本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體地，本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制備方法、電子裝置。

背景技術(shù)：

隨著集成電路技術(shù)的持續(xù)發(fā)展，芯片上將集成更多器件，芯片也將具有更快的速度。在這些要求的推進(jìn)下，器件的幾何尺寸將不斷縮小，在芯片的制造工藝中不斷采用新材料、新技術(shù)和新的制造工藝。目前半導(dǎo)體器件的制備工藝逐漸成熟。

隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷減小給器件制備帶來(lái)更多的挑戰(zhàn)，目前半導(dǎo)體器件中晶體管的制備方法通常是先形成nmos和pmos柵極材料層，首先對(duì)pmos進(jìn)行預(yù)摻雜離子注入，然后對(duì)nmos進(jìn)行預(yù)摻雜離子注入，然后形成掩膜層進(jìn)行蝕刻，以得到柵極結(jié)構(gòu)。但是通過(guò)所述方法制備得到的器件中通常會(huì)發(fā)生nmos柵極結(jié)構(gòu)輪廓的缺陷，例如在柵極結(jié)構(gòu)的頂部出現(xiàn)缺失，形成缺口。

通過(guò)對(duì)所述缺陷進(jìn)行分析發(fā)現(xiàn)造成所述結(jié)構(gòu)的原因是由于在蝕刻之前對(duì)所述nmos進(jìn)行了p離子的注入，目前的解決方法通常是在pmos預(yù)摻雜離子注入之后進(jìn)行快速熱退火，以使nmos中摻雜的磷擴(kuò)散至內(nèi)部，但是所述方法會(huì)引起pmos中摻雜的b快速的向nmos擴(kuò)散，因此nmos和pmos之間可能會(huì)共享某些區(qū)域，從而造成半導(dǎo)體器件的閾值電壓發(fā)生退化。

因此需要對(duì)目前所述半導(dǎo)體器件的制備方法作進(jìn)一步的改進(jìn)，以便消除上述問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在具體實(shí)施方式部分中進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確 定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。

本發(fā)明為了克服目前存在問(wèn)題，提供了一種半導(dǎo)體器件的制備方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括nmos區(qū)域和pmos區(qū)域，在所述nmos區(qū)域和所述pmos區(qū)域上形成有柵極材料層；

對(duì)所述nmos區(qū)域上方的所述柵極材料層進(jìn)行第一類(lèi)型預(yù)摻雜離子注入；

對(duì)所述nmos區(qū)域進(jìn)行高溫退火，以使預(yù)摻雜離子在所述nmos區(qū)域上方的所述柵極材料層中均勻擴(kuò)散；

對(duì)所述pmos區(qū)域上方的所述柵極材料層進(jìn)行摻雜類(lèi)型不同于第一類(lèi)型的第二類(lèi)型預(yù)摻雜離子注入。

可選地，所述方法還進(jìn)一步包括：

在所述nmos區(qū)域和所述pmos區(qū)域上形成圖案化的掩膜層；

以所述掩膜層為掩膜層蝕刻所述柵極材料層，以分別在所述nmos區(qū)域和所述pmos區(qū)域形成nmos柵極和pmos柵極；

對(duì)所述nmos柵極和所述pmos柵極進(jìn)行退火。

可選地，所述方法還進(jìn)一步包括：

在所述nmos柵極和所述pmos柵極的側(cè)壁上形成偏移側(cè)壁。

可選地，對(duì)所述nmos柵極和所述pmos柵極進(jìn)行退火的溫度為700-800℃。

可選地，形成所述柵極材料層和/或所述掩膜層的溫度低于650℃。

可選地，對(duì)所述nmos區(qū)域進(jìn)行尖峰退火，以使預(yù)摻雜離子在所述nmos區(qū)域上方的所述柵極材料層中均勻擴(kuò)散。

可選地，所述退火溫度為900-1000℃。

可選地，對(duì)所述nmos區(qū)域上方的所述柵極材料層進(jìn)行n型預(yù)摻雜離子注入；對(duì)所述pmos區(qū)域上方的所述柵極材料層進(jìn)行p型預(yù)摻雜離子注入。

本發(fā)明還提供了一種基于上述的方法制備得到的半導(dǎo)體器件。

本發(fā)明還提供了一種電子裝置，包括上述的半導(dǎo)體器件。

本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題提供了一種半導(dǎo)體器件的制備方法，所述方法改變現(xiàn)有技術(shù)中半導(dǎo)體器件的制備順序，首先對(duì)所述nmos柵極進(jìn)行預(yù)摻雜離子注入，接著對(duì)所述nmos區(qū)域進(jìn)行高溫尖峰退 火，然后對(duì)所述pmos區(qū)域進(jìn)行預(yù)摻雜離子注入，最后圖案化以分別形成nmos柵極和pmos柵極。

本發(fā)明通過(guò)對(duì)所述制備工藝步驟的改變，所述高溫尖峰退火不僅可以使nmos預(yù)摻雜離子(例如磷)擴(kuò)散的更加均一，從而使所述nmos柵極材料底部和頂部的蝕刻速率一致，從而解決現(xiàn)有技術(shù)中nmos柵極頂部過(guò)蝕刻造成缺失、缺口的問(wèn)題，還可以防止pmos中的預(yù)摻雜離子擴(kuò)散至nmos區(qū)域，使閾值電壓更加穩(wěn)定，進(jìn)一步提高了半導(dǎo)體器件的性能和良率。

附圖說(shuō)明

本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來(lái)解釋本發(fā)明的裝置及原理。在附圖中，

圖1為本發(fā)明一具體地實(shí)施中所述半導(dǎo)體器件的制備過(guò)程示意圖；

圖2為制備得到的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的sem示意圖，其中a為現(xiàn)有技術(shù)方法制備得到的器件，b為本發(fā)明方法制備得到的器件；

圖3為本發(fā)明一具體地實(shí)施中所述半導(dǎo)體器件的制備的工藝流程圖。

具體實(shí)施方式

在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見(jiàn)的是，本發(fā)明可以無(wú)需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例將使公開(kāi)徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)的尺寸以及相對(duì)尺寸可能被夸大。自始至終相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。

應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)元件或?qū)颖环Q(chēng)為“在...上”、“與...相鄰”、“連接到”或“耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，其可以直接地在其它元件或?qū)由稀⑴c之相鄰、連接或耦合到其它元件或?qū)?，或者可以存在居間的元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱(chēng)為“直接在...上”、“與...直接相鄰”、“直接連接到”或“直接耦合到”其它元 件或?qū)訒r(shí)，則不存在居間的元件或?qū)?。?yīng)當(dāng)明白，盡管可使用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區(qū)、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅僅用來(lái)區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分與另一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分。因此，在不脫離本發(fā)明教導(dǎo)之下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)、層或部分可表示為第二元件、部件、區(qū)、層或部分。

空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在這里可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個(gè)元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)明白，除了圖中所示的取向以外，空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)意圖還包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)，然后，描述為“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征將取向?yàn)樵谄渌蛱卣鳌吧稀?。因此，示例性術(shù)語(yǔ)“在...下面”和“在...下”可包括上和下兩個(gè)取向。器件可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)并且在此使用的空間描述語(yǔ)相應(yīng)地被解釋。

在此使用的術(shù)語(yǔ)的目的僅在于描述具體實(shí)施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使用時(shí)，單數(shù)形式的“一”、“一個(gè)”和“所述/該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語(yǔ)“組成”和/或“包括”，當(dāng)在該說(shuō)明書(shū)中使用時(shí)，確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時(shí)，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)目的任何及所有組合。

為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟以及詳細(xì)的結(jié)構(gòu)，以便闡釋本發(fā)明的技術(shù)方案。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。

實(shí)施例一

本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，提供了一種半導(dǎo)體器件的制備方法，下面結(jié)合附圖1對(duì)本發(fā)明的一具體地實(shí)施方式做進(jìn)一步的說(shuō)明。

執(zhí)行步驟101，提供半導(dǎo)體襯底101，所述半導(dǎo)體襯底包括nmos區(qū)域和pmos區(qū)域，在所述nmos區(qū)域和所述pmos區(qū)域上形成有柵極材料層103。

首先，參照?qǐng)D1，提供半導(dǎo)體襯底101，所述半導(dǎo)體襯底101可以是以下所提到的材料中的至少一種：硅、絕緣體上硅(soi)、絕緣體上層疊硅(ssoi)等。

此外，半導(dǎo)體襯底101上可以被定義有源區(qū)。在該有源區(qū)上還可以包含有其他的有源器件，為了方便，在所示圖形中并沒(méi)有標(biāo)示。

然后在所述襯底上形成淺溝槽隔離，所述淺溝槽隔離的形成方法可以選用現(xiàn)有技術(shù)中常用的方法，例如首先，在半導(dǎo)體襯底101上依次形成第一氧化物層和第一氮化物層。接著，執(zhí)行干法刻蝕工藝，依次對(duì)第一氮化物層、第一氧化物層和半導(dǎo)體襯底進(jìn)行刻蝕以形成溝槽。具體地，可以在第一氮化物層上形成具有圖案的光刻膠層，以該光刻膠層為掩膜對(duì)第一氮化物層進(jìn)行干法刻蝕，以將圖案轉(zhuǎn)移至第一氮化物層，并以光刻膠層和第一氮化物層為掩膜對(duì)第一氧化物層和半導(dǎo)體襯底進(jìn)行刻蝕，以形成溝槽。當(dāng)然還可以采用其它方法來(lái)形成溝槽，由于該工藝以為本領(lǐng)域所熟知，因此不再做進(jìn)一步描述。

然后，在溝槽內(nèi)填充淺溝槽隔離材料，以形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。具體地，可以在第一氮化物層上和溝槽內(nèi)形成淺溝槽隔離材料，所述淺溝槽隔離材料可以為氧化硅、氮氧化硅和/或其它現(xiàn)有的低介電常數(shù)材料；執(zhí)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝并停止在第一氮化物層上，以形成具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明中所述淺溝槽隔離可以將所述半導(dǎo)體襯底分為nmos區(qū)域以及pmos區(qū)域。

接著，在所述nmos區(qū)域和所述pmos區(qū)域形成柵極材料層。

具體地，在所述半導(dǎo)體襯底上依次沉積柵極介電層、柵極材料層，其中，所述柵極介電層可選為二氧化硅，其形成方法可以為沉積二氧化硅材料層或者高溫氧化所述半導(dǎo)體襯底來(lái)形成絕緣層，所述柵極材料層可包括多晶硅層、金屬層、導(dǎo)電性金屬氮化物層、導(dǎo)電性金屬氧化物層和金屬硅化物層中的一種或多種，在本發(fā)明中所述柵極材料層選用多晶硅層。

其中所述柵極材料層的沉積溫度不超過(guò)650℃，例如所述柵極材料層的沉積溫度為620℃。

執(zhí)行步驟102，對(duì)所述nmos區(qū)域上方的所述柵極材料層進(jìn)行第一類(lèi)型預(yù)摻雜離子注入。

具體地，對(duì)所述nmos區(qū)域上方的所述柵極材料層進(jìn)行n型預(yù)摻雜離 子注入，其中所述n型預(yù)摻雜離子為磷、砷、銻、鉍中的一種或組合。在該實(shí)施例中，所述n型預(yù)摻雜離子為磷。

其中，所述離子注入的能量為5～15kev，所述離子注入的濃度為1e13-1e14原子/cm³。需要說(shuō)明的是所述范圍僅僅是示例性的，并不局限于該范圍。

執(zhí)行步驟103，對(duì)所述nmos區(qū)域進(jìn)行高溫退火，以使預(yù)摻雜離子在所述nmos區(qū)域上方的所述柵極材料層中均勻擴(kuò)散。

具體地，在該步驟中，對(duì)所述nmos區(qū)域進(jìn)行尖峰退火，以使nmos預(yù)摻雜離子(例如磷)擴(kuò)散的更加均一，從而使所述nmos柵極材料底部和頂部的蝕刻速率一致，從而解決現(xiàn)有技術(shù)中nmos柵極頂部過(guò)蝕刻造成缺失、缺口的問(wèn)題。圖2為制備得到的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的sem示意圖，其中a為現(xiàn)有技術(shù)方法制備得到的器件，b為本發(fā)明方法制備得到的器件；通過(guò)該圖可以看出本發(fā)明所述方法很好的解決了該問(wèn)題。

在該步驟中，所述尖峰退火溫度為900-1000℃，例如所述尖峰退火溫度為950℃。

執(zhí)行步驟104，對(duì)所述pmos區(qū)域上方的所述柵極材料層進(jìn)行第二類(lèi)型預(yù)摻雜離子注入。

其中，所述第二類(lèi)型預(yù)摻雜離子注入與所述第一類(lèi)型預(yù)摻雜離子注入的離子類(lèi)型是不同的。

具體地，對(duì)所述nmos區(qū)域上方的所述柵極材料層進(jìn)行p型預(yù)摻雜離子注入，其中所述p型預(yù)摻雜離子為硼。

其中，所述離子注入的能量為5～15kev，所述離子注入的濃度為1e13-1e14原子/cm³。需要說(shuō)明的是所述范圍僅僅是示例性的，并不局限于該范圍。

執(zhí)行步驟105，在所述nmos區(qū)域和所述pmos區(qū)域上形成圖案化的掩膜層。

具體地，在該步驟中所述掩膜層為硬掩膜層，所述硬掩膜層可以包括若干層。在該實(shí)施例中所述掩膜層包括第一硬掩膜層104和第二硬掩膜層 105，其中，所述第一硬掩膜層104選用氧化物，所述第二硬掩膜層105選用氮化物。

其中，在該步驟中所述第一硬掩膜層104和第二硬掩膜層105的沉積溫度較低，例如在400℃左右，以使所述柵極材料層中的離子均一。

執(zhí)行步驟106，以所述掩膜層為掩膜層蝕刻所述柵極材料層，以分別在所述nmos區(qū)域和所述pmos區(qū)域形成nmos柵極和pmos柵極。

具體地，在該步驟中以所述掩膜層為掩膜層蝕刻所述柵極材料層，在該步驟中可以選用干法蝕刻，在所述干法蝕刻中可以選用cf4、chf3，另外加上n2、co2、o2中的一種作為蝕刻氣氛，其中氣體流量為cf410-200sccm，chf310-200sccm，n2或co2或o210-400sccm，所述蝕刻壓力為30-150mtorr，蝕刻時(shí)間為5-120s，可選為5-60s。

可選地，對(duì)所述nmos柵極和所述pmos柵極進(jìn)行退火，其中，對(duì)所述nmos柵極和所述pmos柵極進(jìn)行退火的溫度為700-800℃，例如為750℃。

執(zhí)行步驟107，在所述nmos柵極和所述pmos柵極的側(cè)壁上形成偏移側(cè)壁。

可選地，所述方法還進(jìn)一步包括在所述nmos柵極以及pmos柵極兩側(cè)形成偏移側(cè)墻(offsetspacer)。所述偏移側(cè)墻的材料例如是氮化硅，氧化硅或者氮氧化硅等絕緣材料。隨著器件尺寸的進(jìn)一步變小，器件的溝道長(zhǎng)度越來(lái)越小，源漏極的粒子注入深度也越來(lái)越小，偏移側(cè)墻的作用在于以提高形成的晶體管的溝道長(zhǎng)度，減小短溝道效應(yīng)和由于短溝道效應(yīng)引起的熱載流子效應(yīng)。在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成偏移側(cè)墻的工藝?yán)缁瘜W(xué)氣相沉積，本實(shí)施例中，所述偏移側(cè)墻的厚度可以小到80埃。

可選地，在所述nmos柵極以及pmos柵極兩側(cè)執(zhí)行l(wèi)dd離子注入步驟并活化。

具體地，形成輕摻雜源極/漏極(ldd)于nmos柵極以及pmos柵極兩側(cè)的襯底中。所述形成ldd的方法可以是離子注入工藝或擴(kuò)散工藝。所述ldd注入的離子類(lèi)型根據(jù)將要形成的半導(dǎo)體器件的電性決定，即形成的器件為nmos器件，則ldd注入工藝中摻入的雜質(zhì)離子為磷、砷、銻、鉍中的一種或組合；若形成的器件為pmos器件，則注入的雜質(zhì)離子為硼。 根據(jù)所需的雜質(zhì)離子的濃度，離子注入工藝可以一步或多步完成。

可選地，在所述nmos柵極結(jié)構(gòu)和所述pmos柵極結(jié)構(gòu)的偏移側(cè)壁上形成間隙壁。

具體地，在所形成的偏移側(cè)墻上形成間隙壁(spacer)，所述間隙壁可以為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中一種或者它們組合構(gòu)成。作為本實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)化實(shí)施方式，所述間隙壁為氧化硅、氮化硅共同組成，具體工藝為：在半導(dǎo)體襯底上形成第一氧化硅層、第一氮化硅層以及第二氧化硅層，然后采用蝕刻方法形成間隙壁。

在柵極的每個(gè)側(cè)壁上形成間隙壁，包括氮化物、氧氮化物或它們的組合，是通過(guò)沉積和刻蝕形成的。間隙壁結(jié)構(gòu)可以具有不同的厚度，但從底表面開(kāi)始測(cè)量，間隙壁結(jié)構(gòu)的厚度通常為10到30nm。需要說(shuō)明的是，間隙壁是可選的而非必需的，其主要用于在后續(xù)進(jìn)行蝕刻或離子注入時(shí)保護(hù)柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁不受損傷。

至此，完成了本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的相關(guān)步驟的介紹。在上述步驟之后，還可以包括其他相關(guān)步驟，此處不再贅述。并且，除了上述步驟之外，本實(shí)施例的制造方法還可以在上述各個(gè)步驟之中或不同的步驟之間包括其他步驟，這些步驟均可以通過(guò)現(xiàn)有技術(shù)中的各種工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)，此處不再贅述。

本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題提供了一種半導(dǎo)體器件的制備方法，所述方法改變現(xiàn)有技術(shù)中半導(dǎo)體器件的制備順序，首先對(duì)所述nmos柵極進(jìn)行預(yù)摻雜離子注入，接著對(duì)所述nmos區(qū)域進(jìn)行高溫尖峰退火，然后對(duì)所述pmos區(qū)域進(jìn)行預(yù)摻雜離子注入，最后圖案化以分別形成nmos柵極和pmos柵極。

本發(fā)明通過(guò)對(duì)所述制備工藝步驟的改變，所述高溫尖峰退火不僅可以使nmos預(yù)摻雜離子(例如磷)擴(kuò)散的更加均一，從而使所述nmos柵極材料底部和頂部的蝕刻速率一致，從而解決現(xiàn)有技術(shù)中nmos柵極頂部過(guò)蝕刻造成缺失、缺口的問(wèn)題，還可以防止pmos中的預(yù)摻雜離子擴(kuò)散至nmos區(qū)域，使閾值電壓更加穩(wěn)定，進(jìn)一步提高了半導(dǎo)體器件的性能和良率。

參照?qǐng)D3，其中示出了本發(fā)明制備所述半導(dǎo)體器件的工藝流程圖，用于簡(jiǎn)要示出整個(gè)制造工藝的流程，包括：

步驟s1：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括nmos區(qū)域和pmos區(qū)域，在所述nmos區(qū)域和所述pmos區(qū)域上形成有柵極材料層；

步驟s2：對(duì)所述nmos區(qū)域上方的所述柵極材料層進(jìn)行第一類(lèi)型預(yù)摻雜離子注入；

步驟s3：對(duì)所述nmos區(qū)域進(jìn)行高溫退火，以使預(yù)摻雜離子在所述nmos區(qū)域上方的所述柵極材料層中均勻擴(kuò)散；

步驟s4：對(duì)所述pmos區(qū)域上方的所述柵極材料層進(jìn)行第二類(lèi)型預(yù)摻雜離子注入；

步驟s5：在所述nmos區(qū)域和所述pmos區(qū)域上形成圖案化的掩膜層；

步驟s6：以所述掩膜層為掩膜層蝕刻所述柵極材料層，以分別在所述nmos區(qū)域和所述pmos區(qū)域形成nmos柵極和pmos柵極；

步驟s7：對(duì)所述nmos柵極和所述pmos柵極進(jìn)行退火。

實(shí)施例二

本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件選用實(shí)施例一所述的方法制備。通過(guò)所述方法制備得到的半導(dǎo)體器件解決現(xiàn)有技術(shù)中nmos柵極頂部過(guò)蝕刻造成缺失、缺口的問(wèn)題，還可以防止pmos中的預(yù)摻雜離子擴(kuò)散至nmos區(qū)域，使閾值電壓更加穩(wěn)定，進(jìn)一步提高了半導(dǎo)體器件的性能和良率。

實(shí)施例三

本發(fā)明還提供了一種電子裝置，包括實(shí)施例二所述的半導(dǎo)體器件。其中，半導(dǎo)體器件為實(shí)施例二所述的半導(dǎo)體器件，或根據(jù)實(shí)施例一所述的制備方法得到的半導(dǎo)體器件。

本實(shí)施例的電子裝置，可以是手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、上網(wǎng)本、游戲機(jī)、電視機(jī)、vcd、dvd、導(dǎo)航儀、照相機(jī)、攝像機(jī)、錄音筆、mp3、mp4、psp等任何電子產(chǎn)品或設(shè)備，也可為任何包括所述半導(dǎo)體器件的中間產(chǎn)品。本發(fā)明實(shí)施例的電子裝置，由于使用了上述的半導(dǎo)體器件，因而具有 更好的性能。

本發(fā)明已經(jīng)通過(guò)上述實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說(shuō)明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以?xún)?nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書(shū)及其等效范圍所界定。