本實用新型涉及一種利用二氧化碳的清洗裝置及利用該裝置的干濕式復(fù)合清洗系統(tǒng)，尤其涉及一種能夠防止清洗對象物的損傷并最小化清洗液的使用量，且能夠提高清洗效率的利用二氧化碳的清洗裝置及利用該裝置的干濕式復(fù)合清洗系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

顯示裝置中，OLED等有機發(fā)光顯示裝置(有機發(fā)光二極管)具有視角寬、對比度優(yōu)秀以及響應(yīng)速度快等優(yōu)點，因此作為次時代的現(xiàn)實裝置而備受矚目。

普通的有機發(fā)光二極管為了高效發(fā)光而在各個發(fā)光層之間追加插入電子注入層、電子傳輸層、空穴傳輸層及空穴注入層等中間層。其中，發(fā)光層及中間層等有機薄膜的微細圖案可以通過沉積工藝而形成。為了通過沉積工藝而制造有機發(fā)光二極管，需要在將要形成有機薄膜等的基板面上，緊貼具有與將要形成的薄膜等的圖案相同的圖案的掩膜，并沉積薄膜等材料而形成預(yù)定圖案的薄膜。

有機物沉積裝置在真空腔室的下部配備有紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)的有機發(fā)光物質(zhì)、用于存儲它的沉積物質(zhì)容器，以及具有加熱裝置等的沉積源，并在上方布置有作為沉積對象的基板。

在所述基板的下部配備有具有沉積圖案的金屬材質(zhì)的掩膜(mask)。

在沉積源存儲有紅色、綠色和藍色的發(fā)光有機物質(zhì)。沉積源在沉積時被加熱到預(yù)定的溫度而使有機物質(zhì)蒸發(fā)。掩膜在基板上起到使有機物質(zhì)以預(yù)定的圖案沉積的作用。為此，在掩膜以預(yù)定的圖案形成有多個孔。上述的孔使從沉積源以蒸汽狀態(tài)供應(yīng)的有機物質(zhì)選擇性地通過，從而沉積在基板上。

最近，被提出了一種為了實現(xiàn)高分辨率而使用穿有密集的孔的金屬掩膜而沉積有機物的方法，即精細金屬掩膜(FMM；Fine Metal Mask)沉積工藝。

在所述沉積工序中，有機物質(zhì)通過掩膜的孔而被沉積在基板上，并且在掩膜的表面也沉積有一部分。在掩膜表面殘留的有機物會給產(chǎn)品的產(chǎn)率及可靠性帶來壞影響，因此在結(jié)束沉積工藝之后，為了去除所述有機物而執(zhí)行清洗掩膜的工序。

作為上述清洗掩膜的方法，根據(jù)處理方式而已知有干式(dry)清洗方式和濕式(濕式)清洗方式以及將兩種方法混合而清洗的方式。

圖1是示出混合現(xiàn)有的干式清洗和濕式清洗的清洗方式的附圖，其公開于韓國授權(quán)專利第10-1534832號中。

圖1的清洗裝置包括：干式型清洗裝置20，使用等離子體、極紫外線(EUV/DUV)、紫外線(UV)中的某一個而進行清洗；沉積槽(bath)，可裝有清洗藥液而能夠使OLED沉積用掩膜30被沉浸；以及干燥裝置50，用于干燥從沉積槽40中移送的掩膜。

在所述沉積浴40中收容有清洗藥液，并將掩膜30在清洗藥液中沉浸一段時間而進行清洗。所述掩膜30的面積較大，因此為了在清洗時移動掩膜30，或者沉浸在所述沉積浴40中而需要使用掩膜夾具。

由于這種濕式清洗方式中需要用到化學(xué)物質(zhì)，因此可能引起環(huán)境污染并且可能導(dǎo)致車間的安全事故，因此在各個國家中被列為限制使用的藥品，而且使用量逐漸減少。并且，OLED的圖案越來越微細化，因此如果圖案進一步微細化，則可能因為清洗藥液的表面張力而無法對圖案的內(nèi)部進行清洗。

利用等離子體或紫外線的清洗方式是一種通過使從等離子體或紫外線發(fā)生裝置發(fā)生的等離子體或紫外線接觸到掩膜的表面而分解有機物質(zhì)并去除的方式。

在所述精細金屬掩膜(FMM)工藝中，為了實現(xiàn)高分辨率而使形成于掩膜的孔以非常小的大小形成，如果使用等離子體或紫外線清洗上述精細金屬掩膜(FMM)，則可能因為高溫而導(dǎo)致掩膜表面的熱損傷及氧化，并存在殘渣殘留的問題。

另外，利用二氧化碳的干式清洗裝置采用如下的清洗方式：通過一個噴嘴而使被供應(yīng)的液態(tài)二氧化碳隔熱膨脹，從而相變成固態(tài)二氧化碳即干冰，并將該固態(tài)二氧化碳噴射到清洗對象物的表面而借助于該固態(tài)二氧化碳與異物的碰撞、以及固態(tài)二氧化碳相變成氣體時產(chǎn)生的體積的增加而清洗異物。

如果使用上述干式清洗裝置而清洗掩膜，則從噴嘴噴射的二氧化碳相變成固態(tài)而與掩膜的表面發(fā)生碰撞，因此由于噴射的打擊力而產(chǎn)生在掩膜的表面留下痕跡的問題。

因此，需要使噴射到掩膜的二氧化碳的固體粒子非常微小，可以通過在噴嘴形成多個微細孔，并通過該微細孔而使二氧化碳微?；?，然后進行噴射。但是如果無法減少微孔之間的節(jié)距(pitch)，則可能在均勻度方面發(fā)生問題，并存在難以加工微孔的問題。

披露上述清洗裝置的現(xiàn)有技術(shù)有韓國授權(quán)專利第10-1306082號的“有機及無機性異物清洗裝置”、韓國公開專利第10-2014-0130963號“有機物清洗裝置及清洗方法”。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型為了解決上述諸多問題而提出，其目的在于提供如下的清洗裝置和清洗系統(tǒng)，將從CO2清洗部的噴嘴噴射的二氧化碳的固體粒子微粒化，從而最小化施加到所述清洗對象物的損傷。

本實用新型的另一目的在于提供如下的清洗裝置和清洗系統(tǒng)，最小化根據(jù)從CO2清洗部的噴嘴噴射二氧化碳的位置的偏差，從而能夠提高二氧化碳的噴射均勻度。

本實用新型的又一目的在于提供如下的清洗裝置和清洗系統(tǒng)，在從CO2清洗部向清洗對象物噴射二氧化碳的情況下，防止清洗對象物的溫度過度下降，從而能夠提高清洗效率。

本實用新型的又一目的在于提供如下的清洗裝置和清洗系統(tǒng)，在將二氧化碳噴射到清洗對象物之前，使噴嘴的排出口周圍飽和，從而能夠提高清洗效率。

本實用新型的又一目的在于提供如下的清洗裝置和清洗系統(tǒng)，在將二氧化碳向清洗對象物噴射之前，提前感測二氧化碳的沖擊量，從而防止過度的打擊力作用于清洗對象物而在清洗對象物產(chǎn)生損傷，并能夠提高噴射均勻度。

本實用新型的又一目的在于提供如下的清洗系統(tǒng)，通過利用二氧化碳的干式清洗方式對清洗對象物進行一次清洗之后，通過濕式方式而進行二次清洗，從而最小化清洗藥液的使用量，并能夠有效地清洗形成有微細圖案的清洗對象物。

本實用新型的另一目的在于提供如下的清洗系統(tǒng)，縮小構(gòu)成濕式清洗部的設(shè)備規(guī)模，從而減少濕式清洗部的配備所需的成本。

用于實現(xiàn)上述目的的本實用新型的利用二氧化碳的清洗裝置包括：噴嘴，用于將包含固體粒子的二氧化碳噴射在清洗對象物上；清洗平臺，在上部放置有所述清洗對象物；腔室，內(nèi)部配備有所述噴嘴和清洗平臺；控制部，通過所述噴嘴而控制所述二氧化碳的噴射，從而去除在所述清洗對象物的表面殘留的異物。

所述清洗對象物可以是用于在基板上沉積有機物的掩膜。

在所述掩膜可以形成有用于在基板上沉積有機物的孔，從所述噴嘴噴射的二氧化碳固體化成小于所述孔的大小。

從所述噴嘴以液體狀態(tài)噴射后相變成固態(tài)的二氧化碳的粒子大小可以為0.1μm至100μm。

所述清洗平臺可以由在進行清洗工序時利用靜電力而固定所述清洗對象物的靜電卡盤形成。

所述清洗平臺可以由在進行清洗工序時利用磁力而固定所述清洗對象物的磁性卡盤形成。

可以配備有：保溫單元，用于將所述掩膜的溫度維持在預(yù)設(shè)溫度下。在此情況下，所述保溫單元可以由配備于所述清洗平臺內(nèi)部的加熱器構(gòu)成。

可以在所述腔室的內(nèi)部為大氣壓或者真空氛圍的情況下進行清洗。

可以在所述腔室內(nèi)部供應(yīng)有常溫的氮(N2)的狀態(tài)下進行清洗。

可以在所述腔室的內(nèi)部為真空的情況下，在向被噴射所述二氧化碳的清洗對象物噴射常溫的氮的狀態(tài)下進行清洗。

在所述噴嘴可以配備有：排出空間部，用于臨時存儲液體狀態(tài)的二氧化碳；狹縫形態(tài)的排出口，用于使在從所述排出空間部供應(yīng)的液體狀態(tài)的二氧化碳在被排出以后，相變成固體狀態(tài)。

在所述排出空間部和排出口之間，可以形成有多個以微管形狀形成的連接流路，在所述連接流路的端部連接有所述狹縫形態(tài)的排出口。

所述噴嘴的排出口外側(cè)表面可以進行疏水性表面處理。

可以配備有：虛設(shè)區(qū)域，用于在向所述清洗對象物噴射二氧化碳之前，提前從所述噴嘴噴射二氧化碳；移送部，用于移動所述清洗平臺和虛設(shè)區(qū)域或者移動所述噴嘴，以使所述噴嘴位于所述清洗平臺和虛設(shè)區(qū)域中的某一個的上部。

在向所述虛設(shè)區(qū)域噴射二氧化碳的情況下，可以進行噴射直到排出口的周圍溫度達到預(yù)設(shè)的溫度。

在向所述虛設(shè)區(qū)域噴射二氧化碳的情況下，可以持續(xù)噴射預(yù)定時間。

在所述虛設(shè)區(qū)域配備有沖擊量感測傳感器，以感測噴射的二氧化碳的沖擊量，所述控制部判斷所述被感測的沖擊量是否適當(dāng)。

所述二氧化碳可以以雪狀噴射。

本實用新型的干濕式復(fù)合清洗系統(tǒng)包括：干式清洗部，包含CO2清洗部，向清洗對象物噴射包括固體粒子的二氧化碳而進行清洗；濕式清洗部，用于將在所述干式清洗部中完成清洗的清洗對象物浸泡在清洗液而進行清洗。

所述干式清洗部還可以包括：等離子體清洗部，利用等離子體而在大氣壓或真空氛圍下對在所述CO2清洗部中完成清洗的清洗對象物進行清洗。

在所述CO2清洗部可以配備有用于噴射所述二氧化碳的噴嘴，以及用于在上部放置所述清洗對象物的清洗平臺；在所述清洗平臺配備有能夠?qū)⑺銮逑磳ο笪锏臏囟缺３诸A(yù)設(shè)溫度的保溫單元，以及用于將所述清洗對象物的溫度冷卻至預(yù)設(shè)溫度的冷卻單元，所述保溫單元在所述CO2清洗部進行清洗工序的過程中工作，所述冷卻單元在所述等離子體清洗部中進行清洗工序的過程中工作。

所述干式清洗部還可以包括：超聲波清洗部，利用超聲波而將在所述等離子體清洗部中完成清洗的對象物清洗。

所述CO₂清洗部可以包括：噴嘴，用于噴射所述二氧化碳；清洗平臺，在上部放置有所述清洗對象物；大氣壓或真空氛圍的腔室，在內(nèi)部配備有所述噴嘴和清洗平臺。

根據(jù)本實用新型，可以通過將借助噴嘴而噴射的二氧化碳的固體粒子微?；?，從而防止在噴射二氧化碳的清洗對象物的表面發(fā)生由打擊力引起的基板的損傷。

可以通過使用狹縫(slit)類型的噴嘴，而提高二氧化碳的噴射均勻度。

并且，可以利用配備于清洗平臺的保溫單元，在進行清洗工序的過程中將清洗平臺加熱至預(yù)設(shè)的溫度，以使清洗對象物維持在預(yù)設(shè)溫度，從而提高清洗效率。

并且，在排出口的前端配備形成為微管形狀的連接流路，從而可以增大排出前后的壓力差異，并通過將大量的二氧化碳固體粒子微?；岣咔逑葱?。

并且，可以將腔室的內(nèi)部空間構(gòu)成為常溫的氮氛圍，或者將常溫的氮噴射到排出口周圍或者清洗對象物的表面周圍，從而防止水分在噴射二氧化碳時凝結(jié)，據(jù)此可以防止由水分凝結(jié)導(dǎo)致的清洗對象物的損傷。

并且，可以在向清洗對象物噴射二氧化碳之前，提前向虛設(shè)區(qū)域噴射二氧化碳，從而在使排出口的周圍飽和的狀態(tài)下，進行清洗對象物的清洗，從而提高清洗效率。

并且，在向清洗對象物噴射二氧化碳之前，提前測量從噴嘴噴射的二氧化碳的沖擊量，從而提前確認根據(jù)二氧化碳的噴射的沖擊量是否適當(dāng)，據(jù)此可以防止過度的打擊力作用于清洗對象物而使清洗對象物受損，并且可以確認二氧化碳的沖擊量在清洗噴嘴的寬度方向上是否均勻，因此可以提高噴射均勻度。

并且，可以在利用二氧化碳而對清洗對象物進行一次清洗之后，通過濕式方式進行二次清洗，從而最小化清洗藥液的使用量。

并且，在濕式清洗之前進行等離子體清洗和超聲波清洗，從而提高清洗對象物的表面能量，從而使清洗液在清洗時容易滲透到清洗對象物的表面，據(jù)此可以提高清洗效率。

并且，在CO₂清洗部中進行一次清洗之后，在等離子體清洗部中進行二次清洗，從而減少利用等離子體的清洗時間，據(jù)此可以防止由高溫導(dǎo)致的清洗對象物的表面氧化及變形。

并且，在CO₂清洗部和等離子體清洗部中利用放置清洗對象物的一個清洗平臺而進行清洗，并且在所述清洗平臺同時配備保溫單元和冷卻單元，從而在CO₂清洗部和等離子體清洗部中分別運行保溫單元和冷卻單元，據(jù)此在清洗過程中防止高溫等離子體導(dǎo)致的清洗對象物的表面氧化及變形。

附圖說明

圖1是示出現(xiàn)有的將干式清洗和濕式清洗混合的清洗方式的圖。

圖2是示出應(yīng)用根據(jù)本實用新型的利用二氧化碳的清洗裝置的干濕式復(fù)合清洗系統(tǒng)的圖。

圖3是示出根據(jù)本實用新型的一實施例的CO₂清洗部的立體圖。

圖4是示出根據(jù)本實用新型的一實施例的CO₂清洗部的剖面圖。

圖5是示出根據(jù)本實用新型的一實施例的CO₂清洗部的噴嘴的剖面圖。

圖6是示出根據(jù)本實用新型的一實施例的大氣壓方式的等離子體清洗部的剖面圖。

圖7是示出根據(jù)本實用新型的一實施例的真空方式的等離子體清洗部的剖面圖。

附圖符號

1：CO₂清洗部 2：等離子體清洗部

2a、2d：靜電卡盤 2b：等離子體模塊

2e：等離子體電極 2c、2f：腔室

3：超聲波清洗部 4：濕式清洗部

5：干燥部 6：OLED沉積部

100：噴嘴 110：排出口

120：排出空間部 130：連接流路

140：二氧化碳流入口 150：移送部

200：清洗平臺 210：加熱器

220：虛設(shè)平臺 230：沖擊量感測傳感器

300：腔室

具體實施方式

以下，參照附圖對本實用新型的利用二氧化碳的清洗裝置和利用該裝置的干式和濕式復(fù)合清洗系統(tǒng)進行詳細的說明。

圖2是示出應(yīng)用根據(jù)本實用新型的利用二氧化碳的清洗裝置的干濕式復(fù)合清洗系統(tǒng)的圖。

本實用新型的清洗系統(tǒng)可以由CO₂清洗部1、等離子體清洗部2、超聲波清洗部3、濕式(WET)清洗部4、干燥部5構(gòu)成，清洗完畢的清洗對象物在OLED沉積部6中進行有機物的沉積。

所述CO₂清洗部1、等離子體清洗部2及超聲波清洗部3構(gòu)成干式清洗部，濕式(WET)清洗部4構(gòu)成濕式清洗部。清洗對象物在干式清洗部中完成清洗之后，在濕式清洗部進行針對殘留物質(zhì)的清洗。

所述CO₂清洗部1作為在清洗對象物上噴射包含固體粒子的雪(snow)狀的二氧化碳(CO₂)而進行清洗的要素，相當(dāng)于本實用新型的利用二氧化碳的清洗裝置。

所述等離子體清洗部2利用在等離子體發(fā)生部生成的等離子體氣體而去除在清洗對象物上殘留的有機物。所述等離子體清洗部2可以在大氣壓或真空狀態(tài)下進行清洗工序。

所述超聲波清洗部3在超聲波發(fā)生部產(chǎn)生超聲波，并利用因所述超聲波而產(chǎn)生的空氣振動來去除殘留于清洗對象物的表面的異物。利用排氣部而將由于超聲波而從清洗對象物的表面分離的異物排出到腔室(chamber)外部。

濕式清洗部中會用到清洗藥液，因為在上述干式清洗部中完成對異物的清洗之后，需要用清洗藥液處理的殘留物質(zhì)的量會減少，因此可以減少清洗藥液的使用量。

并且，除了CO₂清洗部1以外，干式清洗部還配備等離子體清洗部2和超聲波清洗部3，從而可以提高異物的清洗效率，且如果在進行濕式清洗之前進行等離子體清洗和超聲波清洗，則可以使清洗對象物的表面能量上升，據(jù)此清洗藥液將會更容易滲透到清洗對象物的表面，從而清洗效率將得到提高。

并且，可以通過在CO₂清洗部1中進行一次清洗之后在等離子體清洗部2中進行二次清洗，從而減少借助等離子體的清洗時間，據(jù)此可以防止高溫導(dǎo)致的清洗對象物表面的氧化及變形。

所述圖2的清洗系統(tǒng)舉例示出了用于清洗OLED沉積用掩膜的系統(tǒng)，該系統(tǒng)中，進行清洗的所述清洗對象物為OLED沉積用掩膜。

所述清洗對象物可以是大面積基板。對于大面積基板而言，在結(jié)束一個工序之后，移動至下一工序的過程中，異物可能沾在基板，在此情況下，需要在進行下一工序之前進行清洗工序。

對于OLED沉積用掩膜或大面積基板而言，厚度相比于寬度而非常薄，因此在噴射二氧化碳的情況下，可能在基板或掩膜的表面發(fā)生損傷。尤其在OLED沉積用掩膜中，精細金屬掩膜(FMM；FINE METAL MASK)需要在掩膜構(gòu)成有用于在基板沉積紅色、綠色、藍色有機物材料的對應(yīng)于子像素的微孔。為了實現(xiàn)高分辨率，這種微孔的大小會變小，且孔之間的間距會變窄。

為了清洗上述的具有微孔的掩膜中殘留的有機物質(zhì)，需要使從CO₂清洗部1噴射到清洗對象物的CO₂的粒子的大小微小。

圖3是示出根據(jù)本實用新型的一實施例的CO₂清洗部的立體圖。圖4是示出根據(jù)本實用新型的一實施例的CO₂清洗部的剖面圖。圖5是示出根據(jù)本實用新型的一實施例的CO₂清洗部的噴嘴的剖面圖。

所述CO₂清洗部1包括：噴嘴100，用于噴射雪(snow)狀態(tài)的二氧化碳(CO₂)；清洗平臺200，在上部放置有所述清洗對象物M；腔室300，在內(nèi)部配備有所述噴嘴100和清洗平臺200；控制部(未示出)，通過所述噴嘴100而控制所述二氧化碳的噴射，從而清洗在所述清洗對象物的表面殘留的異物。

在所述噴嘴100的下端部形成有用于排出二氧化碳的排出口110。

在所述清洗對象物M為OLED沉積用掩膜的情況下，需要利用包含固體粒子的雪(snow)狀態(tài)的二氧化碳而對用于沉積有機物質(zhì)的微孔周圍殘留的包括有機物的異物進行清洗。

所述微孔為了實現(xiàn)高分辨率而形成為非常小的尺寸，因此通過排出口110而噴射的二氧化碳粒子也需要以小于微孔的尺寸的微尺寸被噴射，以進行所述微孔的清洗。

在清洗對象物M為OLED沉積用掩膜或大面積基板的情況下，需要防止由于噴射的力(打擊力)而在被噴射二氧化碳的基板的表面產(chǎn)生痕跡。因此，通過排出口110而噴射的二氧化碳的粒子越小，可以越減少基板的損傷。

OLED沉積用掩膜或大面積基板形成為厚度非常薄的薄板，因此可能根據(jù)從噴嘴100排出的壓力、排出的干冰的粒子的大小而產(chǎn)生損傷(damage)，且基板的厚度隨著圖案的微細化而表現(xiàn)出越來越薄的趨勢。

為了有效地清洗該清洗對象物M，噴嘴100的排出口110優(yōu)選采用沿著寬度方向Y較長地形成的狹縫(slit)類型。

即，在彼此相向的兩個區(qū)塊(block)101、102之間形成有間隙(gap)，形成于所述間隙的下端部的排出口110形成為沿著噴嘴100的長度方向Y而較長地形成的狹縫(slit)形態(tài)。如果采用如上所述的狹縫(slit)類型的噴嘴100，則可以提高噴射均勻度。

二氧化碳從二氧化碳供應(yīng)部(未示出)以高壓液體的狀態(tài)被供應(yīng)至噴嘴100的內(nèi)部。高壓液體狀態(tài)的二氧化碳從排出口110噴射到大氣壓或者真空狀態(tài)的腔室300內(nèi)部空間的清洗對象物M的上表面。

當(dāng)被噴射液體狀態(tài)的二氧化碳時，溫度由于隔熱膨脹而變得非常低，從而形成干冰粒子，干冰粒子與清洗對象物M的表面碰撞而去除異物。在清洗對象物M的表面碰撞而完成異物的去除的二氧化碳被升華成氣體，因此不會在清洗對象物M的表面殘留。

清洗對象物M的清洗工序可以移送噴嘴100并進行，也可以移送清洗對象物M并進行。圖3中示出了在將清洗對象物M固定在清洗平臺200的上部的狀態(tài)下，移送噴嘴100并進行清洗的情形。

為了將所述噴嘴100沿著移送方向X而移送，移送部150可以配備于噴嘴100的兩側(cè)部。所述移送部150例如可以是沿著引導(dǎo)軌道(Guide rail，未示出)而被移送的結(jié)構(gòu)。

在所述清洗平臺200的上部放置有清洗對象物M。為了在進行清洗工序的過程中防止清洗對象物M的游動，需要配備一種能夠固定清洗對象物M的裝置。所述清洗平臺200可以由靜電卡盤(electrostatic chuck)或者磁性卡盤(Magnetic chuck)構(gòu)成，以固定所述清洗對象物M。

所述靜電卡盤利用靜電力而固定清洗對象物M。在靜電卡盤的內(nèi)部夾設(shè)有連接到直流電源的電極板，從而可以利用從直流電源施加的高電壓所產(chǎn)生的靜電力而吸附清洗對象物M。所述磁性卡盤可以利用磁鐵所產(chǎn)生的磁力而將由金屬材質(zhì)構(gòu)成的OLED沉積用掩膜固定在清洗平臺200的上部。

在所述清洗平臺200可以配備有用于將清洗對象物M的溫度保持預(yù)設(shè)溫度的保溫單元。從噴嘴100噴射的二氧化碳被隔熱膨脹而相變成干冰，因此為極低溫狀態(tài)。因此，清洗對象物M也受到該溫度的影響而降溫，如果清洗對象物M的溫度過度下降，則可能導(dǎo)致異物殘留在清洗對象物M的表面，并且可能由于二氧化碳的噴射所引起的打擊力而受損。

因此，通過利用配備于清洗平臺200的保溫單元而在進行清洗工序的過程中將清洗平臺200加熱至預(yù)設(shè)溫度，以使清洗對象物M的溫度維持在預(yù)設(shè)溫度下，從而可以提高清洗效率。所述保溫單元可以由配備于清洗平臺200內(nèi)部的加熱器210構(gòu)成。

在所述清洗平臺200放置有清洗對象物M的狀態(tài)下在CO₂清洗部1進行清洗過程之后移動所述清洗平臺200而在等離子體清洗部2進行清洗過程的情況下，優(yōu)選配備有冷卻單元，從而在清洗平臺200進行等離子體清洗工序的過程中將清洗對象物M的溫度冷卻至預(yù)設(shè)的溫度。

在等離子體清洗部2進行清洗過程的過程中，可能由于高溫的熱而導(dǎo)致清洗對象物M受到損傷，因此可以利用所述冷卻單元而將清洗對象物M的溫度冷卻至預(yù)設(shè)的溫度，并進行等離子體清洗過程。在此情況下，所述保溫單元和冷卻單元一起配備于清洗平臺200的內(nèi)部。

通過所述排出口110而噴射的二氧化碳的排出壓力為50-60bar左右。因此需要在噴嘴100的內(nèi)部確保封閉性的狀態(tài)下將二氧化碳供應(yīng)至排出口110，并且為了噴射被微?；拇罅康母杀Ｗ?，需要增大排出前后的壓力差。

在所述清洗對象物M為掩膜的情況下，在基板上形成有用于沉積有機物質(zhì)的微孔。從所述噴嘴100噴射的二氧化碳需要以比所述微孔更小的大小固體化，如此才能清洗微孔?？紤]到這一問題，所述固體化的二氧化碳粒子的大小優(yōu)選在0.1至100μm的范圍內(nèi)。

為了增大通過所述排出口110的排出前后的壓力差異，需要使噴嘴100的內(nèi)部的通過二氧化碳的通道形成為非常窄的寬度，但是若只減少所述排出口110的間距，則會有一定的限度，因此作為用于增大排出前后的壓力差的一個示例，對圖6中示出的實施例進行說明。

參照圖5，在排出空間部120和排出口110之間配備有以微觀形狀形成的連接流路130。

所述排出空間部120是一種臨時存儲通過二氧化碳流入口140而流入的液態(tài)二氧化碳的空間，其排除空間部120沿著噴嘴100的長度方向Y而形成。

所述連接流路130是為了生成微小干冰粒子而由形成為具有非常小的直徑多個管形態(tài)的要素，其上部與排出空間部120連同，下部與排出口110連同。所述連接流路130可以由不銹鋼或樹脂材質(zhì)的管形成，其內(nèi)徑可以為100至300μm。

如果配備如上所述的微管形狀的連接流路130，則在液體的二氧化碳通過連接流路130的過程中形成高壓，當(dāng)形成有高壓的液體二氧化碳通過排出口110而被排出時，因較大的壓力差而大量地產(chǎn)生雪(snow)狀態(tài)的微細干冰粒子，從而可以提高清洗效率。

在所述連接流路130和排出口110之間形成有通道部115。所述通道部115是連接流路130的下端部與排出口110之間的空間。通過所述連接流路130的二氧化碳的固態(tài)粒子大小受所述通道部115的長度的影響。即，如果通道部115的長度過短，則難以使二氧化碳固體化，如果通道部115的長度過長，則通道部115內(nèi)部的二氧化碳的固體粒子的大小變得過大，因此可以將通道部115的長度設(shè)置成能夠使二氧化碳的粒子大小在0.1至100μm范圍內(nèi)的長度。

如果極低溫的二氧化碳被噴射到清洗對象物M，則在清洗對象物M的表面附近或者排出口110的周圍凝結(jié)有空氣中的水分，當(dāng)通過上述方法凝結(jié)的水分掉落到清洗對象物M的表面時，可能在清洗對象物M的表面產(chǎn)生損傷。

因此，為了防止水分在噴射二氧化碳時凝結(jié)，需要在將腔室300的內(nèi)部空間構(gòu)成為常溫氮(N₂)氛圍的狀態(tài)下執(zhí)行清洗工序。

并且，也可以不將腔室300的內(nèi)部空間整體構(gòu)成為氮氛圍，而在向噴嘴100中的噴射二氧化碳的排出口110周圍的清洗對象物M噴射常溫的氮(N₂)的狀態(tài)下，進行清洗工序。

如果在腔室300內(nèi)部為真空狀態(tài)的情況下進行清洗工序，則可以構(gòu)成為噴射常溫的氮(N₂)；如果在腔室300內(nèi)部為大氣壓的狀態(tài)的情況下進行清洗工序，則可以構(gòu)成為噴射常溫的清潔干燥的空氣(CDA)。

清潔干燥的空氣(CDA)中的雜質(zhì)的含量比氮(N₂)更高，并且在腔室300的內(nèi)部為真空的情況下，相比于大氣壓的情況，優(yōu)選在清潔度更高的狀態(tài)下進行清洗工序，所以優(yōu)選構(gòu)成為：在真空的情況下噴射氮(N₂)，并在大氣壓的情況下噴射清潔干燥的空氣(CDA)。

另外，如果排出口110周圍的空氣中的水分凝結(jié)，則凝結(jié)的水分也可能在噴嘴100的排出口110的表面積冰。為了防止這一問題，可以對噴嘴100的排出口110的外側(cè)表面進行疏水性表面處理。

疏水性表面處理可以通過使含有氟氣、甲烷氣和氯氣中的至少一種的氣體流入真空腔室的內(nèi)部，并產(chǎn)生等離子體而在被處理物的表面進行疏水性處理的方式構(gòu)成。如果如上所述地進行疏水性表面處理，則可以防止在從噴嘴100的排出口110排出二氧化碳時結(jié)冰的粒子在排出口110的表面積冰。

另外，在所述清洗平臺200的一側(cè)可以配備有，用于在向清洗對象物M噴射二氧化碳之前，提前噴射二氧化碳的虛設(shè)平臺220。

所述虛設(shè)平臺220可以以連接到清洗平臺200的一側(cè)的方式構(gòu)成。所述虛設(shè)平臺220和清洗平臺200可以配備于相同的高度。將所述虛設(shè)平臺220的上部的噴射二氧化碳的區(qū)域定義為虛設(shè)區(qū)域。所述虛設(shè)平臺220以連接到清洗平臺200的一側(cè)的方式構(gòu)成，但是也可以構(gòu)成為未連接的分離的結(jié)構(gòu)。

所述噴嘴100可以構(gòu)成為，能夠借助于所述移送部400而在虛設(shè)平臺220和清洗平臺200之間移動。

在從噴嘴100噴射二氧化碳的情況下，若在使溫度下降至排出口110周圍的溫度達到飽和(saturation)狀態(tài)之后通過排出口110而噴射二氧化碳，則二氧化碳固體粒子的生成過程將會順利進行，從而可以提高清洗效率。

因此，可以通過在向清洗對象物M噴射之前，提前將低溫的二氧化碳噴射到虛設(shè)區(qū)域，從而使排出口110周圍的溫度下降。

為了感測從所述虛擬平臺220噴射的二氧化碳的沖擊量，可以配備有沖擊量感測傳感器230，所述沖擊量感測傳感器230可以由測力傳感器(load cell)構(gòu)成，且所述測力傳感器可以沿著噴嘴100的寬度方向Y而配備為多個。在控制部中判斷從所述沖擊量感測傳感器230感測的沖擊量是否適當(dāng)。

若對在所述虛擬平臺220和清洗平臺200中進行的清洗過程進行觀察，則在初始狀態(tài)下，噴嘴100位于虛擬平臺220的上部。然后，二氧化碳通過噴嘴100的排出口110而被噴射，相變成固體粒子的二氧化碳被噴射到虛擬平臺220上部的虛設(shè)區(qū)域。

在此情況下，在沖擊量感測傳感器230中，感測基于噴射到虛設(shè)區(qū)域的二氧化碳的沖擊量。在控制部中提前輸入有作為基準(zhǔn)的沖擊量，并比較所述感測的沖擊量和提前輸入的基準(zhǔn)沖擊量。根據(jù)比較結(jié)果判斷感測的沖擊量是否為適當(dāng)?shù)臎_擊量。

并且，被多個沖擊量感測傳感器230感測的沖擊量值可能根據(jù)噴嘴100的寬度方向Y的位置而彼此不同。如上所述，如果沖擊量根據(jù)噴嘴100的寬度方向Y的位置而不同，則會導(dǎo)致噴射均勻度的下降。

因此，若不是適當(dāng)?shù)臎_擊量或者根據(jù)位置的沖擊量彼此不同，則可以基于該感測的沖擊量，通過進行針對調(diào)節(jié)排出口110的間隙的調(diào)節(jié)等調(diào)節(jié)作業(yè)而使噴嘴100的噴射成為適當(dāng)?shù)臎_擊量，或者可以通過調(diào)節(jié)而沿著噴嘴100的寬度方向Y而均勻地進行噴射。

然后，判斷向虛設(shè)區(qū)域噴射二氧化碳的時間是否已經(jīng)過預(yù)定時間，或者排出口110周圍的溫度是否因噴射而達到預(yù)設(shè)溫度。

如果在向清洗對象物M噴射之前，提前將低溫的二氧化碳噴射到虛設(shè)區(qū)域，則排出口110周圍的溫度將會下降。在此情況下，可以構(gòu)成為：噴射二氧化碳直到排出口110周圍的溫度下降至預(yù)設(shè)的溫度，或者在預(yù)定的時間內(nèi)持續(xù)地噴射二氧化碳。在排出口110周圍的溫度為零下60℃的情況下，清洗效率優(yōu)良，并且溫度降低至零下60℃大約需要30秒左右。因此，可以構(gòu)成為，在排出口110的周圍配備溫度傳感器(未示出)而測量溫度，或者配備計時器(timer，未示出)而測量二氧化碳的噴射時間。其中，排出口110的周圍可以指，用于形成排出口110的區(qū)塊101、102的下側(cè)端部，也可以指噴射二氧化碳的虛設(shè)平臺220的上表面。

然后，使噴嘴100位于與虛設(shè)區(qū)域相鄰的清洗平臺200的上部。

在此情況下，可以構(gòu)成為使噴嘴100移動，也可以構(gòu)成為在固定噴嘴100的狀態(tài)下使虛設(shè)平臺220和清洗平臺200移動，從而使清洗平臺200位于噴嘴100的下部。

然后，通過噴嘴100的排出口110而將包含固體粒子的二氧化碳噴射到放置于清洗平臺200的清洗對象物M上，從而進行清洗工序。

如上所述，在向清洗對象物M噴射二氧化碳之前向虛設(shè)區(qū)域事先噴射二氧化碳，以在噴嘴100的排出口110周圍飽和的狀態(tài)下進行清洗對象物M的清洗，從而能夠提高清洗效率。

圖6是示出根據(jù)本實用新型的一實施例的大氣壓方式的等離子體清洗部的剖面圖，圖7是示出根據(jù)本實用新型的一實施例的真空方式的等離子體清洗部的剖面圖。

參照圖6，大氣壓方式的等離子體清洗部2可以包括：清洗平臺2a，在上部放置有清洗對象物M，等離子體模塊2b，配備于清洗對象物M的上部而產(chǎn)生等離子體；腔室2c，包圍所述清洗平臺2a、等離子體模塊2b及清洗對象物M。腔室2c內(nèi)部可以維持在用于維持溫度和濕度的氮(N2)氛圍，或者30torr左右的低真空狀態(tài)。等離子體模塊2b可以使用氟系的干式蝕刻氣體以提高有機物去除效率?？梢詷?gòu)成事先如下的清晰方式：在等離子體模塊2b移動時將清洗對象物M的前表面清洗，或者在清洗對象物M移動時進行清洗。所述清洗平臺2a可以由靜電卡盤形成。

參照圖7，真空方式的等離子體清洗部2包括：清洗平臺2d，在上部放置有清洗對象物M，等離子體電極2e，配備于清洗對象物M的上部而產(chǎn)生等離子體；腔室2f，包圍所述清洗平臺2d、等離子體電極2e及清洗對象物M。腔室2f內(nèi)部可以維持1torr左右的低真空狀態(tài)，并且可以使用氟系的干式蝕刻氣體以提高有機物去除效率。清洗以將清洗對象物M的前表面同時清洗的方式構(gòu)成。所述清洗平臺2d可以由靜電卡盤形成。

所述清洗平臺2a、2d可以與CO₂清洗部1的清洗平臺200互為獨立，或者可以使CO₂清洗部1的清洗平臺200移動而在等離子體清洗部2中作為平臺而使用。

在具有上述構(gòu)成的干式清洗部中進行清洗之后，清洗對象物M被移送至濕式(WET)清洗部4，而進行濕式清洗。

所述濕式(WET)清洗部4中的清洗通過如下方式執(zhí)行：如圖1所示，在沉積槽中收容清洗藥液，并將清洗對象物M在清洗藥液中浸泡預(yù)定時間而進行清洗。

若在所述濕式(WET)清洗部4中的清洗完畢，則清洗對象物M在經(jīng)過干燥部5之后被移送至OLED沉積部6，從而進行有機物質(zhì)的沉積工序。

如上所述，以優(yōu)選實施例為例對本實用新型進行了詳細的說明。但是本實用新型不限于上述實施例，本實用新型可以在權(quán)利要求書、具體實施方式及所附附圖的范圍之內(nèi)變實現(xiàn)多種形態(tài)的變形而被實施，并且這些仍屬于本實用新型。