本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法和電子裝置。

背景技術(shù)：

在集成電路的封裝互連中，半導(dǎo)體器件(比如，芯片)和封裝基板(比如，引線框架)的連接為電源和信號的分配提供了電路連接。電子封裝常見的連接方法有引線鍵合(wirebonding，wb)、載帶自動焊(tapeautomatedbondingtab)與倒裝芯片(flipchip，fc)。倒裝芯片凸塊結(jié)構(gòu)由于具有較高的半導(dǎo)體器件安裝密度，因而成為一種常用的封裝技術(shù)。如圖1所示，在倒裝芯片凸塊結(jié)構(gòu)中，芯片100上形成有凸塊101，比如銅柱，通過將凸塊與基板102其中一個面上的焊盤連接可實現(xiàn)芯片100和基板102的連接，而基板102其中另一個面上形成有焊球103，通過焊球103可以將封裝后的芯片安裝在印刷電路板(pcb)上，以形成各種電子產(chǎn)品。

當(dāng)芯片封裝完成后，會對其進(jìn)行芯片封裝質(zhì)量測試，以檢驗芯片和封裝材料的結(jié)合性能等。而對不合格品進(jìn)行失效分析發(fā)現(xiàn)芯片鈍化層(比如，聚酰亞胺層)破裂并剝落，第二鈍化層損傷，以及鋁層變形。

因此，為解決上述技術(shù)問題，有必要提出一種新的半導(dǎo)體器件及其制造方法。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體器件及其制造方法和電子裝置，可以防止在芯片封裝質(zhì)量測試中由于形變應(yīng)力導(dǎo)致的芯片損傷的問題。

本發(fā)明的一個實施例提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述方法 包括：提供半導(dǎo)體晶圓，在所述半導(dǎo)體晶圓上形成用于與封裝基板連接的凸塊，并且在所述凸塊中的孤立凸塊的周圍形成包圍所述孤立凸塊的偽凸塊陣列。

進(jìn)一步地，所述偽凸塊陣列的形狀為四邊形、矩形、正方形或菱形。

進(jìn)一步地，相鄰的所述偽凸塊陣列共用該相鄰側(cè)的凸塊。

進(jìn)一步地，所述方法還包括下述步驟：在所述半導(dǎo)體晶圓上形成再布線層和偽再布線層，其中，所述凸塊形成于所述再布線層上，所述偽凸塊形成于所述偽再布線層上。

進(jìn)一步地，所述方法還包括下述步驟：提供封裝基板，在所述封裝基板上形成有與所述凸塊對應(yīng)的焊點；通過所述凸塊和焊點完成所述半導(dǎo)體晶圓和封裝基板的連接。

進(jìn)一步地，所述方法還包括下述步驟：在所述封裝基板上形成與所述偽凸塊對應(yīng)的偽焊點，在連接所述凸塊和焊點的同時，連接所述偽凸塊和偽焊點。

本發(fā)明的另一個實施例提供一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體晶圓，在所述半導(dǎo)體晶圓上形成有用于與封裝基板連接的凸塊，并且在所述凸塊中的孤立凸塊的周圍形成有包圍所述孤立凸塊的偽凸塊陣列。

進(jìn)一步地，所述偽凸塊陣列的形狀為四邊形、矩形、正方形或菱形。

進(jìn)一步地，相鄰的所述偽凸塊陣列共用該相鄰側(cè)的凸塊。

進(jìn)一步地，在所述半導(dǎo)體晶圓上還形成有與所述凸塊對應(yīng)的再布線層，以及與所述偽凸塊對應(yīng)的偽再布線層，并且，所述凸塊形成于所述再布線層上，所述偽凸塊形成于所述偽再布線層上。

進(jìn)一步地，所述半導(dǎo)體器件還包括：封裝基板，在所述封裝基板上形成有與所述凸塊對應(yīng)的焊點，所述凸塊和焊點連接在一起以實現(xiàn)所述半導(dǎo)體晶圓和所述封裝基板的連接。

進(jìn)一步地，在所述封裝基板上還形成有與所述偽凸塊對應(yīng)的偽焊點，所述偽凸塊和偽焊點連接在一起以實現(xiàn)所述半導(dǎo)體晶圓和所述封裝基板的連接。

本發(fā)明的再一個實施例提供一種電子裝置，包括上述半導(dǎo)體器件以及與所述半導(dǎo)體器件相連接的電子組件。

本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制造方法在孤立的凸塊周圍形成多個偽凸塊，以包圍所述孤立的凸塊，這樣由于孤立的凸塊被周圍的偽凸塊包圍，因而孤立凸塊區(qū)域的凸塊密度提高，當(dāng)由外部應(yīng)力時，凸塊密度低的區(qū)域內(nèi)的孤立凸塊所受應(yīng)力被周圍的偽凸塊分擔(dān)，其所受應(yīng)力減小，因而不容易在封裝芯片質(zhì)量測試中出現(xiàn)諸如鈍化層損傷等問題。

附圖說明

本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。

附圖中：

圖1示出現(xiàn)有技術(shù)中倒裝芯片凸塊封裝結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2示出倒裝芯片凸塊封裝結(jié)構(gòu)在芯片封裝質(zhì)量測試中形狀變化示意圖；

圖3示出倒裝芯片凸塊封裝結(jié)構(gòu)在芯片封裝質(zhì)量測試中，凸塊以及芯片受力示意圖；

圖4a和圖4b示出了倒裝芯片凸塊封裝結(jié)構(gòu)在芯片封裝質(zhì)量測試中芯片損傷前后的sem照片；

圖5a示出了倒裝芯片凸塊封裝結(jié)構(gòu)中芯片的凸塊分布示意圖；

圖5b示出了倒裝芯片凸塊封裝結(jié)構(gòu)中芯片的凸塊受力分布示意圖；

圖6a示出了倒裝芯片凸塊封裝結(jié)構(gòu)的掃描聲學(xué)診斷結(jié)果圖；

圖6b示出了圖6a所示的結(jié)果圖的示意圖；

圖6c為圖6b中600c區(qū)域的放大圖；

圖7a為根據(jù)本發(fā)明一實施例的凸塊分布示意；

圖7b為根據(jù)本發(fā)明在圖7a所示凸塊中增加偽凸塊后的示意圖；

圖8a至圖8c示出了本發(fā)明的一個實施例的半導(dǎo)體器件的封裝方法各步驟對應(yīng)的器件剖視圖；

圖9示出了本發(fā)明的一個實施例的半導(dǎo)體器件的封裝方法的一種流程圖。

具體實施方式

在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個或多個這些細(xì)節(jié)而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實施例。相反地，提供這些實施例將使公開徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)的尺寸以及相對尺寸可能被夸大。自始至終相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。

應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在...上”、“與...相鄰”、“連接到”或“耦合到”其它元件或?qū)訒r，其可以直接地在其它元件或?qū)由?、與之相鄰、連接或耦合到其它元件或?qū)?，或者可以存在居間的元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱為“直接在...上”、“與...直接相鄰”、“直接連接到”或“直接耦合到”其它元件或?qū)訒r，則不存在居間的元件或?qū)?。?yīng)當(dāng)明白，盡管可使用術(shù)語第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區(qū)、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅僅用來區(qū)分一個元件、部件、區(qū)、層或部分與另一個元件、部件、區(qū)、層或部分。因此，在不脫離本發(fā)明教導(dǎo)之下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)、層或部分可表示為第二元件、部件、區(qū)、層或部分。

空間關(guān)系術(shù)語例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在這里可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)明白，除了圖中所示的取向以外，空間關(guān)系術(shù)語意圖還包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)，然后，描述為“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征將取向為在其它元件或特征“上”。因此，示例性術(shù)語“在...下面”和“在...下”可包括上和下兩個取向。器件可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)并且在此使用的空間描述語相應(yīng)地被解釋。

在此使用的術(shù)語的目的僅在于描述具體實施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使用時，單數(shù)形式的“一”、“一個”和“所述/該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語“組成”和/或“包括”，當(dāng)在該說明書中使用時，確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項目的任何及所有組合。

為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟以及詳細(xì)的結(jié)構(gòu)，以便闡釋本發(fā)明的技術(shù)方案。本發(fā)明的較佳實施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實施方式。

如前所述，在對采用倒裝芯片凸塊結(jié)構(gòu)進(jìn)行封裝的產(chǎn)品進(jìn)行芯片封裝質(zhì)量測試時，發(fā)現(xiàn)存在芯片鈍化層(比如，聚酰亞胺層)破裂并剝落，第二鈍化層損傷，以及鋁層變形的問題，分析認(rèn)為這是由于在進(jìn)行芯片封裝質(zhì)量測試時，封裝芯片會經(jīng)歷多次冷熱循環(huán)，而由于芯片100和基板102的熱膨脹系數(shù)不一致，這一過程會導(dǎo)致封裝芯片收縮。由于封裝材料，比如基板102的材料通常是塑料，芯片101則是諸如硅的半導(dǎo)體材料，在冷熱循環(huán)中塑料基板102的形變要遠(yuǎn)大于芯片100，芯片100和基板102之間形變差異引起巨大的附加應(yīng)力，該應(yīng)力首先作用在凸塊上，然后轉(zhuǎn)移到芯片上，并最終導(dǎo)致芯片損壞。如圖2所示，來自基板102收縮形變的應(yīng)力導(dǎo)致芯片100邊緣的凸塊向內(nèi)側(cè)傾斜，而芯片會因為凸塊被迫傾斜而損壞。

具體地，如圖3所示，在來自基板收縮形變的應(yīng)力(圖3中黑色箭頭所示，)作用下，凸塊102向芯片內(nèi)側(cè)傾斜，而凸塊102向芯片內(nèi)側(cè)傾斜會導(dǎo)致在凸塊外側(cè)的芯片區(qū)域100a上有拉應(yīng)力作用，而在凸塊內(nèi)側(cè)的芯片區(qū)域100b上則有壓應(yīng)力作用，而拉應(yīng)力和壓應(yīng)力均會引起芯片嚴(yán)重?fù)p傷。比如，在凸塊外側(cè)的芯片區(qū)域100a，拉應(yīng)力導(dǎo)致了鈍化層破裂和剝落，而在凸塊內(nèi)側(cè)的芯片區(qū)域100b，壓應(yīng)力則導(dǎo)致了第二鈍化層損傷，以及鋁層變形。

通過對芯片100損傷前后的掃描電鏡觀察，證實了上述分析。圖4a和圖4b示出了在來自凸塊的應(yīng)力作用下，芯片100的損傷過程的掃描電鏡圖示。其中，圖中400表示的芯片凸塊區(qū)域(比如，銅柱)， 401表示芯片的鈍化層區(qū)域，402表示芯片的鋁層區(qū)域(焊盤或再布線層)，如圖4a和圖4b所示，來自凸塊的應(yīng)力作用下，在凸塊外側(cè)的芯片區(qū)域100a上有拉應(yīng)力作用，而在凸塊內(nèi)側(cè)的芯片區(qū)域100b上則有壓應(yīng)力作用，拉應(yīng)力導(dǎo)致了鈍化層破裂和剝落，壓應(yīng)力則導(dǎo)致了第二鈍化層以及鋁層變形。

然而，并非芯片100的所有凸塊102在應(yīng)力作用下都會對芯片造成損傷，接下來，我們繼續(xù)分析凸塊102是否對芯片造成損傷與哪些因素相關(guān)。

圖5a示出了示出了芯片100上的凸塊101的俯視圖，圖5b示出了存在附加應(yīng)力時，各個凸塊所承受的應(yīng)力的示意圖。在此為了便于說明定義x方向和y方向，以及位于二者之間的對角線方向。

如圖5a和圖5b所示，當(dāng)不存在所述附加應(yīng)力(即，來自基板收縮形變的應(yīng)力)時，各個凸塊101均不承受額外的應(yīng)力，而當(dāng)存在所述附加應(yīng)力時，對于非角落區(qū)域的凸塊102則承受來自x方向或y方向的應(yīng)力，該應(yīng)力相對較小，而對于邊緣角落區(qū)域的凸塊102，則會承受來自x方向和y方向兩個方向的應(yīng)力，該應(yīng)力相對較大。在x方向和y方向的復(fù)合應(yīng)力作用下，位于邊緣角落區(qū)域的凸塊102沿對角線傾斜的最嚴(yán)重，并且如前所述拉應(yīng)力作用在凸塊外側(cè)的芯片區(qū)域100a上，壓應(yīng)力則作用在凸塊內(nèi)側(cè)的芯片區(qū)域100b上，拉應(yīng)力和壓應(yīng)力均會引起芯片嚴(yán)重?fù)p傷。

通過對封裝芯片的掃描聲波診斷測試(sat，通過超聲波檢測芯片是否分層)，證實上述分析，即芯片100的角落區(qū)域比其他區(qū)域易于損傷，如圖6a和圖6b所示。其中，600a所圍區(qū)域為通過sat測試區(qū)域，600b所圍區(qū)域為未通過sat測試區(qū)域，即在封裝芯片質(zhì)量測試中存在鈍化層破裂、分層等芯片損傷的區(qū)域。通過觀察測試發(fā)現(xiàn)，在通過測試的區(qū)域中，凸塊密度(單位面積中凸塊數(shù)量)較大，而在未通過測試的區(qū)域中，凸塊密度較小。這是因為，凸塊密度小時，每一凸塊所受應(yīng)力較大，相應(yīng)地這一區(qū)域的芯片易于損傷，而相反，凸塊密度大時，每一凸塊所受應(yīng)力較小，相應(yīng)地這一區(qū)域的芯片不易于損傷。

雖然芯片的角落區(qū)域的凸塊受應(yīng)力較大，易于引起芯片損傷，但 是并不是位于角落區(qū)域的凸塊都易于引起芯片損傷。如圖6c所示，在芯片的角落區(qū)域中更靠近邊緣的區(qū)域600d中，并未造成芯片損傷，而靠內(nèi)的區(qū)域600b中，大部分為匹配芯片結(jié)構(gòu)的孤立凸塊。兩個區(qū)域的主要區(qū)別就是凸塊密度，區(qū)域600d中，凸塊密度較大，因而并未造成芯片損傷，而區(qū)域600b中，由于大部分為匹配芯片結(jié)構(gòu)的孤立凸塊，凸塊密度很小，因而引起芯片損傷，未通過sat測試。換句話說，在芯片的角落區(qū)域，芯片在封裝質(zhì)量測試中是否發(fā)生芯片損傷與凸塊密度相關(guān)，凸塊密度越大，芯片越不容易發(fā)生損傷，凸塊密度越小，芯片越容易發(fā)生損傷。

基于上述分析，本發(fā)明提出了一種新的半導(dǎo)體器件的制造方法，用于半導(dǎo)體器件在封裝質(zhì)量測試中，出現(xiàn)鈍化層破裂、剝落以及第二鈍化層損傷和鋁層變形等問題。該方法的基本思想是改變凸塊的密度，提高凸塊密度低的區(qū)域中凸塊的密度，從而使每個凸塊所承受到的應(yīng)力減小。該方法具體為，提供半導(dǎo)體晶圓，在所述半導(dǎo)體晶圓上形成多個與封裝基板連接的凸塊；在孤立的凸塊周圍形成多個偽凸塊，以包圍所述孤立的凸塊，這樣由于孤立的凸塊被周圍的偽凸塊包圍，因而孤立凸塊區(qū)域的凸塊密度提高，當(dāng)由外部應(yīng)力時，凸塊密度低的區(qū)域內(nèi)的孤立凸塊所受應(yīng)力被周圍的偽凸塊分擔(dān)，其所受應(yīng)力減小，因而不容易在封裝芯片質(zhì)量測試中出現(xiàn)諸如鈍化層損傷等問題。

下面結(jié)合圖7a和7b對本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制造方法進(jìn)行進(jìn)詳細(xì)描述。如圖7a和7b所示，圖7a示出了半導(dǎo)體器件700上用于與封裝基板連接以為電源和信號的分配提供了電路連接的凸塊701的分布示意圖，在圖7a所示的凸塊分布示意圖中，存在四行孤立凸塊700a、700b、700c和700d，這四行中的凸塊701a相對其他區(qū)域的凸塊比較孤立，周圍沒有形成其它凸塊，當(dāng)半導(dǎo)體器件700受到外部應(yīng)力時，孤立凸塊會承受較大的應(yīng)力，易在其周圍引起諸如鈍化層破裂剝落等器件損傷問題，為此，我們在這些孤立凸塊701a周圍形成偽凸塊702，以包圍這些孤立的凸塊，如圖7b所示，在四行孤立凸塊700a、700b、700c和700d中的每一孤立凸塊周圍形成偽凸塊陣列，以包圍孤立的凸塊701a，這樣由于孤立的凸塊701a被周圍的偽凸塊702包圍，因而孤立凸塊701a區(qū)域的凸塊密度提高，當(dāng)由外 部應(yīng)力時，凸塊密度低的區(qū)域內(nèi)的孤立凸塊701a所受應(yīng)力被周圍的偽凸塊702分擔(dān)，其所受應(yīng)力減小，因而不容易在封裝芯片質(zhì)量測試中出現(xiàn)諸如鈍化層損傷等問題。

示例性地，在本發(fā)明一實施方式中，在孤立凸塊701a形成3*3陣列的偽凸塊702，即，以孤立凸塊701a為中心，在每一側(cè)均有三個偽凸塊702，或者說，在孤立凸塊701a周圍形成邊長(此處邊長指的是偽凸塊數(shù)量)為3的四邊形偽凸塊陣列。這樣相對于僅有孤立凸塊時，其承受的外部應(yīng)力降低為原來1/9，外部應(yīng)力很小，不足以影響凸塊(即，使凸塊向內(nèi)側(cè)傾斜)，因而不會發(fā)生諸如鈍化層破裂、剝落等器件損傷問題。

可以理解的是，上述偽凸塊排布形式僅是示例性地，比如還可以形成4*4陣列的偽凸塊，或更高密度的偽凸塊，又或者形成其他合適形狀的偽凸塊，比如矩形、菱形或圓形只要可以包圍孤立的凸塊，降低凸塊承受的應(yīng)力即可。

進(jìn)一步地，為了降低工藝難度，和減小對半導(dǎo)體器件空間的要求，如圖7b所示，相鄰的偽凸塊陣列共用一邊，即，相鄰的偽凸塊陣列共用該相鄰側(cè)的偽凸塊，這樣可以最大地節(jié)省空間，以利于偽凸塊的形成。

進(jìn)一步地，在增加偽凸塊后，為了便于半導(dǎo)體器件的封裝，并使偽凸塊穩(wěn)定和牢固，對半導(dǎo)體器件以及封裝基板還進(jìn)行了適應(yīng)性改進(jìn)。下面結(jié)合圖8a至圖8c對采用這種新設(shè)計后的封裝方法進(jìn)行說明。

首先，如圖8a所示，提供半導(dǎo)體器件800和封裝基板900。

其中，半導(dǎo)體器件800包括諸如硅的半導(dǎo)體晶圓801、互連層802和鈍化層803，在半導(dǎo)體晶圓801內(nèi)形成有各種半導(dǎo)體元件，比如pmos或nmos等，互連層802用于連接半導(dǎo)體晶圓801內(nèi)的各個半導(dǎo)體元件，鈍化層803用于保護(hù)半導(dǎo)體器件800。

進(jìn)一步地，半導(dǎo)體器件800上還形成用于與封裝基板連接的凸塊805，凸塊805形成于再布線層804(比如再布線鋁層)上，同時如前所述，在孤立凸塊周圍形成偽凸塊807，以包圍孤立凸塊，同時為了使偽凸塊穩(wěn)定和牢固，還同時形成偽再布線層806，偽凸塊形成在 偽再布線層806上。

應(yīng)該明白的是，所謂偽凸塊807與凸塊805的結(jié)構(gòu)和形成方法類似，只是凸塊805參與電氣連接，偽凸塊并不參與實際的電路連接，同樣的地，偽再布線層806和再布線層804的區(qū)別也類似。偽再布線層806和再布線層804，以及偽凸塊807和凸塊805可以通過對應(yīng)的掩膜/光照通過工藝一次形成，而不是分兩步形成。此外，凸塊的制作方法采用本領(lǐng)域常用的方法，示例性可以包括下述步驟：形成再布線層，形成第二鈍化層，形成凸塊底部金屬層，形成溝槽，電鍍填充等，在此不再贅述

封裝基板900上形成有與凸塊805和偽凸塊807對應(yīng)的焊點901和偽焊點902，其中焊點901用于凸塊805連接，并參與電路連接，而偽焊點902僅用于與偽凸塊807連接，不參與電路連接。

應(yīng)當(dāng)明白的是，凸塊與焊點的對應(yīng)指的是，凸塊與焊點的形狀以及分布方向均一致，當(dāng)將半導(dǎo)體器件和封裝基板連接在一起時，對應(yīng)的凸塊和焊點可以彼此接合，即，焊點和凸塊可以彼此重合，或者一個包圍另一個，而不會出現(xiàn)凸塊和焊點錯位或只有部分區(qū)域可以彼此接觸的情形。

接著，如圖8b所示，通過合適的焊料903，比如錫，以合適的焊接方法將凸塊805和偽凸塊807與對應(yīng)的焊點901和偽焊點902焊接在一起，以實現(xiàn)半導(dǎo)體器件800和封裝基板900的連接。

最后，如圖8c所示，通過合適的材料包覆所述半導(dǎo)體器件800，以完成最后的封裝。

可以理解的是，為了更好地連接半導(dǎo)體器件800和封裝基板801，在封裝基板上形成有與偽凸塊807與對應(yīng)的偽焊點902，但是實際上，在其它實施方式中，也可不形成偽焊點902，當(dāng)在半導(dǎo)體封裝質(zhì)量測試中，封裝基板900由于冷熱循環(huán)發(fā)生形變時，偽凸塊同樣可以與封裝基板接觸，并為孤立凸塊分擔(dān)由于封裝基板900形變所施加的外部應(yīng)力，避免出現(xiàn)器件損傷。

圖9示出了上述半導(dǎo)體器件封裝方法的一種流程圖。該封裝方法包括：

步驟s101，提供半導(dǎo)體器件和封裝基板，在半導(dǎo)體器件上形成 有凸塊，以及包圍孤立凸塊的偽凸塊，且在封裝基板上形成于所述凸塊和偽凸塊對應(yīng)的焊點和偽焊點。

步驟s102，將所述凸塊和偽凸塊與對應(yīng)的焊點和偽焊點焊接在一起。

步驟s103，采用合適的封裝材料包覆半導(dǎo)體器件，以完成最后的封裝。

本發(fā)明除了提供上述半導(dǎo)體器件制造方法以及封裝方法以外，本發(fā)明的另一方面提供一種半導(dǎo)體器件，其可以采用如上所述的方法制備。

本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體晶圓，在所述半導(dǎo)體晶圓形成用于與封裝基板連接的凸塊，并且在所述凸塊中的孤立凸塊的周圍形成有包圍所述孤立凸塊的偽凸塊陣列。

優(yōu)選地，所述偽凸塊陣列的形狀為四邊形、矩形、正方形或菱形。

優(yōu)選地，相鄰的所述偽凸塊陣列共用該相鄰側(cè)的凸塊。

優(yōu)選地，在所述半導(dǎo)體上還形成有與所述凸塊對應(yīng)的再布線層，以及與所述偽凸塊對應(yīng)的偽再布線層，并且，所述凸塊形成于所述再布線層上，所述偽凸塊形成于所述偽再布線層上。

進(jìn)一步地，該半導(dǎo)體器件還包括：封裝基板，在所述封裝基板上形成有與所述凸塊對應(yīng)的焊點，所述凸塊和焊點連接在一起以實現(xiàn)所述半導(dǎo)體晶圓和所述封裝基板的連接。

優(yōu)選地，在所述封裝基板上還形成有與所述偽凸塊對應(yīng)的偽焊點，所述偽凸塊和偽焊點連接在一起以實現(xiàn)所述半導(dǎo)體晶圓和所述封裝基板的連接。

本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器件，由于在孤立的凸塊周圍形成偽凸陣列塊，以包圍所述孤立的凸塊，這樣由于孤立的凸塊被周圍的偽凸塊包圍，因而孤立凸塊區(qū)域的凸塊密度提高，當(dāng)由外部應(yīng)力時，凸塊密度低的區(qū)域內(nèi)的孤立凸塊所受應(yīng)力被周圍的偽凸塊分擔(dān)，其所受應(yīng)力減小，因而不容易在封裝芯片質(zhì)量測試中出現(xiàn)諸如鈍化層損傷等問題。

進(jìn)一步地，本發(fā)明的再一個方面還提供一種電子裝置，包括半導(dǎo) 體器件以及與所述半導(dǎo)體器件相連的電子組件。其中，該半導(dǎo)體器件為根據(jù)上述的半導(dǎo)體器件的制造方法所制得的半導(dǎo)體器件，或者為如上所述的半導(dǎo)體器件。

其中，該電子組件，可以為分立器件、集成電路等任何電子組件。

本實施例的電子裝置，可以是手機、平板電腦、筆記本電腦、上網(wǎng)本、游戲機、電視機、vcd、dvd、導(dǎo)航儀、照相機、攝像機、錄音筆、mp3、mp4、psp等任何電子產(chǎn)品或設(shè)備，也可為任何包括該半導(dǎo)體器件的中間產(chǎn)品。

本發(fā)明實施例的電子裝置，由于使用了上述的半導(dǎo)體器件，因而同樣具有上述優(yōu)點。

本發(fā)明已經(jīng)通過上述實施例進(jìn)行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。