技術(shù)編號：12129271
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置的制造方法，例如能夠利用于具有硅化物層的半導(dǎo)體裝置的制造的方法。背景技術(shù)作為形成于能夠微型化的下一代的微型機的邏輯部的晶體管，已知包括金屬柵極電極和高介電常數(shù)膜(high-k膜)的晶體管。在這樣的晶體管的形成方法中，已知在基板上形成虛擬柵極電極之后將該虛擬柵極電極置換為金屬柵極電極的所謂的后柵極(gatelast)工藝。另外，作為能夠電寫入、消除的非易失性半導(dǎo)體存儲裝置，廣泛使用在MISFET的柵極電極下具有被氧化膜包圍的導(dǎo)電性的浮柵電極或者陷阱性絕緣膜的存儲器單元。作為使用...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。