相關(guān)申請(qǐng)案的交互參照

本申請(qǐng)主張于2015年10月1日提交的美國臨時(shí)專利申請(qǐng)?zhí)枮?2/235,889的優(yōu)先權(quán)。

本申請(qǐng)涉及制造過程中的誤差檢測，尤指一種用于檢測半導(dǎo)體制造誤差以及自動(dòng)確定何時(shí)關(guān)閉一制造工具的統(tǒng)計(jì)制程控制方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體晶片上的集成電路的制造可能涉及制造以及加工的多個(gè)階段，并可能需要數(shù)個(gè)用于檢測制造誤差的制程。當(dāng)在一晶圓或一批晶圓上發(fā)現(xiàn)重大的制造誤差時(shí)，則這些晶圓為有缺陷且不可用的，需要關(guān)閉制造工具并進(jìn)行調(diào)整或固定以防止繼續(xù)制造出具有此重大缺陷的晶圓。然而，許多用于檢測制造誤差的技術(shù)存在著很高的“誤報(bào)”率，造成制造工具不必要的關(guān)閉并浪費(fèi)了寶貴的制造和檢修時(shí)間，也大大降低了生產(chǎn)率以及晶圓產(chǎn)量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為克服現(xiàn)有技術(shù)存在的各種缺點(diǎn)，本發(fā)明的一個(gè)態(tài)樣通過提供一種用于停止半導(dǎo)體制造的方法以提供額外的優(yōu)點(diǎn)，包括生成一測量矢量，是包括來自一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體晶圓中的每一者的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)中每一者的一測量值；針對(duì)該一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體晶圓中的每一者，生成一相關(guān)矩陣，其中，該相關(guān)矩陣包括該每一個(gè)晶圓的獲取參數(shù)的測量值之間的相關(guān)性；針對(duì)從一對(duì)中的每一個(gè)半導(dǎo)體晶圓中已獲取一參數(shù)的一測量值的該一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體晶圓中的該每一對(duì)，生成一自相關(guān)矩陣，其中，該自相關(guān)矩陣包括該對(duì)中每一個(gè)晶圓的該獲取參數(shù)的測量值之間的相關(guān)性；生成一組合矩陣，其中，生成包括結(jié)合相關(guān)矩陣以及自相關(guān)矩陣至一組合矩陣中；自該測量矢量以及組合矩陣獲取一t²值；以及如果該t²值超過一臨界值，停止一半導(dǎo)體晶圓制造工具。

在一些實(shí)施例中，該置信度值大于95％，大于97.5％，或大于99％。在其他的一些實(shí)施例中，該測量矢量，該相關(guān)矩陣，該自相關(guān)矩陣，該組合矩陣，該t²值，或任意上述兩種或兩種以上的組合是通過一計(jì)算機(jī)生成、建構(gòu)、或獲取。在又一些其他實(shí)施例中，若獲取的t2值超過一臨界值，則計(jì)算機(jī)停止停止一半導(dǎo)體晶圓制造工具。

在另一態(tài)樣，本發(fā)明提供一種停止半導(dǎo)體制造的方法，包括生成一測量矢量，該測量矢量包括來自一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體晶圓中的每一者的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)中的每一者的一測量值；針對(duì)該一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體晶圓中的每一者，生成一相關(guān)矩陣，其中，該相關(guān)矩陣包括該每一個(gè)晶圓的所獲取參數(shù)的測量值之間的相關(guān)性；針對(duì)從一對(duì)中的每一個(gè)半導(dǎo)體晶圓中已獲取一參數(shù)的一測量值的該一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體晶圓中的該每一對(duì)，生成一自相關(guān)矩陣，其中，該自相關(guān)矩陣包括該對(duì)中每一個(gè)晶圓的該獲取參數(shù)的測量值之間的相關(guān)性；生成一組合矩陣，其中，生成包括結(jié)合相關(guān)矩陣以及自相關(guān)矩陣至一組合矩陣中；自該測量矢量以及組合矩陣獲取一t²值；其中，該測量矢量，該相關(guān)矩陣，該自相關(guān)矩陣，該組合矩陣，該t²值，或任意上述兩種或兩種以上的組合是通過一計(jì)算機(jī)生成，建構(gòu)或獲?。灰约叭绻搕²值超過包括一自由度值以及一預(yù)選的置信度值的一卡方分布值，且該自由度值為該測量矢量中的測量值的數(shù)量以及該預(yù)選的置信度值大于95％，停止一半導(dǎo)體晶圓制造工具。

在一些實(shí)施例中，該預(yù)選的置信度值大于95％，大于97.5％，或大于99％。在其他的一些實(shí)施例中，如果該t²值超過該臨界值，一計(jì)算機(jī)停止該半導(dǎo)體晶圓制造工具。

在又一態(tài)樣，本發(fā)明提供一種停止半導(dǎo)體制造的方法，包括生成一測量矢量，該測量矢量包括來自一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體晶圓中的每一者的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)中的每一者的一測量值；針對(duì)該一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體晶圓，生成一相關(guān)矩陣，其中，該相關(guān)矩陣包括該每一個(gè)晶圓的所獲取參數(shù)的測量值之間的相關(guān)性；針對(duì)從一對(duì)中的每一個(gè)半導(dǎo)體晶圓中已獲取一參數(shù)的一測量值的該一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體晶圓中的該每一對(duì)，生成一自相關(guān)矩陣，其中，該自相關(guān)矩陣包括該對(duì)中每一個(gè)晶圓的該獲取參數(shù)的測量值之間的相關(guān)性；生成一組合矩陣，其中，生成包括結(jié)合相關(guān)矩陣以及自相關(guān)矩陣至一組合矩陣中；自該測量矢量以及組合矩陣獲取一t²值；其中，該測量矢量，該相關(guān)矩陣，該自相關(guān)矩陣，該組合矩陣，該t²值，或任意上述兩種或兩種以上的組合是通過一計(jì)算機(jī)生成、建構(gòu)、或獲??；以及如果該t²值超過包括一自由度值以及一預(yù)選的置信度值的一卡方分布值，且該自由度值為該測量矢量中的測量值的數(shù)量以及該預(yù)選的置信度值大于95％，停止一半導(dǎo)體晶圓制造工具，其中，是一計(jì)算機(jī)停止該半導(dǎo)體晶圓制造工具。

在一些實(shí)施例中，該預(yù)選的置信度值大于97.5％或大于99％。在其他的一些實(shí)施例中，是根據(jù)該提供的方法，提供一種計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，該計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)含有用以生成該測量矢量、生成該相關(guān)矩陣，生成該自相關(guān)矩陣，生成該組合矩陣，生成該t²值，停止半導(dǎo)體晶圓制造，或任意上述兩者或兩者以上的組合的程序代碼。

通過本發(fā)明的該技術(shù)來實(shí)現(xiàn)附加的功能及優(yōu)點(diǎn)。此處詳細(xì)描述了本發(fā)明的其他實(shí)施例和各個(gè)態(tài)樣，并被認(rèn)為是本申請(qǐng)發(fā)明的一部分。

附圖說明

本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)態(tài)樣用于特別指出并明確要求保護(hù)作為本說明書所總結(jié)的權(quán)利要求的實(shí)施例。本發(fā)明的前述以及其他對(duì)象、特征及優(yōu)點(diǎn)將通過以下結(jié)合了附圖的詳細(xì)描述中予以明示，其中：

圖1a為描繪用于確定何時(shí)關(guān)閉一制造工具的一制程的一實(shí)施例的方塊圖；

圖1b為描繪用于確定何時(shí)關(guān)閉一制造工具的一制程的一附加實(shí)施例的方塊圖；

圖2a，圖2b以及圖2c為描繪用于構(gòu)造一相關(guān)矩陣的一實(shí)施例的一部分；

圖3a，圖3b，圖3c及圖3d為描繪用于構(gòu)造一相關(guān)矩陣的另一實(shí)施例的一部分；

圖4為描繪用于獲取一t²值的一方法；以及

圖5為依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)態(tài)樣，說明一計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的一實(shí)施例。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明的一些態(tài)樣以及某些特征、優(yōu)點(diǎn)及其細(xì)節(jié)，將在以下結(jié)合附圖予以說明的非限制性實(shí)施例的參考下予以更充分的解釋。對(duì)于悉知的材料、制造工具、加工技術(shù)等的描述將予以省略以免模糊本發(fā)明的重點(diǎn)。然而，其應(yīng)被理解為，在指示本發(fā)明的具體實(shí)施例時(shí)，這些詳細(xì)的描述以及具體的實(shí)施例僅用于說明，并非用于限制本發(fā)明。在本揭露的基本發(fā)明概念的精神及/或范圍內(nèi)所作的各種替換，修改，添加和/或安排，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言均是顯而易見的。

同時(shí)還需注意的是，以下所作的參考附圖未按比例示出是為了便于理解，其中，在不同附圖中所使用的相同的參考標(biāo)號(hào)為表示相同或相似的元件。為了清晰起見，只有那些與本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例所顯示的各態(tài)樣相關(guān)的元件或參考字符被重復(fù)地顯示。在這方面，並沒有試圖更詳細(xì)地顯示出比用于本發(fā)明的基本理解所必須的結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)更多的細(xì)節(jié)，利用附圖進(jìn)行的說明使得本領(lǐng)域的技術(shù)人員清楚在實(shí)踐中可如何實(shí)施本發(fā)明的各種形式。

除非另有規(guī)定，本發(fā)明所使用的所有技術(shù)以及科學(xué)術(shù)語與本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中的通常知識(shí)者具有相同的含義。與本文的描述內(nèi)容相似或相同的其他任何方法，設(shè)備或材料也可用于本發(fā)明的實(shí)踐或測試中，以下描述的是較佳的方法，設(shè)備以及材料。

統(tǒng)計(jì)制程控制(spc)可被用于整個(gè)半導(dǎo)體晶圓制造制程中以識(shí)別制造制程何時(shí)從正常操作狀態(tài)發(fā)生了變化，也就是，一個(gè)制程及/或工具開始失控。spc制程針對(duì)一晶圓通常需獲取一個(gè)或多個(gè)測量值，例如晶圓厚度或一層的臨界尺寸(cd)，并將這些測量值與統(tǒng)計(jì)或正常平均值進(jìn)行比較，以從正常值中識(shí)別出顯著的偏差值。許多spc制程設(shè)置一從正常值距3sigma(3σ)的控制極限，或三個(gè)標(biāo)準(zhǔn)偏差，作為用于檢測重大誤差的一個(gè)極限。偏離三個(gè)或更多的標(biāo)準(zhǔn)偏差值的測量值是罕見的，這些測量值將表明一制程發(fā)生了重大的變化或可能發(fā)生失控。當(dāng)應(yīng)用于單一晶圓樣品時(shí)，spc制程可能生成大約1％或更少的“誤報(bào)率”。然而，在許多先進(jìn)的半導(dǎo)體制造制程中，這些測量值不僅取自于一單一晶圓，也可能是一個(gè)批次的晶圓中采樣的多個(gè)晶圓，以及可能是從不同晶圓上測量到的多個(gè)參數(shù)。此外，一些參數(shù)可用于測量一個(gè)批次內(nèi)的一些晶圓，而不同的參數(shù)是用于測量同一批次內(nèi)的其他晶圓。晶圓之間沒有適當(dāng)?shù)南嚓P(guān)性或參數(shù)之間沒有相關(guān)性，該誤報(bào)率則可能會(huì)增加到16.5％或以上，當(dāng)任意單一參數(shù)測量值落入該3sigma控制極限以外的幾率增加時(shí)則需測量更多的參數(shù)。隨著集成電路特征尺寸趨向縮小，增加了更多的參數(shù)，因此該誤報(bào)率可能進(jìn)一步增加。每一個(gè)虛假的報(bào)警可能會(huì)關(guān)閉一個(gè)在正常參數(shù)范圍內(nèi)運(yùn)行并生產(chǎn)有用的可接受的晶圓的制造工具，浪費(fèi)了制造時(shí)間以及造成技術(shù)人員浪費(fèi)時(shí)間來試圖診斷一個(gè)不存在的故障。

多變量分析制程是可以關(guān)聯(lián)多個(gè)參數(shù)以更精確地確定在制造過程中何時(shí)發(fā)生一重大誤差的統(tǒng)計(jì)分析方法。一般而言，多變量分析制程包括構(gòu)建一測量參數(shù)矢量以及針對(duì)在一對(duì)參數(shù)之間的相關(guān)值的構(gòu)建矩陣使那些的測量值相關(guān)聯(lián)。將計(jì)算結(jié)果與基于被測量的參數(shù)的數(shù)量的一預(yù)期偏差值進(jìn)行比較；如果該計(jì)算結(jié)果小于或等于此預(yù)期偏差值，則認(rèn)定該一個(gè)或多個(gè)制造制程在可接受的參數(shù)范圍內(nèi)運(yùn)行。因此，即使有一個(gè)或兩個(gè)測量值落入該3sigma控制極限之外，該測量值的整體矢量可能沒有落入該3sigma控制極限之外，因此可大幅降低誤報(bào)率的出現(xiàn)。

然而，多變量分析通常需要該矢量的所有測定值同時(shí)可用，也就是，除非所有參數(shù)的測量以及關(guān)聯(lián)工作均已實(shí)際完成，否則該誤差分析無法執(zhí)行。如果某些數(shù)值是不可用的而無法完成該矢量，則該分析無法進(jìn)行。由于沒有一個(gè)單一的計(jì)量工具可用于測量所有的必要參數(shù)，造成從晶圓采樣的數(shù)據(jù)通常不是同時(shí)均為可用的，這就使對(duì)于spc制程的多變量分析變得困難或無法執(zhí)行。此外，在那些晶圓完成該制程步驟之后，采樣晶圓可能無法承受需持續(xù)數(shù)小時(shí)甚至數(shù)天的一個(gè)特定處理步驟的計(jì)量。因此，雖然存在著潛在重大誤差的晶圓等待被測量，存在著相同的重大誤差的更多的晶圓可能會(huì)被生產(chǎn)出來，潛在地浪費(fèi)了金錢、材料以及制造時(shí)間。

此外，多變量分析可能通常需要測量的參數(shù)與所有采樣晶圓保持一致，作為相關(guān)矩陣通常包括有所有可能組合的參數(shù)之間的相關(guān)性。然而，在實(shí)踐中，對(duì)晶圓的一統(tǒng)一樣本統(tǒng)一地測量相同的參數(shù)是不可行的。通常，一些參數(shù)例如厚度可測量自采樣晶圓的一個(gè)子集，其他參數(shù)例如一特定臨界尺寸可測量自采樣晶圓的一不同的子集，使得晶圓中的測量的參數(shù)不統(tǒng)一。因此，使用普通的多變量分析制程可能不足以自動(dòng)確定一制造工具應(yīng)該何時(shí)關(guān)閉。等到用以完成該測量矢量的所有必要的變量均為可用的且可以用來確定一制造工具處于失控操作之時(shí)，數(shù)打或成百的額外的晶圓可能已由該相同的處于失控的制造工具所制造出來。

圖1a為描繪用以自動(dòng)確定何時(shí)關(guān)閉一制造工具的一制程100的一實(shí)施例方塊圖。于方塊110中，自一第一晶圓獲取一個(gè)或多個(gè)第一加工測量值。于方塊115中，該第一加工測量值被包含在一測量矢量中。于方塊120中，構(gòu)建一相關(guān)矩陣。該相關(guān)矩陣包括自該第一晶圓獲取的該第一加工測量值所確定的相關(guān)值。于方塊130中，將該測量矢量以及相關(guān)矩陣相結(jié)合以確定一t²值。在方塊140中，將該t²值與卡方分布值(chi-squaredistributionvalue)進(jìn)行比較，其中，該卡方分布值是由所作的第一加工測量值的數(shù)量以及一預(yù)選的置信度值所確定。如果該t²值大于該卡方分布值，則于方塊141中，一重大加工誤差被檢測到，以及該制造工具被自動(dòng)關(guān)閉。如果該t²值小于或等于該卡方分布值，則于方塊142中繼續(xù)進(jìn)行加工。

圖1b為描繪接著圖1b的制程100之后的一附加制程105的至少一實(shí)施例的方塊圖。于方塊150中，自至少一第二晶圓獲取一個(gè)或多個(gè)第二加工測量值。該第二加工測量值，于方塊155中，被包含在該測量矢量中。于方塊160中，使用該第二加工測量值更新該相關(guān)矩陣。于方塊170中，將該測量矢量與該相關(guān)矩陣進(jìn)行結(jié)合以確定一t²值。于方塊180中，該t²值與一卡方分布值進(jìn)行比較，其中，該卡方分布值是由所作的第一加工測量值及第二加工測量值的數(shù)量以及該預(yù)選的置信度值所確定。如果該t²值大于該卡方分布值，則于方塊181中，一重大加工誤差被檢測到以及該制造工具被自動(dòng)關(guān)閉。如果該t²值小于或等于該卡方分布值，則于方塊182中繼續(xù)進(jìn)行加工。

多變量分析制程一般會(huì)利用那些通常被稱為t²值或t²統(tǒng)計(jì)量的計(jì)量值。該t²值或統(tǒng)計(jì)量是由以下公式所確定：

t²＝x^tr^-1x(1)

其中，x為一測量的矢量，r為測量值之間的相關(guān)值的一個(gè)矩陣。在半導(dǎo)體晶圓加工的應(yīng)用中，該矢量的測量值可包括厚度，一個(gè)或多個(gè)臨界尺寸，及/或其他可測量的晶圓參數(shù)。

該矩陣r通常包括代表不同測量值之間的相關(guān)性的矩陣值。一般而言，一晶圓的兩個(gè)參數(shù)之間的關(guān)聯(lián)性越高，該兩個(gè)參數(shù)于該矩陣r中的相應(yīng)的相關(guān)值會(huì)越高。舉例而言，假設(shè)用于該矢量x的該測量參數(shù)包括一晶圓厚度thk，一第一臨界尺寸cd1,一第二臨界尺寸cd2,以及一第三臨界尺寸cd3,則于矢量公式中x表示為：

x＝[thk，cd1，cd3，cd2].(2)

該相應(yīng)的相關(guān)矩陣r可包括將厚度與cd1，厚度與cd2，cd1與cd2等關(guān)聯(lián)的值。兩個(gè)參數(shù)相互之間的關(guān)聯(lián)越密切，則它們?cè)诰仃噐中的相關(guān)值就越高。例如，一晶圓的該厚度可能與一第一臨界尺寸cd1的相關(guān)度不高。例如一鰭片尺寸或柵極尺寸；也就是，無論該測量的臨界尺寸cd1是否超出一可接受范圍，其可能與該晶圓的測量厚度thk是否超出厚度值的一可接受范圍無關(guān)。因此，厚度thk與臨界尺寸cd1之間的一相關(guān)值可能非常小，例如大約0.15。一不同的臨界尺寸，例如cd3，受到加工一層的影響，其中，該臨界尺寸cd3是測自于該層，而使得cd3可能與該層的厚度的相關(guān)性較高。因此，厚度thk與臨界尺寸cd3之間的一相關(guān)值可能非常高，例如大約0.74。為達(dá)到構(gòu)建矩陣r的目的，一個(gè)參數(shù)與其本身之間的相關(guān)性總是為1。因此，以上述矢量x為例，該相應(yīng)的相關(guān)矩陣r可能為：

thkcd1cd3cd2

該t²值或統(tǒng)計(jì)值與一卡方分布值進(jìn)行比較，如下所示：

t²＝x^tr^-1x≤χ^-2(α，n)(4)

其中，α為一預(yù)設(shè)的置信界限，n為測量值的數(shù)量。該置信界限α可由其自身確定，部分的，由測量值的數(shù)量n確定。如果該t²值小于或等于該χ^-2的值，則可確定該測量值的矢量x落入正?；蚩山邮艿膮?shù)范圍內(nèi)，即使x中該獨(dú)立測量值的任意一個(gè)或多個(gè)超出一可接受范圍，例如一個(gè)值3標(biāo)準(zhǔn)偏差(或更多)高于或低于一正?；蚱骄怠?/p>

然而，以上所述的該通常的多變量分析制程可能無法考慮同一批次的不同晶圓所測量的不同參數(shù)，也無法考慮通常情況下不可用或延遲的某些參數(shù)測量值?？紤]到這些情況，該測量矢量x以及該相關(guān)矩陣r可構(gòu)建為“動(dòng)態(tài)”數(shù)據(jù)以使其成為可用數(shù)據(jù)，如上述圖1a及圖1b所述及以下詳述。以下描述的制程允許相同晶圓內(nèi)的測量的相關(guān)參數(shù)與不同晶圓之間的相關(guān)參數(shù)分離，然后構(gòu)建一個(gè)整體的相關(guān)矩陣r，使該多變量分析甚至可以在特定參數(shù)值缺失的情況下進(jìn)行，以及在一個(gè)晶圓批次內(nèi)的不同晶圓所測量的不同參數(shù)的情況下進(jìn)行。

于上述的制程中以及于如下所述的示例性制程中，可通過構(gòu)建兩個(gè)相關(guān)矩陣r1及r2以確定一整體的相關(guān)矩陣r，其可用于上述方程(1)中。r1為該相同晶圓上所測量的參數(shù)的一相關(guān)矩陣，例如與一第一臨界尺寸相關(guān)的該晶圓的厚度，與一第二臨界尺寸相關(guān)的厚度，與該第二臨界尺寸相關(guān)的該第一臨界尺寸等等。r2為晶圓之間所測量的相似參數(shù)的一相關(guān)矩陣，例如與一第二晶圓的該厚度相關(guān)的一第一晶圓的該厚度，與該第二晶圓的該厚度相關(guān)的該第一晶圓的一第一臨界尺寸，等等。在一般情況下，該同一晶圓上所測量的不同參數(shù)具有一些位于0和1之間的相關(guān)的值，于兩個(gè)不同晶圓上所測量的該相同參數(shù)也會(huì)具有一些位于0和1之間的相關(guān)的值，但其通常被認(rèn)為是在兩個(gè)不同晶圓上所測量的兩個(gè)不同參數(shù)之間的關(guān)聯(lián)系數(shù)為零(例如，可以假定一晶圓的該厚度與一第二晶圓的一測得的臨界尺寸之間不存在相關(guān)性)。

該相關(guān)矩陣r1和r2的值通常對(duì)應(yīng)于統(tǒng)計(jì)規(guī)范或平均值，例如，其可通過對(duì)晶圓的不同參數(shù)的實(shí)證測量以及相關(guān)性來確定?？纱_定于單個(gè)晶圓上的參數(shù)之間的相關(guān)性的統(tǒng)計(jì)規(guī)范以及于不同晶圓上的參數(shù)之間的相關(guān)性的統(tǒng)計(jì)規(guī)范。

通過圖2a至圖2c為部分地說明確定矩陣r1的相關(guān)值的一實(shí)施例方法。

例如，圖2a為描繪在單一晶圓上測得的一第一臨界尺寸cd1以及一第二臨界尺寸cd2之間的關(guān)聯(lián)性的圖形。在圖2a的圖示中的每一個(gè)點(diǎn)代表一單一晶圓的一cd1測量值(x軸)以及一cd2測量值(y軸)已被記錄。如圖2a所示，于一單一晶圓上所測量的cd1及cd2之間存在一相當(dāng)高程度的相關(guān)性；在一般情況下，一臨界尺寸的一個(gè)較低的值對(duì)應(yīng)于該另一臨界尺寸的一個(gè)較低的值，一臨界尺寸的一個(gè)較高的值對(duì)應(yīng)于該另一臨界尺寸的一個(gè)較高的值。較少情況下，如果存在的話，圖2a中包含的晶圓具有一臨界尺寸的一相對(duì)較高的值以及該其他臨界尺寸的一對(duì)應(yīng)的低值。因此，可以確定，平均而言，在一單一晶圓的cd1以及cd2之間存在一0.74的相關(guān)值，其表示該兩個(gè)尺寸之間一較強(qiáng)或較高的相關(guān)性。

相反的，圖2b是一個(gè)描繪該第一臨界尺寸cd1與晶圓厚度thk之間的相關(guān)性的圖示。如圖2b所示，于該兩個(gè)測量值之間存在著非常小的相關(guān)性，一些晶圓可能同時(shí)具有這兩個(gè)尺寸的高值或低值，而其他晶圓具有一高的厚度值以及低的cd1,等等。厚度值thk與cd1之間的相關(guān)性因此可確定為僅大約0.15或更低。

最后，圖2c為與該相同參數(shù)作比較的一個(gè)測量參數(shù)的圖示，如此，該x軸與y軸均代表該相同的晶圓尺寸，例如厚度thk。正如所預(yù)料的那樣，這個(gè)的圖示應(yīng)為一斜率為1的一條直線，作為一個(gè)參數(shù)與其本身完全相關(guān)。因此，任意單個(gè)參數(shù)的相關(guān)值均為1。

一般而言，如圖2a至圖2c所示，兩個(gè)參數(shù)的相關(guān)性越緊密，則用于比較該兩個(gè)參數(shù)所示的一圖示越接近斜率為1的一條斜線。相反的，兩個(gè)參數(shù)之間的相關(guān)性越不緊密，則該圖示將呈現(xiàn)一條直線，以及所具有的一相關(guān)值為接近0。

根據(jù)可用的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，例如在圖2a至圖2c中所示的該數(shù)據(jù)及額外的數(shù)據(jù)，一第一相關(guān)矩陣r1可構(gòu)建如下：

其中，各rpx,py分別代表一測量參數(shù)px以及另一測量參數(shù)py之間的一相關(guān)值，如上所述。該第一相關(guān)矩陣r1包括僅為可用的且用于構(gòu)建該測量矢量x的那些參數(shù)測量值的相關(guān)值rpx,py。因此，如果在一第一晶圓上已測量了3個(gè)參數(shù)，r1將為一個(gè)包括有各量測的參數(shù)之間的相關(guān)性的3*3矩陣；如果有5個(gè)參數(shù)為可用，則r1將為一個(gè)5*5矩陣。在最簡單的情況下，于一第一晶圓上只有一個(gè)參數(shù)被測量，則r1將為一單一值的單位矩陣[1]，此是由于一與自身相關(guān)的參數(shù)的值永遠(yuǎn)都是1，如上所述。

同樣地，圖3a至圖3d為部分的說明確定矩陣r2的相關(guān)值的一示范方法。例如，圖3a為一描述一第一晶圓的一厚度thk-w1以及一第二晶圓的一厚度thk-w2之間的相關(guān)性的圖表。圖3b為描述該第一晶圓w1的cd1與該第二晶圓w2的該相同cd1之間的相關(guān)性的圖表，圖3c描繪了該第一晶圓的cd2與該第二晶圓的該相同的cd2之間的相關(guān)性。圖3d描繪了該第一晶圓的cd3與該第二晶圓的相同的cd3之間的相關(guān)性。圖示中的每一個(gè)點(diǎn)代表了該兩個(gè)測量的晶圓上的該相同參數(shù)的該測量值，以及一個(gè)相關(guān)值也可類似地來自于如上所述的晶圓之間的各個(gè)參數(shù)以關(guān)聯(lián)來自一個(gè)單一晶圓的不同參數(shù)。根據(jù)一晶圓批次內(nèi)的任意兩個(gè)晶圓的參數(shù)所測量的該可用數(shù)據(jù)，該第二矩陣r2可構(gòu)建為：

其中，每一個(gè)rpxw1,pxw2代表了于該第一晶圓(w1)上的一個(gè)測量參數(shù)px與該第二晶圓(w2)上的該相同的測量參數(shù)px之間的一相關(guān)值。需注意的是，該r2矩陣的其他值均設(shè)為0，在一實(shí)施例中，其可假定為在該第一晶圓上測得的一個(gè)參數(shù)與在該第二晶圓上測得的一不同的參數(shù)之間不存在顯著的相關(guān)性。

需注意的是，如上所使用的，r1可泛指取自于一單一晶圓的測量值的一相關(guān)矩陣，r2可泛指取自于同一批次內(nèi)的任意兩個(gè)晶圓的相似參數(shù)測量值的一相關(guān)矩陣；下標(biāo)1和2并非指代該第一以及第二晶圓。在實(shí)踐中，一r1矩陣是為已測量了一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的每一個(gè)取樣晶圓所構(gòu)建，以及一r2矩陣是為了在一個(gè)批次的晶圓內(nèi)每一對(duì)取樣晶圓所構(gòu)建，該每對(duì)晶圓為通常已測量了至少一個(gè)參數(shù)的一對(duì)兩晶圓。

各個(gè)取樣晶圓或各隊(duì)取樣晶圓的矩陣r1及r2將接著結(jié)合至該相關(guān)矩陣r中，在兩個(gè)晶圓的參數(shù)已經(jīng)測量的情況下，r為：

所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)了解，該矩陣r通過具有相應(yīng)數(shù)量的r1矩陣以及晶圓對(duì)之間的r1以及r2矩陣配對(duì)，可擴(kuò)大至能容納三個(gè)或更多的取樣晶圓。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員還應(yīng)了解，對(duì)于自一個(gè)批次的一個(gè)或多個(gè)取樣晶圓中獲取的任意數(shù)量n測量值而言，所得出的相關(guān)矩陣r將是一個(gè)相關(guān)值的nxn矩陣，其中，該相關(guān)矩陣r中的每一個(gè)值代表了a)一單一晶圓上測量的兩個(gè)參數(shù)之間的該相關(guān)值，或者b)一個(gè)晶圓上測量的一個(gè)參數(shù)與另一晶圓上測量的該相同參數(shù)之間的該相關(guān)值。如上所述，該相關(guān)矩陣r的構(gòu)建允許在任意時(shí)間來自一晶圓的一個(gè)或多個(gè)額外的參數(shù)測量值是否可用均可計(jì)算r，無論該額外的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)是否來自于一已經(jīng)測量的晶圓或來自一不同的晶圓。

以下的實(shí)施例為說明前述部分所描述的方法。一個(gè)或多個(gè)第一加工測量值取自于一第一晶圓，通常一個(gè)晶圓自從一個(gè)批次的晶圓中挑選出來進(jìn)行測量。對(duì)于此處所描述的實(shí)施例而言，自該第一晶圓所獲取的一個(gè)測量值可為一第一晶圓厚度thk1。例如，該厚度thk1可具有0.344的一測量值。該相應(yīng)的第一相關(guān)矩陣r為[1]，如：

r1，w1＝[rthk1，thk1]＝[1](8)

以及r2為0，是由于任意其他晶圓上還沒有參數(shù)被測量。該t²值將為：

t²＝[0.344][1]^-1[0.344]＝0.118(9)

用于一3sigma分布的一典型的置信度值α可為0.9973，因此，該卡方分布值可計(jì)算為：

χ^-2(0.9973，1)＝9.00(10)

由于該t²值小于該χ^-2的值，因此可以得出該第一晶圓的該厚度在一可接受的厚度范圍內(nèi)的結(jié)論，以及該制造工具是在可接受的范圍內(nèi)運(yùn)作(因此沒有失控操作)。因此，該制造工具可被允許繼續(xù)加工其他的晶圓。

一個(gè)或多個(gè)額外的第一加工測量值可自應(yīng)用于該第一晶圓的額外的計(jì)量制程所獲取。例如，在經(jīng)過測量晶圓厚度的計(jì)量制程之后，該第一晶圓可能會(huì)經(jīng)歷額外的計(jì)量制程以確定其他的尺寸，例如一第一臨界尺寸以及一第二臨界尺寸。該額外的第一加工測量值，例如cd1＝-1.504以及cd2＝-1.456均包含于該測量矢量x中：

x＝[0.344-1.504-1.456](11)

該相應(yīng)的相關(guān)矩陣又將對(duì)應(yīng)該第一晶圓的該相關(guān)矩陣r1，此是由于沒有其他晶圓的參數(shù)已被測量。r1以及r將可根據(jù)該可用的測量值thk,cd1以及cd2而進(jìn)行構(gòu)建：

thkcd1cd2

接著

該對(duì)應(yīng)的χ²值為：

χ^-2(0.9973，3)＝14.2(14)

再次，由于t²小于χ^-2值，因此可以得出制造該第一晶圓(例如，經(jīng)過測量的樣品晶圓)的該制造工具正在制造可接受的晶圓，因此沒有失控操作的結(jié)論。此結(jié)論甚至可在當(dāng)該測量值thk1,cd1,或cd2超出了該3sigma控制極限時(shí)，也是正確的。

一個(gè)或多個(gè)第二加工測量值可自應(yīng)用于一第二晶圓的計(jì)量制程所獲取。例如，一厚度thk2可從一第二晶圓獲取，該第二晶圓w2的一r1矩陣將為r1＝[1]。該r2矩陣可根據(jù)晶圓之間的厚度測量值的一相關(guān)值來建構(gòu)。例如，如果一厚度參數(shù)的該相關(guān)值為大約0.41，則該r2矩陣為r2＝[0.41]。該整體相關(guān)矩陣由方程7所給出：

其中，使用以上的相關(guān)值的實(shí)施例，可得出結(jié)果r:

如上所述的實(shí)施例中，該相關(guān)矩陣r可進(jìn)行擴(kuò)充以包含以及容納所獲取的參數(shù)測量值，且在計(jì)量的任意階段可計(jì)算該t²值以確定一制造工具是否處于失控以及是否需要關(guān)閉，或者該制造工具是否依然在正常參數(shù)范圍內(nèi)操作并生產(chǎn)可接受的晶圓。

更進(jìn)一步的，于上述實(shí)施例中，下面計(jì)算的t²是假設(shè)厚度，cd1,cd2,以及cd3的測量值從一個(gè)批次的晶圓中的一第一晶圓以及一第二晶圓中所獲得。于本實(shí)施例中，該測量矢量x可例如為：

x＝[0.344-1.504-1.456-2.3031.077-0.494-0.838-3.04](16)

對(duì)應(yīng)于thk1＝0.344,thk2＝1.077,等等。該對(duì)應(yīng)的相關(guān)矩陣r則可為：

根據(jù)方程16以及17所得出的該t²值為14.8。該對(duì)應(yīng)的χ^-2值為：

χ^-2(0.9973，8)＝23.6(18)

再次，由于t²小于該χ^-2值，可以得出的結(jié)論是該有問題的制造工具仍然在正常參數(shù)范圍內(nèi)運(yùn)行。

圖4為描繪自動(dòng)確定何時(shí)關(guān)閉一制造工具的一制程400的一個(gè)實(shí)施例的方塊圖。于方塊410中，自一個(gè)或多個(gè)晶圓中獲取一個(gè)或多個(gè)加工測量值。其可包括從一第一晶圓測量的可用的測量值，或一個(gè)或多個(gè)來自多個(gè)晶圓的加工測量值，這些測量值是通過一個(gè)半導(dǎo)體制造制程或多個(gè)制程所迭代獲得的。在方塊415中，該加工測量值被包含于一測量矢量中。在方塊420中，建構(gòu)一相關(guān)矩陣。該相關(guān)矩陣包括由在方塊410中所顯示的該晶圓或該多個(gè)晶圓中所獲取的該加工測量值所確定的相關(guān)值。在方塊430中，該測量矢量以及相關(guān)矩陣相結(jié)合以確定一t²值。在方塊440中，該t²值與一卡方分布值進(jìn)行比較，其中，該卡方分布值是由在方塊410中所作且包含于方塊415(為一卡方分布值提供一自由度值)的一測量矢量中的加工測量值的數(shù)量，以及一預(yù)選的信任度值所確定。于其他實(shí)施例中，除了在方塊440中是由一卡方分布值(位于圖示)所確定的之外，可使用一不同的預(yù)選信任度值，以確定一t²值是否代表一制造工具的操作在失控狀態(tài)下執(zhí)行。如果該t²值大于該卡方分布值(或其他臨界值)，則于方塊441中，一重大的加工誤差被檢測出，并自動(dòng)關(guān)閉該制造工具。如果該t²值小于或等于該卡方分布值(或其他臨界值)，則在方塊442中，繼續(xù)執(zhí)行加工。

當(dāng)從該已獲取測量值的該相同晶圓上或從額外的晶圓上所取得的額外的測量值變?yōu)榭捎?，該制?00被重復(fù)執(zhí)行，重新返回方塊410以獲得可用的測量值(包括那些先前獲得的以及新的可用測量值)，在方塊415中生成一個(gè)新的其中包括所有可用的加工測量值的測量矢量，等等。以這種方式，通過一個(gè)或多個(gè)加工步驟，以繼續(xù)制造工具性能的評(píng)價(jià)以及加工失控的檢測，以當(dāng)新的測量值變?yōu)榭捎脮r(shí)，持續(xù)地進(jìn)行更新。

重復(fù)地更新一t²值以及重復(fù)地將其與一卡方分布值(或其他臨界值)進(jìn)行比較可以多種方式顯著改善半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)領(lǐng)域。例如，相較于傳統(tǒng)確定制造工具功能故障的方法，可顯著減少因失控制造加工被錯(cuò)誤地鑒定所引發(fā)的誤警率，減少了因這種錯(cuò)誤中斷所造成的時(shí)間損失。根據(jù)本文所揭露的一種方法，半導(dǎo)體制造工具的失控功能的確認(rèn)相較於習(xí)知可具有更高的可靠度，使用各種制造加工參數(shù)的測量值，以及無需先完成獲取所有晶圓的一給定的測量值即可執(zhí)行失控功能的評(píng)估在晶圓上成為可用。

此外，在一些非限制的實(shí)施例中，通過一臺(tái)計(jì)算機(jī)來生成、建構(gòu)、或者獲取測量矢量，相關(guān)矩陣，自相關(guān)矩陣、組合矩陣、t²值、或上述任意的組合可提供必要的時(shí)間福利，否則該制程的效率極低。例如，為了評(píng)估失控加工對(duì)于工具功能或故障的有效影響程度，評(píng)估失控加工的及時(shí)性在某些情況下可能很重要。在一些這樣的實(shí)施例中，晶圓及結(jié)構(gòu)或其中的其他參數(shù)的一結(jié)合體可在一難以或不可能以充分及時(shí)的方式評(píng)估失控加工的速度下進(jìn)行處理及/或檢測，以停止制造工具加工以及在無需使用計(jì)算機(jī)的情況下阻止?jié)撛诘氖Э丶庸さ陌l(fā)生。在這些非限制的實(shí)施例中，通過一臺(tái)計(jì)算機(jī)來生成、建構(gòu)、或獲取測量矢量、相關(guān)矩陣、自相關(guān)矩陣、組合矩陣、t²值、或上述任意的組合可允許實(shí)時(shí)地進(jìn)行制造工具性能的評(píng)估，隨著新的測量值的獲取，使用它們進(jìn)行失控性能的不斷評(píng)估，即使是在獲取如此大量的工藝參數(shù)，其中這些工藝參數(shù)為不同的測量值及/或來自一大量且不斷增長的加工晶圓，而使得在一有效的可用時(shí)間框架內(nèi)確定t²值是困難或不可能的情況下。

于一些實(shí)施例中，本發(fā)明的幾個(gè)態(tài)樣可以采取在一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中體現(xiàn)一計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的形式。該一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可在其上體現(xiàn)計(jì)算機(jī)可讀的程序代碼?？梢岳酶鞣N計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)或其組合。例如，該計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可包括一計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，于該實(shí)施例中(但非用于限定)可包括一個(gè)或多個(gè)電子、電磁、光學(xué)或半導(dǎo)體系統(tǒng)、設(shè)備或裝置、或上述任何適當(dāng)?shù)慕M合。例如計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)包括，例如：一包括一條或多條線路的電連接，一便攜式計(jì)算機(jī)軟盤，一硬盤或大容量設(shè)備，一大容量存儲(chǔ)設(shè)備，一隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram)，唯讀存儲(chǔ)器(rom)，及/或可擦除可編程唯讀存儲(chǔ)器例如eprom或閃存，一光纖，一便攜式光盤唯讀存儲(chǔ)器(cd-rom)，一光學(xué)存儲(chǔ)設(shè)備，一磁存儲(chǔ)設(shè)備(包括一磁帶設(shè)備)，或上述任意適合的組合。一計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)被定義為可包括一有形介質(zhì)，其可包含或存儲(chǔ)供一指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備使用或連接的程序代碼，例如一處理器。存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)內(nèi)/上的該程序代碼因此生成包括程序的一制品(例如一“計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品”)。

請(qǐng)參閱圖5，于一實(shí)施例中，一計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品500包括，例如，一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)可讀媒介502用以在其上儲(chǔ)存計(jì)算機(jī)可讀程序代碼工具或邏輯504以提供并促進(jìn)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)態(tài)樣。

包含或存儲(chǔ)于一計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中/上的程序代碼可通過一數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)(計(jì)算機(jī)、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，等等，包括其中的元件)及/或其他設(shè)備獲取或處理，以使該數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)及其元件，及/或其他設(shè)備以一種特定的方式運(yùn)行/執(zhí)行功能。該程序代碼可以使用任何適合的媒介進(jìn)行傳播，包括(但不限于)無線，有線，光纖，及/或射頻。透過執(zhí)行操作以執(zhí)行、完成、或促進(jìn)本發(fā)明的各個(gè)態(tài)樣的程序代碼可被寫入至一個(gè)或多個(gè)編程語言中。在一些實(shí)施例中，該編程語言包括面向?qū)ο?object-oriented)及/或程序化的編程語言，例如c,c++,c#,java,等。程序代碼可完全在用戶的計(jì)算機(jī)上執(zhí)行，從完全在該用戶的計(jì)算機(jī)的遠(yuǎn)端執(zhí)行，或者部分地在用戶的計(jì)算機(jī)上以及部分地在一遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)上的結(jié)合。在一些實(shí)施例中，一用戶計(jì)算機(jī)與一遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)是通過一個(gè)網(wǎng)絡(luò)相互通訊，如局域網(wǎng)(lan)或廣域網(wǎng)(wan)，及/或同通過一外部計(jì)算機(jī)(例如，通過使用一互聯(lián)網(wǎng)服務(wù)提供商的互聯(lián)網(wǎng))。

于一實(shí)施例中，程序代碼包括一個(gè)或多個(gè)由一個(gè)或多個(gè)處理器執(zhí)行的程序指令。計(jì)算機(jī)程序指令可被提供給一個(gè)或多個(gè)例如一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的處理器，以制造一機(jī)器，這樣的程序指令，當(dāng)由該一個(gè)或多個(gè)處理器執(zhí)行時(shí)，執(zhí)行，實(shí)現(xiàn)或促進(jìn)本發(fā)明的各個(gè)態(tài)樣，即如本文的流程圖及/或方塊圖中所描述的各種行為或功能。因此，本文所描繪以及描述的該流程圖及/或方塊圖中的每個(gè)方塊或方塊的組合，在一些實(shí)施例中，可以通過計(jì)算機(jī)程序指令來實(shí)現(xiàn)。

描繪以及描述的該流程圖和方塊圖參考了根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)態(tài)樣所描述的該結(jié)構(gòu)、功能，對(duì)系統(tǒng)可能的實(shí)施方案的操作，方法及/或計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的圖示。這些流程圖及/或方塊圖可為根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)態(tài)樣所描述的方法、設(shè)備(系統(tǒng))，及/或計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。

在一些實(shí)施例中，如上所述，在流程圖或方塊圖中的每一個(gè)方塊可代表一個(gè)模塊的代碼、一段代碼，或一部分代碼，其中包括一個(gè)或多個(gè)用于實(shí)現(xiàn)該方塊的該指定行為及/或邏輯功能的可執(zhí)行指令。本領(lǐng)域中擁有通常技術(shù)者應(yīng)了解由一個(gè)方塊所指定或執(zhí)行的行為/功能可能發(fā)生與所描繪及/或描述的順序不同，或可能與其他方塊同時(shí)發(fā)生，或與其他方塊部分/完全并行地發(fā)生。實(shí)際上，前后顯示的兩個(gè)方塊可同時(shí)執(zhí)行，或該多個(gè)方塊可有時(shí)以相反的順序執(zhí)行。此外，該方塊圖及/或流程圖的每一個(gè)方塊以及該方塊圖及/或流程圖中的方塊的組合，可以通過專用的硬件系統(tǒng)或與計(jì)算機(jī)指令的組合來完全地實(shí)現(xiàn)，以執(zhí)行由一個(gè)方塊或整個(gè)方塊圖或流程圖所指定的行為/功能。

在一些實(shí)施例中，采用代碼執(zhí)行本文所揭露的該制程的一數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)(計(jì)算機(jī)、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)等，包括其組成元件)可耦合至一個(gè)或多個(gè)測量裝置，也被成為計(jì)量裝置，例如一四點(diǎn)晶圓探針(four-pointwaferprobe)，一反射計(jì)(reflectometer)，一應(yīng)力計(jì)(stressgauge)，一橢圓偏振測量儀(ellipsometer)，一表面輪廓儀(surfaceprofiler)，及/或其他測量裝置。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)態(tài)樣，該數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)可從一個(gè)或多個(gè)測量裝置接收一個(gè)或多個(gè)采樣晶圓的一個(gè)或多個(gè)物理參數(shù)的測量值以執(zhí)行本文所描述的數(shù)據(jù)或統(tǒng)計(jì)分析制程。根據(jù)本發(fā)明所述的該制程，該數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)也可耦合至一個(gè)或多個(gè)制造工具，以使該數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)在當(dāng)確定一制程已經(jīng)失敗或處于失控時(shí)，可控制以及關(guān)閉該制造工具。這種制造工具可包括，但不限定，微影蝕刻工具(lithographicetchingtools)、濕蝕刻工具(wetetchingtools)、化學(xué)機(jī)械拋光工具(chemical-mechanicalpolishingtools)，化學(xué)或物理氣相沉積工具(chemicalorphysicalvapordepositiontools)，等等。

此處所使用的術(shù)語是為了用來描述特定的實(shí)施例，且并非用以限制本發(fā)明。在此處所使用的，單數(shù)形式的“一”，“一個(gè)”以及“該”均應(yīng)包含復(fù)數(shù)的形式，除非在上下文中有明確地表明。還應(yīng)當(dāng)了解的是，術(shù)語“包含”(以及任何形式的包括，例如“包含”、“包含有”)，“具有”(以及任何形式具有，例如“有”、“含有”，“包括”(以及任何形式的包括，例如“包含有”),以及“含有”(以及任何形式的含有，例如“含有”)均是開放式的動(dòng)詞。因此，一個(gè)“包括”、“具有”、“包含”或“含有”一個(gè)或多個(gè)步驟或元件的方法或裝置擁有這些一個(gè)或多個(gè)步驟或元件，但不限于只擁有這些一個(gè)或多個(gè)步驟或元件。同樣的，一個(gè)“包括”、“具有”、“包含”或“含有”一個(gè)或多個(gè)特征的一個(gè)方法的一個(gè)步驟或一個(gè)裝置的一個(gè)元件擁有這些一個(gè)或多個(gè)特征，但不限于只擁有這些一個(gè)或多個(gè)特征。此外，一個(gè)設(shè)備或結(jié)構(gòu)在某種意義下至少是以這樣的方式配置的，但也可以未列舉出的方式進(jìn)行配置。

以下權(quán)利要求范圍中該相應(yīng)的結(jié)構(gòu)，材料，作動(dòng)以及等同的所有手段或步驟及功能元件，如果有需要的話，應(yīng)包括任何結(jié)構(gòu)，材料，或完成該功能的作動(dòng)結(jié)合其他所特別申明的元件。本發(fā)明的描述僅用于說明以及描述的目的，但并非詳盡且亦非僅限于本發(fā)明所披露的形式。在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的前提下，各種修改以及變化對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言均是顯而易見的。所選擇以及描述的實(shí)施例是為了更好的解釋本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)態(tài)樣的原理和實(shí)際應(yīng)用，從而使本領(lǐng)域的其他技術(shù)人員通過適用于所預(yù)期的特定用途的各種不同的實(shí)施例，了解本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)態(tài)樣。