本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體涉及一種晶圓缺陷的檢測(cè)方法。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓在化學(xué)機(jī)械研磨后，需要對(duì)晶圓上的缺陷數(shù)量進(jìn)行掃描判定，以達(dá)到檢驗(yàn)工藝是否符合要求的目的。

在實(shí)際生產(chǎn)中，化學(xué)機(jī)械研磨機(jī)臺(tái)的研磨頭可以通過(guò)對(duì)晶圓的不同區(qū)域控制不同壓力來(lái)優(yōu)化晶圓的平整度。在對(duì)晶圓進(jìn)行研磨的過(guò)程中，研磨頭向下壓晶圓與研磨臺(tái)發(fā)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)，由于研磨頭對(duì)晶圓不同區(qū)域的壓力不同，容易造成晶圓一些區(qū)域的研磨厚度差異大，晶圓另一些區(qū)域的研磨厚度差異小。進(jìn)而檢測(cè)設(shè)備對(duì)晶圓進(jìn)行掃描檢測(cè)時(shí)，厚度差異大的區(qū)域的色差缺陷數(shù)目往往要多于厚度差異小的區(qū)域的色差缺陷數(shù)目。圖1為相關(guān)檢測(cè)設(shè)備掃描到的晶圓表面缺陷的分布示意圖，如圖1所示，對(duì)晶圓表面進(jìn)行掃描后，將該晶圓表面所呈現(xiàn)的圖像劃分為了四個(gè)檢測(cè)區(qū)域，分別是檢測(cè)區(qū)域201、檢測(cè)區(qū)域202、檢測(cè)區(qū)域203以及檢測(cè)區(qū)域204。顯然，檢測(cè)區(qū)域201、檢測(cè)區(qū)域202以及檢測(cè)區(qū)域203內(nèi)的缺陷數(shù)目均少于位于晶圓邊緣的檢測(cè)區(qū)域204內(nèi)的缺陷數(shù)目，圖1中的黑點(diǎn)即為缺陷的示意圖。

目前在進(jìn)行缺陷檢測(cè)時(shí)，通常的做法是將色差缺陷嚴(yán)重的檢測(cè)區(qū)域204上用于表征缺陷的閾值作為查找整個(gè)晶圓上缺陷的基準(zhǔn)閾值。這樣雖然可以最大限度的降低色差缺陷，但是在很大程度上也過(guò)濾掉了晶圓上的其他缺陷，尤其是多晶硅殘留缺陷，因此，缺陷檢測(cè)的準(zhǔn)確度低。而且，由于某些區(qū)域色差太嚴(yán)重，容易導(dǎo)致缺陷數(shù)目達(dá)到檢測(cè)設(shè)備的掃描上限而掃描終止，從而對(duì)檢測(cè)設(shè)備的硬件配置要求高，不利于缺陷檢測(cè)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種晶圓缺陷的檢測(cè)方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中在很大程度上過(guò)濾掉了除色差缺陷以外的其他缺陷，以及某些檢測(cè)區(qū)域由于缺陷數(shù)目過(guò)多，導(dǎo)致檢測(cè)設(shè)備掃描終止的問(wèn)題。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的以及其它目的，本發(fā)明提供了一種晶圓缺陷的檢測(cè)方法，包括：

獲取晶圓表面的圖像，并根據(jù)晶圓表面所受壓力的分布狀況，將所述晶圓表面的圖像劃分為多個(gè)檢測(cè)區(qū)域；

在每個(gè)所述檢測(cè)區(qū)域內(nèi)選取多個(gè)第一測(cè)定區(qū)域，并將每個(gè)所述檢測(cè)區(qū)域內(nèi)的第一測(cè)定區(qū)域進(jìn)行差異化比對(duì)，根據(jù)差異化比對(duì)的結(jié)果獲得每個(gè)所述檢測(cè)區(qū)域用于表征缺陷的閾值；

將每個(gè)所述檢測(cè)區(qū)域劃分為多個(gè)第二測(cè)定區(qū)域，并將每個(gè)所述檢測(cè)區(qū)域內(nèi)的第二測(cè)定區(qū)域進(jìn)行差異化比對(duì)后，將差異化比對(duì)的結(jié)果與對(duì)應(yīng)的檢測(cè)區(qū)域的閾值進(jìn)行比較，若比較的結(jié)果滿(mǎn)足預(yù)設(shè)條件，即獲得對(duì)應(yīng)的檢測(cè)區(qū)域上所存在的缺陷。

可選的，在每個(gè)所述檢測(cè)區(qū)域內(nèi)選取多個(gè)參考區(qū)域，每個(gè)所述參考區(qū)域由多個(gè)第一測(cè)定區(qū)域組成，且所述多個(gè)參考區(qū)域的中心關(guān)于晶圓表面的圖像之中心對(duì)稱(chēng)分布。

可選的，每個(gè)所述檢測(cè)區(qū)域內(nèi)的第一測(cè)定區(qū)域的差異化比對(duì)結(jié)果符合閾值與缺陷數(shù)量的函數(shù)關(guān)系，通過(guò)查詢(xún)閾值與缺陷數(shù)量的函數(shù)關(guān)系得到每個(gè)所述檢測(cè)區(qū)域的閾值。

可選的，所述參考區(qū)域?yàn)榘藗€(gè)。

可選的，所述閾值為灰度值，所述將每個(gè)所述檢測(cè)區(qū)域內(nèi)的第一測(cè)定區(qū)域進(jìn)行差異化比對(duì)的過(guò)程包括：

步驟一：以一個(gè)第一測(cè)定區(qū)域的中心為第一坐標(biāo)原點(diǎn)，建立第一平面坐標(biāo)系；

步驟二：取與所述一個(gè)第一測(cè)定區(qū)域的中心在同一條直線上且相鄰的另一個(gè)第一測(cè)定區(qū)域的中心為第二坐標(biāo)原點(diǎn)，建立與所述第一平面坐標(biāo)系方向一致的第二平面坐標(biāo)系；

步驟三：取與所述一個(gè)第一測(cè)定區(qū)域的中心在同一條直線上且相鄰的又一個(gè)第一測(cè)定區(qū)域的中心為第三坐標(biāo)原點(diǎn)，建立與所述第一平面坐標(biāo)系方向一致的第三平面坐標(biāo)系，所述一個(gè)第一測(cè)定區(qū)域、所述另一個(gè)第一測(cè)定區(qū)域以及所述又一個(gè)第一測(cè)定區(qū)域的中心連線在同一條直線上；

步驟四：在所述一個(gè)第一測(cè)定區(qū)域內(nèi)取第一像素點(diǎn)，在所述另一個(gè)第一測(cè)定區(qū)域內(nèi)取第二像素點(diǎn)，在所述又一個(gè)第一測(cè)定區(qū)域內(nèi)取第三像素點(diǎn)，且所述第一像素點(diǎn)、所述第二像素點(diǎn)以及所述第三像素點(diǎn)在相應(yīng)坐標(biāo)系內(nèi)的坐標(biāo)相同；

步驟五：將所述第一像素點(diǎn)的灰度值分別與所述第二像素點(diǎn)的灰度值以及所述第三像素點(diǎn)的灰度值相減，以得到兩個(gè)差值；

其中，每個(gè)所述檢測(cè)區(qū)域內(nèi)的第一測(cè)定區(qū)域?yàn)槿齻€(gè)以上，針對(duì)任意三個(gè)相鄰且中心在同一條直線上的第一測(cè)定區(qū)域執(zhí)行步驟一至步驟五，以得到兩個(gè)以上差值；以根據(jù)多個(gè)差值獲得對(duì)應(yīng)檢測(cè)區(qū)域的闕值。

可選的，根據(jù)多個(gè)差值獲得對(duì)應(yīng)檢測(cè)區(qū)域的閾值的過(guò)程包括：

取所述多個(gè)差值的絕對(duì)值，所述多個(gè)差值的絕對(duì)值所確定的缺陷數(shù)量符合閾值與缺陷數(shù)量的函數(shù)關(guān)系，以根據(jù)所述閾值與缺陷數(shù)量的函數(shù)關(guān)系，得到所述對(duì)應(yīng)檢測(cè)區(qū)域的閾值。

可選的，所述閾值為灰度值，所述將每個(gè)所述檢測(cè)區(qū)域中的第二測(cè)定區(qū)域進(jìn)行差異化比對(duì)的過(guò)程包括：

步驟一：以一個(gè)第二測(cè)定區(qū)域的中心為第一坐標(biāo)原點(diǎn)，建立第一平面坐標(biāo)系；

步驟二：取與所述一個(gè)第二測(cè)定區(qū)域的中心在同一條直線上且相鄰的另一個(gè)第二測(cè)定區(qū)域的中心為第二坐標(biāo)原點(diǎn)，建立與所述第一平面坐標(biāo)系方向一致的第二平面坐標(biāo)系；

步驟三：取與所述一個(gè)第二測(cè)定區(qū)域的中心在同一條直線上且相鄰的又一個(gè)第二測(cè)定區(qū)域的中心為第三坐標(biāo)原點(diǎn)，建立與所述第一平面坐標(biāo)系方向一致的第三平面坐標(biāo)系，所述一個(gè)第二測(cè)定區(qū)域、所述另一個(gè)第二測(cè)定區(qū)域以及所述又一個(gè)第二測(cè)定區(qū)域的中心連線在同一條直線上；

步驟四：在所述一個(gè)第二測(cè)定區(qū)域內(nèi)取第一像素點(diǎn)，在所述另一個(gè)第二測(cè)定區(qū)域內(nèi)取第二像素點(diǎn)，在所述又一個(gè)第二測(cè)定區(qū)域內(nèi)取第三像素點(diǎn)，且所述第一像素點(diǎn)、所述第二像素點(diǎn)以及所述第三像素點(diǎn)在相應(yīng)坐標(biāo)系內(nèi)的坐標(biāo)相同；

步驟五：將所述第一像素點(diǎn)的灰度值分別與所述第二像素點(diǎn)的灰度值以及所述第三像素點(diǎn)的灰度值相減，以得到兩個(gè)差值；

其中，每個(gè)所述檢測(cè)區(qū)域內(nèi)的第二測(cè)定區(qū)域?yàn)槿齻€(gè)以上，針對(duì)任意三個(gè)中心在同一條直線上且相鄰的第二測(cè)定區(qū)域執(zhí)行步驟一至步驟五，以得到兩個(gè)以上差值；

之后，將每次差異化比對(duì)得到的兩個(gè)差值的絕對(duì)值與對(duì)應(yīng)掃描區(qū)域的閾值進(jìn)行比較，若比較結(jié)果滿(mǎn)足所述預(yù)設(shè)條件，即判定對(duì)應(yīng)的第一像素點(diǎn)為缺陷。

可選的，所述預(yù)設(shè)條件為：

每次差異化比對(duì)得到的兩個(gè)差值各自的絕對(duì)值均大于所述對(duì)應(yīng)掃描區(qū)域的閾值。

可選的，得到多個(gè)為缺陷的第一像素點(diǎn)后，將相鄰第一像素點(diǎn)進(jìn)行合并，以得到同一個(gè)缺陷區(qū)域。

可選的，所述多個(gè)檢測(cè)區(qū)域至少包括：

位于晶圓表面圖像中心的圓形區(qū)域；以及

位于所述圓形區(qū)域外圍的多個(gè)與所述圓形區(qū)域同心的環(huán)形區(qū)域。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的晶圓缺陷的檢測(cè)方法，通過(guò)為晶圓表面的不同檢測(cè)區(qū)域設(shè)定不同的閾值，從而得到與對(duì)應(yīng)檢測(cè)區(qū)域相呼應(yīng)的缺陷數(shù)目，這樣的做法使得晶圓表面上不同的缺陷，尤其是色差缺陷以及多晶硅殘留缺陷均能夠被捕獲到，提升了缺陷檢測(cè)的準(zhǔn)確度，通過(guò)調(diào)整生產(chǎn)工藝，也提升了產(chǎn)品良率。同時(shí)，本發(fā)明的檢測(cè)方法通過(guò)給不同檢測(cè)區(qū)域設(shè)定合理的閾值，使得每個(gè)檢測(cè)區(qū)域內(nèi)的缺陷數(shù)目不至于過(guò)多，降低了對(duì)相關(guān)檢測(cè)設(shè)備的硬件配置要求，相關(guān)檢測(cè)設(shè)備不會(huì)因缺陷數(shù)目過(guò)多，到達(dá)掃描上限而導(dǎo)致掃描終止，因此，該檢測(cè)方法在硬件上易于實(shí)現(xiàn)。

附圖說(shuō)明

圖1為相關(guān)檢測(cè)設(shè)備掃描到的晶圓表面缺陷的分布示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的晶圓缺陷的檢測(cè)方法的流程圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的晶圓表面的圖像上檢測(cè)區(qū)域的分布示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的在晶圓表面的圖像上選取參考區(qū)域的示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的測(cè)定區(qū)域進(jìn)行差異化比對(duì)的示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的將多個(gè)為缺陷的像素點(diǎn)合并為一個(gè)缺陷區(qū)域的示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的閾值與缺陷數(shù)量的函數(shù)關(guān)系圖

附圖標(biāo)記說(shuō)明如下：

201/202/203/204-檢測(cè)區(qū)域；

301/302/303/304-研磨壓力所在區(qū)域；

2041/2042/2043/2044/2045/2046/2047/2048-參考區(qū)域；

501/502/503-第一測(cè)定區(qū)域/第二測(cè)定區(qū)域；

601/602/603/604-像素點(diǎn)。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合示意圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式進(jìn)行更詳細(xì)的描述。根據(jù)下列描述和權(quán)利要求書(shū)，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的晶圓缺陷的檢測(cè)方法的流程圖，如圖2所示，該晶圓缺陷的檢測(cè)方法包括步驟s101、步驟s102和步驟s103。

其中，步驟s101：獲取晶圓表面的圖像，并根據(jù)晶圓表面所受壓力的分布狀況，將所述晶圓表面的圖像劃分為多個(gè)檢測(cè)區(qū)域。

具體的，由于polycmp(多晶硅浮柵化學(xué)機(jī)械研磨)過(guò)程中，研磨頭由中心一個(gè)圓形區(qū)域，外圍多個(gè)與圓形區(qū)域同心的環(huán)形區(qū)域組成。在對(duì)晶圓進(jìn)行研磨時(shí)，研磨頭可根據(jù)自身構(gòu)成，對(duì)晶圓的不同區(qū)域控制不同的壓力，來(lái)對(duì)晶圓進(jìn)行研磨。由于晶圓不同區(qū)域受到的壓力不同，這樣的研磨方式往往造成晶圓不同區(qū)域的平整度不同。通常地，檢測(cè)設(shè)備對(duì)晶圓表面進(jìn)行掃描得到晶圓表面的圖像后，該檢測(cè)設(shè)備再根據(jù)晶圓表面區(qū)域的壓力分布情況，為所述晶圓表面的圖像劃分出不同的檢測(cè)區(qū)域。

例如，如圖3所示，本實(shí)施例的晶圓表面的圖像被劃分為如下的檢測(cè)區(qū)域：位于中心處的一圓形壓力分布區(qū)域，即為檢測(cè)區(qū)域201，同時(shí)也是研磨壓力301所在區(qū)域；緊挨著檢測(cè)區(qū)域201的區(qū)域，為一環(huán)形的檢測(cè)區(qū)域202，同時(shí)也是研磨壓力302所在區(qū)域；緊挨著檢測(cè)區(qū)域202的區(qū)域，為另一環(huán)形的檢測(cè)區(qū)域203，同時(shí)也是研磨壓力303所在區(qū)域；接著，緊挨著檢測(cè)區(qū)域203的區(qū)域，為又一環(huán)形的檢測(cè)區(qū)域204，同時(shí)也是研磨壓力304所在區(qū)域。

步驟s102：在每個(gè)所述檢測(cè)區(qū)域內(nèi)選取多個(gè)第一測(cè)定區(qū)域，并將每個(gè)所述檢測(cè)區(qū)域內(nèi)的第一測(cè)定區(qū)域進(jìn)行差異化比對(duì)，根據(jù)差異化比對(duì)的結(jié)果獲得每個(gè)所述檢測(cè)區(qū)域的閾值。

具體的，所述閾值用于表征缺陷，比如利用圖像的灰度值表征缺陷，及所述閾值為灰度值。所述第一測(cè)定區(qū)域?yàn)閷?duì)應(yīng)的檢測(cè)區(qū)域中，檢測(cè)設(shè)備對(duì)晶圓進(jìn)行掃描獲得晶圓表面的圖像后，在晶圓表面的圖像上劃定的最小的圖像區(qū)域，比如包括若干像素點(diǎn)的方形或矩形區(qū)域，所述最小的圖像區(qū)域的大小根據(jù)檢測(cè)設(shè)備的精度確定。更具體來(lái)說(shuō)，在對(duì)晶圓缺陷進(jìn)行區(qū)域化檢測(cè)的過(guò)程中，通過(guò)為每個(gè)檢測(cè)區(qū)域設(shè)定一個(gè)目標(biāo)值來(lái)查找缺陷，該目標(biāo)值即為步驟102中的閾值。

檢測(cè)設(shè)備在每個(gè)檢測(cè)區(qū)域內(nèi)通過(guò)合理地選取多個(gè)參考區(qū)域，再將每個(gè)參考區(qū)域劃分為由多個(gè)第一測(cè)定區(qū)域組成的區(qū)域，之后，另將這些第一測(cè)定區(qū)域進(jìn)行差異化比對(duì)，根據(jù)比對(duì)結(jié)果，為每個(gè)檢測(cè)區(qū)域確定一個(gè)合理的閾值。優(yōu)選的，每個(gè)檢測(cè)區(qū)域內(nèi)的多個(gè)參考區(qū)域的中心關(guān)于晶圓表面的圖像中心對(duì)稱(chēng)分布。更優(yōu)選的，每個(gè)檢測(cè)區(qū)域內(nèi)的參考區(qū)域的數(shù)量為八個(gè)。

本實(shí)施例中，檢測(cè)設(shè)備將中心在同一條直線上且相鄰的任意三個(gè)第一測(cè)定區(qū)域進(jìn)行差異化比對(duì)。應(yīng)當(dāng)理解的是，每個(gè)第一測(cè)定區(qū)域由若干像素點(diǎn)組成，通過(guò)在對(duì)應(yīng)的第一測(cè)定區(qū)域選取一個(gè)像素點(diǎn)以及在其它兩個(gè)與其相鄰的第一測(cè)定區(qū)域中各自選取一個(gè)像素點(diǎn)進(jìn)行差異化比對(duì)(即三個(gè)像素點(diǎn))，得到差異化比對(duì)后的結(jié)果，該結(jié)果可以是灰度值差值的絕對(duì)值。

步驟s103：將每個(gè)所述檢測(cè)區(qū)域劃分為多個(gè)第二測(cè)定區(qū)域，并將每個(gè)所述檢測(cè)區(qū)域內(nèi)的第二測(cè)定區(qū)域進(jìn)行差異化比對(duì)，并將差異化比對(duì)后的結(jié)果與對(duì)應(yīng)的檢測(cè)區(qū)域的閾值進(jìn)行比較，若比較的結(jié)果滿(mǎn)足預(yù)設(shè)條件，即可獲得對(duì)應(yīng)的檢測(cè)區(qū)域上所存在的缺陷。

具體的，所述第二測(cè)定區(qū)域?yàn)閷?duì)應(yīng)檢測(cè)區(qū)域中，檢測(cè)設(shè)備對(duì)晶圓進(jìn)行掃描獲得晶圓表面的圖像后，在晶圓表面的圖像上劃定的最小的圖像區(qū)域，即第二測(cè)定區(qū)域包括若干像素點(diǎn)，其可以是方形的區(qū)域也可以是矩形的區(qū)域。也就是說(shuō)，所述最小的圖像區(qū)域的大小根據(jù)檢測(cè)設(shè)備的精度確定，在獲得晶圓表面的圖像后，檢測(cè)設(shè)備將圖像中的每個(gè)檢測(cè)區(qū)域劃分為由多個(gè)第二測(cè)定區(qū)域所組成的區(qū)域，且這些第二測(cè)定區(qū)域陣列設(shè)置。

進(jìn)一步的，檢測(cè)設(shè)備將中心在同一條直線上且相鄰的任意三個(gè)第二測(cè)定區(qū)域進(jìn)行差異化比對(duì)，若每次差異化比對(duì)得到的結(jié)果均大于相應(yīng)檢測(cè)區(qū)域設(shè)定的閾值時(shí)，則檢測(cè)設(shè)備便將該第二測(cè)定區(qū)域?qū)?yīng)的像素點(diǎn)確定為缺陷。應(yīng)當(dāng)知曉的是，每個(gè)第二測(cè)定區(qū)域由若干像素點(diǎn)組成，通過(guò)在對(duì)應(yīng)的第二測(cè)定區(qū)域選取一個(gè)像素點(diǎn)并與其他兩個(gè)與其相鄰的第二測(cè)定區(qū)域中各自選取的一個(gè)像素點(diǎn)進(jìn)行差異化比對(duì)，得到差異化比對(duì)的結(jié)果，若該結(jié)果均大于閾值時(shí)，則判斷對(duì)應(yīng)的中間一個(gè)像素點(diǎn)為缺陷。與第一測(cè)定區(qū)域的差異化比對(duì)過(guò)程一樣，第二測(cè)定區(qū)域差異化比對(duì)的結(jié)果可以是灰度值差值的絕對(duì)值。

本實(shí)施例中，每個(gè)檢測(cè)區(qū)域內(nèi)的第一測(cè)定區(qū)域的差異化比對(duì)結(jié)果符合閾值與缺陷數(shù)量的函數(shù)關(guān)系，通過(guò)查詢(xún)所述閾值與缺陷數(shù)量的函數(shù)關(guān)系得到每個(gè)檢測(cè)區(qū)域的閾值。例如，參見(jiàn)圖7，圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的閾值與缺陷數(shù)量的函數(shù)關(guān)系圖，圖7由實(shí)驗(yàn)得出。如圖7所示，ox軸為閾值，oy軸為缺陷數(shù)量，曲線701為閾值與多晶硅殘留缺陷數(shù)量的函數(shù)關(guān)系曲線；曲線702為閾值與色差缺陷數(shù)量的函數(shù)關(guān)系曲線，其中，a點(diǎn)為曲線702上的拐點(diǎn)，閾值選取點(diǎn)即為a點(diǎn)在x軸上所對(duì)應(yīng)的點(diǎn)。

本實(shí)施例提供的晶圓缺陷的檢測(cè)方法，根據(jù)化學(xué)機(jī)械研磨頭對(duì)晶圓不同區(qū)域的壓力分布情況，對(duì)晶圓劃分出不同的檢測(cè)區(qū)域，針對(duì)每個(gè)檢測(cè)區(qū)域設(shè)定相應(yīng)的閾值，使每個(gè)檢測(cè)區(qū)域的不同缺陷均能夠被捕獲到，避免了在傳統(tǒng)方法中，以晶圓邊緣的用于表征缺陷的閾值為整個(gè)檢測(cè)區(qū)域的閾值，從而造成晶圓某些區(qū)域的多晶硅殘留缺陷不能被更多捕獲到的問(wèn)題。同時(shí)，通過(guò)給不同檢測(cè)區(qū)域設(shè)定合理的閾值，使得每個(gè)檢測(cè)區(qū)域的缺陷數(shù)目不至于過(guò)多，降低了對(duì)檢測(cè)設(shè)備硬件配置的要求，因此，該檢測(cè)方法在硬件上易于實(shí)現(xiàn)。

在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在每個(gè)檢測(cè)區(qū)域中，多個(gè)參考區(qū)域優(yōu)選沿圓周方向均勻分布，并分別在每個(gè)參考區(qū)域中選取十個(gè)所述第一測(cè)定區(qū)域。將每個(gè)檢測(cè)區(qū)域內(nèi)的多個(gè)參考區(qū)域沿周向均勻分布，有助于獲得的閾值能夠更接近對(duì)應(yīng)檢測(cè)區(qū)域的真實(shí)情況，提升缺陷檢測(cè)的準(zhǔn)確度。

在其它實(shí)施例中，也可以在每個(gè)檢測(cè)區(qū)域內(nèi)選取一個(gè)參考區(qū)域，但該一個(gè)參考區(qū)域由多個(gè)第一測(cè)定區(qū)域組成。

如圖4所示，在檢測(cè)區(qū)域201、檢測(cè)區(qū)域202、檢測(cè)區(qū)域203以及檢測(cè)區(qū)域204中分別選取了八個(gè)參考區(qū)域。以檢測(cè)區(qū)域204為例，分別選取八個(gè)參考區(qū)域，分別為參考區(qū)域2041、參考區(qū)域2042、參考區(qū)域2043、參考區(qū)域2044、參考區(qū)域2045、參考區(qū)域2046、參考區(qū)域2047以及參考區(qū)域2048，且參考區(qū)域2041、參考區(qū)域2042、參考區(qū)域2043、參考區(qū)域2044、參考區(qū)域2045、參考區(qū)域2046、參考區(qū)域2047以及參考區(qū)域2048中均由十個(gè)第一測(cè)定區(qū)域組成。

進(jìn)而，在步驟s102中，將每個(gè)檢測(cè)區(qū)域內(nèi)的第一測(cè)定區(qū)域進(jìn)行差異化比對(duì)的過(guò)程具體包括：

步驟一：以一個(gè)第一測(cè)定區(qū)域的中心為第一坐標(biāo)原點(diǎn)，建立第一平面坐標(biāo)系；比如直角平面坐標(biāo)系，其具有橫軸和與橫軸垂直的縱軸；

步驟二：取與所述一個(gè)第一測(cè)定區(qū)域的中心在同一條直線上且相鄰的另一個(gè)第一測(cè)定區(qū)域的中心為第二坐標(biāo)原點(diǎn)，建立與所述第一平面坐標(biāo)系方向一致的第二平面坐標(biāo)系；

步驟三：取與所述一個(gè)第一測(cè)定區(qū)域的中心在同一條直線上且相鄰的又一個(gè)第一測(cè)定區(qū)域的中心為第三坐標(biāo)原點(diǎn)，建立與所述第一平面坐標(biāo)系方向一致的第三平面坐標(biāo)系，所述一個(gè)第一測(cè)定區(qū)域、所述另一個(gè)第一測(cè)定區(qū)域以及所述又一個(gè)第一測(cè)定區(qū)域的中心連線在同一條直線上，且所述另一個(gè)第一測(cè)定區(qū)域和所述又一個(gè)第一測(cè)定區(qū)域位于所述一個(gè)第一測(cè)定區(qū)域的兩側(cè)；

步驟四：在所述一個(gè)第一測(cè)定區(qū)域內(nèi)取第一像素點(diǎn)，在所述另一個(gè)第一測(cè)定區(qū)域內(nèi)取第二像素點(diǎn)，在所述又一個(gè)第一測(cè)定區(qū)域內(nèi)取第三像素點(diǎn)，且所述第一像素點(diǎn)、所述第二像素點(diǎn)以及所述第三像素點(diǎn)在相應(yīng)坐標(biāo)系內(nèi)的坐標(biāo)相同；

步驟五：將所述第一像素點(diǎn)的灰度值分別與所述第二像素點(diǎn)的灰度值以及所述第三像素點(diǎn)的灰度值相減，以得到兩個(gè)差值。

進(jìn)一步的，每個(gè)所述檢測(cè)區(qū)域內(nèi)的第一測(cè)定區(qū)域?yàn)槿齻€(gè)以上時(shí)，針對(duì)任意三個(gè)相鄰且中心在同一條直線上的第一測(cè)定區(qū)域執(zhí)行步驟一至步驟五，以得到兩個(gè)以上差值。

更進(jìn)一步的，所述第一坐標(biāo)原點(diǎn)、所述第二坐標(biāo)原點(diǎn)以及所述第三坐標(biāo)原點(diǎn)可以在相應(yīng)第一測(cè)定區(qū)域的中心，也可以在相應(yīng)第一測(cè)定區(qū)域的邊沿處某點(diǎn)上。此外，上述步驟一至步驟三不存在執(zhí)行的先后順序之區(qū)分。

例如，如圖5所示，取參考區(qū)域2041中的三個(gè)第一測(cè)定區(qū)域501、502、503，其中，第一測(cè)定區(qū)域501具有的四個(gè)頂點(diǎn)，分別為a、b、e以及f；第一測(cè)定區(qū)域502另具有四個(gè)頂點(diǎn)，分別為b、c、g以及f；第一測(cè)定區(qū)域503具有四個(gè)頂點(diǎn)，分別為c、d、g以及h。以a點(diǎn)為第一測(cè)定區(qū)域501的原點(diǎn)、以ab為x軸、以ae為y軸建立第一測(cè)定區(qū)域501的第二平面坐標(biāo)系；同理，以b點(diǎn)為第一測(cè)定區(qū)域502的原點(diǎn)、以bc為x軸、以bf為y軸建立第一測(cè)定區(qū)域502的第一平面坐標(biāo)系；同理，以c點(diǎn)為第一測(cè)定區(qū)域503的原點(diǎn)、以cd為x軸、以cg為y軸建立第一測(cè)定區(qū)域503的第三平面坐標(biāo)系。取在三個(gè)平面坐標(biāo)系中坐標(biāo)相同的三個(gè)像素點(diǎn)a1、b1以及c1。并將b1點(diǎn)的灰度值與a1點(diǎn)的灰度值相減，得到一個(gè)差值；這樣可以判斷像素點(diǎn)b1是否為缺陷。同理，若要判斷像素點(diǎn)a1是否為缺陷，可將第一測(cè)定區(qū)域502中的不同像素點(diǎn)都進(jìn)行如上操作，可以得到另外兩個(gè)差值。依次方式，參考區(qū)域2041中的每個(gè)第一測(cè)定區(qū)域都進(jìn)行上述操作，可得到很多個(gè)差值。同理，將參考區(qū)域2041至參考區(qū)域2048中的每個(gè)第一測(cè)定區(qū)域都進(jìn)行上述操作，可得到很多的差值。

在一個(gè)實(shí)施例中，由于這些差值的絕對(duì)值符合閾值與缺陷數(shù)量的函數(shù)關(guān)系，因此，可查詢(xún)閾值與缺陷數(shù)量的函數(shù)關(guān)系圖得到參考區(qū)域2041的閾值，

在步驟s103中，將每個(gè)所述檢測(cè)區(qū)域中的第二測(cè)定區(qū)域進(jìn)行差異化比對(duì)的過(guò)程包括：

步驟一：以一個(gè)第二測(cè)定區(qū)域的中心為第一坐標(biāo)原點(diǎn)，建立第一平面坐標(biāo)系；

步驟二：取與所述一個(gè)第二測(cè)定區(qū)域的中心在同一條直線上且相鄰的另一個(gè)第二測(cè)定區(qū)域的中心為第二坐標(biāo)原點(diǎn)，建立與所述第一平面坐標(biāo)系方向一致的第二平面坐標(biāo)系；

步驟三：取與所述一個(gè)第二測(cè)定區(qū)域的中心在同一條直線上且相鄰的又一個(gè)第二測(cè)定區(qū)域的中心為第三坐標(biāo)原點(diǎn)，建立與所述第一平面坐標(biāo)系方向一致的第三平面坐標(biāo)系，所述一個(gè)第二測(cè)定區(qū)域、所述另一個(gè)第二測(cè)定區(qū)域以及所述又一個(gè)第二測(cè)定區(qū)域的中心連線在同一條直線上，且所述另一個(gè)第二測(cè)定區(qū)域和所述又一個(gè)第二測(cè)定區(qū)域位于所述一個(gè)第二測(cè)定區(qū)域的兩側(cè)；

步驟四：在所述一個(gè)第二測(cè)定區(qū)域內(nèi)取第一像素點(diǎn)，在所述另一個(gè)第二測(cè)定區(qū)域內(nèi)取第二像素點(diǎn)，在所述又一個(gè)第二測(cè)定區(qū)域內(nèi)取第三像素點(diǎn)，且所述第一像素點(diǎn)、所述第二像素點(diǎn)以及所述第三像素點(diǎn)在相應(yīng)坐標(biāo)系內(nèi)的坐標(biāo)相同；

步驟五：將所述第一像素點(diǎn)的灰度值分別與所述第二像素點(diǎn)的灰度值以及所述第三像素點(diǎn)的灰度值相減，以得到兩個(gè)差值。

當(dāng)每個(gè)所述檢測(cè)區(qū)域內(nèi)的第二測(cè)定區(qū)域?yàn)槿齻€(gè)以上時(shí)，針對(duì)任意三個(gè)中心在同一條直線上且相鄰的第二測(cè)定區(qū)域執(zhí)行步驟一至步驟五，以得到兩個(gè)以上差值。同樣地，此處的步驟一至步驟三沒(méi)有執(zhí)行之先后區(qū)分。

此處的差異化比對(duì)具體參見(jiàn)第一測(cè)定區(qū)域的差異化比對(duì)的實(shí)現(xiàn)過(guò)程，在此不再具述。

在得到兩個(gè)以上的差值后，獲得對(duì)應(yīng)的缺陷的過(guò)程為：將每一次差異化比對(duì)得到的兩個(gè)差值取各自的絕對(duì)值，若該兩個(gè)差值的絕對(duì)值均大于相應(yīng)檢測(cè)區(qū)域的閾值，即判斷進(jìn)行差異化比對(duì)的第一像素點(diǎn)為缺陷。該第一像素點(diǎn)即是在每一次差異化比對(duì)過(guò)程中的中間像素點(diǎn)。

例如，如圖5所示，假定其中一個(gè)檢測(cè)區(qū)域的閾值為20。中間像素點(diǎn)b1的灰度值為80，與中間像素點(diǎn)相鄰的位于左邊的像素點(diǎn)a1的灰度值為50，與中間像素點(diǎn)相鄰的位于右邊的像素點(diǎn)c1的灰度值為120。a1像素點(diǎn)的灰度值與b1像素點(diǎn)的灰度值的差值的絕對(duì)值為30，a1像素點(diǎn)的灰度值與c1像素點(diǎn)的灰度值的差值的絕對(duì)值為40，該兩個(gè)差值的絕對(duì)值30、40均大于該檢測(cè)區(qū)域的閾值20，可確定該中間像素點(diǎn)b1為缺陷。

進(jìn)一步的，如圖6所示，像素點(diǎn)601、像素點(diǎn)602、像素點(diǎn)603以及像素點(diǎn)604經(jīng)過(guò)差異化比對(duì)均被判斷為缺陷像素點(diǎn)，且缺陷像素點(diǎn)601、缺陷像素點(diǎn)602、缺陷像素點(diǎn)603以及缺陷像素點(diǎn)604以如圖6所示的方式相鄰，則將缺陷像素點(diǎn)601、缺陷像素點(diǎn)602、缺陷像素點(diǎn)603以及缺陷像素點(diǎn)604合并為同一個(gè)缺陷。這樣可以使缺陷區(qū)域的面積足夠大，便于人眼觀察。

本發(fā)明較佳實(shí)施例如上所述，但不限于上述實(shí)施例所公開(kāi)的范圍，比如在根據(jù)晶圓表面所受壓力分布情況劃分檢測(cè)區(qū)域時(shí)，除了中間為圓心區(qū)域外側(cè)為環(huán)形區(qū)域的形式外，也可以是中間為三角形區(qū)域或方形區(qū)域。另外，檢測(cè)區(qū)域的數(shù)量不限于四個(gè)。此外，第一測(cè)定區(qū)域以及第二測(cè)定區(qū)域的形狀不限于矩形或方形。

綜上所述，本發(fā)明提供的晶圓缺陷的檢測(cè)方法，通過(guò)為晶圓表面的圖像之不同檢測(cè)區(qū)域設(shè)定不同的閾值，從而得到與對(duì)應(yīng)檢測(cè)區(qū)域相呼應(yīng)的缺陷數(shù)目，這樣的做法使得晶圓表面上不同的缺陷，尤其是色差缺陷以及多晶硅殘留缺陷均能夠被捕獲到，提升了缺陷檢測(cè)的準(zhǔn)確度，通過(guò)調(diào)整生產(chǎn)工藝，也提升了產(chǎn)品良率。同時(shí)，本發(fā)明的檢測(cè)方法通過(guò)給不同檢測(cè)區(qū)域設(shè)定合理的閾值，使得每個(gè)檢測(cè)區(qū)域內(nèi)的缺陷數(shù)目不至于過(guò)多，降低了對(duì)相關(guān)檢測(cè)設(shè)備的硬件配置要求，令檢測(cè)設(shè)備不會(huì)因缺陷數(shù)目過(guò)多到達(dá)掃描上限而導(dǎo)致掃描終止，因此，該檢測(cè)方法在硬件上易于實(shí)現(xiàn)。

上述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不對(duì)本發(fā)明起到任何限制作用。任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)方案的范圍內(nèi)，對(duì)本發(fā)明揭露的技術(shù)方案和技術(shù)內(nèi)容做任何形式的等同替換或修改等變動(dòng)，均屬未脫離本發(fā)明的技術(shù)方案的內(nèi)容，仍屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。