本發(fā)明涉及微電子封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種cga器件的植柱方法。

背景技術(shù)：

高密度、無鉛化、高可靠性封裝是近年電子產(chǎn)品制造的努力方向。面陣列排布焊點的封裝形式在單位面積上的輸入/輸出(i/o)數(shù)量較周邊引腳封裝形式呈現(xiàn)幾何級數(shù)的增加，促進了高密度封裝技術(shù)的發(fā)展。但器件的可靠性卻并沒有得到同步提高，依據(jù)加速壽命試驗數(shù)據(jù)和分析，由于引腳對應(yīng)力的吸收作用，周邊引腳封裝形式的典型器件qfp(quadflatpackage)的焊點疲勞壽命大約是常用無引腳面陣列封裝形式的典型器件pbga(plasticballgridarray)焊點的2-3倍。

由于面陣列封裝器件的熱疲勞壽命隨封裝尺寸增加而降低，對于高頻率、高功率、高i/o的大芯片封裝以及高可靠性要求的航空、航天、軍工用電子器件封裝，通常需要采用cga(columngridarray)封裝形式替代bga(ballgridarray)封裝，以借助高度更高的釬料柱來提高器件的散熱能力并有效緩解陶瓷芯片載體基板與樹脂印刷電路板之間tce(thermalcoefficientofexpansion)差異引起的應(yīng)力。盡管如此，采用釬料柱的大芯片ccga(ceramiccolumngridarray)器件的平均壽命較小尺寸芯片cbga(ceramicballgridarray)器件壽命約低1000個循環(huán)，甚至更差。

同時，ccga器件的高鉛釬料柱互連并不符合無鉛化封裝的要求，cga封裝的應(yīng)用處于尷尬境地。ibm公司于2005年采用銅柱(所述“銅柱”為銅圓柱)代替高鉛釬料柱，稱為陶瓷銅柱柵陣列(cucga-ceramiccoppercolumngridarray)封裝，由于熱循環(huán)期間柔韌銅柱易于撓曲變形，互連內(nèi)部的應(yīng)力能夠被部分釋放，因此，銅柱互連的cucga器件較釬料柱互連的ccga器件的熱疲勞壽命顯著提高。

釬料柱或銅柱在焊接前必須首先陣列垂直排布于印刷有焊錫膏的陣列排布的焊盤上，但目前的應(yīng)用現(xiàn)狀是，焊柱高度大、直徑小、穩(wěn)定性差的特點使得cga器件的植柱工藝難度遠大于bga器件的植球工藝。cucga器件的植柱問題更是已經(jīng)成為該高可靠性器件推廣應(yīng)用的瓶頸。目前的植柱方法存在以下問題：

目前現(xiàn)有植柱方法大多依靠單個金屬鋼網(wǎng)或多片金屬鋼網(wǎng)疊合、并設(shè)置壓塊進行焊接前及焊接過程中焊柱的對中和相對位置固定，其焊前焊柱放入鋼網(wǎng)孔中和焊后金屬鋼網(wǎng)的拆卸所需間隙(鋼網(wǎng)孔內(nèi)徑與焊柱外徑之間的間隙)的存在使焊柱的垂直度、對中及固定效果變差(銅柱較釬料柱受影響程度更大)，焊柱放入金屬鋼網(wǎng)時及焊后鋼網(wǎng)拆卸時還容易刮傷焊柱、使焊柱打彎，最終植柱質(zhì)量、焊點成型質(zhì)量及陣列焊柱端面的共面性均難以保證，同時金屬鋼網(wǎng)的制作成本也較高；另外焊接過程中鋼網(wǎng)植柱裝置的存在直接影響熱源熱量有效的傳遞到各焊接位置和焊錫膏中助焊劑氣體的散發(fā)，導(dǎo)致回流焊工藝調(diào)試的難度加大和焊點氣孔率的增加。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明為了解決現(xiàn)有cucga器件陣列銅柱植柱難度大、植柱質(zhì)量受植柱裝置影響而導(dǎo)致的焊接傳熱問題、焊點氣孔問題。

一種用于cucga器件的植柱方法，包括以下步驟：

步驟1、在陣列排布的焊盤上印刷焊錫膏；

步驟2、通過回流焊實現(xiàn)陣列排布的焊盤上的植球；

步驟3、單個銅柱的植柱：

事先準(zhǔn)備端頭涂覆有助焊劑的銅柱；將銅柱代替鉆頭裝夾于微型高精度鉆床的夾頭中，通過程序控制待植柱焊盤所在的基板運動，使銅柱位于待植柱焊盤上方并與焊盤中心對中后，利用鉆床帶動銅柱旋轉(zhuǎn)同時向焊盤上的焊球運動，隨后銅柱端部下壓鉆入焊球內(nèi)預(yù)定深度s后，停止銅柱的運動，隨后銅柱保持靜止直至焊球冷卻；銅柱鑲嵌到釬料焊球當(dāng)中；

打開并提起鉆床夾頭，使銅柱留在焊盤上的釬料焊球中，完成單個銅柱的植柱過程；

步驟4、陣列銅柱的植柱：

以相同尺寸參數(shù)和工藝參數(shù)重復(fù)上述步驟3的過程，逐個實現(xiàn)每個陣列排布焊盤上的銅柱的植柱過程，并保證植柱后陣列銅柱露出端共面。

優(yōu)選地，所述陣列排布的焊盤為印刷電路板上陣列排布的焊盤或芯片載體基板上陣列排布的焊盤；所述植柱方法適用于二級封裝中印刷電路板上陣列排布的焊盤或芯片載體基板上陣列排布的焊盤上的植柱，也適用于一級封裝中芯片載體基板上陣列排布的焊盤上的植柱。

優(yōu)選地，步驟2所述的植球過程中形成的焊球高度h大于等于焊盤直徑d的3/4。

優(yōu)選地，步驟2所述的回流焊植球過程在高于焊錫膏中釬料熔點20℃～40℃的溫度范圍內(nèi)進行回流焊接。

優(yōu)選地，步驟3所述的銅柱是植柱前依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)制備的統(tǒng)一規(guī)格尺寸的銅柱，優(yōu)選地，銅柱直徑d不超過焊盤直徑d的1/3，且銅柱的長徑比范圍為6～16。

優(yōu)選地，步驟3中將銅柱代替鉆頭裝夾于微型高精度鉆床的夾頭中，銅柱露出裝夾夾頭的長度范圍為焊球高度h的1.5～2.0倍，且在每個陣列銅柱的植柱過程中該參數(shù)保持一致，以確保銅柱剛度足夠、不打彎。

優(yōu)選地，步驟1所述的焊錫膏中的釬料種類為sncu系、snag系、snagcu系、snbi系、snzn系、snsb系、snin系軟釬料中的任意一種。

優(yōu)選地，步驟3所述利用鉆床帶動銅柱旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)速度范圍為1000轉(zhuǎn)/分鐘～2500轉(zhuǎn)/分鐘。

優(yōu)選地，步驟3所述的銅柱端部下壓鉆入焊球內(nèi)預(yù)定深度為s，h為焊球高度。

優(yōu)選地，步驟3所述銅柱端部鉆入焊球的過程實際伴隨發(fā)生銅柱與焊球之間通過擠壓鑲嵌形成連接的過程和局部界面通過高溫擴散形成連接的過程，從而在焊球冷卻后使得銅柱鑲嵌到焊球當(dāng)中。

本發(fā)明具有以下有益效果：

第一，本發(fā)明每個銅柱的定位及植柱連接一次性實現(xiàn)，其植柱及連接過程中不需在陣列銅柱之間設(shè)置金屬鋼網(wǎng)等植柱裝置，故不存在植柱連接中熱源熱量傳遞受鋼網(wǎng)阻擋、焊接工藝難調(diào)試、進而影響植柱質(zhì)量的問題。

第二，本發(fā)明每個銅柱的定位及植柱連接一次性實現(xiàn)，其植柱及連接過程中不需在陣列銅柱之間設(shè)置金屬鋼網(wǎng)等植柱裝置，故不存在植柱連接中鋼網(wǎng)阻礙焊盤上焊錫膏中助焊劑氣體的有效散發(fā)而造成焊點氣孔率增加的問題，本發(fā)明的銅柱植柱后的焊點氣孔率可降至0％。

第三，本發(fā)明每個銅柱的定位及植柱連接一次性實現(xiàn)，其植柱及連接過程中不需在陣列銅柱之間設(shè)置金屬鋼網(wǎng)等植柱裝置，故不存在焊柱因植柱裝置焊后拆卸等工序而被刮傷和發(fā)生彎曲，銅柱露出端的共面性可顯著改善。

第四，本發(fā)明每個銅柱的定位及植柱連接一次性實現(xiàn)，其植柱及連接過程中不需在陣列銅柱之間設(shè)置金屬鋼網(wǎng)等植柱裝置，不存在每種陣列規(guī)格的器件定制一套高精度植柱模具裝置，成本降低，適于多種規(guī)格器件的生產(chǎn)。

第五，本發(fā)明通過程序控制銅柱與焊盤的對中，植柱后焊柱的位置度好，植柱質(zhì)量和焊點成型質(zhì)量可因此顯著提高。

第六，本發(fā)明的植柱過程能夠始終保持銅柱與焊盤相互垂直的位置關(guān)系，不存在因銅柱與鋼網(wǎng)孔間隙可能引起的垂直度降低的問題，同時形成較高接合強度，所植銅柱的垂直度和牢固度得到保證，植柱質(zhì)量和焊點成型質(zhì)量可因此顯著提高。

附圖說明

圖1為具體實施方式一中單個銅柱植柱后的示意圖；

圖2為具體實施方式二中單個銅柱植柱后的示意圖；

圖3為實施例1中銅柱植柱后、雙面一次回流焊后形成的單個互連結(jié)構(gòu)的縱切面示意圖；

圖4為實施例2中銅柱植柱后、雙面一次回流焊后形成的單個互連結(jié)構(gòu)的縱切面示意圖。

具體實施方式

具體實施方式一：

一種用于cucga器件的植柱方法，包括以下步驟：

步驟1、在印刷電路板陣列排布的焊盤上印刷焊錫膏；

與傳統(tǒng)bga植球工藝相同，在陣列排布的焊盤上借助成熟的模板印刷工藝印刷足夠量焊錫膏；

步驟2、通過回流焊實現(xiàn)陣列排布的焊盤上的植球；焊錫膏被加熱熔化，由于表面張力的作用，在焊盤上潤濕并形成陣列排布的焊球；

步驟3、單個銅柱的植柱：

事先準(zhǔn)備端頭涂覆有助焊劑的銅柱；將銅柱代替鉆頭裝夾于微型高精度鉆床的夾頭中，通過程序控制印刷電路板運動，使銅柱位于待植柱焊盤上方并與焊盤中心對中后，利用鉆床帶動銅柱旋轉(zhuǎn)同時向焊盤上的焊球運動，隨后銅柱端部緩慢下壓鉆入焊球內(nèi)預(yù)定深度s后，停止銅柱的運動，隨后銅柱保持靜止直至焊球冷卻；由于經(jīng)歷了銅柱旋轉(zhuǎn)、下壓并鉆入焊球內(nèi)預(yù)定深度的過程及冷卻的過程，銅柱與焊球釬料之間的界面產(chǎn)生摩擦熱及擠壓，界面溫度升高，釬料經(jīng)歷溫度升高膨脹和溫度降低收縮，銅柱鑲嵌并初步連接到釬料焊球中，所述銅柱的植柱連接是銅柱與釬料之間擠壓鑲嵌連接機制和局部區(qū)域的擴散連接機制綜合作用的結(jié)果；

打開并提起鉆床夾頭，使銅柱留在焊盤上的釬料焊球中，完成單個銅柱的植柱過程；

單個銅柱植柱后的示意圖如圖1所示，a為銅柱；b為焊錫膏回流焊后形成的焊球；c為印刷電路板；e為印刷電路板上的金屬膜焊盤。

步驟4、陣列銅柱的植柱：

以相同尺寸參數(shù)和工藝參數(shù)重復(fù)上述步驟3的過程，逐個實現(xiàn)每個陣列排布焊盤上的銅柱的植柱過程，并保證植柱后陣列銅柱露出端共面。

本發(fā)明可用于實現(xiàn)高可靠性要求的面陣列封裝器件及大芯片面陣列封裝器件陣列銅柱的高質(zhì)量植柱。

具體實施方式二：

一種用于cucga器件的植柱方法，包括以下步驟：

步驟1、在芯片載體基板陣列排布的焊盤上印刷焊錫膏；

與傳統(tǒng)bga植球工藝相同，在陣列排布的焊盤上借助成熟的模板印刷工藝印刷足夠量焊錫膏；

步驟2、通過回流焊實現(xiàn)陣列排布的焊盤上的植球；焊錫膏被加熱熔化，由于表面張力的作用，在焊盤上潤濕并形成陣列排布的焊球；

步驟3、單個銅柱的植柱：

事先準(zhǔn)備端頭涂覆有助焊劑的銅柱；將銅柱代替鉆頭裝夾于微型高精度鉆床的夾頭中，通過程序控制芯片載體基板運動，使銅柱位于待植柱焊盤上方并與焊盤中心對中后，利用鉆床帶動銅柱旋轉(zhuǎn)同時向焊盤上的焊球運動，隨后銅柱端部下壓鉆入焊球內(nèi)預(yù)定深度s后，停止銅柱的運動，隨后銅柱保持靜止直至焊球冷卻；由于經(jīng)歷了銅柱旋轉(zhuǎn)、下壓并鉆入焊球內(nèi)預(yù)定深度的過程及冷卻的過程，銅柱與焊球釬料之間的界面產(chǎn)生摩擦熱及擠壓，界面溫度升高，釬料經(jīng)歷溫度升高膨脹和溫度降低收縮，銅柱鑲嵌并初步連接到釬料球中，所述銅柱的植柱連接是銅柱與釬料之間的擠壓鑲嵌連接機制和局部區(qū)域的擴散連接機制綜合作用的結(jié)果；

打開并提起鉆床夾頭，使銅柱留在焊盤上的釬料焊球中，完成單個銅柱的植柱過程；

單個銅柱植柱后的示意圖如圖2所示，a為銅柱；b為焊錫膏回流焊后形成的焊球；d為芯片載體基板；e為芯片載體基板上的金屬膜焊盤。

步驟4、陣列銅柱的植柱：

以相同尺寸參數(shù)和工藝參數(shù)重復(fù)上述步驟3的過程，逐個實現(xiàn)每個陣列排布焊盤上的銅柱的植柱過程，并保證植柱后陣列銅柱露出端共面。

本發(fā)明可用于實現(xiàn)高可靠性要求的面陣列封裝器件及大芯片面陣列封裝器件陣列銅柱的高質(zhì)量植柱。

具體實施方式三：

本實施方式步驟2所述的植球過程中形成的焊球高度h大于等于焊盤直徑d的3/4。

其他步驟和參數(shù)與具體實施方式一或二相同。

具體實施方式四：

本實施方式步驟2所述的回流焊植球過程在高于焊錫膏中釬料熔點20℃～40℃的溫度范圍內(nèi)進行回流焊接。

其他步驟和參數(shù)與具體實施方式一至三之一相同。

具體實施方式五：

本實施方式步驟3所述的銅柱是植柱前依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)制備的統(tǒng)一規(guī)格尺寸的銅柱，且銅柱直徑d不超過焊盤直徑d的1/3，且銅柱的長徑比范圍為6～16。

其他步驟和參數(shù)與具體實施方式一至四之一相同。

具體實施方式六：

本實施方式步驟3中將銅柱代替鉆頭裝夾于微型高精度鉆床的夾頭中，銅柱露出裝夾夾頭的長度范圍為焊球高度h的1.5～2.0倍，且在每個陣列銅柱的植柱過程中該參數(shù)保持一致，以確保銅柱剛度足夠、不打彎。

其他步驟和參數(shù)與具體實施方式一至五之一相同。

具體實施方式七：

本實施方式步驟1所述的焊錫膏中的釬料種類為sncu系、snag系、snagcu系、snbi系、snzn系、snsb系、snin系軟釬料中的任意一種，也可以是其他軟釬料中的一種。

其他步驟和參數(shù)與具體實施方式一至六之一相同。

具體實施方式八：

本實施方式步驟3所述利用鉆床帶動銅柱旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)速度范圍為1000轉(zhuǎn)/分鐘～2500轉(zhuǎn)/分鐘。焊錫膏中釬料的熔點越低，則選擇的轉(zhuǎn)速越低。

其他步驟和參數(shù)與具體實施方式一至七之一相同。

具體實施方式九：

本實施方式步驟3所述的銅柱端部下壓鉆入焊球內(nèi)預(yù)定深度為s，h為焊球高度。

其他步驟和參數(shù)與具體實施方式一至八之一相同。

實施例

實施例1：

cucga器件陣列焊柱互連結(jié)構(gòu)中的單個銅柱互連結(jié)構(gòu)可參見圖3。其中，1為圓柱形銅柱；2為植柱及隨后回流焊工序在陣列銅柱兩端形成的釬焊圓角；針對二級封裝中面陣列銅柱的植柱情況，3和4分別為芯片載體基板、印刷電路板，5表示芯片載體基板上的金屬膜焊盤或印刷電路板上的金屬膜焊盤。

以二級封裝中面陣列銅柱的植柱情況為例說明，cucga器件陣列銅柱互連結(jié)構(gòu)工藝過程主要包括前期的陣列銅柱在印刷電路板陣列排布焊盤上的植柱過程和后期的所植陣列銅柱的另一端與芯片載體基板上陣列排布焊盤及其上焊錫膏的回流焊接過程。

針對的前期植柱工藝過程，本發(fā)明所述一種用于cucga器件的植柱方法，包括以下步驟：

步驟一、依據(jù)設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)，制備符合印刷電路板焊盤直徑d的統(tǒng)一規(guī)格尺寸的銅柱，銅柱直徑為d(d<d/3)，銅柱高度為l、長徑比為10；并在銅柱的端頭上涂覆常規(guī)助焊劑，在銅柱的長度方向上，助焊劑的涂覆長度大于銅柱鉆入焊球內(nèi)的預(yù)定深度s；

步驟二、在陣列排布的焊盤上印刷焊錫膏：

與傳統(tǒng)bga植球工藝相同，在印刷電路板上陣列排布的焊盤上借助成熟的模板印刷工藝印刷等量、且足夠量的無鉛焊錫膏(錫膏印刷量應(yīng)使回流焊后焊球高度h不低于3/4倍的焊盤直徑d)，焊錫膏中釬料的種類為snagcu系軟釬料；

步驟三、通過回流焊實現(xiàn)陣列排布的焊盤上的植球：

采用常規(guī)設(shè)備及設(shè)置常規(guī)回流工藝溫度曲線進行無鉛錫膏在印刷電路板陣列排布焊盤上的回流焊接，其中，回流工藝曲線的峰值溫度可在釬料熔點以上35℃，焊錫膏在焊盤上潤濕并形成陣列焊球，植球工藝完成；

步驟四、單個銅柱的植柱：

將端頭涂覆常規(guī)助焊劑的銅柱代替鉆頭裝夾于微型高精度鉆床的夾頭中，銅柱露出裝夾夾頭的長度為焊球高度h的1.8倍，且在每個陣列銅柱的植柱過程中該參數(shù)保持一致。通過程序控制印刷電路板運動，使銅柱位于待植柱焊盤上方并與焊盤中心對中后，銅柱以1700轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速回轉(zhuǎn)的同時向焊盤上的焊球運動、下壓鉆入預(yù)定深度后停止銅柱的運動，隨后銅柱保持靜止直至焊球冷卻；期間焊球中釬料在旋轉(zhuǎn)摩擦產(chǎn)熱及擠壓的作用下經(jīng)歷溫度升高膨脹和溫度降低收縮，銅柱鑲嵌連接到釬料球當(dāng)中；鉆床夾頭打開并提起、銅柱留在焊盤上的釬料焊球中，完成單個銅柱的植柱過程；

步驟五、陣列銅柱的植柱：

以相同尺寸參數(shù)和工藝參數(shù)重復(fù)上述步驟四的過程，逐個實現(xiàn)每個陣列排布焊盤上的銅柱的植柱過程，并保證植柱后陣列銅柱露出端共面。

首選在印刷電路板上進行植柱，然后再完成所植陣列銅柱的另一端與芯片載體基板上陣列排布焊盤及其上焊錫膏之間的回流焊接過程，在此期間，前述植柱部位也同時處于相同加熱環(huán)境中并在界面形成更牢固的軟釬焊連接，從而實現(xiàn)陣列銅柱兩端的互連(即雙面回流焊接)，這樣對芯片以及芯片載體基板無機械力的沖擊作用，對芯片具有保護作用。也可采用本實施例所述的步驟首先在芯片載體基板上進行植柱，然后再完成后期的所植陣列銅柱的兩端與兩側(cè)基板上陣列焊盤及其上焊錫膏之間的回流焊接過程，實現(xiàn)互連。

實施例2：

cucga器件陣列銅柱互連結(jié)構(gòu)形式除可用于二級封裝芯片載體基板和印刷電路板之間的連接外，還可用于一級封裝芯片和芯片載體基板之間的連接。一級封裝的陣列焊柱互連結(jié)構(gòu)中的單個銅柱互連結(jié)構(gòu)參見圖4，其中，1為圓柱形銅柱；2為植柱及隨后回流焊工序在陣列銅柱兩端形成的釬焊圓角；31和41分別為芯片、芯片載體基板，51為芯片上的金屬膜焊盤或芯片載體基板上的金屬膜焊盤。

以一級封裝中面陣列銅柱的植柱情況為例說明，cucga器件陣列銅柱互連結(jié)構(gòu)工藝過程主要包括前期的芯片載體基板陣列排布焊盤上的銅柱的植柱過程和后期的所植陣列銅柱的另一端與芯片正面陣列排布的焊盤及其上焊錫膏之間的回流焊接過程。

針對前期植柱工藝過程，本發(fā)明所述一種用于cucga器件的植柱方法包括以下步驟：

步驟一、依據(jù)設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)，制備符合芯片載體基板焊盤直徑d1的統(tǒng)一規(guī)格尺寸的銅柱，銅柱直徑為d1(d1<d1/3)，銅柱高度為l1、長徑比為8；并在銅柱的端頭上涂覆常規(guī)助焊劑，在銅柱的長度方向上，助焊劑的涂覆長度大于銅柱鉆入焊球內(nèi)的預(yù)定深度s1；

步驟二、在陣列排布的焊盤上印刷焊錫膏：

與傳統(tǒng)倒裝芯片凸點制作的植球工藝相同，在芯片載體基板陣列排布的焊盤上借助成熟的模板印刷工藝印刷等量、且足夠量的無鉛焊錫膏(錫膏印刷量應(yīng)使回流焊后焊球高度h1不低于3/4倍焊盤直徑d1)，焊錫膏中釬料的種類可為snsb系軟釬料；

步驟三、通過回流焊實現(xiàn)陣列排布的焊盤上的植球：

采用常規(guī)設(shè)備及設(shè)置常規(guī)回流工藝溫度曲線進行無鉛錫膏在芯片載體基板陣列排布焊盤上的回流焊接，其中，回流工藝曲線的峰值溫度可在釬料熔點以上25℃，焊錫膏在焊盤上潤濕并形成陣列焊球，植球工藝完成；

步驟四、單個銅柱的植柱：

將端頭涂覆常規(guī)助焊劑的銅柱代替鉆頭裝夾于微型高精度鉆床的夾頭中，銅柱露出裝夾夾頭的長度范圍為焊球高度h1的1.5倍，且在每個陣列銅柱的植柱過程中該參數(shù)保持一致。通過程序控制芯片載體基板運動，使銅柱位于待植柱焊盤上方并與焊盤中心對中后，銅柱以1350轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速回轉(zhuǎn)的同時向焊盤上的焊球運動、緩慢下壓鉆入預(yù)定深度s1＝h1-0.1mm后停止銅柱的運動，隨后銅柱保持靜止直至焊球冷卻；期間焊球中釬料在旋轉(zhuǎn)摩擦產(chǎn)熱及擠壓的作用下經(jīng)歷溫度升高膨脹和溫度降低收縮，銅柱鑲嵌連接到釬料焊球當(dāng)中；鉆床夾頭打開并提起、銅柱留在焊盤上的釬料焊球中，完成單個銅柱的植柱過程；

步驟五、陣列銅柱的植柱：

以相同尺寸參數(shù)和工藝參數(shù)重復(fù)上述步驟四的過程，逐個實現(xiàn)每個陣列排布焊盤上的銅柱的植柱過程，并保證植柱后陣列銅柱露出端共面。

選擇在芯片載體基板上進行植柱，然后再完成所植陣列銅柱的另一端與芯片正面陣列焊盤及其上焊錫膏之間的回流焊接過程，在此期間，前述植柱部位也同時處于相同加熱環(huán)境中并在界面形成更牢固的軟釬焊連接，從而實現(xiàn)陣列銅柱兩端的互連(即雙面回流焊接)，對芯片無機械力的沖擊作用，對芯片具有保護作用。