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單晶圓濕式處理裝置的制作方法

文檔序號:11692087閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供的單晶圓濕式處理裝置,用于防止晶圓邊緣的底面遭受化學液或腐蝕性氣體的腐蝕,其包括旋轉(zhuǎn)夾頭、背洗座及環(huán)形氣體噴嘴。所述背洗座包括環(huán)形平面,所述環(huán)形平面與所述晶圓之底面具有預定間距。所述環(huán)形氣體噴嘴開設于所述背洗座的所述環(huán)形平面上,并與所述晶圓邊緣距離預定距離,且噴出氣體的方向與所述環(huán)形平面夾預定夾角,用以在所述環(huán)形平面與所述晶圓的所述底面之間形成氣墻。所述預定間距介于2mm至5mm,所述預定距離介于10mm至15mm,所述預定夾角介于30度至45度,可得最佳的晶圓底面保護效果。

技術(shù)研發(fā)人員:吳宗恩;羅翔隆;徐子正
受保護的技術(shù)使用者:弘塑科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日:2016.01.14
技術(shù)公布日:2017.07.21
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