基板的第1區(qū)域中，形成所述第1絕緣膜、第1柵極電極、所述第2絕緣膜、所述第2柵極電極和所述第1源極/漏極區(qū)域，在與所述第1區(qū)域不同的第2區(qū)域的所述半導(dǎo)體基板上，隔著第4絕緣膜形成虛擬柵極電極，在所述虛擬柵極電極的旁邊的所述半導(dǎo)體基板的主面形成第2源極/漏極區(qū)域，
在所述(c)工序中，形成所述第1硅化物層和所述第2硅化物層以及與所述第2源極/漏極區(qū)域的上表面相接的第7硅化物層，
在所述(e)工序中，通過研磨所述第1層間絕緣膜和所述第2硅化物層，使所述第1柵極電極、所述第2柵極電極和所述虛擬柵極電極各自的上表面露出，
所述半導(dǎo)體裝置的制造方法還具有：(e1)在所述(e)工序之后且在所述(f)工序之前，通過去除所述虛擬柵極電極形成第2槽之后，在所述第2槽內(nèi)埋入金屬柵極電極的工序，
所述第2源極/漏極區(qū)域和所述金屬柵極電極構(gòu)成場效應(yīng)晶體管。
6.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，該半導(dǎo)體裝置具備非易失性存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器單元，所述半導(dǎo)體裝置的制造方法具有：
(a)準(zhǔn)備半導(dǎo)體基板的工序；
(b)設(shè)置隔著第1絕緣膜形成于所述半導(dǎo)體基板上的第1柵極電極、隔著在內(nèi)部具有電荷累積部的第2絕緣膜形成于所述半導(dǎo)體基板上的第2柵極電極以及介于所述第1柵極電極與所述第2柵極電極之間的第3絕緣膜，以夾著所述第1柵極電極和所述第2柵極電極的方式，在所述半導(dǎo)體基板的主面形成第1源極/漏極區(qū)域的工序；
(c)形成與所述第1源極/漏極區(qū)域的上表面相接的第1硅化物層的工序；
(d)在所述(c)工序后，在所述半導(dǎo)體基板上形成第1層間絕緣膜的工序；
(e)通過研磨所述第1層間絕緣膜，使所述第1柵極電極和所述第2柵極電極各自的上表面從所述第1層間絕緣膜露出的工序；
(f)在所述(e)工序后，在所述第1柵極電極和所述第2柵極電極各自的上方形成第1金屬膜之后，利用熱處理進(jìn)行硅化物化，從而形成與所述第1柵極電極的上表面相接的第2硅化物層以及與所述第2柵極電極的上表面相接的第3硅化物層的工序；以及
(g)在所述(f)工序后，在所述第1柵極電極和所述第2柵極電極各自的上方形成第2金屬膜之后，利用熱處理進(jìn)行硅化物化，從而形成與所述第1柵極電極的上表面相接的第4硅化物層以及與所述第2柵極電極的上表面相接的第5硅化物層的工序，
所述第1源極/漏極區(qū)域、所述第1柵極電極、所述第2柵極電極和所述第2絕緣膜構(gòu)成所述存儲(chǔ)器單元，
所述第2硅化物層和所述第3硅化物層的膜厚小于所述第4硅化物層和第5硅化物層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，還具有：
(e1)在所述(e)工序后且在所述(f)工序前，使所述第1柵極電極和所述第2柵極電極各自的上表面向所述半導(dǎo)體基板的主面?zhèn)群笸说墓ば颉?/p>
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
在所述(f)工序中，在通過進(jìn)行第1濺射形成所述第1金屬膜之后，形成所述第2硅化物層和所述第3硅化物層，
在所述(g)工序中，在通過進(jìn)行第2濺射形成所述第2金屬膜之后，形成所述第4硅化物層和所述第5硅化物層，
在所述第1濺射中對作為濺射對象的第1靶施加的第1電源的大小小于在所述第2濺射中對作為濺射對象的第2靶施加的第2電源的大小。
9.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，該半導(dǎo)體裝置具備非易失性存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器單元，所述半導(dǎo)體裝置的制造方法還具有：
(a)準(zhǔn)備半導(dǎo)體基板的工序；
(b)設(shè)置隔著第1絕緣膜形成于所述半導(dǎo)體基板上的第1柵極電極、隔著在內(nèi)部具有電荷累積部的第2絕緣膜形成于所述半導(dǎo)體基板上的第2柵極電極以及介于所述第1柵極電極與所述第2柵極電極之間的第3絕緣膜，以夾著所述第1柵極電極和所述第2柵極電極的方式，在所述半導(dǎo)體基板的主面形成第1源極/漏極區(qū)域的工序；
(c)形成與所述第1源極/漏極區(qū)域的上表面相接的第1硅化物層的工序；
(d)在所述(c)工序后，在所述半導(dǎo)體基板上形成第1層間絕緣膜的工序；
(e)通過研磨所述第1層間絕緣膜，使所述第1柵極電極和所述第2柵極電極各自的上表面從所述第1層間絕緣膜露出的工序；
(f)在所述(e)工序后，通過進(jìn)行第1濺射在所述第1柵極電極和所述第2柵極電極各自的上方形成第1金屬膜之后，利用熱處理進(jìn)行硅化物化，從而形成與所述第1柵極電極的上表面相接的第2硅化物層以及與所述第2柵極電極的上表面相接的第3硅化物層的工序；
(g)在所述(f)工序后，在所述第1層間絕緣膜上形成第2層間絕緣膜之后，形成貫通所述第1層間絕緣膜和所述第2層間絕緣膜的接觸插銷的工序；
(h)在所述第2層間絕緣膜上，形成具有多個(gè)槽的第3層間絕緣膜的工序；
(i)通過進(jìn)行第2濺射，在所述第3層間絕緣膜上形成第3金屬膜的工序；以及
(j)在所述第3金屬膜上進(jìn)一步形成第4金屬膜之后，去除所述第3層間絕緣膜上的所述第3金屬膜和所述第4金屬膜，從而形成包括被埋入到所述多個(gè)槽各自的內(nèi)側(cè)的所述第3金屬膜和所述第4金屬膜的布線的工序，
在所述第1濺射中對作為濺射對象的第1靶施加的第1電源的大小小于在所述第2濺射中對作為濺射對象的第2靶施加的第2電源的大小。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，還具有：
(e1)在所述(e)工序后且在所述(f)工序前，使所述第1柵極電極和所述第2柵極電極各自的上表面向所述半導(dǎo)體基板的主面?zhèn)群笸说墓ば颉?/p>
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
在所述(f)工序中，在所述第1靶與所述半導(dǎo)體基板之間，配置具有多個(gè)向與所述半導(dǎo)體基板的主面垂直的方向延伸的貫通孔的多孔板而進(jìn)行所述第1濺射，從而在形成第1金屬膜之后，形成所述第2硅化物層和所述第3硅化物層。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
所述第1濺射中的所述第1靶與所述半導(dǎo)體基板之間的距離大于所述第2濺射中的所述第2靶與所述半導(dǎo)體基板之間的距離。