技術特征：

技術總結(jié)
一種用于CuCGA器件的植柱方法。本發(fā)明涉及微電子封裝技術領域，具體涉及一種CGA器件的植柱方法。為解決CuCGA器件陣列銅柱植柱難度大、植柱質(zhì)量受現(xiàn)有植柱裝置影響而表現(xiàn)出的焊接傳熱問題、焊點氣孔問題。本發(fā)明首先在陣列排布的焊盤上印刷焊錫膏，并通過回流焊實現(xiàn)焊盤上的植球；將銅柱代替鉆頭裝夾于微型高精度鉆床的夾頭中，并使銅柱位于待植柱焊盤上方并與焊盤中心對中后，利用鉆床帶動銅柱旋轉(zhuǎn)并下壓鉆入焊球內(nèi)預定深度后，停止銅柱的運動，至焊球冷卻后夾頭打開并提起，銅柱留在焊盤上焊球中，完成單個銅柱的植柱；然后重復植柱步驟以實現(xiàn)每個陣列排布的焊盤上的銅柱的植柱過程，并保證植柱后陣列銅柱露出端共面。本發(fā)明用于CuCGA器件的植柱。

技術研發(fā)人員：趙智力;劉鑫;白宇慧;王敏
受保護的技術使用者：哈爾濱理工大學
技術研發(fā)日：2017.03.31
技術公布日：2017.07.21