本申請(qǐng)涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種集成電子裝置及其生產(chǎn)方法。

背景技術(shù)：

電子產(chǎn)品通常都集成有有源器件和無(wú)源器件，有源器件和無(wú)源器件之間通過(guò)電路導(dǎo)通連接。有源器件就是需要電源供電才能正常工作的器件，無(wú)源器件是電路中不需要額外電源供電也可以正常工作的器件。電子產(chǎn)品可以是光模塊、手機(jī)、可穿戴設(shè)備、通信電源等對(duì)體積和功率密度有要求的產(chǎn)品，以通信電源為例，封裝電源(powersupplyinpackage，psip)模塊包括集成電路(integratedcircuit，ic)、金氧半場(chǎng)效晶體管(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor，mosfet)等有源器件，還包括電感和電容等無(wú)源器件。

當(dāng)前電子產(chǎn)品中無(wú)源器件和有源器件的布設(shè)方式通常如圖1所示，將有源器件和無(wú)源器件都平鋪布設(shè)在框架上，無(wú)源器件布設(shè)在有源器件的周?chē)?，無(wú)源器件和有源器件通過(guò)框架上的電路導(dǎo)通連接。由圖1a可見(jiàn)，這種平鋪布設(shè)的方式導(dǎo)致例如psip模塊等電子產(chǎn)品在水平面上的平層面積過(guò)大，在電子產(chǎn)品的功率一定的情況下，面積越大，則功率密度就越小，而且，無(wú)源器件和有源器件之間需要通過(guò)框架上的導(dǎo)線連通，導(dǎo)線線路較長(zhǎng)，也不利于電流的流通。

現(xiàn)有技術(shù)中上述電子產(chǎn)品中也出現(xiàn)了如圖1b所示的3d堆疊結(jié)構(gòu)，1b所示的方案采用框架折彎成型，通過(guò)架空方式將無(wú)源器件架空在有源器件上方，這種堆疊方式從一定程度上可以減小電子產(chǎn)品的平層面積，但是這種方式內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜，加工難度大，而且導(dǎo)致填充塑封料難點(diǎn)加大，易存在空洞，導(dǎo)致分層。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中平鋪布設(shè)導(dǎo)致電子產(chǎn)品平層面積過(guò)大，架空布設(shè)加工復(fù)雜，填充難度大的問(wèn)題，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種集成電子裝置，將無(wú)源器件和有源器件布設(shè)在上下兩層，通過(guò)塑封料隔離該無(wú)源器件和有源器件，并通過(guò)連接件連接上下層的無(wú)源器件和有源器件，這樣不僅減小了集成電子裝置的平層面積，而且加工簡(jiǎn)單，填充方便。本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了該集成電子裝置的生產(chǎn)方法。

本申請(qǐng)第一方面提供一種集成電子裝置，該集成電子裝置可以是電子產(chǎn)品中的集成模塊，例如：psip模塊，該集成電子裝置包括：底板、有源器件、無(wú)源器件、塑封料和導(dǎo)通件；該有源器件設(shè)置于該底板上；該塑封料覆蓋在該有源器件和未被該有源器件覆蓋的底板之上；該無(wú)源器件設(shè)置于該塑封料之上；該導(dǎo)通件穿透該塑封料，并導(dǎo)通連接該塑封料覆蓋之下的有源器件和設(shè)置于該塑封料之上的無(wú)源器件。其中，有源器件可以是集成電路和晶體管等，無(wú)源器件可以是電感和電容等。從上述第一方面可以看出，將有源器件和無(wú)源器件在同一平面上堆疊實(shí)現(xiàn)，不僅減小了集成電子裝置的平層面積，提高了集成電子裝置的功率密度，而且通過(guò)導(dǎo)通件直接導(dǎo)通處于上下層的有源器件和無(wú)源器件，還縮短了導(dǎo)通路徑，便于電流流通，而且也不需要設(shè)置放置無(wú)源器件的架子，不僅加工簡(jiǎn)單，而且也方便填充塑封料，不會(huì)出現(xiàn)塑封料有空洞導(dǎo)致分層的現(xiàn)象。

結(jié)合第一方面，在第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，該導(dǎo)通件為電鍍銅件，該電鍍銅件為通過(guò)在覆蓋該有源器件的塑封料上開(kāi)設(shè)導(dǎo)通孔，并在該導(dǎo)通孔上電鍍銅得到的，該導(dǎo)通孔底部為該有源器件。在覆蓋有源器件的塑封料上根據(jù)需求開(kāi)設(shè)一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)通孔，并在導(dǎo)通孔上電鍍銅，從而形成用于導(dǎo)通電流的電鍍銅件。從上述第一方面第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中可以看出，通過(guò)電鍍銅件導(dǎo)通有源器件和無(wú)源器件，不僅導(dǎo)電效果好，而且電鍍銅工藝成熟，實(shí)現(xiàn)起來(lái)非常方便。

結(jié)合第一方面，在第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，該導(dǎo)通件為錫料件，該錫料件為通過(guò)在覆蓋該有源器件的塑封料上開(kāi)設(shè)導(dǎo)通孔，并在鉆出的導(dǎo)通孔上熔化錫料得到的，該導(dǎo)通孔底部為該有源器件。從上述第一方面第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中可以看出，通過(guò)熔化錫料實(shí)現(xiàn)有源器件和無(wú)源器件的導(dǎo)通，工藝上比電鍍銅實(shí)現(xiàn)起來(lái)還要簡(jiǎn)單。

結(jié)合第一方面，在第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，該導(dǎo)通件為銅柱，該銅柱安裝在該塑封料的導(dǎo)通孔上，該導(dǎo)通孔為通過(guò)在覆蓋該有源器件的塑封料上鉆孔得到的，該導(dǎo)通孔底部為該有源器件。從上述第一方面第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中可以看出，直接在導(dǎo)通孔上安裝銅柱，只是安裝個(gè)配件，不需要引入化學(xué)工藝，實(shí)現(xiàn)起來(lái)更加簡(jiǎn)單。

本申請(qǐng)第一方面第一種、第二種和第三種中的導(dǎo)通件，不限于電鍍、熔化錫料和安裝銅柱等方式和材料，只要能導(dǎo)通連接有源器件和無(wú)源器件即可。

結(jié)合第一方面，第一方面第一種、第二種和第三種中的任意一種，在第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，集成電子裝置還包括上層塑封料、上層有源器件和上層導(dǎo)通件，該上層塑封料覆蓋于該無(wú)源器件之上；該上層有源器件設(shè)置于該上層塑封料之上；該上層導(dǎo)通件穿透該上層塑封料，并導(dǎo)通連接該上層塑封料覆蓋之下的無(wú)源器件和設(shè)置于該上層塑封料之上的上層有源器件。從上述第一方面第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式中可以看出，在無(wú)源器件上再加上一層塑封料和有源器件，可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的雙層互聯(lián)，更進(jìn)一步減少了平層面積，提高了電流的功率密度。

本申請(qǐng)第二方面提供一種上述第一方面或第一方面任一可能的實(shí)現(xiàn)方式所描述的集成電子裝置的生產(chǎn)方法，包括：在底板上設(shè)置有源器件；在該有源器件之上，以及未被該有源器件覆蓋的底板之上填充塑封料進(jìn)行塑封；在覆蓋有該有源器件的塑封料上開(kāi)設(shè)導(dǎo)通孔；在該導(dǎo)通孔上設(shè)置導(dǎo)通件；在該塑封料上設(shè)置無(wú)源器件，該無(wú)源器件通過(guò)該導(dǎo)通件與該有源器件導(dǎo)通連接。其中，有源器件可以是集成電路和晶體管等，無(wú)源器件可以是電感和電容等。從上述第一方面可以看出，將有源器件和無(wú)源器件在同一平面上堆疊實(shí)現(xiàn)，不僅減小了集成電子裝置的平層面積，提高了集成電子裝置的功率密度，而且通過(guò)導(dǎo)通件直接導(dǎo)通處于上下層的有源器件和無(wú)源器件，還縮短了導(dǎo)通路徑，便于電流流通，而且也不需要設(shè)置放置無(wú)源器件的架子，不僅加工簡(jiǎn)單，而且也方便填充塑封料，不會(huì)出現(xiàn)塑封料有空洞導(dǎo)致分層的現(xiàn)象。

結(jié)合第二方面，在第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，通過(guò)在該導(dǎo)通孔上電鍍銅的方式設(shè)置該導(dǎo)通件。從上述第二方面第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中可以看出，通過(guò)電鍍銅件導(dǎo)通有源器件和無(wú)源器件，不僅導(dǎo)電效果好，而且電鍍銅工藝成熟，實(shí)現(xiàn)起來(lái)非常方便。

結(jié)合第二方面，在第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，通過(guò)在該導(dǎo)通孔上熔化錫料的方式設(shè)置該導(dǎo)通件。從上述第二方面第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中可以看出，通過(guò)熔化錫料實(shí)現(xiàn)有源器件和無(wú)源器件的導(dǎo)通，工藝上比電鍍銅實(shí)現(xiàn)起來(lái)還要簡(jiǎn)單。

結(jié)合第二方面，在第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，通過(guò)在該導(dǎo)通孔上安裝銅柱的方式設(shè)置該導(dǎo)通件。從上述第二方面第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中可以看出，直接在導(dǎo)通孔上安裝銅柱，只是安裝個(gè)配件，不需要引入化學(xué)工藝，實(shí)現(xiàn)起來(lái)更加簡(jiǎn)單。

結(jié)合第二方面，第一方面第一種、第二種和第三種中的任意一種，在第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，該生產(chǎn)方法還包括：在該無(wú)源器件之上覆蓋上層塑封料；在該上層塑封料之上設(shè)置上層有源器件；在該上層塑封料上開(kāi)設(shè)上層導(dǎo)通孔；在該上層導(dǎo)通孔上設(shè)置上層導(dǎo)通件，該上層導(dǎo)通件導(dǎo)通連接該無(wú)源器件和該上層有源器件。從上述第二方面第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式中可以看出，在無(wú)源器件上再加上一層塑封料和有源器件，可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的雙層互聯(lián)，更進(jìn)一步減少了平層面積，提高了電流的功率密度。

本申請(qǐng)第三方面提供一種包含上述第一方面或第一方面任一可能的實(shí)現(xiàn)方式所描述的集成電子裝置的電子設(shè)備，所述電子設(shè)備還包括塑封殼，該塑封殼用于從整體上封裝所述集成電子裝置。

與現(xiàn)有技術(shù)中平鋪布設(shè)導(dǎo)致電子產(chǎn)品平層面積過(guò)大，架空布設(shè)加工復(fù)雜，填充難度大相比，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種集成電子裝置，將無(wú)源器件和有源器件布設(shè)在上下兩層，通過(guò)塑封料隔離該無(wú)源器件和有源器件，并通過(guò)連接件在上下層的無(wú)源器件和有源器件，這樣不僅減小了集成電子裝置的平層面積，提高了集成電子裝置的功率密度，而且通過(guò)導(dǎo)通件直接導(dǎo)通處于上下層的有源器件和無(wú)源器件，還縮短了導(dǎo)通路徑，便于電流流通，而且也不需要設(shè)置放置無(wú)源器件的架子，不僅加工簡(jiǎn)單，而且也方便填充塑封料，不會(huì)出現(xiàn)塑封料有空洞導(dǎo)致分層的現(xiàn)象。

附圖說(shuō)明

圖1a是現(xiàn)有技術(shù)中電子產(chǎn)品中器件的一布設(shè)方式示意圖；

圖1b是現(xiàn)有技術(shù)中電子產(chǎn)品中器件的另一布設(shè)方式示意圖；

圖2是本申請(qǐng)實(shí)施例中集成電子裝置的垂直切面示意圖；

圖3是本申請(qǐng)實(shí)施例中集成電子裝置中無(wú)源器件雙層互聯(lián)垂直切面示意圖；

圖4是本申請(qǐng)實(shí)施例中集成電子裝置的生產(chǎn)方法的一示意圖；

圖5是本申請(qǐng)實(shí)施例中集成電子裝置的生產(chǎn)方法的另一示意圖；

圖6是本申請(qǐng)實(shí)施例中集成電子裝置的生產(chǎn)方法的另一示意圖；

圖7是本申請(qǐng)實(shí)施例中集成電子裝置的生產(chǎn)方法的另一示意圖；

圖8是本申請(qǐng)實(shí)施例中集成電子裝置的生產(chǎn)方法的另一示意圖；

圖9是本申請(qǐng)實(shí)施例中集成電子裝置的生產(chǎn)方法的另一示意圖；

圖10是本申請(qǐng)實(shí)施例中電子設(shè)備的一示例示意圖。

具體實(shí)施方式

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中平鋪布設(shè)導(dǎo)致電子產(chǎn)品平層面積過(guò)大，架空布設(shè)加工復(fù)雜，填充難度大的問(wèn)題，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種集成電子裝置，將無(wú)源器件和有源器件布設(shè)在上下兩層，通過(guò)塑封料隔離該無(wú)源器件和有源器件，并通過(guò)連接件連接上下層的無(wú)源器件和有源器件，這樣不僅減小了集成電子裝置的平層面積，而且加工簡(jiǎn)單，填充方便。本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了該集成電子裝置的生產(chǎn)方法，以下分別進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

如圖2所示，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種集成電子裝置，該集成電子裝置包括底板10、有源器件20、塑封料30、導(dǎo)通件40和無(wú)源器件50，圖2中的無(wú)源器件以電感為例，因?yàn)殡姼型ǔＫ加玫钠綄用娣e都較大，所以以電感為例，體現(xiàn)更直觀。

有源器件20設(shè)置于底板10上，塑封料30覆蓋在有源器件20和未被有源器件覆蓋的底板10之上；無(wú)源器件50設(shè)置于塑封料之上；導(dǎo)通件40穿透塑封料，并導(dǎo)通連接塑封料覆蓋之下的有源器件20和設(shè)置于塑封料30之上的無(wú)源器件50。

導(dǎo)通件40通過(guò)在塑封料30上開(kāi)設(shè)導(dǎo)通孔41連接無(wú)源器件50和有源器件20。如圖2所示，導(dǎo)通件40不限于導(dǎo)通孔41中的部分，導(dǎo)通孔外的部分42也屬于導(dǎo)通件40，無(wú)源器件設(shè)置于塑封料30或者導(dǎo)通件40在導(dǎo)通孔外的部分42之上，就可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件和有源器件的導(dǎo)通連接。

通過(guò)在塑封料30上開(kāi)設(shè)導(dǎo)通孔，通過(guò)導(dǎo)通件40實(shí)現(xiàn)垂直方向上的導(dǎo)通連接，縮短了導(dǎo)通路徑，導(dǎo)通路徑縮短后，也更利于無(wú)源器件50和有源器件20之間電流的流通。

圖2中的導(dǎo)通件40可以是通過(guò)電鍍銅得到的電鍍銅件，也可以是通過(guò)熔化錫料得到的錫料件，還可以是已經(jīng)加工好的銅柱。

本申請(qǐng)實(shí)施例中的導(dǎo)通件40不限于電鍍銅件、錫料件和銅柱這幾種，可以是任何能實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件50和有源器件20之間導(dǎo)通連接的部分，實(shí)現(xiàn)方式也不限于電鍍和熔化錫料。

圖2所示的集成電子裝置通過(guò)無(wú)源器件和有源器件的堆疊縮小了集成電子裝置的平層面積，在高度容許的條件下，本申請(qǐng)中的集成電子裝置還可以實(shí)現(xiàn)雙層互聯(lián)，如圖3所示，本申請(qǐng)實(shí)施例中集成電子裝置還包括上層塑封料70、上層有源器件80和上層導(dǎo)通件60，其中，上層塑封料70覆蓋于無(wú)源器件50之上；上層有源器件80設(shè)置于上層塑封料70之上；上層導(dǎo)通件60穿透上層塑封料70，并導(dǎo)通連接上層塑封料70覆蓋之下的無(wú)源器件50和設(shè)置于上層塑封料70之上的上層有源器件80。在高度容許的前提下，在無(wú)源器件上再加上一層塑封料和有源器件，可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的雙層互聯(lián)，更進(jìn)一步減少了平層面積，提高了電流的功率密度。

本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了生產(chǎn)上述實(shí)施例中的集成電子裝置的生產(chǎn)方法。

如圖4所示，本申請(qǐng)實(shí)施例所提供的集成電子裝置的生產(chǎn)方法包括：

101、在底板上設(shè)置有源器件。

102、在有源器件之上，以及未被有源器件覆蓋的底板之上填充塑封料進(jìn)行塑封。

103、在覆蓋有有源器件的塑封料上開(kāi)設(shè)導(dǎo)通孔。

104、在導(dǎo)通孔上設(shè)置導(dǎo)通件。

105、在塑封料上設(shè)置無(wú)源器件，無(wú)源器件通過(guò)導(dǎo)通件與有源器件導(dǎo)通連接。

本申請(qǐng)實(shí)施例所提供的生產(chǎn)過(guò)程可以結(jié)合圖5至圖9進(jìn)行理解。

如圖5所示，在底板10上設(shè)置有源器件20，有源器件20上還可以貼上一層金屬片21，金屬片21既能導(dǎo)電，又可以保護(hù)有源器件20。

如圖6所示，在有源器件20之上，以及未被有源器件覆蓋的底板10之上填充塑封料30進(jìn)行塑封，塑封料30可以保護(hù)有源器件20和底板10，還可以實(shí)現(xiàn)有源器件和無(wú)源器件的分層堆疊結(jié)構(gòu)設(shè)置。

如圖7所示，在覆蓋有有源器件20的塑封料30上開(kāi)設(shè)導(dǎo)通孔41。導(dǎo)通孔的開(kāi)設(shè)可以根據(jù)需求設(shè)計(jì)，開(kāi)設(shè)方式可以使用機(jī)械或激光鉆孔。

如圖8所示，在導(dǎo)通孔上設(shè)置導(dǎo)通件40，導(dǎo)通件的設(shè)置方式可以是電鍍銅、熔化錫料等方式，也可以在導(dǎo)通孔中直接安裝銅柱等導(dǎo)通件。

如圖9所示，還可以在導(dǎo)通件40上安裝金屬片21，當(dāng)然也可以不用在導(dǎo)通件上安裝金屬片21，然后在導(dǎo)通件40或金屬片21之上設(shè)置無(wú)源器件50，無(wú)源器件50可以是電感和電容等器件。

以上圖4至圖9是生產(chǎn)圖2所示的集成電子裝置的生產(chǎn)過(guò)程，若要生產(chǎn)圖3所示的雙層互聯(lián)的集成電子裝置，還可以在無(wú)源器件50之上覆蓋上層塑封料；在上層塑封料之上設(shè)置上層有源器件；在上層塑封料上開(kāi)設(shè)上層導(dǎo)通孔；在上層導(dǎo)通孔上設(shè)置上層導(dǎo)通件，上層導(dǎo)通件導(dǎo)通連接無(wú)源器件和上層有源器件。

該雙層互聯(lián)的集成電子裝置，在無(wú)源器件上再加上一層塑封料和有源器件，可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的雙層互聯(lián)，更進(jìn)一步減少了平層面積，提高了電流的功率密度。

如圖10所示，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種電子設(shè)備，該電子設(shè)備包括按照?qǐng)D4至圖9的生產(chǎn)方法所生成的如圖2或圖3所示的集成電子裝置，該電子設(shè)備還包括塑封殼200，該塑封殼200用于塑封如圖2或圖3所示的集成電子裝置。

以上對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例所提供的集成電子裝置以及其生產(chǎn)方法進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本申請(qǐng)的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本申請(qǐng)的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本申請(qǐng)的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書(shū)內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本申請(qǐng)的限制。