技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法和電子裝置，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：提供半導(dǎo)體晶圓，在所述半導(dǎo)體晶圓上形成用于與封裝基板連接的凸塊，并且在所述凸塊中的孤立凸塊的周圍形成包圍所述孤立凸塊的偽凸塊陣列。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制造方法在孤立的凸塊周圍形成多個偽凸塊，以包圍所述孤立的凸塊，這樣由于孤立的凸塊被周圍的偽凸塊包圍，因而孤立凸塊區(qū)域的凸塊密度提高，當(dāng)由外部應(yīng)力時，凸塊密度低的區(qū)域內(nèi)的孤立凸塊所受應(yīng)力被周圍的偽凸塊分擔(dān)，其所受應(yīng)力減小，因而不容易在封裝芯片質(zhì)量測試中出現(xiàn)諸如鈍化層損傷等問題。該電子裝置包括上述的半導(dǎo)體器件，同樣具有上述優(yōu)點。

技術(shù)研發(fā)人員：殷原梓
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.01.14
技術(shù)公布日：2017.07.21